JPH0312981A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0312981A JPH0312981A JP14669389A JP14669389A JPH0312981A JP H0312981 A JPH0312981 A JP H0312981A JP 14669389 A JP14669389 A JP 14669389A JP 14669389 A JP14669389 A JP 14669389A JP H0312981 A JPH0312981 A JP H0312981A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザ光を用いる情報機器、計測機、あるい
はレーザ加工機等の光源に使用する半導体レーザ装置の
製造方法に関する。
はレーザ加工機等の光源に使用する半導体レーザ装置の
製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、追記型の光ディスクや、消去、書込が可能な光デ
ィスク、あるいは加工用の固体レーザを励起する光源等
として、高出力の半導体レーザ装置の需要が高まってお
り、それを満足させるため各種構造の半導体レーザ装置
が研究、開発されている。
ィスク、あるいは加工用の固体レーザを励起する光源等
として、高出力の半導体レーザ装置の需要が高まってお
り、それを満足させるため各種構造の半導体レーザ装置
が研究、開発されている。
一般に、半導体レーザ装置内部の光密度は結晶内部より
も端面近傍で高くなり、しかも端面ば表面準位を有して
光が吸収されやすいため、光出力を増加させてゆくと端
面破壊（以下、Ｃ０Ｄ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｊｃ ０
ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａ（Ｈｅ）という）を生じ、半導
体レーザ装置の高出力化を阻害している。
も端面近傍で高くなり、しかも端面ば表面準位を有して
光が吸収されやすいため、光出力を増加させてゆくと端
面破壊（以下、Ｃ０Ｄ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｊｃ ０
ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａ（Ｈｅ）という）を生じ、半導
体レーザ装置の高出力化を阻害している。
上記ＣＯＤの防止には、窓構造（Ｎ Ａ Ｍ （Ｎｏｎ
Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｊｒｒｏｒ）構造）や、不純
物準位を利用する方法、あるいは、光スポツト径を拡大
する等の手段があるが、中でも端面部分の禁制帯幅を活
性領域のそれよりも大きくしたＮＡＭｉ造の、活竹屑に
隣接する光導波路（Ｌ ＯＣ： Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｊ
ｃａｌＣａｖｊ ｔｙ）を有する窓構造の光導波路（以
下、ＮＡＭＬＯＣと記す）は、半導体レーザ装置の高出
力化に極めて効果がある。
Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｊｒｒｏｒ）構造）や、不純
物準位を利用する方法、あるいは、光スポツト径を拡大
する等の手段があるが、中でも端面部分の禁制帯幅を活
性領域のそれよりも大きくしたＮＡＭｉ造の、活竹屑に
隣接する光導波路（Ｌ ＯＣ： Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｊ
ｃａｌＣａｖｊ ｔｙ）を有する窓構造の光導波路（以
下、ＮＡＭＬＯＣと記す）は、半導体レーザ装置の高出
力化に極めて効果がある。
第２図は従来のＮＡＭ−ＬＯＧ構造の半導体レーザ装置
の断面を、先導波路方向の断面図として示しており、２
１はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板で、これに同じくｎ型Ａ（
、Ｇａ、−、Ａｓのクラッド層２２゜Ａ （１，′Ｇ
ａｔ−ｙ′Ａ ｓの第１のガイド層２３゜Ａｌ２ＸＧａ
、−ＸＡｓの活性Ｍｇ２４ 、 Ａ Ｑ、′Ｇ ａ、−
、′Ａ、 ｓの第２のガイド層２５．ｐ型Ａρ、Ｇａ１
イＡ、ｓのクラット層２６．ＡＣ，′Ｇａ、、′Ａｓの
第３のガイド層２７．ｎ型ＡＱ、Ｇａ、、Ａｓのクラッ
ド層２８．ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓのキャップ層２９，５ｊ
ＮＸの絶縁膜３０を成長して、ｎ型およびｎ型のオーミ
ック電極３１および３２をそれぞれ設けた構造である。
の断面を、先導波路方向の断面図として示しており、２
１はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板で、これに同じくｎ型Ａ（
、Ｇａ、−、Ａｓのクラッド層２２゜Ａ （１，′Ｇ
ａｔ−ｙ′Ａ ｓの第１のガイド層２３゜Ａｌ２ＸＧａ
、−ＸＡｓの活性Ｍｇ２４ 、 Ａ Ｑ、′Ｇ ａ、−
、′Ａ、 ｓの第２のガイド層２５．ｐ型Ａρ、Ｇａ１
イＡ、ｓのクラット層２６．ＡＣ，′Ｇａ、、′Ａｓの
第３のガイド層２７．ｎ型ＡＱ、Ｇａ、、Ａｓのクラッ
ド層２８．ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓのキャップ層２９，５ｊ
ＮＸの絶縁膜３０を成長して、ｎ型およびｎ型のオーミ
ック電極３１および３２をそれぞれ設けた構造である。
なお、各層のＡＱの組成はｙ ＞ ｙ ′＞ ｘ≧Ｏを
満足するように設計されている。
満足するように設計されている。
このような半導体レーザ装置の形成は、まずｎ型ＧａＡ
ｓ基板２１上にｎ型Ａｉｄ、Ｇａ、−、Ａｓのクラッド
層２２．ＡＣ，′Ｇ ａ、−、′Ａ Ｓの第１のガイｌ
−：’ ＊’）２３ 。
ｓ基板２１上にｎ型Ａｉｄ、Ｇａ、−、Ａｓのクラッド
層２２．ＡＣ，′Ｇ ａ、−、′Ａ Ｓの第１のガイｌ
−：’ ＊’）２３ 。
Ａ １ｌｘＧ ａ、 −Ｘ Ａ ｓの活性層２４．ＡＱ
ｙ ′Ｇ ’４１− ｙ ’ Ａ Ｓの第２のガイド層
２５．ｐ型ＡＯ，Ｇａ、−，ΔＳのクラッド層２６．同
じくｐ型Ｇ ａ Ａ、 ｓのキャップ層２９を、Ｉ、Ｐ
Ｅ （Ｌｉｑｕｊｄ Ｐｈａｓｅ ｒｉｐｊｔａｘｙ）
法、またはＭ ＯＣ’： ＶＤ （Ｍｃｔａ］ Ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｊｃａ］ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｊｌ、１ｏｎ）法により順次成長させた後、端面近傍の
数十ｐｍの領域を化学エツチングによって、上表部から
ＡＱＸＧ ａ、 −ｘ Ａ ｓの活性層２４まてをエツ
チングする。
ｙ ′Ｇ ’４１− ｙ ’ Ａ Ｓの第２のガイド層
２５．ｐ型ＡＯ，Ｇａ、−，ΔＳのクラッド層２６．同
じくｐ型Ｇ ａ Ａ、 ｓのキャップ層２９を、Ｉ、Ｐ
Ｅ （Ｌｉｑｕｊｄ Ｐｈａｓｅ ｒｉｐｊｔａｘｙ）
法、またはＭ ＯＣ’： ＶＤ （Ｍｃｔａ］ Ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｊｃａ］ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｊｌ、１ｏｎ）法により順次成長させた後、端面近傍の
数十ｐｍの領域を化学エツチングによって、上表部から
ＡＱＸＧ ａ、 −ｘ Ａ ｓの活性層２４まてをエツ
チングする。
つぎに端面近傍の」−記エソチングされた領域にｎ型Ａ
Ｑ、′Ｇ ａ、−、′Ａ ｓの第３のガイド層２７お
よび、ｎ型Ａ、ｆ！、Ｇａ、−、Ａｓのクラ７ ｔ＜層
２８を成長させ、最後に上記の化学エツチングしなかっ
た部分のみに開口部を設けてＳＪＮヶの絶縁膜３０を形
成し、オーミック電極３］、３２を形成する。
Ｑ、′Ｇ ａ、−、′Ａ ｓの第３のガイド層２７お
よび、ｎ型Ａ、ｆ！、Ｇａ、−、Ａｓのクラ７ ｔ＜層
２８を成長させ、最後に上記の化学エツチングしなかっ
た部分のみに開口部を設けてＳＪＮヶの絶縁膜３０を形
成し、オーミック電極３］、３２を形成する。
このように形成した半導体レーザ装置１１′は、次のよ
うに動作する。
うに動作する。
まず、順方向にバイアスするとＳ ］、 Ｎ ｘの絶縁
膜３０の存在のために、電流は端面近傍（以下、ＮＡＭ
領域という）以外の活性層領域（以下、活性領域− という）に集中し、活性層２４で発光性再結合する。
膜３０の存在のために、電流は端面近傍（以下、ＮＡＭ
領域という）以外の活性層領域（以下、活性領域− という）に集中し、活性層２４で発光性再結合する。
そこで発生する光波はｎ型Ａ Ｏ、Ｇ ａ□−、Ａ ｓ
のクラッド層２２および、ｐ型Ａ ｎ、 Ｇ ａ、 −
ｙ Ａ ｓのクラッド層２６の間に閉じ込められるが、
これらの両クラッド層よりも屈折率が大きいＡＣ，′Ｇ
ａ、−、′Ａ ｓのガイド）ＦＩ２３および２５の中
にも、かなり光波が分布するようになり、ガイ１りＭ２
３．２５中の光は端面方向に伝搬し端面において一部は
透過し出力光となり、残りは反射して再び活性領域に到
達し活性層２４での誘導放出を開始し、駆動電流を増加
すると遂にはレーザ発振する。
のクラッド層２２および、ｐ型Ａ ｎ、 Ｇ ａ、 −
ｙ Ａ ｓのクラッド層２６の間に閉じ込められるが、
これらの両クラッド層よりも屈折率が大きいＡＣ，′Ｇ
ａ、−、′Ａ ｓのガイド）ＦＩ２３および２５の中
にも、かなり光波が分布するようになり、ガイ１りＭ２
３．２５中の光は端面方向に伝搬し端面において一部は
透過し出力光となり、残りは反射して再び活性領域に到
達し活性層２４での誘導放出を開始し、駆動電流を増加
すると遂にはレーザ発振する。
ここでガイ１く層２３．２５中の光子エネルギーは活性
層２４の禁制帯幅よりも僅かに小さく、これはガイド層
２３．２５の禁制帯幅よりも小さい。
層２４の禁制帯幅よりも僅かに小さく、これはガイド層
２３．２５の禁制帯幅よりも小さい。
そのためガイド層での光の吸収は殆どなく、しかも活性
領域が光密度の高くなる端面付近から離間しているため
、活性層２４での光の吸収も、端面まで活性層を有する
一般の半導体レーザ装置に比し格段に小さくなり、ＣＯ
Ｄを起こすレベルが一段と改善され高出力動作すること
が可能になる。
領域が光密度の高くなる端面付近から離間しているため
、活性層２４での光の吸収も、端面まで活性層を有する
一般の半導体レーザ装置に比し格段に小さくなり、ＣＯ
Ｄを起こすレベルが一段と改善され高出力動作すること
が可能になる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成の半導体レーザ装置の製造は結
晶成長工程を２回必要とし、そのため第２回目の結晶成
長の直前に基板は大気中に晒され、したがって界面準位
密度が高くなって、光吸収が大きくなること、及び、第
２回目の成長直前に行なう化学エツチングの深さは極め
て厳密に制御する必要があること等の因難な問題を有し
ている。
晶成長工程を２回必要とし、そのため第２回目の結晶成
長の直前に基板は大気中に晒され、したがって界面準位
密度が高くなって、光吸収が大きくなること、及び、第
２回目の成長直前に行なう化学エツチングの深さは極め
て厳密に制御する必要があること等の因難な問題を有し
ている。
本発明は上述に鑑み、１回の結晶成長工程によってＮＡ
Ｍ領域、および活性領域を形成する高出力の半導体レー
ザ装置の提供を目的とする。
Ｍ領域、および活性領域を形成する高出力の半導体レー
ザ装置の提供を目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の目的を、逆メサ型の凸形状部を」二面に
形成した一導電型の半導体基板上に、−それと同一導電
型で禁制帯幅が順次に小さくなる第１゜第２および第３
の半導体層を形成し、さらにその」二に禁制帯幅が第３
の半導体層よりも大きい第４の半導体層と、それよりも
禁制帯幅が大きい、基板と異なる他の導電型の第５の半
導体層、それよりも禁制帯幅が小さい第６の半導体層、
および第６の半導体層よりも禁制帯幅が大きい第７の半
導体ｍｋ順次形成させ、上記凸形状部の上面以外の領域
の第６の半導体層と、凸形状部−１−面における第２．
第３才９よび第４の半導体層とを連続させる工程を有す
る半導体レーザ装置の製造方法によって達成する。
形成した一導電型の半導体基板上に、−それと同一導電
型で禁制帯幅が順次に小さくなる第１゜第２および第３
の半導体層を形成し、さらにその」二に禁制帯幅が第３
の半導体層よりも大きい第４の半導体層と、それよりも
禁制帯幅が大きい、基板と異なる他の導電型の第５の半
導体層、それよりも禁制帯幅が小さい第６の半導体層、
および第６の半導体層よりも禁制帯幅が大きい第７の半
導体ｍｋ順次形成させ、上記凸形状部の上面以外の領域
の第６の半導体層と、凸形状部−１−面における第２．
第３才９よび第４の半導体層とを連続させる工程を有す
る半導体レーザ装置の製造方法によって達成する。
（作 用）
本発明は、結晶成長の初期の段階では逆メサ面１−には
、ＭＯＣＶＤ成長が殆ど起こらないことから、凸形状部
の１−面と、その上面以外の領域の結晶成長は不連続に
進行するが、凸形状部」−面以外の領域での結晶成長面
が、凸形状部の高さにほぼ達し、逆メサ面が消え始める
ようになると徐々に連続的な成長をし、凸形状部」二面
以外の領域における第３のガイド層と、凸形状部上面の
第２のガイド層および活性層とが連続して、１回の結晶
成長工程でＮＡＭ−ＬＯＣ構造の半導体レーザ装置が形
成可能になる。
、ＭＯＣＶＤ成長が殆ど起こらないことから、凸形状部
の１−面と、その上面以外の領域の結晶成長は不連続に
進行するが、凸形状部」−面以外の領域での結晶成長面
が、凸形状部の高さにほぼ達し、逆メサ面が消え始める
ようになると徐々に連続的な成長をし、凸形状部」二面
以外の領域における第３のガイド層と、凸形状部上面の
第２のガイド層および活性層とが連続して、１回の結晶
成長工程でＮＡＭ−ＬＯＣ構造の半導体レーザ装置が形
成可能になる。
（実施例）
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例を、活性層に平行な断面を以
て示す半導体レーザ装置の断面図であり、本発明は図の
ようにｎ型Ｇ ａＡ ｓ基板１の（１００）面上に、＜
１．１１＞および、＜ １．１ ］−＞方向の逆メサ面
を有する高さ２ 、０ ｐｍの凸形状部を化学エツチン
グにより形成した後、ｎ型Ａ ００ 、 ｑ Ｇ ａ
１１５Ａ Ｓによるクラット層２を］、、Ｏｐｍ、ＡＱ
、、、、Ｇａ、ＲＡｓによる第１のガイド層３を０．］
２ｐｍ、 ＧａＡｓ活性層４を６０人、Ａｆ！ｏ２Ｇａ
ｏＲＡ−ｓによる第２のガイ１−層５を０．１２７＋ｍ
、 ｐ型Ａ１１ｏ、ｓＧａ、、Ａｓによるクラッド層６
を０．８μｍ 、 Ａ Ｑ、 ２Ｇ ａ、 、ｓ Ａ
ｓによる第３のガイド層７を０ 、２ ｐｍ、ｎ型Ａ
ｌ’ ｏ５０ ａ １１ 、 ＳΔＳによるクラッド層
８を１．０μｍ、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓによるキャップ層
９を０．５μｍ、ＭＯｃＶＤ法によって順次成長させた
後、凸形状部の上面にのみ開口部を設けて５ｊＮＸ絶縁
膜］０を形成し、−１−面からＺｎ拡散の後、それぞれ
ｐ型、及びｎ型のオーミック電極１１．１２を形成する
。
て示す半導体レーザ装置の断面図であり、本発明は図の
ようにｎ型Ｇ ａＡ ｓ基板１の（１００）面上に、＜
１．１１＞および、＜ １．１ ］−＞方向の逆メサ面
を有する高さ２ 、０ ｐｍの凸形状部を化学エツチン
グにより形成した後、ｎ型Ａ ００ 、 ｑ Ｇ ａ
１１５Ａ Ｓによるクラット層２を］、、Ｏｐｍ、ＡＱ
、、、、Ｇａ、ＲＡｓによる第１のガイド層３を０．］
２ｐｍ、 ＧａＡｓ活性層４を６０人、Ａｆ！ｏ２Ｇａ
ｏＲＡ−ｓによる第２のガイ１−層５を０．１２７＋ｍ
、 ｐ型Ａ１１ｏ、ｓＧａ、、Ａｓによるクラッド層６
を０．８μｍ 、 Ａ Ｑ、 ２Ｇ ａ、 、ｓ Ａ
ｓによる第３のガイド層７を０ 、２ ｐｍ、ｎ型Ａ
ｌ’ ｏ５０ ａ １１ 、 ＳΔＳによるクラッド層
８を１．０μｍ、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓによるキャップ層
９を０．５μｍ、ＭＯｃＶＤ法によって順次成長させた
後、凸形状部の上面にのみ開口部を設けて５ｊＮＸ絶縁
膜］０を形成し、−１−面からＺｎ拡散の後、それぞれ
ｐ型、及びｎ型のオーミック電極１１．１２を形成する
。
以上の形成により凸形状部の上面以外の領域と、凸形状
部上での成長界面において、凸形状部上面以外の第３の
ガイド層７と凸形状部」二の第１．第２のガイド層；３
，５、および活性層４とが連続的につながり、凸形状部
−４二面以外の領域における第３のガイド層７をＮＡＭ
領域とする、Ｎ Ａ、 Ｍ −ＬＯＣ構造の高出力の半
導体レーザ装置が形成される。
部上での成長界面において、凸形状部上面以外の第３の
ガイド層７と凸形状部」二の第１．第２のガイド層；３
，５、および活性層４とが連続的につながり、凸形状部
−４二面以外の領域における第３のガイド層７をＮＡＭ
領域とする、Ｎ Ａ、 Ｍ −ＬＯＣ構造の高出力の半
導体レーザ装置が形成される。
（発明の効果）
以上、説明して明らかなように本発明は、１回の成長工
程でＮ Ａ、 Ｍ −Ｌ○Ｃ構造の半導体レーザ装置が
形成可能になるから、用いて大きな効果が得られる。
程でＮ Ａ、 Ｍ −Ｌ○Ｃ構造の半導体レーザ装置が
形成可能になるから、用いて大きな効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来のＮ
Ａ Ｍ −Ｌ○Ｃ構造の半導体レーザ装置の断面図で
ある。 １ − ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ２− （ｎ型Ａ、
Ｑｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａ、ｓの）クラッド層、 ３（
Ａ ０ｏ２Ｇ ａ（１、Ｂ Ａ Ｓの）第１のガイド層
、４ ＧンｉＡｓ活性層、 ５ ・−（Ａｆｔｏ、２ ＧａｏｎＡｓの）第２のガイ
ｌ’層、 ６ − （ｐ型Ａ Ｏｏ、 ５ Ｇ ａｏ
、 ５ Ａ Ｓの）クラッド層、 ７ ・ （Δｇ。 、ＧａｏｏＡｓの）第３のガイド層、 ８ ・（ｎ型 Ａｇｏ、、、Ｇａｏ５Ａｓの）クラッｌ’層、 ９（ｎ
型Ｇ ａ Ａ ｓの）キャップ層、 １０ＳｊＮＪ＠縁
膜、 １１ 丁）型オーミック電極、１２・ ｎ型
オーミック電極。
Ａ Ｍ −Ｌ○Ｃ構造の半導体レーザ装置の断面図で
ある。 １ − ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ２− （ｎ型Ａ、
Ｑｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａ、ｓの）クラッド層、 ３（
Ａ ０ｏ２Ｇ ａ（１、Ｂ Ａ Ｓの）第１のガイド層
、４ ＧンｉＡｓ活性層、 ５ ・−（Ａｆｔｏ、２ ＧａｏｎＡｓの）第２のガイ
ｌ’層、 ６ − （ｐ型Ａ Ｏｏ、 ５ Ｇ ａｏ
、 ５ Ａ Ｓの）クラッド層、 ７ ・ （Δｇ。 、ＧａｏｏＡｓの）第３のガイド層、 ８ ・（ｎ型 Ａｇｏ、、、Ｇａｏ５Ａｓの）クラッｌ’層、 ９（ｎ
型Ｇ ａ Ａ ｓの）キャップ層、 １０ＳｊＮＪ＠縁
膜、 １１ 丁）型オーミック電極、１２・ ｎ型
オーミック電極。
Claims (1)
- 逆メサ型の凸形状部を上面に形成した一導電型の半導体
基板上に、それと同一導電型で禁制帯幅が順次に小さく
なる第１、第２および第３の半導体層を形成し、さらに
その上に禁制帯幅が第３の半導体層よりも大きい第４の
半導体層と、それよりも禁制帯幅が大きい、基板と異な
る他の導電型の第５の半導体層、それよりも禁制帯幅が
小さい第６の半導体層、および第６の半導体層よりも禁
制帯幅が大きい第７の半導体層を順次形成させ、上記凸
形状部の上面以外の領域の第６の半導体層と、凸形状部
上面における第２、第３および第４の半導体層とを連続
させる工程を有することを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669389A JPH0312981A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669389A JPH0312981A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312981A true JPH0312981A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15413433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14669389A Pending JPH0312981A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312981A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182758A (en) * | 1990-12-04 | 1993-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Periodic gain-type semiconductor laser device |
| US5218614A (en) * | 1991-08-09 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JPH0685405A (ja) * | 1992-01-24 | 1994-03-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 埋込みヘテロ構造レーザ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6334993A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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1989
- 1989-06-12 JP JP14669389A patent/JPH0312981A/ja active Pending
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