JPS61160990A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61160990A JPS61160990A JP236785A JP236785A JPS61160990A JP S61160990 A JPS61160990 A JP S61160990A JP 236785 A JP236785 A JP 236785A JP 236785 A JP236785 A JP 236785A JP S61160990 A JPS61160990 A JP S61160990A
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- Japan
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- layer
- semiconductor
- oscillation
- region
- active layer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザの構造に関するものであシ、高
出力動作が可能なレーザ共徽面近傍でのバンドキャップ
がレーザ元の波長に相当するバンドギャップよシも広い
いわゆるウィンドストライプ構造でかつ、発振横モード
が制御できる半纏体レーザに関するものである。
出力動作が可能なレーザ共徽面近傍でのバンドキャップ
がレーザ元の波長に相当するバンドギャップよシも広い
いわゆるウィンドストライプ構造でかつ、発振横モード
が制御できる半纏体レーザに関するものである。
（従来の技術及び問題点）
従来−高出力動作が可能な半導体レーザとしては、ウィ
ンドウストライプ構造のレーザが知られて詔シ、ざらに
高出力でかつ発振横モードを制御したものとしては、ク
ランクｆｉＴＪ８構造のものが知られている。しかし、
これらはいずれも拡散の深さ、濃度コントロールが峻し
く、量産性に難点がある。この他の例としては、埋込み
成長技術を用いて埋め込み成長時にレーザ共！Ｍ面近傍
に埋込み、ウィンドストライプ構造を形成する方法がい
くつか提案されてはいるが、埋込み成長が相当難しく、
これまた量産性に欠点がある。
ンドウストライプ構造のレーザが知られて詔シ、ざらに
高出力でかつ発振横モードを制御したものとしては、ク
ランクｆｉＴＪ８構造のものが知られている。しかし、
これらはいずれも拡散の深さ、濃度コントロールが峻し
く、量産性に難点がある。この他の例としては、埋込み
成長技術を用いて埋め込み成長時にレーザ共！Ｍ面近傍
に埋込み、ウィンドストライプ構造を形成する方法がい
くつか提案されてはいるが、埋込み成長が相当難しく、
これまた量産性に欠点がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、これらの問題点を解消でき、比較的簡
単な製造工程で量産住良（製造でき、高出力でかつ発振
横モードが制御された半導体レーザ装置を提供すること
にある。
単な製造工程で量産住良（製造でき、高出力でかつ発振
横モードが制御された半導体レーザ装置を提供すること
にある。
（発明の構成）
本発明の構成は、半導体基板上に半導体層を形成した第
１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に１００Ｘ
以下の厚さで繰返し積層した多層超格子構造の活性層と
、この活性層上に半導体層を形成した第２のクラッド層
と、この第２のクラッド層上詔よび前記半導体基板裏面
にそれぞれ配設された電極とを有する半導体レーザ装置
において、ストライプ状発振領域を囲む部分に前記活性
層を越える深さの不純物拡散領域を設け、前記ストライ
プ状発振領域の両端がレーザ共振面に接触しないように
したことを’Ｉ？微とする。
１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に１００Ｘ
以下の厚さで繰返し積層した多層超格子構造の活性層と
、この活性層上に半導体層を形成した第２のクラッド層
と、この第２のクラッド層上詔よび前記半導体基板裏面
にそれぞれ配設された電極とを有する半導体レーザ装置
において、ストライプ状発振領域を囲む部分に前記活性
層を越える深さの不純物拡散領域を設け、前記ストライ
プ状発振領域の両端がレーザ共振面に接触しないように
したことを’Ｉ？微とする。
（発明の原理）
一般に、厚さが１０ ｏｈ以下の半導体層の繰返して形
成された超格子構造においては、熱処理を施すとその超
格子構造が乱れることが知られている。第２図（ａ）
、 （ｂ）は熱処理を施こすｐｉＪ″Ｊ３よび熱処理後
の超格子構造のバンド構造図である。ここで、１１．２
１は伝導帯、１２．２２はバンドギャップ、１３．２３
は価電子帯を示す。第２図（ａ）のようなバンド構造に
おいては、電子及びホールが共にバンドギャップの狭い
半導体層に集まるので、狭いエネルギーｈνｌに対応し
た発光を生ずるが、バンドギャップの広い半導体層中に
は電子及びホールの両方ともが集まらないので、そのエ
ネルギーｈν２ に対応した発光はほとんど起らない。
成された超格子構造においては、熱処理を施すとその超
格子構造が乱れることが知られている。第２図（ａ）
、 （ｂ）は熱処理を施こすｐｉＪ″Ｊ３よび熱処理後
の超格子構造のバンド構造図である。ここで、１１．２
１は伝導帯、１２．２２はバンドギャップ、１３．２３
は価電子帯を示す。第２図（ａ）のようなバンド構造に
おいては、電子及びホールが共にバンドギャップの狭い
半導体層に集まるので、狭いエネルギーｈνｌに対応し
た発光を生ずるが、バンドギャップの広い半導体層中に
は電子及びホールの両方ともが集まらないので、そのエ
ネルギーｈν２ に対応した発光はほとんど起らない。
次に熱処理後のバンド構造は、第２図（ｂ）に示す様に
、超格子構造は平均化してなくなるため、そのバンドギ
ャップのエネルギーｈν３ は、一般にｈνｌ とｈν
２ との範囲内に入る。
、超格子構造は平均化してなくなるため、そのバンドギ
ャップのエネルギーｈν３ は、一般にｈνｌ とｈν
２ との範囲内に入る。
さて、ｈνｌ はｈν３ よυ小さいので、第２図（ａ
）の超格子構造で発光したエネルギーｈνｌ の光は、
この第２図儂）のバンド構造では吸収されない。
）の超格子構造で発光したエネルギーｈνｌ の光は、
この第２図儂）のバンド構造では吸収されない。
このことは厚さが１００Ｘ以下の半導体層が１層でも、
多層でも同様に起る。また、この超格子構造の乱れはＺ
ｎを拡散することにより促進されることが知られている
。すなわち、ｚｏｏＸ以下の厚さの多層半導体層を有す
る超格子構造とＺｎ拡散技術とによシ、半導体基板衣ｌ
１ｌｉｔ−平行な平面内にバンドギャップの異なる半導
体層を形成することができる。なｇ、１ｏｏ、Ｋをはる
かに−越える厚さの半導体層では熱処理またはＺｎ拡散
時間を非常に長くしないと超格子構造の乱れを生じない
ので、適切ではない。
多層でも同様に起る。また、この超格子構造の乱れはＺ
ｎを拡散することにより促進されることが知られている
。すなわち、ｚｏｏＸ以下の厚さの多層半導体層を有す
る超格子構造とＺｎ拡散技術とによシ、半導体基板衣ｌ
１ｌｉｔ−平行な平面内にバンドギャップの異なる半導
体層を形成することができる。なｇ、１ｏｏ、Ｋをはる
かに−越える厚さの半導体層では熱処理またはＺｎ拡散
時間を非常に長くしないと超格子構造の乱れを生じない
ので、適切ではない。
本発明においては、この現象を利用して選択的に制御を
行い、第２図（ａ）の状態から第２図（ｂ）の状態へバ
ンド構造を変えることができるので、高出力動作が可能
なウィンドストライプ構造の半導体レーザ装置が可能と
なる。すなわち、ストライプ状のレーザ発振領域の方向
にレーザ共振面近傍でバンドギャップが広くなる様にし
てウィンドストライプ構造の半導体レーザ装置が得られ
る。
行い、第２図（ａ）の状態から第２図（ｂ）の状態へバ
ンド構造を変えることができるので、高出力動作が可能
なウィンドストライプ構造の半導体レーザ装置が可能と
なる。すなわち、ストライプ状のレーザ発振領域の方向
にレーザ共振面近傍でバンドギャップが広くなる様にし
てウィンドストライプ構造の半導体レーザ装置が得られ
る。
さらに、レーザ発振領域の屈折率をレーザ発振領域の周
囲の屈折率よシも高くすれば、発振横モードを制御する
ことができる。一般に、バンドギャップが広いほど屈折
率が低くなるので、活性層よりもバンドギャップが広く
なる様にクラッド層を形成すれば、基板平面と垂直方向
の発振横モードは制御が可能である。第２図（ａ）の様
な超格子構造の屈折率は・発振波長Ｔ（Ｃは光１度）に
比較して各半導体層の厚さがはるか膠こ小さいので、バ
ンドギャップｈν１ 含有する半導体とバンドギャップ
ｈν２ を有する半導体層との屈折率の平均値と同じに
なる。したがって不純物濃度に変化がない場合には、第
２図（ａ） 、 （ｂ）の半導体におけるエネルギーｈ
ν１ の光に対する屈折率はほとんど一致する。ところ
で、不純物濃度ｔ−Ｉ Ｘ １０”程度にすると、屈折
率が数％低下することが知られている。すなわち、レー
ザ発振領域を第２図（ａ）のバンド構造で比較的低濃度
な不純物濃度に作成し、かつレーザ発振領域の周辺部を
第２図（ｂ）のバンド構造で、不純物濃度をＩ Ｘ １
０ ”以上にすることにより基板平面と平行な方向の発
振横モードの制御が可能である。したがって、ウィンド
ストライプ構造でかつ発振横モードが制御された半導体
レーザ装置が得られる。
囲の屈折率よシも高くすれば、発振横モードを制御する
ことができる。一般に、バンドギャップが広いほど屈折
率が低くなるので、活性層よりもバンドギャップが広く
なる様にクラッド層を形成すれば、基板平面と垂直方向
の発振横モードは制御が可能である。第２図（ａ）の様
な超格子構造の屈折率は・発振波長Ｔ（Ｃは光１度）に
比較して各半導体層の厚さがはるか膠こ小さいので、バ
ンドギャップｈν１ 含有する半導体とバンドギャップ
ｈν２ を有する半導体層との屈折率の平均値と同じに
なる。したがって不純物濃度に変化がない場合には、第
２図（ａ） 、 （ｂ）の半導体におけるエネルギーｈ
ν１ の光に対する屈折率はほとんど一致する。ところ
で、不純物濃度ｔ−Ｉ Ｘ １０”程度にすると、屈折
率が数％低下することが知られている。すなわち、レー
ザ発振領域を第２図（ａ）のバンド構造で比較的低濃度
な不純物濃度に作成し、かつレーザ発振領域の周辺部を
第２図（ｂ）のバンド構造で、不純物濃度をＩ Ｘ １
０ ”以上にすることにより基板平面と平行な方向の発
振横モードの制御が可能である。したがって、ウィンド
ストライプ構造でかつ発振横モードが制御された半導体
レーザ装置が得られる。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実
施例の斜視図およびそのＡ−Ａ′、ａ−ａ’にて切断し
た断面図である。図中、１はｐｆｆｉＧａＡｓ基板から
なる半導体基板、２はｐｊＪｉＡ−１ｘ Ｇａ ｓ −
ｘ Ａｓで厚さｌμｎからなる第１のクラッド層、３は
１００Ｘ以下の多層半導体層から形成された超格子構造
の活性層で、全体の厚さは０．１μ乳である。この活性
層３はｐ型ｋｌｙ Ｇａ ｌ−ｙ ＡｓとｐＭＩＬｋｌ
ｚ Ｇａ １−Ｚ Ａｓ （但しＺ＞ｙ’；ｈＯ）と
の繰返しで形成され、ｙは発振波長に合せて調整しであ
る。また、４はｔ１型Ａ／ ｘ Ｇａ １−ｘ Ａｓで
厚さ１μｍからなる第２のクラッド層で％ ｘ＞ｚ＞
ｙなる大小関係をもっている。また、５は活性層３を越
える深さにまで達しているＺｎ拡散領域で、そのレーザ
発振領域のストライプ幅は２μ乳である。６はレーザ発
振領域以外に余分な電流が流れない様に形成された５ｉ
ａＮ４からなる絶縁膜、３７．３８は表面及び裏面電極
である。
施例の斜視図およびそのＡ−Ａ′、ａ−ａ’にて切断し
た断面図である。図中、１はｐｆｆｉＧａＡｓ基板から
なる半導体基板、２はｐｊＪｉＡ−１ｘ Ｇａ ｓ −
ｘ Ａｓで厚さｌμｎからなる第１のクラッド層、３は
１００Ｘ以下の多層半導体層から形成された超格子構造
の活性層で、全体の厚さは０．１μ乳である。この活性
層３はｐ型ｋｌｙ Ｇａ ｌ−ｙ ＡｓとｐＭＩＬｋｌ
ｚ Ｇａ １−Ｚ Ａｓ （但しＺ＞ｙ’；ｈＯ）と
の繰返しで形成され、ｙは発振波長に合せて調整しであ
る。また、４はｔ１型Ａ／ ｘ Ｇａ １−ｘ Ａｓで
厚さ１μｍからなる第２のクラッド層で％ ｘ＞ｚ＞
ｙなる大小関係をもっている。また、５は活性層３を越
える深さにまで達しているＺｎ拡散領域で、そのレーザ
発振領域のストライプ幅は２μ乳である。６はレーザ発
振領域以外に余分な電流が流れない様に形成された５ｉ
ａＮ４からなる絶縁膜、３７．３８は表面及び裏面電極
である。
この様に形成された半導体レーザ装置においては、第１
及び第２のクラッド層２，４よりも活性層３の方が屈折
率が高いので、垂直横モードの制御が可能である。また
、Ｚｎ拡散によシレーザ発振領域と非レーザ発振領域と
の間に不純物濃度差が形成され、非レーザ発振領域の不
純物濃度が高いので、レーザ発振領域の屈折率が高くな
り、水平横モードの制御が可能である。さらに、第２の
ブラッド層４内におけるｐ−ｎ接合のビルトインポテン
シャルφｌとｎｆｉの第２のクラッド層４と活性層３と
の間におけるｐ−ｎ接合のビルトインポテンシャルφ２
とを比較すると、本実施のクラッド層４と活性層３との
組成ではφ１がφ２より大きいので、電流狭窄が可能で
あり、そのためレーザの発振効率を高めることが出来、
発振横モードが制御されることがわかる。
及び第２のクラッド層２，４よりも活性層３の方が屈折
率が高いので、垂直横モードの制御が可能である。また
、Ｚｎ拡散によシレーザ発振領域と非レーザ発振領域と
の間に不純物濃度差が形成され、非レーザ発振領域の不
純物濃度が高いので、レーザ発振領域の屈折率が高くな
り、水平横モードの制御が可能である。さらに、第２の
ブラッド層４内におけるｐ−ｎ接合のビルトインポテン
シャルφｌとｎｆｉの第２のクラッド層４と活性層３と
の間におけるｐ−ｎ接合のビルトインポテンシャルφ２
とを比較すると、本実施のクラッド層４と活性層３との
組成ではφ１がφ２より大きいので、電流狭窄が可能で
あり、そのためレーザの発振効率を高めることが出来、
発振横モードが制御されることがわかる。
また、ストライプ状発振領域の両方の端は、Ｚｎ拡散に
よりバンド構造が変化しているので、ストライプ状発振
領域でレーザ発振した光のエネルギがこのストライプ状
発振領域の両端部では吸収されず、そのためにウィンド
ストライプ構造が実現されてお９、高出力動作が可能で
ある。
よりバンド構造が変化しているので、ストライプ状発振
領域でレーザ発振した光のエネルギがこのストライプ状
発振領域の両端部では吸収されず、そのためにウィンド
ストライプ構造が実現されてお９、高出力動作が可能で
ある。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明によれば、発振横モードが制
御され、かつ高出力動作が可能である半導体レーザ装置
が得られる。
御され、かつ高出力動作が可能である半導体レーザ装置
が得られる。
なお、本実施例ではＺｎ拡散について説明したが、拡散
機構がＺｎと類似して８り、その拡散係数がＺｎとほぼ
同じであるＣｄｔＭＩＩ等の不純物についても同様の効
果が期待できる。
機構がＺｎと類似して８り、その拡散係数がＺｎとほぼ
同じであるＣｄｔＭＩＩ等の不純物についても同様の効
果が期待できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実
施例の斜視図、Ａ−人′断面図オヨびＢ−Ｂ’断面図、
第２図（ａ） 、 （ｂ）は各々熱処理を施こす前およ
び熱処理後の超格子構造のバンド構造図である。 図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・
・第１のクラッド層、３・・・・・・活性層、４・・・
・・・第２のクラッド層、５・・・・・・拡散領域、６
・・・・・・絶縁膜、７，８・・・・・・電極、１１．
２１・・・・・・伝導帯、１２，２２・・・・・・バン
ドギャップ、１３，２３・・・・・・価電子帯である。 第１図 ＡＩＡ□
施例の斜視図、Ａ−人′断面図オヨびＢ−Ｂ’断面図、
第２図（ａ） 、 （ｂ）は各々熱処理を施こす前およ
び熱処理後の超格子構造のバンド構造図である。 図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・
・第１のクラッド層、３・・・・・・活性層、４・・・
・・・第２のクラッド層、５・・・・・・拡散領域、６
・・・・・・絶縁膜、７，８・・・・・・電極、１１．
２１・・・・・・伝導帯、１２，２２・・・・・・バン
ドギャップ、１３，２３・・・・・・価電子帯である。 第１図 ＡＩＡ□
Claims (1)
- 半導体基板上に半導体層を形成した第１のクラッド層と
、この第１のクラッド層上に１００Å以下の厚さで繰返
し積層した多層超格子構造の活性層と、この活性層上に
半導体層を形成した第２のクラッド層と、この第２のク
ラッド層上および前記半導体基板裏面にそれぞれ配設さ
れた電極とを有する半導体レーザ装置において、ストラ
イプ状発振領域を囲む部分に前記活性層を越える深さの
不純物拡散領域を設け、前記ストライプ状発振領域の両
端がレーザ共振面に接触しないようにしたことを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP236785A JPS61160990A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP236785A JPS61160990A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160990A true JPS61160990A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11527283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP236785A Pending JPS61160990A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160990A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| JPH03208388A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法と不純物拡散方法 |
| EP0649200A2 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-19 | International Business Machines Corporation | Planar, topology-free, single-mode, semiconductor quantum-well window laser with current confinement |
| WO2011135803A1 (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-03 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser element and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-01-10 JP JP236785A patent/JPS61160990A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5045500A (en) * | 1988-07-22 | 1991-09-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a semiconductor laser |
| JPH03208388A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法と不純物拡散方法 |
| EP0649200A2 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-19 | International Business Machines Corporation | Planar, topology-free, single-mode, semiconductor quantum-well window laser with current confinement |
| EP0649200A3 (en) * | 1993-10-15 | 1995-06-28 | Ibm | Semiconductor laser with quantum wells, single mode, planar, without mirror window topology with current confinement. |
| WO2011135803A1 (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-03 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser element and method of manufacturing the same |
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