JPS5940592A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS5940592A JPS5940592A JP57151537A JP15153782A JPS5940592A JP S5940592 A JPS5940592 A JP S5940592A JP 57151537 A JP57151537 A JP 57151537A JP 15153782 A JP15153782 A JP 15153782A JP S5940592 A JPS5940592 A JP S5940592A
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- laser
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野２
本発明は半導体レーザ素子の構造に関し、特に熟振器の
片端面当り１５ｍＷ以上の高出力動作に於いても長時間
安定に動作しまたパルス動作に際して片端面当りＩ００
ｍＷ以上の出力を取り出すことのできるレーザ出力特性
の改良技術を確立したものである。
片端面当り１５ｍＷ以上の高出力動作に於いても長時間
安定に動作しまたパルス動作に際して片端面当りＩ００
ｍＷ以上の出力を取り出すことのできるレーザ出力特性
の改良技術を確立したものである。
〈従来の技術〉
半導体レーザ素子の高出力動作を制限する要因の１つに
光出射面となる共振器端面の破壊劣化かある。このとき
の端面破壊出力は従来の半導体レーザ素子では＋ ０６
Ｗ／ｃｎｌ程度であった。また、共振器内では端面近傍
の光子密度か最も犬きく、劣化を促進させるため、端面
近傍における光吸収は半導体レーザの寿命を制限する大
きな要因となっている。
光出射面となる共振器端面の破壊劣化かある。このとき
の端面破壊出力は従来の半導体レーザ素子では＋ ０６
Ｗ／ｃｎｌ程度であった。また、共振器内では端面近傍
の光子密度か最も犬きく、劣化を促進させるため、端面
近傍における光吸収は半導体レーザの寿命を制限する大
きな要因となっている。
端面破壊出力を増大さぜ−また端面の劣化を抑制するこ
とを企図して、端面近傍でのレーザ光の吸収を低減した
端面窓形半導体レーザ素子（ＡｐｐｌｉｅｄＩ’ｈｙｓ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、 ３４ （１９７
９） Ｐ、６３７）やクランク形ＴＪＳレーザ素子（
Ｊｐｎｌ、Ａｐｐｌ。
とを企図して、端面近傍でのレーザ光の吸収を低減した
端面窓形半導体レーザ素子（ＡｐｐｌｉｅｄＩ’ｈｙｓ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、 ３４ （１９７
９） Ｐ、６３７）やクランク形ＴＪＳレーザ素子（
Ｊｐｎｌ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、 ２１ （１９８２） Ｓｕｐｐ
ｌｅｍｅｎｔ ２１−１ 。
ｌｅｍｅｎｔ ２１−１ 。
、Ａ３４７ ）か提唱されている。しかしなから、これ
らの態形半導体レーザ素子はその窓領域では接合に平行
な方向に光導波路か形成されていない。従って窓領域で
はレーザ光か拡かって伝播するため共振器端面で反射し
て再びレーザ発振領域に戻る光の量か減少し実効的な端
面反射率の減少となって発振閾値電流か高くなる欠点を
有していた。
らの態形半導体レーザ素子はその窓領域では接合に平行
な方向に光導波路か形成されていない。従って窓領域で
はレーザ光か拡かって伝播するため共振器端面で反射し
て再びレーザ発振領域に戻る光の量か減少し実効的な端
面反射率の減少となって発振閾値電流か高くなる欠点を
有していた。
従来の態形半導体レーザ素子内で光の伝播する様子をレ
ーザ素子上面方向より描くと第１図に示す如くとなる。
ーザ素子上面方向より描くと第１図に示す如くとなる。
即ち、ストライプ状のレーザ発振動作領域１の両共振端
方向に窓領域２，２′か形成され、共振器端面３，３′
よりレーザビーム４，４′か出力される。尚、レーザ発
振領域端面５，５′は共振器端面３，３′の内方に位置
し、この位置よりレーザ光は伝播波面６で示すように進
行する。
方向に窓領域２，２′か形成され、共振器端面３，３′
よりレーザビーム４，４′か出力される。尚、レーザ発
振領域端面５，５′は共振器端面３，３′の内方に位置
し、この位置よりレーザ光は伝播波面６で示すように進
行する。
レーザビームの焦点（ビームウェイスト）は接合に平行
な方向ではレーザ発振領域端面５，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はレンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
な方向ではレーザ発振領域端面５，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はレンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の態形半導体レーザの欠点全克服した
新規な構造を有する半導体レーザ素子を提供することを
目的とするものである。
新規な構造を有する半導体レーザ素子を提供することを
目的とするものである。
即ち、窓領域にも光導波路を形成することにより、ビー
ムウェイストは接合に水平方向において共振器端面近傍
に存在し、かつ共振器内部においても光子密度が低減さ
れるため高出力で長時間安定に動作させることが可能と
なる。
ムウェイストは接合に水平方向において共振器端面近傍
に存在し、かつ共振器内部においても光子密度が低減さ
れるため高出力で長時間安定に動作させることが可能と
なる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第２図は本発明の一実施例を説明する半導体レーｔｔ’
素子の素子内で光伝播する様子をレーザ素子土面より描
いたものである。
素子の素子内で光伝播する様子をレーザ素子土面より描
いたものである。
導波路幅Ｗｇ １及び長さしｅを有するレーザ発振動作
領域２１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さり
、、、Ｌア’に有する窓領域２２．２２’が配設され、
共振器端面２３，２３’よりレーザビーム２４ 、２４
’が放射される。レーザ発振動作領域２１はレーザ溌振
領域端部２５，２５’でその長さが限定されている。レ
ーザ光はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
領域２１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さり
、、、Ｌア’に有する窓領域２２．２２’が配設され、
共振器端面２３，２３’よりレーザビーム２４ 、２４
’が放射される。レーザ発振動作領域２１はレーザ溌振
領域端部２５，２５’でその長さが限定されている。レ
ーザ光はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
第３図（Ａ）（Ｂ）は第２図に於けるｘ−ｘ及びＹ −
Ｙ断面図である。ｆｆ１Ｊち第３図（Ａ）はレーザ発振
動作領域２Ｉの断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２
２゜２２′の断面図である。
Ｙ断面図である。ｆｆ１Ｊち第３図（Ａ）はレーザ発振
動作領域２Ｉの断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２
２゜２２′の断面図である。
ｐ−ＧａＡｓ基板３Ｉ上に電流全遮断するためのｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロッキング層３２が堆積され、電流ブロン
キング層３２とＧａＡＳ基板３１にはストライプ状の溝
が加工されている。この上Ｋｐ−ＧａＡＩＡｓクラッド
層３３ 、ＧａＡｓ又はＧａＡＩＡＳ活性層８４−、
ｎ−ＧａＡｌＡｓ光ガイド層３７．ｎ−ＧａＡｌＡｓク
ラッド層３５ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６が順次積
層されている。
ａＡｓ電流ブロッキング層３２が堆積され、電流ブロン
キング層３２とＧａＡＳ基板３１にはストライプ状の溝
が加工されている。この上Ｋｐ−ＧａＡＩＡｓクラッド
層３３ 、ＧａＡｓ又はＧａＡＩＡＳ活性層８４−、
ｎ−ＧａＡｌＡｓ光ガイド層３７．ｎ−ＧａＡｌＡｓク
ラッド層３５ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６が順次積
層されている。
第３図（Ａ）では活性層３３が湾曲して形成され、第３
図（Ｂ）では平坦に形成されていることが特徴であり、
いずれも基板に溝加工して電流通路を形成した光及びキ
ャリア閉じ込め構造を有する内部ストライプ型レーザと
なっている。レーザ発振のた５めの電流はｎ−ＧａＡｓ
層３２によって阻Ｉ卜され、それぞれ幅Ｗ。Ｉ、Ｗｃ２
のチャネル部のみに流れる。
図（Ｂ）では平坦に形成されていることが特徴であり、
いずれも基板に溝加工して電流通路を形成した光及びキ
ャリア閉じ込め構造を有する内部ストライプ型レーザと
なっている。レーザ発振のた５めの電流はｎ−ＧａＡｓ
層３２によって阻Ｉ卜され、それぞれ幅Ｗ。Ｉ、Ｗｃ２
のチャネル部のみに流れる。
これらのチャネル幅はＷｅｔ ＞ ＷＯ２となるように
形成されており、同一成長条件で前者では活性層を湾曲
させ、後者では活性層を平坦にすることができる。活性
層が湾曲すると、屈折率光導波路が形成され、その幅Ｗ
ｇ １はチャネル幅Ｗｃよシも狭くなる。また活性層
３４か平坦な場合は、チャネル両端でのｎ−、ＧａＡｓ
層３２への光吸収により実効屈折率が下がる原理全利用
した光導波路が形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗ
。２にほぼ等しい。
形成されており、同一成長条件で前者では活性層を湾曲
させ、後者では活性層を平坦にすることができる。活性
層が湾曲すると、屈折率光導波路が形成され、その幅Ｗ
ｇ １はチャネル幅Ｗｃよシも狭くなる。また活性層
３４か平坦な場合は、チャネル両端でのｎ−、ＧａＡｓ
層３２への光吸収により実効屈折率が下がる原理全利用
した光導波路が形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗ
。２にほぼ等しい。
本実施例は、溝加工した基板上に同一条件で成長を行な
うと、活性層が溝内で湾曲して成長した場合には平坦に
成長した場合より活性層のＡ１混晶か００１〜０．０３
程度小さくなる性質を利用して、活性層湾曲部で発生し
たレーザ光のエネルギーより、端面近傍の活性層平坦部
の活性層のエネルギーギャップを十分大きくなるように
して、端面近傍における光吸収を低減した。こうするこ
とによって１．４Ｊ破壊出力を高くすることかできる。
うと、活性層が溝内で湾曲して成長した場合には平坦に
成長した場合より活性層のＡ１混晶か００１〜０．０３
程度小さくなる性質を利用して、活性層湾曲部で発生し
たレーザ光のエネルギーより、端面近傍の活性層平坦部
の活性層のエネルギーギャップを十分大きくなるように
して、端面近傍における光吸収を低減した。こうするこ
とによって１．４Ｊ破壊出力を高くすることかできる。
、咎ｅ＃般に、活性層湾曲領域では、活性層の層厚分布
により、接合に平行方向に、１ｏ−２程度の比較的大き
な屈折率差がつき、さらに光導波路の幅Ｗ ｇ １はチ
ャネル幅Ｗｃ１より小さくなるため、光は接合に水平方
向に強く閉じ込められる。従って、内部での光子密度は
活性層を平坦にした場合に比べて高くなり、これに伴っ
て素子の寿命も短かくなってしまう。本実施例は、光ガ
イド層３７を活性層３４の上に層設することにょ９、活
性層内の光子密度を低減している。光ガイド層３７は通
常活性層の下側に形成されるが、本実施例では内部で活
性層３４を湾曲させて、がっ光ガイ゛ド層３７の厚みを
十分厚くとって光子密度を低減させるため光ガイド層３
７を活性層３４の上に形成したことが特徴である。
により、接合に平行方向に、１ｏ−２程度の比較的大き
な屈折率差がつき、さらに光導波路の幅Ｗ ｇ １はチ
ャネル幅Ｗｃ１より小さくなるため、光は接合に水平方
向に強く閉じ込められる。従って、内部での光子密度は
活性層を平坦にした場合に比べて高くなり、これに伴っ
て素子の寿命も短かくなってしまう。本実施例は、光ガ
イド層３７を活性層３４の上に層設することにょ９、活
性層内の光子密度を低減している。光ガイド層３７は通
常活性層の下側に形成されるが、本実施例では内部で活
性層３４を湾曲させて、がっ光ガイ゛ド層３７の厚みを
十分厚くとって光子密度を低減させるため光ガイド層３
７を活性層３４の上に形成したことが特徴である。
第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は製造方法の一実施例
を説明する製造工程図である。
を説明する製造工程図である。
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板（Ｚｎドープ、 ｌ ｘ Ｉ
０１９ｃｒｎ−”）４１にｎ型ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ
、 ６Ｘ Ｉ ０１８ａｒ１−” ） ４２を約０６μ
ｍの厚さに液相エピタキシャル成長させる。その後、ｎ
型ＧａＡｓ層４２表面に第４図（Ａ）で示す様な幅が変
化するストライプ状のパターンを従来のホトリングラフ
ィ技術により形成する。
０１９ｃｒｎ−”）４１にｎ型ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ
、 ６Ｘ Ｉ ０１８ａｒ１−” ） ４２を約０６μ
ｍの厚さに液相エピタキシャル成長させる。その後、ｎ
型ＧａＡｓ層４２表面に第４図（Ａ）で示す様な幅が変
化するストライプ状のパターンを従来のホトリングラフ
ィ技術により形成する。
使用したレジストはシップレイ社のＡＺ １３５０であ
り、各部の寸法が、Ｌ１＝Ｉ５０μｍ、Ｌ２＝Ｉ００７
ｚｍ。
り、各部の寸法が、Ｌ１＝Ｉ５０μｍ、Ｌ２＝Ｉ００７
ｚｍ。
Ｗｃｌ””６μｍ 、 Ｗｃ２ ＝ ３μｍの窓か形成
される。この窓を通して硫酸系エツチング液でＧａＡｓ
層４２をエツチングする。尚、Ｚｌ −Ｚｌ 、 ｚ２
−ｚ２方方向面形状をそれぞれ第４図（Ｂ）（Ｃ）に示
す。
される。この窓を通して硫酸系エツチング液でＧａＡｓ
層４２をエツチングする。尚、Ｚｌ −Ｚｌ 、 ｚ２
−ｚ２方方向面形状をそれぞれ第４図（Ｂ）（Ｃ）に示
す。
その後、再び液相エピタキシャル技術により、第３図で
示ずようなｐ−Ｇａ０．５Ａ１．０．５ Ａｓクランド
層３３ 、 ｐ−Ｇａ０．８５ＡｌＯ，１５ＡＳ活性層
３４．ｎ−Ｇ ａ ００６５Ａ １０．３５ Ａ ｓ光
ガイド層３７． ｎ−Ｇ ａｏ、５Ａ １０．５ Ａ
ｓクラッド層３５ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそ
れぞれ平坦部で０．１５μｍ 、 ０．１ ｐｍ 、
０．５μｍ 、 １．０μｍ。
示ずようなｐ−Ｇａ０．５Ａ１．０．５ Ａｓクランド
層３３ 、 ｐ−Ｇａ０．８５ＡｌＯ，１５ＡＳ活性層
３４．ｎ−Ｇ ａ ００６５Ａ １０．３５ Ａ ｓ光
ガイド層３７． ｎ−Ｇ ａｏ、５Ａ １０．５ Ａ
ｓクラッド層３５ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそ
れぞれ平坦部で０．１５μｍ 、 ０．１ ｐｍ 、
０．５μｍ 、 １．０μｍ。
２μｍ成長させた。ただし、活性層湾曲部の中央での活
性層厚は０２μｍ光ガイド層厚は０．７μｍとなった。
性層厚は０２μｍ光ガイド層厚は０．７μｍとなった。
基板裏面をラッピングす名ことによりウェハーの厚さを
約１００μｍとした後、ｎ−ＧａＡｓキャ、・プ層３６
表面にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを、又ｐ−ＧａＡ３基板３１
裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸着し、４１５０℃に加熱して合
金化することにより電極層とする。
約１００μｍとした後、ｎ−ＧａＡｓキャ、・プ層３６
表面にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを、又ｐ−ＧａＡ３基板３１
裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸着し、４１５０℃に加熱して合
金化することにより電極層とする。
次にｐ−ＧａＡｓ基板３１の裏面にＡ１を蒸着した後、
内部のチャネルのビ７チに合致したパターン全形成して
第４図（Ｄ）の如くとする。その後、長さＬ＋ ｋも
つ窓領域の中央で襞間し、共振器を形成する。従って、
窓領域は素子の両端で各々５０μｍの長さを有すること
になる。この態形レーザはＩＬｈ＝５０ｍＡでレーザ発
振し、その時の波長は７８００λであった。また端面破
壊出力は約２００ｍＷであった。
内部のチャネルのビ７チに合致したパターン全形成して
第４図（Ｄ）の如くとする。その後、長さＬ＋ ｋも
つ窓領域の中央で襞間し、共振器を形成する。従って、
窓領域は素子の両端で各々５０μｍの長さを有すること
になる。この態形レーザはＩＬｈ＝５０ｍＡでレーザ発
振し、その時の波長は７８００λであった。また端面破
壊出力は約２００ｍＷであった。
また、ビームウェイストを測定したところ、接合に水平
方向でのビームウェイストは端面から５１１ｍ以内に存
在することが確認された。
方向でのビームウェイストは端面から５１１ｍ以内に存
在することが確認された。
このレーザと同様の構造をもつが光ガイド層を具備せず
活性層直上にｎ型クラッド層を積層した素子を製作し
５０℃、２０ｍＷの光出力で駆動試験を行な−〕たとこ
ろ、駆動電流の平均増加速度は約ｌ（］ｍＡ／Ｋｈであ
ったが、本発明の実施例の素子では約１ｍΔ／Ｋｈ
と光ガイド層の適用により一部の改善が確認された。
活性層直上にｎ型クラッド層を積層した素子を製作し
５０℃、２０ｍＷの光出力で駆動試験を行な−〕たとこ
ろ、駆動電流の平均増加速度は約ｌ（］ｍＡ／Ｋｈであ
ったが、本発明の実施例の素子では約１ｍΔ／Ｋｈ
と光ガイド層の適用により一部の改善が確認された。
上記実施例に？いては端面近傍の窓領域にも電流が注入
される構造となっているが、第５図に示すように、端面
近傍では基板３１に溝５０を形成した後電流ブロック層
３２を形成し、内部では第３図（Ａ）と同じ構造とする
ことにより、端面近傍の窓領域には電流が注入されない
ようにすることができる。このようにすることによって
、端面近傍での発熱やキャリアの非発光再結合が減少し
、更に特性の改善が期待できる。
される構造となっているが、第５図に示すように、端面
近傍では基板３１に溝５０を形成した後電流ブロック層
３２を形成し、内部では第３図（Ａ）と同じ構造とする
ことにより、端面近傍の窓領域には電流が注入されない
ようにすることができる。このようにすることによって
、端面近傍での発熱やキャリアの非発光再結合が減少し
、更に特性の改善が期待できる。
本発明の半導体レーザは上記実施例で述べたＧａＡｌＡ
ｓ系のみでなく、ＩｎＧａＡｓＰ系他すべての半導体レ
ーザに適用できることは明らかである。
ｓ系のみでなく、ＩｎＧａＡｓＰ系他すべての半導体レ
ーザに適用できることは明らかである。
第１図は従来の態形レーザに於ける光の伝播を説明する
平面図である。 第２図は本発明の一実施例を示す態形レーザの光伝播を
説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４−図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は本発明の製造方法
の一実施例を説明する製作工程図である。 第５図は本発明の他の実施例の窓領域の構造を示す断面
図である。 ２！ レーザ発振動作領域、２２．２２’・・窓領域、
２３．２３’・・共振器端面、２５．２５’・・レーザ
発振領域端面、３１− ｐ−ＧａＡｓ基板、３２−ｎ−
ＧａＡｓ電流ブロンキング層、３３・・ｐ−クラッド層
、３４・・・活性層、３５・・・ｎ−クラッド層、３６
・・・ｎ−キャップ層、３７・ｎ−光ガイド層。
平面図である。 第２図は本発明の一実施例を示す態形レーザの光伝播を
説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４−図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は本発明の製造方法
の一実施例を説明する製作工程図である。 第５図は本発明の他の実施例の窓領域の構造を示す断面
図である。 ２！ レーザ発振動作領域、２２．２２’・・窓領域、
２３．２３’・・共振器端面、２５．２５’・・レーザ
発振領域端面、３１− ｐ−ＧａＡｓ基板、３２−ｎ−
ＧａＡｓ電流ブロンキング層、３３・・ｐ−クラッド層
、３４・・・活性層、３５・・・ｎ−クラッド層、３６
・・・ｎ−キャップ層、３７・ｎ−光ガイド層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の１主面上にズ・ドライブ状の溝を形成し、該
溝幅か共振器端面近傍で狭く中央部で広くなる形状に成
形するとともに、前記主面上に一面を接し他面を溝幅の
狭い前記溝上では実質的に平面とし溝幅の広い前記溝上
では基板方向へ湾曲させた凹面としたクラッド層と該ク
ラッド層上に活性層、該活性層より小さく前記クラ・ン
ド層より大きい屈折率を有する光ガイド層を順次堆積し
たこと全特徴とする半導体レーザ素子。 ２ 活性層の混晶比を共振器中央部か端面近傍より小さ
くなるように設定した特許請求の範囲第１項記載の半導
体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151537A JPS5940592A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/486,646 US4545057A (en) | 1982-08-30 | 1983-04-20 | Window structure of a semiconductor laser |
| EP83302278A EP0104712B1 (en) | 1982-08-30 | 1983-04-21 | Semiconductor laser |
| DE8383302278T DE3377183D1 (en) | 1982-08-30 | 1983-04-21 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151537A JPS5940592A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940592A true JPS5940592A (ja) | 1984-03-06 |
| JPS6343908B2 JPS6343908B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=15520675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151537A Granted JPS5940592A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4545057A (ja) |
| EP (1) | EP0104712B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5940592A (ja) |
| DE (1) | DE3377183D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3587561T2 (de) * | 1984-04-17 | 1994-01-05 | Sharp Kk | Halbleiterlaser. |
| EP0160490B1 (en) * | 1984-04-24 | 1992-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser |
| JPS6195593A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61289689A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JPS6218783A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62202584A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| US4839307A (en) * | 1986-05-14 | 1989-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
| JPH0797689B2 (ja) * | 1987-05-18 | 1995-10-18 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ素子 |
| JPH0671121B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1994-09-07 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US4942585A (en) * | 1987-12-22 | 1990-07-17 | Ortel Corporation | High power semiconductor laser |
| US5555544A (en) * | 1992-01-31 | 1996-09-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser oscillator |
| EP0627799B1 (en) * | 1993-06-04 | 1997-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device with third cladding layer |
| US5546418A (en) * | 1993-07-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser having a flat groove for selected crystal planes |
| JP4481688B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 基板処理装置，塗布装置、塗布方法、及び、フォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3978426A (en) * | 1975-03-11 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
| JPS54115088A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Nec Corp | Double hetero junction laser element of stripe type |
| JPS54138386A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device of current narrow type |
| JPS5636184A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| DE3376936D1 (en) * | 1982-05-28 | 1988-07-07 | Sharp Kk | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57151537A patent/JPS5940592A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-20 US US06/486,646 patent/US4545057A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-21 DE DE8383302278T patent/DE3377183D1/de not_active Expired
- 1983-04-21 EP EP83302278A patent/EP0104712B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6343908B2 (ja) | 1988-09-01 |
| EP0104712A3 (en) | 1985-05-29 |
| EP0104712A2 (en) | 1984-04-04 |
| EP0104712B1 (en) | 1988-06-22 |
| DE3377183D1 (en) | 1988-07-28 |
| US4545057A (en) | 1985-10-01 |
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