JPS59144193A - 半導体レ−ザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は半導体レーずに関するものである。より具体的
にいえば、屈折率導波と利得導波との特徴を組合わせて
有するレーザに関するものである。

〔背景技術〕

従来の半導体レーザにおいて、レーずの端面から放射さ
れる光ビームは、レーず近視野パターンを要求された像
面に再結像することにより、光デイスク記憶体または磁
気光ディスク記憶体および検索およびレーず印刷のよう
ないろいろな応用の必要性に適応するために、小さなス
ポットに、通常、集光される。半導体レーザにおいて、
互いに直交する方向において、すなわち、ＰＮプラナ接
合に垂直である垂直放射方向においておよびＰＮプラナ
接合に平行でそれに沿った横放射方向において、レーザ
端面から放射される光の発散角がいろいろであると共に
、発散点がいろいろである。

（これはまた光ビーム排出位置と呼ばれる。）これらの
発散点は、レーデ構造体の構造が異なれば異なる。１つ
の種類のレーず構造体として屈折率導波レーずがある。

この屈折率導波レーザは、実際の屈折率導波路によって
光波を導波するために、横方向導波性をうるためにＰＮ
接合面に沿って、例えば、亜鉛を拡散させることによっ
てえられる屈折率の差、またはレーザ構造体の構造、例
えは、非プラナ層、基板チャンネルまたは基板メサ、ま
たは層の厚さの変化による屈折率の差、に依存する。こ
れらのレーザにお（・て、屈折率導波といわれるものは
ＰＮ接合面に沿ってのものである。しかし、この面は厳
密に平面である必要しまない。（このＰＮ接合面の垂直
方向にペテロ構造層を配置することにより、屈折率導波
かまたえられることがわかる。）これらのレーずの（・
くつ力）の例をあければ、チャンネル形基板プラナ・レ
ーず、チャンネル形基板非プラナ・レーザおよび埋込み
形へテロ構造レーずである。屈折率導波レーザ゛におい
て、レーザの近視野パターンが、非点収差の補正なしに
、像平面上に回折で定まるスポットに結像される。それ
は、垂直方向と横方向との両方向における光ビーム排出
が、事実上、レーザ端面内にあるからである。これらの
レーずは、通常、狭い波長スペクトルを放射し、そして
、ｔ、ｌｆｔ、ｉｆ。

単−縦モード動作かえられる。

他の種類のレーず構造体は利得導波レーザである。利得
導波レーずは、光波を導波するために、そのレーザ゛の
各構造層を構成する半導体材料の屈折率の実数部および
虚数部の両者が電流によって差を生ずることに依存する
。いまの場合がそうであるように２．細い電流限定領域
は、または細（・ストリップは、いくつかの目的を達成
する。屈折率導波レーザ゛の動作に対し、これらのレー
ザ゛の動作のさいには、閾値電流密度がいくらか大きい
けれども、レーず閾値全電流は幅の大きいストリップに
比較して非常に小さく、このために内部加熱が小さくな
り、したがって、連続動作が可能である。

電流限定構造体は、光波を横方向に関してＰＮ接合内に
限定し、このＰＮ接合では注入された電荷がない場合に
、屈折率の実数部の変化はない。したがって、電流限定
領域のすぐ下の注入された大きな電荷密度とその結果と
しての高利得は、横方向の屈折率の分布の実数部と虚数
部の両方を決定する。この横方向導波は、注入された電
荷の分布に完全に依存する。その結果、レーザ特性は電
流限定領域の幅に依存するであろう。

電流限定領域の幅が小さい時、利、得導波し−ずにおい
て、出力は（電流が大きくなると共に）着実に増加し、
そして横方向モードは変化しない。

けれども、この特性がこのように改良されるが、それに
はＰＮ接合面に沿っての光ビームの発散が増加すること
および光ビームの非点収差が大きくなることを伴う。こ
の非点収差は、すべての利得導波レーずに存在する。非
点収差は、−流限定領域の幅が小さくなるにつれて、レ
ーザビームの波面の湾曲が大きくなるために生ずる。Ｐ
Ｎ接合面に垂直な方向にはこのような湾曲は生じないか
ら、ＰＮ接合面内での光ビーム排出と、レーず光共振器
内のＰＮ接合面に垂直な面内での光ビーム排出は、空間
的に異なる点にある。レーザの垂直方向の放射光は、端
面の背後の十分レーず内にある１つの発散点または光ビ
ーム排出位置を有する。この因子のために、横方向の放
射光ビームの像面ば垂直放射方向の光ビームと同じ面内
にはなく、このことは共通の像面に集光するさいに非点
収差をもたらし、コリメーションと再集光のために、よ
り複雑な光学装置を必要とする。

光デイスク装置や印刷装置またはこのような他の応用例
の場合のように、半導体レーザの近視野出力の集光を必
要とする場合には、屈折率導波レーザを用いることは決
定的に有利である。それはこれらのレーずは利得導波レ
ーザのもつ非点収差をもたないからであり、したがって
、集光が容易に行なえるからである。けれども、屈折率
導波レーｒは、数ミリワット以上の出力レベルで動作す
る時、通常、単−縦モード動作を行なう。前記のレーず
の応用例において、単−縦モード動作はレーザ光のコヒ
ーレンス長が長いことから起こる過大雑音や、時間と共
に起こるレーずの熱的変動にヨル縦モード「ホッピング
」を生ずる。他方、利得導波レーザにより、これらの好
ましくない効果をあまり有しない多重縦モード動作かえ
られるが、しかし、好ましくない非点収差が存在し、そ
れを除去するために複雑なレンズ装置を必要とする。

〔発明の要約〕

本発明により、前記欠点のない屈折率・利得導波特性を
組合わせて有する半導体レーザ゛がえられる。この半導
体レーザは、レーザ作用条件下で、レーザの端面間の光
共振器内を伝播する放射光を維持するための活性領域を
構成する、１つの層または多重層を有する。そして、こ
の活性領域は屈折率導波および利得導波の組合わせ領域
を有することを特徴とする。光ディスクおよびその他の
前記応用例に対して、この組合わせ領域は、中央利得導
波領域と、この中央利得導波領域とレーザ端面との間に
ある屈折率導波領域とで構成されることが好ましい。さ
らに、この中央領域と端面との間の領域は厚さが十分に
薄い活性層を有しており、それにより総合的に透明な導
波路または量子力学的井戸形導波路を構成し、電子状態
の量子化により、放射光を吸収しない。

はｙ単−縦モードレーザから放射された非点収差のある
光ビームが、１つの端面に隣接したまたは両方の端面に
隣接した屈折率導波部分をそなえた中央屈折率導波領域
を有する構造体の中に、利点をもって導かれるという応
用も可能である。

この屈折率・利得導波の特徴を多重光共振器レーず・ア
レイが有することも可能である。

本発明の内容に基づいてえられる他の構造を有するこの
他のいろいろな屈折率・利得導波構造体の実施例が明ら
かにされる。

本発明のこの他の目的および本発明の完全な理解は、添
付図面を参照することにより、および以下の説明と特許
請求の範囲より明確にえられるであろう。

〔発明の実施態様〕

第１図は本発明の１つの実施例を示したものである。牛
導体し−ず１０は順次に沈着された複数１固の半導体層
を有する。これらの半導体層は、当業者には周知である
ように、例えば（）ａＡｓおよびＧａＡＡＡｓの層であ
って、それらのドーピンダ量、厚さおよび組成はいろい
ろと変えられる。基板１２はＮ形（）ａＡｓであること
ができる。クラッド層１４はＮ形Ｇａ１−）（Ａ％Ａｓ
　（例えは、ｘ　＝　０．４　）、活性層１６はＰ形も
しくはＮ形もしくはドープされていない（）ａ　１−　
ｙＡＡ！ｙＡＳ　（例えば、ｙ　＝　０．０５　）また
はＧａＡＳ　ｓ　クラッド層２０はＰ形Ｇａ１−　ｘＡ
＃ＸＡＳ（例えば、ｘ　＝　０．４　）、および−触体
層２２はＰ形もしくはＰ十形ＧａＡｓである。接触体層
またはキャップ層２２を通る電流結合領域２４は導電領
域である。当業者には周知のように、接触体層２２と基
板１２との両方の露出した表面に金属接触体をつげ、そ
してこれら、の接触体間に電圧を加えることによって、
前記導電領域を迫って電流が流れる。領域２４は、半導
体の性質をもつ層２２の中に、陽子注入またはイオン注
入によって、まわりの領域２６を少なくともその層の深
さまで絶縁体にすることによってつくられる。ポンプ電
流を集中して流すのに他の方法を用いることもできる。

また、この電流限定ストリップは面２７および２８に達
している必要はなく、この電流限定ストリップの瑞が点
線２４Ａと点線２４Ｂのところにあって、ポンプ電流を
領域２３に限定する。

レーザ１０は端面２７と端面２８とを有する。

これらの端面から光２５が放射される。このことから、
活性層１６のレーザ作用領域１８と云われるが、この領
域については後でもつと詳細に説明する。

基板１２は選択的エツチングによって特別の形につくら
れ、その後でその上に層１４〜２２のエピタキシャル沈
着が行なわれる。この工ぎタキシャル沈着は従来のエピ
タキシャル沈着法、例えば、ＬＰＥ　、　ＭＢＥまたは
ＭＯ−ＣＶＤによって実行することができる。この構造
体の形は、基板１２の上に１層または何層かを沈着した
後、活性層１６を成長させる前に、沈着した層を選択的
にエツチングすることによってつくってもよい。　　　
・この構造体は交差した形のチャンネル構造体２９を有
し、および平面状の中央チャンネル領域を有する。この
中央チャンネル領域は活性層１６内の中央利得導波領域
３０の概形によって最もよく示されている。この構造体
はまた、この中央チャンネル領域に隣接して、屈折率導
波領域３２および３４を有する。この屈折率導波領域は
、中央利得導波領域３０と端面２７および２８との間に
ある。

この利得と屈折率を組合わせた領域３０．３２および３
４は活性領域１８を定め、そしてそれを構成する。この
光共振−器は多重縦モードで動作する。それは利得導波
領域３０のためである。これは、端屈折率導波領域３２
および３４のために、非点収差という面倒なこともない
。電流が狭く限定された領域２４に集中しているので、
例えば、６μｍ以下の狭い領域に集中しているので、利
得導波領域３０が多くの自然放射を行なうことができ、
したかつそ、多くの縦モードを放射することができる。

そしてこの利得導波中央領域は屈折率導波領域３２およ
び３４の中に広いバンドの光を光学的にポンプし、供給
するであろう。したがって、多重縦モード動作は、この
ようにしてつくられた光共振器からの近視野放射２５に
おいて、非点収差のない集光かえられるという性能と同
時にえられるであろう。

第２図に示された利得・屈折率導波レーザ４０の構造一
体は第１図に示された構造体とほぼ同じであるが、異な
る点は基板１２上の交差構造体がチャンネル形構造体２
９ではなくメサ形構造体４２になっていることである。

中央の利得導波領域３０′が中央のメサ領域内にあり、
これに狭い屈折率導波領域３２′および３４′が連結し
、この屈折率導波領域が同じメサ状構造であって、端面
２７および２８に達している。第２図のこの他の部分は
第１図のものと同じであるので、対応する部分には同じ
参照番号が付されている。また、電流限定領域２４はレ
ーデ端面２７および２８に達していない。

第４図は第１図または第２図のそれぞれの埋込まれた交
差構造体２９または４２の平面図であって、これらの構
造体部分が点線内の斜線で示されている。この図面では
、電流限定領域または電流限定ス）　ＩＪツゾ２４′は
端面２７および端面２８にまで達しており、そしてこの
ス）　ＩＪツブの幅は屈折率導波領域３２または３２′
および屈折率導波領域３４または３４′の幅より大きい
。けれども、電流限定領域または電流限定ストリップ２
４“によって示されているように、とのス）　ＩＪツブ
の幅を屈折率導波領域３２または３２′および屈折率導
波領域３４または３４′の幅よりも少さくすることもで
きる。一般に、屈折率導波領域の利得作用は電流ポンプ
領域の幅によって変わらない。けれども、もし屈折率導
波作用が非常に弱いならば、例えば、チャンネルの構造
幅が大きいならば、電流ポンピング領域の実効幅が利得
作用の最良値に影響を与えることができる。

図面に示されたすべての実施例において、電流限定領域
がレーザ端面に達していてもよいことを断っておく。し
かし、図面に示されたすべての実施例の場合、電流限定
領域は鏡面に達している必要はない。もし活性層１６が
、レーザの中央領域で発生した光に対して透明であるよ
うに、端鏡面の近くで十分に細くつくることができるな
らば、このことは特にそうである。例えば、屈折率導波
領域３２または３２′および屈折率導波領域３４または
３４′内の活性領域が十分に薄い層を有していて電子状
態の量子化が行なわれる程であるならば、この薄い領域
内での光放射再結合はより高いエネルギで起こる。領域
３０または３０′に比べてこれらが極めて薄くつくられ
ることは、例えばＭＯ−ＣＶＤのような、エビタクシャ
ル成長工程中にえられる。エツチングされたチャンネル
またはメサはこれらの領域内での幅は数ミクロンに過ぎ
ないから、いまの場合がそうであるが、チャンネル内お
よびメサ領域内での結晶成長の厚さは異なるであ′ろう
。これらの領域内での結晶成長は、より広い幅の領域３
０および３０’に比べて、ＭＯ−ＣＶＤ反応炉中でのこ
れらの領域へのガスの供給量および横方向のガス流量に
主として依るものと思われる。

これらの効果により、これらの狭い領域内に１１固また
は複数個の量子力学的井戸型層をつくることができる。

この結果、より厚くて幅の大きな領域３０およヒ３０′
で発生した光の伝播に対し、この領域が透明になる。領
域３２または３２′、および３４または３４′は、部分
的に透明な導波路として機能し、レーｒｉｏおよび４ｏ
内に透明な端窓領域かえられる。

電流限定領域２４は端面２７および２８に達していても
よいし、またはこれらの端面に達していなくてもよい。

けれども、いずれの場合にも、端面の劣化が大幅に改善
され、同時により大きな出力をうろことができる。例え
ば、３〜５倍以上の光出力をうろことができる。また、
領域３２または３２′、および領域３４または３４′は
屈折率導波領域であり、出力光２５はこれらの領域内の
２次元的受動導波路であるために非点収差かなく、この
ため、前記背景技術のところで説明したような多くの応
用に対し、この光出力の集光をより容易に実行すること
ができる。

第９図は第１図、第２図および第４図の交差形構造体の
別の実施例を示す。中央のレーザ作用領域がレーザ構造
体の側端面にまで達している代りに、この領域はレーザ
の側端面に達する手前のところで終っていてもよい。

第９図において、利得・屈折率・利得導波組合わせレー
ず５０の結合レーザ作用領域３０“、３２′′および３
４“は、第１０図または第１１図に示されているような
チャンネル構造体を有することができる。この構造体は
、第２図に示された構造体と同様に、メサ構造体にする
こともできる。これらの構造体における活性中央領域３
０“は端領域３２“および３４”の幅の例えは２倍の幅
をもつことができる。領域３０“内のチャンネル幅は十
分に広いので、エピタキシャル成長で活性層１６をつく
るさい、第１１図に示された同一平面上にない屈折率導
波領域５２をつくることができる。けれども、端の導波
領域３２“および３４“では、チャンネル構造体が十分
に狭く、成長工程によりチャンネル幅が「潤され」てし
まい、第１０図に示したように、？ｌＩ’＆１６のエピ
タキシャル成長は同一平面にあるように進行する。この
構造体では、中央の活性領域は、同一平面内にない領域
５２を経由しての屈折率導波領域であるが、端領域は、
第１０図に示されているように、利得導波領域であるで
あろう。

他方、この構造体は屈折率・利得・屈折率導波組合わせ
レーず６０を構成するのに用いることができる。もし中
央チャンネ、ル領域３０“の幅が十分大きいならば、第
１６図に示されているように、幅の広い平面領域６２が
活性層１６内につくられ、これが利得導波領域６２を構
成する。同じ特徴により、領域３２”および３４′′内
のチャンネル構造体の幅は十分大きく、シたがって、第
１２図に示されているように、屈折率導波領域５２と同
じように、成長工程により活性層１６がつくられるさい
、同一平面内にない屈折率導波領域６４がつくられる。

レーｆ５０またはレーザ６０のいずれの場合にも、活性
層は単一の活性層であってもよいし、または量子力学的
井戸形単一層であってもよいし、または量子力学的井戸
形多重層であってもよい。

この惜子力学的井戸形構造体により、狭くつくられた基
板構造体の上に、例えば、チャンネルまたはメサの上に
、透明な導波活性層または受動導波活性層がつくられる
ことに関して、前記特性かえられる。

この利得・屈折率導波組合わせ構造体は多重レーず・ア
レイ構造体に拡張することができる。第６図のレーザ゛
・アレイ７０はこのような構造体の１例である。アレイ
７０は第１図に示されたレー−ｒ１０の拡張された多重
レーザ・アレイの図である。レーザ・アレイ７０は基板
７２を有し、この基板は第１図の構造体２９と同じ交差
形構造体７３を有する。基板７２上に、クラッド層７４
、活性層、量子力学的井戸形単一層または量子力学的井
戸形多重層７６、クラッド層７８および接触体層８８か
順次に形成される。構造体７３は連続した中央利得導波
領域７５をそなえている。この中央利得導波領域７５は
このレーザ゛・アレイを横断して存在し、そして複数１
固の狭い屈折率導波領域７４を有する。この屈折率導波
領域７４は中央領域７５から端面９２かまたは端面９３
に達している。このように、光放射出力９４によって表
されるように、複数個の光共振器が構成される。各光共
振器は対応する電流限定領域９０によってポンプされる
。少なくとも接触体層８８の周辺領域９１は、選択的陽
子注入または選択的イオン注入により、絶縁体にされる
。また、屈折率導波領域はこれらの方法とは異なる方法
によってつくることができる。例えば、亜鉛の拡散、化
学的エッチング、優先方向をもった結晶庫長、または当
業者には周知の他の方法によって、この屈折率導波領域
をつくることができる。この構造体と逆の構造を有する
構造体をつくることもできる。すなわち、中央シー＋１
″″領域が屈折率導波形であり、その外側の端鏡面に近
い領域が利得導波形である構造体である。この構造体で
は、位相同期動作のための光の結合が利得導波部分で起
こる。利得導波結合領域の長さを変えることにより、単
一ロープまたは多重ロープ位相同期出力ビームをうろこ
とができる、すなわち、位相を制御することができる。

利得導波部分の典型的な長さは５０〜１００μｍの範囲
である。

また、第３図のアレイ構造体はそれぞれのエミッタが第
２図のレーｆ′構造体４０である多重エミッタ構造体を
有することができることも明らかである。第２図のレー
ず構造体４０において、各アレイ・エミッタの屈折率導
波領域３２′および３４′はこのメサ構造体を伴う。

単一屈折率導波領域または多重屈折率導波領域は、利得
導波領域としてつくられた端部よりもむしろ、単一レー
ず・アレイの中央部分にえられることがわかる。単一エ
ミッタの１つの実施例が第８図に示されている。第８図
の実施例では、中央屈折率導波領域はチャンネル屈折率
導波領域または屈折率導波領域であることができ、そし
て端領域１３４はそれらの横方向のチャンネル幅または
メサ幅が大きいので利得導波領域を構成する。

第５図〜第８図は本発明による半導体レーずの利得・屈
折率導波組合わせ形の他の特徴を示している。図面に示
されたそれぞれ゛の構造体において、活性領域構造体は
点線で囲まれた斜線部分で示されている。それぞれの図
面において、電流限定装置が端面から出て端面に達して
いる。しかし、この電流限定領域は、選択的陽子注入ま
たは選択的イオン注入または他の電流限定装置により、
第１図に示されたように、利得導波領域またはそれぞれ
の領域に限定することも可能である。それぞれの場合の
構造体はチャンネル構造体（第１図）またはメサ構造体
（第２図）で構成することができる。

第５図において、構造体１００は、端面１０１と端面１
０３との間に、狭い屈折率導波領域１０２および１０４
と、次第に幅が大きくなるまたは気球形をした中央利得
導波領域１０６とを有する。

電流限定装置は、ここに記載されたどの構造体の場合で
も、屈折率導波装置の幅よりも小さいこともできるし、
または大きいこともできる。

第６図の構造体１１０は三角形をした利得導波領域１１
２を有し、そしてこの三角形利得導波領域は端面１１１
に達している。また、この三角形利得導波領域は細い屈
折率導波活性領域１１４に接続し、そしてこの細い屈折
率導波活性領域が端面１１３に達している。電流限定領
域１１５の幅は屈折率導波活性領域１１４の幅よりも大
きい。

第７図の構造体１２０は利得導波−域１２２と屈折率導
波領域１２４との周期的交互構造を有する。この構造体
１２００１つの端面１２３は利得導波領域１２２で終端
しており、一方、他の端面１２１は屈折率導波領域で終
端している。けれども、この構造体は両方の端面が利得
導波領域１２２で終端することもできるし、または両方
の端面が屈折率導波領域１２４で終端することもできる
。

電流限定領域は単一利得導波領域１２４の上にそれぞれ
配置された一連の電流限定領域で構成される。

第８図の構造体１３０は中央の長方形の屈折率導波領域
１３２を有し、この屈折率導波領域１３２の端は幅の広
い利得導波領域１３４に接続し、そしてこれらの利得導
波領域１３４は端面１３１および１３３で終端している
。

すべての前記実施例は（）ａＡｓおよびＧａＡＡＡｓか
ら成る半導体群について説明したが、工ｎ（）ａＡｓＰ
　。

Ｃ）ａＡＩＰ　、　Ｇａ、Ａ７　Ｓ　ｂおよびＰｂ５ｎ
Ｔｅのような他の発光材料群を用いることもできる。ま
た、屈折率導波構造体はチャンネルおよびメサを用いて
説明されたけれども、「窓ストライプ」レーデを用いる
場合のように、選択的拡散のような横屈折率導波をうる
ための他の装置を用いることかで・きる。また、埋込み
へテロ構造レーずの場合のように、化学工ッチングおよ
び再成長、および他の横屈折率導波方式を用いることが
できる。

具体的な例として、成長されそして処理された薄い透明
鏡面領域を有する利得・屈折率導波レーずはＭＯ７３９
Ｂ　　ＰＢＢ−８１の名称のものである。

処理されたこのレーずは第１図に示されたレーザ４０の
構造をもつ。いくつかの構造体が１つのウェハからＭＯ
−〇ＶＤでつくられた。これらの構造体は幅が２．４．
６および８μｍである屈折率、導波領域３２および３４
を有するエツチングされた基板チャンネル・パターンで
構成される。それぞれの幅か４，６．９および１２μｍ
である陽子注入ストリップ構造体が、各チャンネル結合
屈折率導波領域３２および３４の上に整合して配置され
る。したがって、より幅の大きいストリップが対応する
より幅の小さいチャンネルの上に配置される。レーず端
面２７はＡｌ２Ｏ３で被覆される。このＡ７２０３被覆
体の厚さはとのレーザの出力の自由空間波長の半分に等
しい。レーザ端面２８も半波長の厚さをもったＡｌ２Ｏ
３被覆体で被覆され、この被覆体はさらに高い反射率を
うるために、４分の１波長の厚さをもったシリコンの被
覆体で被覆される。この工程処理されたウエノ・が裁断
され、屈折率導波領域が端面に隣接して存在し、一方、
利得導波部分が中央利得導波領域内にあるように、製作
される。さら〜に、中央領域か屈折率導波領域であるよ
うに、そして端面に隣接した外ｆＡＵ　＠域が利得導波
領域であるように裁断された。さらに、レーずの一端が
裁断面に隣接した利得導波領域であるように、そして他
端が裁断面に＠接した屈折率導波領域であるように裁断
された。

このようにしてえられた結果の一例が第１４図に示され
ている。この図は光出力と電流との間の特性図であり、
第１図の屈折率・利得導波レーザ１０に対するものであ
って、幅が６μｍの端チャンネルおよび電流限定領域２
３の場合のものである。これらの結果は、屈折率導波領
域３２および３４が端面２７および２８に隣接している
場合、安定な単一ロープ遠視野パターンを示し、および
近視野非点収差を示さなかった。さらに、領域３０があ
ることにより、利得導波レーザにおけるように、多重縦
モードが観測された。すべてのレーずのレーザ閾値は９
０　ｍＡ　〜１３０７Ｆ＋−Ａの範囲内にあった。他の
鏡構造体の場合にも、し〜ず作用かえられた。裁断され
た端面近くの薄い活性領域のレーザ光に対する透明度の
検査はまた、端面に先立って接触体ストリップ・パター
ンをつくることにより、検査された。第１４図の結果の
場合のように、ポンプされていない領域によるＱスイッ
チングは観測されなかった。したがって、これらの領域
は鏡面近くの薄い領域の透明度が改良されたことを示す
。

本発ツ」は特定の実施例について説明されたけれども、
当業者にとって、前記説明から多くの変更および変形を
行なうことが可能であることは明らかである。したがっ
て、このような変更および変形はすべて特許請求の範囲
内に入るものと解すべきである。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による屈折率・利得導波半導体レーずの
立体図であり、第２図は本発明による別の屈折率・利得
導波半導体レーずの立体図であり、また第６図は本発明
による屈折率・利得導波半導体レーず・アレイの立体図
である。 第４図は第１図または第２図に示されたいずれかのレー
デの屈折率導波領域と利得導波領域との組合わせ領域を
斜線部分で示した平面図である。 第５図から第８図は屈折率導波領域と利得導波領域との
組合わせ領域を斜線部分で示した組合わせ屈折率・利得
導波レーザのそれぞれ図面であって、第５図は異なる利
得導波特性を有する別の組合わせ屈折率・利得導波レー
ザの平面図であり、第６図は結合した利得導波特徴およ
び屈折率導波特徴を有する組合わせ屈折率・利得導波レ
ーずの平面図であり、第７図は交互屈折率導波・利得導
波特徴を有するなお別の組合わせ屈折率・利得導波レー
ザの平面図であり、そして第８図は組合わせ利得・屈折
率・利得導波特徴を有するさらに別の屈折率・利得導波
レーずの平面図である。 第９図は組合わせ屈折率・利得導波領域を斜線部分で示
したさらに別の屈折率・利得導波レーずの平面図であっ
て、第１０図および第１１図は第９図に示されたレーザ
のための屈折率・利得導波領域の１つの実施例の、それ
ぞれ、端面図および断面図であり、第１２図および第１
６図は第９図に示されたレーザのための屈折率・利得導
波領域＼ の別の実施例の、それぞれ、端面図および断面メである
。そして、第１４図は第１図に示された半導体レーずの
出力対電流の特性図である。 １０．４０，５０．６０．７０・・・半導体レーザ、１
２．７２・・・基板、１４．１６．２０，２２゜７４．
７６．７８．８８・・・半導体層、１８・・・活性領域
、２７，２８．９２，９３．ｆｌ：Ｎ、　　１０３゜１
１１．１１３，１２１，１２３．１３・１，１３３・・
・端面、３０．３０’、３０“、６２，７５，１０６゜
１１２．１２２，１３４・・・利得導波領域、３２゜／ ３２’、３２“、３４．３４’、３４“、５２．６４゜
７４．１０２，１０４，１１４，１２４，１３２・・・
屈折率導波領域 代理人　浅　村　　　皓

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に沈着された複数個の隣接する半導体層を有し、
   前記層の１つまたは複数個が活性領域を構成し、前記活
   性領域が少なくともその一部分においてキャリア再結合
   と光発生とを実行しおよびレーデ作用条件下でレーザの
   端面間にできた光共振器内で光の伝播を維持する半導体
   レーずであって、前記活性領域が屈折率導波領域と利得
   導波領域との組合わせを有することを特徴とする半導体
   レーザ。