JPS61296785A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS61296785A JPS61296785A JP60140048A JP14004885A JPS61296785A JP S61296785 A JPS61296785 A JP S61296785A JP 60140048 A JP60140048 A JP 60140048A JP 14004885 A JP14004885 A JP 14004885A JP S61296785 A JPS61296785 A JP S61296785A
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- JP
- Japan
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- film
- active waveguide
- semiconductor laser
- phase
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高出力動作を可能としたＯ°位相同期型半導体
レーザアレイ装置の構造に関するものである。
レーザアレイ装置の構造に関するものである。
［従来技術とその問題点］
半導体レーザを高出力で動作させる場合、単体の半導体
レーザでは現在のところ実用性を考慮するとレーザ光の
最大出力値はＳＯｍＷ程度で限界となる。
レーザでは現在のところ実用性を考慮するとレーザ光の
最大出力値はＳＯｍＷ程度で限界となる。
そこで、複数の半導体レーザを同一基板上に平行に並べ
ることにより高出力化を計る半導体レーザアレイの・研
究が進められている。
ることにより高出力化を計る半導体レーザアレイの・研
究が進められている。
しかしながら、複数本の屈折率導波型半導体レーザを平
行に光学的結合を持たせて並べ、各レーザに均一な利得
を与えても、各半導体レーザによる光は、０°位相で同
期する状態よりもむしろ位相が反転した１８０°位相モ
ードの方が光の電界分布と利得分布が良く一致するので
発振域値利得が小さくなり、定常状態において、発振し
てしまう。これを避けるためには、１８０°位相モード
の発振域値利得を大きくして１８０°位相モードの抑制
を行なう必要があり、第５図（、）に示すように両へき
開面５０に分岐結合型の導波路５１を有する構造の半導
体レーザアレイが提案されている。この導波路は２本の
導波路を進んできたＯ。
行に光学的結合を持たせて並べ、各レーザに均一な利得
を与えても、各半導体レーザによる光は、０°位相で同
期する状態よりもむしろ位相が反転した１８０°位相モ
ードの方が光の電界分布と利得分布が良く一致するので
発振域値利得が小さくなり、定常状態において、発振し
てしまう。これを避けるためには、１８０°位相モード
の発振域値利得を大きくして１８０°位相モードの抑制
を行なう必要があり、第５図（、）に示すように両へき
開面５０に分岐結合型の導波路５１を有する構造の半導
体レーザアレイが提案されている。この導波路は２本の
導波路を進んできたＯ。
位相モードの光は１本の導波路部に進行する際に位相が
同相であるため互に強め合うが、１８０゜位相モードの
光は逆相になるため互に弱められ、放射モードとなって
導波路外に放射していくことを利用して１８０膜位相ギ
・−ドの損失を増大させ、その結果、１８０膜位相モー
ドの発振域値利得を増大させている。
同相であるため互に強め合うが、１８０゜位相モードの
光は逆相になるため互に弱められ、放射モードとなって
導波路外に放射していくことを利用して１８０膜位相ギ
・−ドの損失を増大させ、その結果、１８０膜位相モー
ドの発振域値利得を増大させている。
しかしなが呟導波路の本数が増大していくと、Ｏ°位相
モードと１８０膜位相モードの中間モードの発振域値利
得が最も小さくなってしまい、０°位和モードによる発
振が出来なくなる。例えば第５図（ｂ）のレーザアレに
おけるＯ°位相モード（ａ）、１８０膜位相モード（ｄ
）、各中間モード（ｂ）、 （ｃ）の電界Ｅの分布をそ
れぞれ第６図（ａ）〜（ｄ）に示す。
モードと１８０膜位相モードの中間モードの発振域値利
得が最も小さくなってしまい、０°位和モードによる発
振が出来なくなる。例えば第５図（ｂ）のレーザアレに
おけるＯ°位相モード（ａ）、１８０膜位相モード（ｄ
）、各中間モード（ｂ）、 （ｃ）の電界Ｅの分布をそ
れぞれ第６図（ａ）〜（ｄ）に示す。
この図かられかるように、Ｏ°位相同期モード（、）の
電界Ｅは中央部に分布したレーザ光となり、一方、池の
７レモード（ｂ）、 （ｃ）＝ （ｄ）の電界Ｅは周辺
部に分布したレーザ光となる。
電界Ｅは中央部に分布したレーザ光となり、一方、池の
７レモード（ｂ）、 （ｃ）＝ （ｄ）の電界Ｅは周辺
部に分布したレーザ光となる。
半導体レーザアレイから放射されるレーザ光の遠視野像
はＯ°位相同期状態では単峰性の強度分布を示し、レン
ズで単一の微小スポットに絞ることができるが、１８０
膜位相同期モード及び各中間モード状態では遠視野像が
複数の双峰性のピークとなりレンズで単一のスポットに
絞ることはできない。
はＯ°位相同期状態では単峰性の強度分布を示し、レン
ズで単一の微小スポットに絞ることができるが、１８０
膜位相同期モード及び各中間モード状態では遠視野像が
複数の双峰性のピークとなりレンズで単一のスポットに
絞ることはできない。
レーザ光を単一のスポットに絞れないと各種光学系との
結合に不都合が生じ、光通信、光デイスクシステム等の
光源としての実用性が阻害されることになる。
結合に不都合が生じ、光通信、光デイスクシステム等の
光源としての実用性が阻害されることになる。
従って半導体レーザアレイが０°位相同期して発振する
ように、即ちＯ°位相周期モードの発振利得が１８０膜
位相同期モード及び中間モードよりも高くなるように技
術的手段を駆使して通信用光源等としての利用価値を確
保することが半導体レーザアレイ装置に対して強く要望
されている。
ように、即ちＯ°位相周期モードの発振利得が１８０膜
位相同期モード及び中間モードよりも高くなるように技
術的手段を駆使して通信用光源等としての利用価値を確
保することが半導体レーザアレイ装置に対して強く要望
されている。
［発明の目的］
本発明は平行にならびかつ互いがなめらかに結合された
複数本の屈折率導波型半導体レーザが０°位相同期して
発振し、単峰性の放射パターンで高出力のレーザ光を放
射する半導体レーザアレイ装置を提供することを目的と
する。
複数本の屈折率導波型半導体レーザが０°位相同期して
発振し、単峰性の放射パターンで高出力のレーザ光を放
射する半導体レーザアレイ装置を提供することを目的と
する。
［発明の構ｒ＆１
本発明の半導体レーザアレイ装置は複数の屈折率導波型
活性導波路を有し、且つ前記導波路が互いになめらかに
光学的に平行結合されている半導体レーザアレイ装置で
あって、少なくとも一方の活性導波路のへき開面の中央
部における反射率を周辺部における反射率よりも大きく
したことを特徴とする。
活性導波路を有し、且つ前記導波路が互いになめらかに
光学的に平行結合されている半導体レーザアレイ装置で
あって、少なくとも一方の活性導波路のへき開面の中央
部における反射率を周辺部における反射率よりも大きく
したことを特徴とする。
［実施例１
以下、本発明の１実施例を第１図に示すような平坦な活
性層を有するＧａＡｓ−ＧａＡｌＡｓ系半導体レーザア
レイを用いて説明する。
性層を有するＧａＡｓ−ＧａＡｌＡｓ系半導体レーザア
レイを用いて説明する。
ｐ−ＧａＡｓ基板１上にＬＰＥ（液相エビキシャル成長
）法などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層２を成長させる。
）法などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層２を成長させる。
次に７オトリソグラフイとエツチング技術により、７字
形溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達する深さ迄
形成する。７字形溝３を形成することにより基板１上か
ら電流阻止層２の除去された部分が電流の通路となる。
形溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達する深さ迄
形成する。７字形溝３を形成することにより基板１上か
ら電流阻止層２の除去された部分が電流の通路となる。
再度、ＬＰＥ法を用いて溝付きの基板１上にｐ−Ａｌｘ
Ｇａ、 −ｘＡｓクラッド層４、ｐまたはｎ Ａ １
ｙ Ｇ ａ Ｉｙ Ａ ｓ活性層５、ローＡ夕ｘＧａ
、 ｘＡｓクラッド層６を順次成長させダブルへテロ
接合を介する活性層５を得る。ただし、上記クラッド層
４，６において、ｘ＞ｙである。さらに、この上にｎ”
ＧａＡｓキャップ層７を連続的に成長させてレーザ動作
用の多層結晶構造を構成し、基板側にｎ型抵抗性電極８
を、成長層側即ちキャップ層７上にｎ型抵抗性電極９を
形成した後、共振器長が２００〜３００μｍとなるよう
に前記溝３と直角にへき（臂）開する。
Ｇａ、 −ｘＡｓクラッド層４、ｐまたはｎ Ａ １
ｙ Ｇ ａ Ｉｙ Ａ ｓ活性層５、ローＡ夕ｘＧａ
、 ｘＡｓクラッド層６を順次成長させダブルへテロ
接合を介する活性層５を得る。ただし、上記クラッド層
４，６において、ｘ＞ｙである。さらに、この上にｎ”
ＧａＡｓキャップ層７を連続的に成長させてレーザ動作
用の多層結晶構造を構成し、基板側にｎ型抵抗性電極８
を、成長層側即ちキャップ層７上にｎ型抵抗性電極９を
形成した後、共振器長が２００〜３００μｍとなるよう
に前記溝３と直角にへき（臂）開する。
次に両へき開面にＡ Ｒ２０，膜あるいはアモルファス
Ｓｉ膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面ミラー
を形成する。この時単層のＡで２０３膜あるいは多層の
Ａ ｌ ２０．膜とアモルファスＳｉ膜で構成される反
射膜における各層の厚さを適当に変えることによって反
射膜の反射率を約２％〜９５％まで任意に設定すること
ができる。本実施例ではλ／４厚（λ：発振波長）のＡ
ｌ２Ｏ３膜とλ／４厚のＡｌ２Ｏ３膜を用いていて、そ
れぞれの反射率を約２％と約３２％としている。このた
めに、まず、第２図で示すように、両へ外開面１０にλ
／４厚のＡｌ２Ｏ３膜１１を電子ビーム蒸着法で形成し
、次に周知のホトリソグラフィ技術によってＡで２０．
膜１１のコーティングされたへき開面上の周辺部の活性
導波路部１１１＋ ｌ １１＋２１ ｍｓ ｒ ’Ｊ１
４にレジスト膜１２を形成した後、再度λ／４厚のＡｌ
２Ｏつ＠１３を被覆する。次に第３図に示す上うに、レ
ジスト膜１２をリムーバーで除去することによって、中
央部の活性導波路 Ｗ２１ ｔｕ３ ｔ Ｗｂの両ヘト
開面１０上にはλ／４厚のＡｌ２Ｏ，膜（反射率３２％
）、そして、周辺部の活性導波路部。
Ｓｉ膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面ミラー
を形成する。この時単層のＡで２０３膜あるいは多層の
Ａ ｌ ２０．膜とアモルファスＳｉ膜で構成される反
射膜における各層の厚さを適当に変えることによって反
射膜の反射率を約２％〜９５％まで任意に設定すること
ができる。本実施例ではλ／４厚（λ：発振波長）のＡ
ｌ２Ｏ３膜とλ／４厚のＡｌ２Ｏ３膜を用いていて、そ
れぞれの反射率を約２％と約３２％としている。このた
めに、まず、第２図で示すように、両へ外開面１０にλ
／４厚のＡｌ２Ｏ３膜１１を電子ビーム蒸着法で形成し
、次に周知のホトリソグラフィ技術によってＡで２０．
膜１１のコーティングされたへき開面上の周辺部の活性
導波路部１１１＋ ｌ １１＋２１ ｍｓ ｒ ’Ｊ１
４にレジスト膜１２を形成した後、再度λ／４厚のＡｌ
２Ｏつ＠１３を被覆する。次に第３図に示す上うに、レ
ジスト膜１２をリムーバーで除去することによって、中
央部の活性導波路 Ｗ２１ ｔｕ３ ｔ Ｗｂの両ヘト
開面１０上にはλ／４厚のＡｌ２Ｏ，膜（反射率３２％
）、そして、周辺部の活性導波路部。
ｕ１４ Ｉ ｔｕａ ｌ Ｗｅ上にはλ／４厚のＡｌ２
Ｏ３膜（反射率２％）の共振器ミラーが形成されること
になる。
Ｏ３膜（反射率２％）の共振器ミラーが形成されること
になる。
このようにへき開面１０上に異なる誘電膜を形成するこ
とにより、へき開面１０の反射率が活性導波路Ｗの中央
部で高く、活性導波路Ｗの周辺部で低くなる。
とにより、へき開面１０の反射率が活性導波路Ｗの中央
部で高く、活性導波路Ｗの周辺部で低くなる。
従って、共振器ミラーによる損失は、０°位相同期モー
ドでは第６図（、）に示したように中央部の活性導波路
Ｗに分布する電界の割合が大きいので、共振器ミラーに
よる損失は少なく、一方池の７レイモードにおいては周
辺部の活性導波路Ｗに多く分布しているので、損失は大
きくなる。
ドでは第６図（、）に示したように中央部の活性導波路
Ｗに分布する電界の割合が大きいので、共振器ミラーに
よる損失は少なく、一方池の７レイモードにおいては周
辺部の活性導波路Ｗに多く分布しているので、損失は大
きくなる。
この結果、０゛位相同期モードの全体としての損失は他
のアレイモードに比べて少なく、発振域値利得も小さく
なるため、第４図で示すように、Ｏ°位相で同期しｊこ
レーザ光を安定して出力することができる。
のアレイモードに比べて少なく、発振域値利得も小さく
なるため、第４図で示すように、Ｏ°位相で同期しｊこ
レーザ光を安定して出力することができる。
この時、各導波路間のエバネッセント波を利用して光学
的に結合している方が安定な０°位相同期モードが得ら
れるが、各活性導波路が均一にできていれば、エバネッ
セント波を利用した光学的結合は必ずしも必要ではない
。
的に結合している方が安定な０°位相同期モードが得ら
れるが、各活性導波路が均一にできていれば、エバネッ
セント波を利用した光学的結合は必ずしも必要ではない
。
第５図（ｂ）に示す活性導波路構造の７レイで、活性導
波路Ｗが４μｍ、中間領域幅Ｗｓが１μｍ、中央部の活
性導波路部のへき開端面反射率３２％、周辺部の活性導
波路部のへき開端面反射率２％に設定した半導体レーザ
アレイ装置を試作した場合、発振域値電流は１２ｌ２０
−ｌ５Ｏ、出力１３０ｍＷまで０°位相同期モードで発
振し、他の位相同期モードの発振を抑制することができ
た。
波路Ｗが４μｍ、中間領域幅Ｗｓが１μｍ、中央部の活
性導波路部のへき開端面反射率３２％、周辺部の活性導
波路部のへき開端面反射率２％に設定した半導体レーザ
アレイ装置を試作した場合、発振域値電流は１２ｌ２０
−ｌ５Ｏ、出力１３０ｍＷまで０°位相同期モードで発
振し、他の位相同期モードの発振を抑制することができ
た。
尚、本発明の半導体レーザアレイは上述した屈折率型導
波路構造に限らずリッヂ構造型あるいは埋込み構造型等
の屈折率型導波路に適用できることはいうまでもない。
波路構造に限らずリッヂ構造型あるいは埋込み構造型等
の屈折率型導波路に適用できることはいうまでもない。
さらにＧａＡｌＡｓ−ＧａＡｓ系に限らずＩｎＰ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系、その他の材料を用いた半導体レーザに
適用することができる。
ｎＧａＡｓＰ系、その他の材料を用いた半導体レーザに
適用することができる。
１発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半導体レーザアレイ
装置のへき開面における中央部での反射率が周辺部にお
ける反射率よりも高くなるようにし、たとえばＯ°位相
同期モードの発振域値利得を他のアレイモードにおける
利得よりも小さくしたのでＯ°位相で同期したレーザ光
を安定して放射することがで外る。これによりレンズ等
により微小面積の単一のスポットに絞ることができ、解
像度のすぐれた各種のレーザ光応用機器の実現が可能と
なる。
装置のへき開面における中央部での反射率が周辺部にお
ける反射率よりも高くなるようにし、たとえばＯ°位相
同期モードの発振域値利得を他のアレイモードにおける
利得よりも小さくしたのでＯ°位相で同期したレーザ光
を安定して放射することがで外る。これによりレンズ等
により微小面積の単一のスポットに絞ることができ、解
像度のすぐれた各種のレーザ光応用機器の実現が可能と
なる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザアレイ装
置の断面図、第２図及び第３図は第１図におけるへき開
面上に反射膜を形成する過程を示す平面図、第４図は本
発明の実施例により得られたレーザ光の強度分布を示す
図、第５図（ａ）、 （ｂ）は従来の半導体レーザアレ
イ装置における分岐結合型導波路を示す図、第６図は第
５図（ｂ）における各位相同期モードの電界分布を示す
図である。 １０・・・へき開面、 １１．１３・・・Ａｌ２Ｏつ
膜、１２・・・レジスト膜、 Ｗ・・・活性導波路。
置の断面図、第２図及び第３図は第１図におけるへき開
面上に反射膜を形成する過程を示す平面図、第４図は本
発明の実施例により得られたレーザ光の強度分布を示す
図、第５図（ａ）、 （ｂ）は従来の半導体レーザアレ
イ装置における分岐結合型導波路を示す図、第６図は第
５図（ｂ）における各位相同期モードの電界分布を示す
図である。 １０・・・へき開面、 １１．１３・・・Ａｌ２Ｏつ
膜、１２・・・レジスト膜、 Ｗ・・・活性導波路。
Claims (1)
- （１）複数の屈折率導波型活性導波路を有し、且つ前記
導波路が互いになめらかに光学的に平行結合されている
半導体レーザアレイ装置であって、少なくとも一方の活
性導波路のへき開面の中央部における反射率を周辺部に
おける反射率よりも大きくしたことを特徴とする半導体
レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140048A JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US06/876,223 US4772082A (en) | 1985-06-25 | 1986-06-19 | Semiconductor laser array device |
| GB08614932A GB2176939B (en) | 1985-06-25 | 1986-06-19 | A semiconductor laser array device |
| DE19863621198 DE3621198A1 (de) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Halbleiter-laseranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140048A JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296785A true JPS61296785A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0337877B2 JPH0337877B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=15259768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140048A Granted JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4772082A (ja) |
| JP (1) | JPS61296785A (ja) |
| DE (1) | DE3621198A1 (ja) |
| GB (1) | GB2176939B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215877A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6392079A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US4852113A (en) * | 1986-10-21 | 1989-07-25 | Trw Inc. | Laser array with wide-waveguide coupling region |
| US4866724A (en) * | 1986-10-21 | 1989-09-12 | Trw Inc. | Wide-waveguide interferometric array with interelement losses |
| JPS63199480A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ走査装置 |
| JPH06103775B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1994-12-14 | シャープ株式会社 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US5050180A (en) * | 1989-10-10 | 1991-09-17 | Trw Inc. | Phase-locked arrays of coupled X-junctions |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411117B2 (ja) * | 1972-02-23 | 1979-05-11 | ||
| GB1407351A (en) * | 1973-02-06 | 1975-09-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS55115386A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser unit |
| JPS55595A (en) * | 1979-06-01 | 1980-01-05 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Data imprinting device of camera |
| US4536940A (en) * | 1981-06-12 | 1985-08-27 | At&T Bell Laboratories | Method of making a loss stabilized buried heterostructure laser |
| US4603421A (en) * | 1982-11-24 | 1986-07-29 | Xerox Corporation | Incoherent composite multi-emitter laser for an optical arrangement |
| US4594718A (en) * | 1983-02-01 | 1986-06-10 | Xerox Corporation | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
| US4641311A (en) * | 1983-12-20 | 1987-02-03 | Rca Corporation | Phase-locked semiconductor laser array with integral phase shifters |
| US4624000A (en) * | 1984-11-01 | 1986-11-18 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60140048A patent/JPS61296785A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-19 US US06/876,223 patent/US4772082A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-19 GB GB08614932A patent/GB2176939B/en not_active Expired
- 1986-06-25 DE DE19863621198 patent/DE3621198A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3621198C2 (ja) | 1992-10-08 |
| GB2176939A (en) | 1987-01-07 |
| US4772082A (en) | 1988-09-20 |
| JPH0337877B2 (ja) | 1991-06-06 |
| GB2176939B (en) | 1988-08-03 |
| GB8614932D0 (en) | 1986-07-23 |
| DE3621198A1 (de) | 1987-01-08 |
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