JPS62202584A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS62202584A JPS62202584A JP61044641A JP4464186A JPS62202584A JP S62202584 A JPS62202584 A JP S62202584A JP 61044641 A JP61044641 A JP 61044641A JP 4464186 A JP4464186 A JP 4464186A JP S62202584 A JPS62202584 A JP S62202584A
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- semiconductor
- semiconductor layer
- oxide film
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に係り、特に高
出力化を図った半導体レーザ装置の製造を容易にするも
のである。
出力化を図った半導体レーザ装置の製造を容易にするも
のである。
（従来の技術）
第２図（ａ）ないし第２図（ｃ）は従来の半導体レーザ
装置の製造方法を製造工程順に示す斜視図であり。
装置の製造方法を製造工程順に示す斜視図であり。
まず、Ｐ型ＧａＡｓの半導体基板（１）上に電流狭さく
層となるＮ型のＧａＡｓ層（２）を積層しく第２図（ａ
）フ、このＧａＡｓ 層（２）を半導体基板（１）に到
達する深さに選択的にエツチングして共振器端面間に延
在するストライブ状の溝（３）を形成する。〔第２図（
ｂ）：ｌ。
層となるＮ型のＧａＡｓ層（２）を積層しく第２図（ａ
）フ、このＧａＡｓ 層（２）を半導体基板（１）に到
達する深さに選択的にエツチングして共振器端面間に延
在するストライブ状の溝（３）を形成する。〔第２図（
ｂ）：ｌ。
その後、Ｐ型のＡｌＧａＡｓからなる下クラッド層（４
）。
）。
Ｐ型のＡ／ＧａＡｓからなる活性層（５）、Ｎ型のＡｌ
ＧａＡｓからなる上クラッド層（６）、Ｎ型のＧａＡｓ
からなるコンタクト層（７）を１１１頁に積層して、第
２図（Ｃ）に示すような半導体レーザ装置を得る。
ＧａＡｓからなる上クラッド層（６）、Ｎ型のＧａＡｓ
からなるコンタクト層（７）を１１１頁に積層して、第
２図（Ｃ）に示すような半導体レーザ装置を得る。
次に動作について説明する。活性層（５）に流れる電流
は、を流狭さく層（２）があるため全面憂ζ互っては流
れず、上記電流狭さく層（２）が途切れている場所の近
傍のみ流れる。そして電流上昇と共に光出力も上昇する
。
は、を流狭さく層（２）があるため全面憂ζ互っては流
れず、上記電流狭さく層（２）が途切れている場所の近
傍のみ流れる。そして電流上昇と共に光出力も上昇する
。
（発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体レーザ装置の製造方法は以上のようである
ので、この製造方法により製造された半導体レーザ装置
は共振器端面近傍のバンドギャップが共振器内部のバン
ドギャップより若干狭くなり、その１こめ上記共振器端
面近傍で光の吸収及び発熱が起こって、上記共振器端面
を破壊してしまうという問題点があった。
ので、この製造方法により製造された半導体レーザ装置
は共振器端面近傍のバンドギャップが共振器内部のバン
ドギャップより若干狭くなり、その１こめ上記共振器端
面近傍で光の吸収及び発熱が起こって、上記共振器端面
を破壊してしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
１こもので、共振器端面における光の吸収をなくシ、破
壊を防ぐことができる半導体レーザ装置の容易な製造方
法を得ることを目的とする。
１こもので、共振器端面における光の吸収をなくシ、破
壊を防ぐことができる半導体レーザ装置の容易な製造方
法を得ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は。
電流狭さく層となる第１半導体層の共振器端面近傍にの
み酸化膜を形成した後、下クラッド層及び活性層を形成
するようにしたものである。
み酸化膜を形成した後、下クラッド層及び活性層を形成
するようにしたものである。
この発明における半導体装置の製造方法によれば、共振
器端面近傍第１半導体層上に酸化膜が設けられているの
で、この酸化膜上には下クラッド層及び活性層が成長し
にくくなる。
器端面近傍第１半導体層上に酸化膜が設けられているの
で、この酸化膜上には下クラッド層及び活性層が成長し
にくくなる。
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）ないし第１図
（ｄ）に従い説明する。
（ｄ）に従い説明する。
図において、αＱはＰ型ＧａＡｓの半導体基板、（４）
は電流狭さく層となるＮ型ＧａＡｓの第１半導体層。
は電流狭さく層となるＮ型ＧａＡｓの第１半導体層。
■はこの第１半導体層四を貫通する深さで共振器端面と
交差する方向に延在するストライブ状の溝。
交差する方向に延在するストライブ状の溝。
呻はＰ型ＡｌＧａＡｓの表面を酸化した共振器端面から
の幅↓）が５しμｍ）の酸化膜、船はこの酸化膜呻が設
けられていない部分の第１半導体層の主面に積層された
厚さ０．５Ｌμｍ〕程度のＰ型ＧａＡｓの下クラッド層
、鵜はこの活性層（ト）の主面に積層された厚さが０．
Ｉ Ｌ＃ｍ１以上のＰ型ＡｌＧａＡｓの活性層、川はこ
の活性層輪重及び酸化膜田の主面に積層された厚さが５
Ｌμｍ）以上のＮ型Ａ＃ＧａＡｓの上クラッド７１１％
σ旧よこの上クラッド層−の主面に積層されたＮ型Ｇａ
Ａｓのコンタクト層である。
の幅↓）が５しμｍ）の酸化膜、船はこの酸化膜呻が設
けられていない部分の第１半導体層の主面に積層された
厚さ０．５Ｌμｍ〕程度のＰ型ＧａＡｓの下クラッド層
、鵜はこの活性層（ト）の主面に積層された厚さが０．
Ｉ Ｌ＃ｍ１以上のＰ型ＡｌＧａＡｓの活性層、川はこ
の活性層輪重及び酸化膜田の主面に積層された厚さが５
Ｌμｍ）以上のＮ型Ａ＃ＧａＡｓの上クラッド７１１％
σ旧よこの上クラッド層−の主面に積層されたＮ型Ｇａ
Ａｓのコンタクト層である。
次にこのように構成された半導体レーザ装置の製造方法
について説明する。まず、第１図（ωに示すように半導
体基板ｏｎの一主面に第１半導体層四を、更にＰ型１！
ＧａＡｓの第２半導体層（８０ａ）を結晶成長して積層
する。次に第１図（ｂ）に示すようにこの第２半導体層
（８０ａ）を両共振器端面近傍のみ残してエツチングし
除去するが、このときエツチング工程では半導体ウェハ
を結晶成長のための炉から取り出して行うため、第２半
導体層（８０ａ）の少なくとも表面が酸化され酸化膜−
が形成される。
について説明する。まず、第１図（ωに示すように半導
体基板ｏｎの一主面に第１半導体層四を、更にＰ型１！
ＧａＡｓの第２半導体層（８０ａ）を結晶成長して積層
する。次に第１図（ｂ）に示すようにこの第２半導体層
（８０ａ）を両共振器端面近傍のみ残してエツチングし
除去するが、このときエツチング工程では半導体ウェハ
を結晶成長のための炉から取り出して行うため、第２半
導体層（８０ａ）の少なくとも表面が酸化され酸化膜−
が形成される。
その後、第１図（ｃ）に示す様にストライプ状の溝（７
）を第１半導体ＪｅＪ（７）に形成し、次に第１図（ｄ
Ｊに示すように下クラッド層萌、活性層団、とクラッド
層…、コンタクト層（７Ｉ１１を順に積層する。このと
き。
）を第１半導体ＪｅＪ（７）に形成し、次に第１図（ｄ
Ｊに示すように下クラッド層萌、活性層団、とクラッド
層…、コンタクト層（７Ｉ１１を順に積層する。このと
き。
酸化膜ｌ上には結晶が成長しないものの、第１半導体層
（７）上に成長した結晶が膜厚に応じて横方向に広がる
。従って共振器端面からの酸化層の幅５（μｍ）に対し
、下クラッド層罎の厚さが０．５Ｌμｍフ。
（７）上に成長した結晶が膜厚に応じて横方向に広がる
。従って共振器端面からの酸化層の幅５（μｍ）に対し
、下クラッド層罎の厚さが０．５Ｌμｍフ。
活性層団の厚さが０．１Ｌμｍ〕、上クラッド層ｌ７１
１１の厚さが５ （ａｍ）以上であるので、下クラッド
層（イ）及び活性層ωの横広がりは共振器端面にまで到
達しないが、上クラッド層…の横広がりは共振器端面ｆ
こまで到達する。
１１の厚さが５ （ａｍ）以上であるので、下クラッド
層（イ）及び活性層ωの横広がりは共振器端面にまで到
達しないが、上クラッド層…の横広がりは共振器端面ｆ
こまで到達する。
以上の構な製造方法によって形成された半導体レーザ装
置に於て活性層■に流れる電流は、電流狭さく層（１）
が途切れている場所の近傍のみ流れる。
置に於て活性層■に流れる電流は、電流狭さく層（１）
が途切れている場所の近傍のみ流れる。
そして電流の上昇と共に光出力も増加する。ここでもし
、活性層団が端面部にまで一様に存在していると、分子
の性質から端面部のみ中央部付近よりもエネルギーバン
ドギャップが若干狭くなるため１発光よりも光の吸収が
大きくなる。そこで光出力を増大させるｔこめに電流を
上げていくと、端面部で光の吸収及び発熱のため破壊が
起こることになる。しかし本発明による半導体レーザ装
置は。
、活性層団が端面部にまで一様に存在していると、分子
の性質から端面部のみ中央部付近よりもエネルギーバン
ドギャップが若干狭くなるため１発光よりも光の吸収が
大きくなる。そこで光出力を増大させるｔこめに電流を
上げていくと、端面部で光の吸収及び発熱のため破壊が
起こることになる。しかし本発明による半導体レーザ装
置は。
端面部に活性層ψがなく全て活性ｍ印より広い工ネルギ
ーバンドギャップの物質で構成されているため、端面部
で若干エネルギーバンドギヤ郵ブが小さくなっても、活
性層間で発生した光は端面部で吸収されず、従って発熱
から破壊には至らない。
ーバンドギャップの物質で構成されているため、端面部
で若干エネルギーバンドギヤ郵ブが小さくなっても、活
性層間で発生した光は端面部で吸収されず、従って発熱
から破壊には至らない。
以上のように、この発明によれば共振器端面近傍に酸化
膜を形成するという非常に容易な方法により共振器端面
部に活性層を設けない構造の半導体レーザ装置を得るよ
うにしたので、活性層で発ｔ う効果がある。
膜を形成するという非常に容易な方法により共振器端面
部に活性層を設けない構造の半導体レーザ装置を得るよ
うにしたので、活性層で発ｔ う効果がある。
第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）はこの妬明の一実施例
順に示す斜視図である＠ 図においで、α０は半導体基板、■は第１半導体層、■
はストライプ状のｉ、（イ）は下クラッド層。 ■は活性層、ｍは上クラッドａ、ｔ８ｉ］は酸化膜であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
順に示す斜視図である＠ 図においで、α０は半導体基板、■は第１半導体層、■
はストライプ状のｉ、（イ）は下クラッド層。 ■は活性層、ｍは上クラッドａ、ｔ８ｉ］は酸化膜であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）第１導電型の半導体基板上に第２導電型の第１半
導体層を積層する工程、この第１半導体層の少なくとも
一方の共振器端面近傍の上記第１半導体層上に所定の幅
の酸化膜を形成する工程、上記第１半導体層の中央部に
おいて上記第１半導体層を貫通する深さで上記共振器端
面と交差する方向に延在するストライプ状の溝を形成す
る工程、しかる後、上記酸化膜の幅よりも小さな厚さの
第１導電型の下クラッド層を形成する工程、上記下クラ
ッド層に隣接して第２導電型の活性層を形成する工程、
この活性層に隣接して上記酸化膜の幅より大きな厚さの
第２導電型の上クラッド層を形成する工程を備えたこと
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - （２）半導体基板及び第１半導体層はＧａＡｓからなり
、下クラッド層及び活性層並びに上クラッド層はＡｌＧ
ａＡｓからなり、かつ、酸化膜はＡｌＧａＡｓを酸化し
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044641A JPS62202584A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| US07/020,221 US4725450A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Method for fabricating a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044641A JPS62202584A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202584A true JPS62202584A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12697055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044641A Pending JPS62202584A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4725450A (ja) |
| JP (1) | JPS62202584A (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411117B2 (ja) * | 1972-02-23 | 1979-05-11 | ||
| US4317086A (en) * | 1979-09-13 | 1982-02-23 | Xerox Corporation | Passivation and reflector structure for electroluminescent devices |
| US4425650A (en) * | 1980-04-15 | 1984-01-10 | Nippon Electric Co., Ltd. | Buried heterostructure laser diode |
| US4447905A (en) * | 1981-03-25 | 1984-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Current confinement in semiconductor light emitting devices |
| US4536940A (en) * | 1981-06-12 | 1985-08-27 | At&T Bell Laboratories | Method of making a loss stabilized buried heterostructure laser |
| JPS5940592A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS609189A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US4637122A (en) * | 1983-09-19 | 1987-01-20 | Honeywell Inc. | Integrated quantum well lasers for wavelength division multiplexing |
| JPS60110188A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS60214578A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044641A patent/JPS62202584A/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-27 US US07/020,221 patent/US4725450A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4725450A (en) | 1988-02-16 |
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