JPH04105381A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、光情報処理機器や光計測機器等の光源として
用いられるＩ　ｎＧａＡ　Ｉ　Ｐ系赤色半導体レーザ装
置に係わり、特に共振器端面構造の改良をはかった半導
体レーザ装置に関する。

（従来の技術） 近年、０．６μ煙帯に発振波長を持つ ＩｎＧａＡｌＰ系の赤色半導体レーザが製品化され、光
デイスク装置、レーザ・ビーム・プリンタ等の光情報処
理機器の光源や、バーコード・リーダー、光計測機器等
の光源として広い応用が期待されている。この種のレー
ザの高出力化をはかることは、その応用範囲を拡大する
上で重要である。

例えば、光デイスク装置への書き込み用には、少くとも
２［１ｒＢＷ以上の光出力が必要とされている。

また、高い光出力はレーザ・ビーム・プリンタの高速印
字を可能にする。一般的に、高い光出力の得られるレー
ザを用いることは、光学系の損失に対する許容度を増す
ことができるので、光学系の簡略化、低価格化を可能に
する。

しかしながら、Ｉ　ｎＧａＡ　Ｉ　Ｐ系の赤色半導体レ
ーザの高出力化をはかることは、以下の様な事情により
困難であった。−例として、光デイスク装置やレーザ・
ビーム・プリンタ用光源に適した、横モート制御型のリ
ッジストライプ構造のレーザについて説明する。

第９図は従来のＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる赤色発光
領域を持つ半導体レーザの概略構造を示す断面図である
。図中１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−１ｎＧａＡＩＰ
クラッド層、３はＩｎＧａＰ活性層、４はｐ−ＩｎＧａ
ＡｌＰクラッド層、５はｐクラッド層４に形成したスト
ライプ状メサ部、６はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、７はｐ
−ＧａＡｓオーミックコンタクト層である。電流阻止層
６はメサ部５の側部を埋め込むように形成され、メサ部
５及び電流阻止層６上にオーミックコンタクト層７を形
成することにより、メサ部５のみに電流を狭窄する機構
をなしている。

第９図の構造において、ストライプ状メサ部５の幅を５
μ■、共振器長を３００μ謡とした素子の連続動作での
初期特性は、しきい値電流３５ｍＡ、最高先出力２０ｍ
Ｗ程度であった。しかし、最高先出力レベルは通電と共
に低下し、７ａｒＷ程度で安定した。このような素子を
７ａ＋Ｗ以上で動作させようとして注入電流を増すと、
急激に光出力の低下が起こり、同時にしきい値電流も５
５ｍＡ以上と高くなり、素子特性の著しい劣化が認めら
れた。

このような劣化現象は、内部電流狭窄型のＩｎＧａＡｌ
Ｐ系レーザでも見られ、ストライプ幅や活性層の厚さ等
に対する光出力の限界を調べた結果、この材料系の本質
的な許容光密度の限界により起こることが考えられた。

そこで、劣化した素子の基板を除去し、その電流注入発
光パターンを基板側から観察したところ、光出射端面（
共振器端面）付近に暗黒部が形成されていることが判っ
た。そして、高い光密度となる光出射端面付近で、自己
光吸収による発熱。

温度上昇による光吸収の増大といった正帰還メカニズム
により、結晶が融解して劣化が起こっていることが確認
された。

これに対し、同様な劣化メカニズムを有することが知ら
れているＧａＡ　ＩＡｓ系材料にょる半導体レーザては
、端面付近の活性層のバンドギャップエネルギーを発振
波長に対して透明になるように活性層の発光部より大き
くし、劣化の原因となる自己光吸収を起こさないような
、所謂Ｎ　Ａ　Ｍ　（Ｎｏｎ　Ａｂｓｏｒｂｉｎｇ　Ｍ
ｉｒｒｏｒ）構造が採用され効果を上げている。ＮＡＭ
構造の作成には、活性層を端面付近で除去し、高バンド
ギャップエネルギーの材料で埋込む方法、超格子活性層
を作成しておき不純物拡散等によりバンドギャップエネ
ルギーを変化させる方法等が取られている。

しかしながら、これらの方法が比較的複雑な作成プロセ
スを必要とすることから、 ＧａＡ　ＩＡｓ系材料よりも作成が難しいＩｎＧａＡｌ
Ｐ系材料による半導体レーザにそのまま適用することは
非常に困難であり、実際これらの方法をＩｎＧａＡｌＰ
系半導体レーザに適用しても満足する結果は得られてい
ないのが現状である。

（発明か解決しようとする課題） このように従来、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からな系材性層
を持つ半導体レーザにおいては、レーザ光の出射端面付
近における光吸収に起因して、連続動作における最大先
出力か低下する問題かあった。また、最大先出力を上げ
るために従来のＮＡＭ構造等を適用しても十分な効果か
得られるとは言えず、さらにその製造プロセスが極めて
複雑になる問題かあった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、レーザ光の出射端面付近における光
吸収をなくすことかでき、連続動作における最大光出力
の向上をはかり得る横モード制御型のＩｎＧａＡｌＰ系
半導体レーザ装置を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からな系材性層
を有する半導体レーザにおいて、活性層の光出射付近で
の光吸収を避けるために、活性層の光出射端面部のノ・
ントキャ・ノブエネルギーを活性層の主たる発光部より
大きくすることにあり、このために基板の面方位により
成長後の結晶のバ〉トギャップエネルギーか異なること
を利用して、活性層のハントギャップエネルギーの差を
作ることにある。

即ち本発明は、半導体基板上にこれと格子整合する活性
層をｐ型及びｎ型クラット層て挾んたＩｎＧａＡｌＰ系
混晶結晶からなるダブルヘテロ構造部が形成され、この
ダブルヘテロ構造部上に電流を狭窄するための電流狭窄
構造部が形成された半導体レーザ装置において、前記基
板の主面を（１００）面から＜０１１＞方向又はそれと
等価な方向に傾斜した面方位に設定し、前記基板の共振
器端面近傍に共振器方向に沿って７字型の溝（又は逆Ｖ
字型の突起）を設け、この溝の底部（又は突起の上部）
と前記基板の中央部表面とを面一に形成することにより
、共振器端面近傍における活性層のバンドギャップエネ
ルギーを他の部分よりも大きくしたものである。

また本発明は、半導体基板上に、これと格子整合する活
性層をｐ型及びｎ型クラッド層で挟んたＩｎＧａＡｌＰ
系混晶からなるダブルヘテロ構造部が形成され、このダ
ブルヘテロ構造部上に電流を狭窄するための電流狭窄構
造部が形成された半導体レーザ装置において、前記基板
の主面を・（１００）面から＜０１１＞方向と等価な方
向に傾いた面方位に設定し、前記基板の共振器端面近傍
に、該基板の主面とは異なる面方位を持つ傾斜面を形成
し、この傾斜面上に形成される前記ダブルヘテロ構造部
の活性層のバンドギャップエネルギーを他の部分よりも
大きくしたものである。

（作用） 最近の研究により、（１００）面から ＜０１１＞方向に傾斜した面方位を有する半導体基板上
に成長したＩｎＧａＡｌＰ系結晶のバンドギャップエネ
ルギーは、（１００）面上に成長したＩｎＧａＡｌＰ系
結晶のバンドギャップエネルギーよりも大きくなること
が判明している。一方、（１，００）面から＜　０１１
　＞方向に傾斜した面方位を有する半導体基板上に成長
したＩｎＧａＡｌＰ系結晶のバンドギャップエネルギー
は、（１００）面上に成長した場合と比較して逆に小さ
くなることが判っている。

本発明（請求項１）によれば、（１００）面から＜０１
１＞方向に傾斜した面方位を有する半導体基板を用いる
ことにより、レーザ共振器中の主たる発光領域の活性層
のバンドギャップエネルギーを小さく設定し、且つ＜０
１１＞方向に沿ってレーザ共振器を構成し、レーザ共振
器端面に相当する位置で＜０１１＞方向と直交する＜０
１１＞方向に傾いた斜面を有する７字型の溝又は逆Ｖ字
型の突起を設けることにより、レーザ共振器端面近傍の
活性層のバンドギャップエネルギーを活性層の主たる発
光部よりも大きくすることができる。このため、光出射
端面での光吸収が無くなり、自己光吸収による発熱。

温度上昇による光吸収の増大といった正帰還メカニズム
による結晶の融解等を防ぐことができる。従って、半導
体レーザの連続動作における最大光出力の向上をはかる
ことが可能となる。

また本発明によれば、溝の底部又は突起の上部と基板中
央部表面とを面一に形成しているので、活性層は共振器
端部においても直線上となる。従って、レーザ共振器端
面近傍に形成された前記非吸収領域内にも先導波路が存
在するため、基本横モード発振は勿論、非点隔差の小さ
いビーム特性を実現することが可能となる。さらに、共
振器端面近傍の非吸収領域内に光導波路のない構造と比
べて、共振器端面て反射された光を再び効率良く活性層
に結合させることが可能となる。

また、本発明（請求項２）では、（１００）面から（０
１１＞方向に傾斜した面方位を有する半導体基板を用い
ることにより、レーザ共振器中の主たる発光領域の活性
層のバンドギャップエネルギーを小さく設定し、且つレ
ーザ共振器端面に相当する位置で基板の主面に該主面と
は異なる面方位を持つ傾斜面を形成しているので、レー
ザ共振器端面近傍の活性層のバンドギャップエネルギー
を活性層の主たる発光部よりも大きくすることかできる
。このため、光出射端面での光吸収が無くなり、自己光
吸収による発熱、温度上昇による光吸収の増大といった
正帰還メカニズムによる結晶の溶解等を防ぐことかでき
る。従って、半導体レーザの連続動作における最大光出
力の向上をはかることか可能となる。

（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例に係わるＩｎＧａＡｌ
Ｐ系半導体レーザの概略構造を示す斜視図、第２図（ａ
）　（ｂ）はそれぞれ第１図の素子を破線で切った断面
Ａ、Ｂを示す図である。

図中、１０は面方位（１００）から＜０１１＞方向に５
度傾斜した面方位を有する　ｎ−ＧａＡｓ基板、１１は ｎ　　Ｉ　ｎａ、５　　（ｃ　ａｕ、ｊ　Ａ　ｌｌＪ、
７　）　　、ｓ　Ｐクラット層（ｎ　−４Ｘ　１０１７
ｃｒＡ−’、Ｉμ１１）　、１２はアンドープＩ　ｎｏ
、５　Ｇａｏ、ｓ　Ｐ活性層（０，０５μｓ＞、１３は
ｐ　−１ｎｏ、５　　（Ｇａｏ、ｉ　Ａ　１０．７　）
　０．Ｓ　　Ｐクラッド層（ｐ　＝　４　ｘ　１０１７
０ｍ−３，０，８μｍ　）、１４はｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層（ｎ　−２Ｘ　１０１８ｃ＋ａ−３，０，７μｇ＋
）、１５はｐ−ＧａＡｓコンタクト層（ｐ−２Ｘ１０１
８ｃ１１−’、　　３ｔｔ１１）を示し、また１６はｐ
側電極、１７はｎ側電極を示している。

第１図に示すようにレーザ共振器端面の近傍では、活性
層１２が７字型に形成され、先導波路を構成している（
Ｙ、Ｍｏｒｉ他；　ＥＩｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ。

Ｖｏｌ、１Ｇ、ｐ、７８５．１９８０年を参照）。一方
、第２図（ａ）に示すように活性層１２の中央部は直線
状となっており、さらに第２図（ｂ）で示したレーザ共
振器内部では平坦な活性層１２となっており、前記第９
図の従来例に示したリッジストライプ型の横モード制御
型レーザ構造が構成されている。

次に、上記構成の半導体レーザの製造方法について説明
する。

ます、第３図（ａ）に示す如く、フォトレジスト等をマ
スク（図示せず）として、（１００）而から＜０１１＞
方向に５度傾斜した面方位を有するｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　
Ｓ基板１０の共振器端面近傍に相当する領域に、エツチ
ングによってストライプ状の７字型の１２１を形成する
。また、同時に共振器方向の中央部では、７字型の溝２
１の底部とほぼ等しい深さまで一様にエツチングする。

エツチング液には、例えばＨ２Ｓ０４Ｈ２０□−Ｈ２０
系エツチング液（体積比８；１：１．２０℃）等を用い
ることができる。このとき、７字型の溝２１は＜０１１
＞方向と平行な方向に形成され、上記エツチング液によ
って７字型の溝の側面（傾斜面）２２は、（１００）面
から＜０１１＞方向に傾いた（１１１）面若しくは（１
１１）面に近い面となる。

次いで、第３図（ｂ）に示す如く、基板１０上にｎ−Ｉ
ｎＧａＡｌＰクラッド層１１．アンドプＩｎＧａＰ活性
層１２及び　１）−ｌｎＧａＡＩＰクラット層１４をＭ
　ＯＣＶ　Ｄ法により順次成長形成する。ここで、ＭＯ
ＣＶＤ成長は、例えば減圧下２５Ｔｏｒｒ、成長温度８
００℃、Ｖ族と■族の原料供給量比Ｖ／ｍ−３００〜５
００の条件下で行うことかできる。このとき、レーザ共
振器端面近傍に形成された７字型の溝２１上においては
、溝２１の側面と垂直方向結晶成長が進行するため、活
性層１２は７字型に形成される。そのため、７字型に形
成されたＩｎＧａＰ活性層は、（１１１）面ＧａＡｓ基
板上に成長形成されたＩｎＧａＰ層と等しい結晶特性を
有することになる。また、このとき、レーザ共振器端面
に形成されたＶ字型活性層の底部と、共振器内部の活性
層平坦部とはその位置がほぼ一致するので、共振器の軸
方向に前記２つの領域の電磁界モードの結合が良好に行
われる。

次いて、図示しないＳｉＯ２膜をマスクとして用い、９
２５７１層１３の途中まで熱硫酸を用いて選択エツチン
グし、第３図（Ｃ）に示す如くストライプ状のメサ部２
３を形成する。

次いて、Ｓｉｎ、膜（図示せず）を選択成長のマスクと
して減圧ＣＶＤ法を用いた選択成長により、５ｉ０２マ
スクのある部分を除いて厚さ　０．７μｍのｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層１４を成長し、メサ側部を電流阻止層１４
て埋め込む。

続いて、５ＩＯ２膜を除去した後、露出した９２５７１
層１３及び電流阻止層１４上に厚さ３μ■のｐ−ＧａＡ
ｓオーミックコンタクト層１５を成長する。この後、電
極１６．１７を形成することにより、前記第１図に示す
構造が実現されることになる。

かくして作成された半導体レーザにおいては、（１００
）面から＜０１１＞方向に傾斜した面方位を有する基板
上に形成した結晶と比べ、（１００）面から＜０１１＞
方向に傾斜した（１１１）面に近い溝部の傾斜面２２上
に成長した結晶は、バンドギャップエネルギーか大きく
なっている。即ち、文献（ＥＬＥＣＴｌ？０ＮＩＣ９Ｌ
ＥＴＴＥＲ３３ｒｄ　Ａｕｇｕｓｔ　１９８９．　Ｖｏ
ｌ、２５．　Ｎｏ、１４゜Ｐ２Ｏ３−９０７や、浜田能
、電子情報通信学会技術研究報告ＥＤ−８９−１０６（
１９８９）、ｐ５７−６４　）に見られるように、（１
００）面からの面方位のずれか１０ｄｅｇ程度で飽和傾
向を示すものの、基板の面方位か（１，００）面から＜
０１１＞方向に傾斜するに従ってバンドギャップエネル
ギーは小さくなり、＜０１１＞方向に傾斜するに従って
バンドギャップエネルギーは大きくなる。本実施例では
、主発光領域においては活性層のバンドギャップのエネ
ルギーが小さくなるような面方位を選択し、共振器端面
においては活性層のバンドギャップエネルギーか大きく
なるような面方位か現れるような構成となるため、主発
光部と端面部の活性層バンドギャップエネルギーの差を
最も効果的に大きくすることが可能となる。

発明者らの実験によると、基板の面方位を（１００）面
から＜０１１＞方向に傾斜した場合の活性層のバンドギ
ャップエネルギーの減少は（１００）面からの傾斜角度
が３〜５度の範囲で最も大きく、傾斜角度か１０度以上
ではむしろ（１００）面よりも大きくなった。このため
、基板の面方位の（１００）面から＜０１１＞方向への
傾斜角度は１０度以下が好ましく、より好ましくは３〜
５度の範囲がよい。

このように本実施例によれば、共振器端面部における活
性層１２のバンドギャップエネルギーを他の領域のそれ
よりも大きくすることができ、端面部の光吸収及びそれ
による発熱融解を制御することが可能となる。本実施例
構造により、光出力は従来の〜３倍が得られ、その出力
限界を決めるものは端面の融解によるものではなく、通
電電流による発熱か限界を決めるものであった。また、
従来の製造工程を大幅に変えることなく、基板１０の主
面に予め溝を形成するのみの簡易な工程で製造し得る等
の利点がある。

また、本実施例によれば、共振器端面近傍に形成された
Ｖ字型活性層も先導波路として作用するため、非点隔差
も５μｍ以下と小さく、基本横モードで発振する特性と
あわせて、光ディスフ書き込み用光源、レーサプリンタ
用光源として極めて好適なビーム特性か実現できた。

第４図は本発明の第２の実施例に係わる半導体レーザ装
置の概略構成を示す斜視図、第５図は第４図の素子を破
線で切った断面を示す図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。こ
の実施例か先に説明した実施例と異なる点は、共振器端
面近傍のＶ字型活性層１２を有する領域の上部にも、ｎ
型ＧａＡｓ電流阻止層１４を形成したことにある。

このような構成であれば、レーザ発振に寄与しない領域
に流れる無効電流を無くし、レーザ駆動電流の低減をは
かることかできる。また、共振器端面に電流か流れない
ため、端面の温度上昇も小さくすることができ、端面に
発生する結晶欠陥か原因となって生ずる素子劣化を防止
できるので、信頼性の高い動作か可能となる。

なお、上述した各実施例ではりッジストライプ構造のレ
ーザについて説明したが、本発明はこれ以外のレーザに
適用することもてきる。例えば、第６図に示す如くダブ
ルヘテロ構造部にはリッジ部を設けず、平坦なダブルヘ
テロ構造表面にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層３４を設けるよ
うにしてもよい。また、傾斜面を形成する方法としては
Ｖ溝を形成する代わりに、第７図に示す如く逆Ｖ字型の
突起３１を設けるようにしてもよい。この場合は、突起
３１の上部と基板中央部表面とを面一に形成すればよい
。これらのレーザにあっても、先の実施例と同様の効果
が得られるのは勿論のことである。

第８図は本発明の第３の実施例に係わる半導体レーザ装
置の概略構成を示す斜視図である。

なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。

図中１０は面方位（１００）から＜０１１＞方向に１０
度傾斜した面方位を有する ｎ−（ｙａＡｓ基板である。この基板１０上には、ｎ　
　ｒ　ｎ（＋５（ＧＳｏ、３　Ａ　１０．７　）　ａ、
ｑ　Ｐクラッド層１１、アンドープＩｎＧａＰ活性層１
２及びｐ　　Ｉ　ｎｏ５（Ｇａｏ、　　Ａ　Ｉｏ、７　
）　ｏ、＝　Ｐクラッド層１３を順次積層してなるダブ
ルヘテロ構造か形成され、ｐクラッド層１３上にはｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層３４か形成され、電流阻止層３４に
は＜０１１＞方向にストライプ状の開口か設けられ、そ
の上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層１５が形成されてい
る。そして、コンタクト層１５上にｐ側電極１６が形成
され、基板１０の下面にｎ側電極１７が形成されている
。

前記電流阻止層３４の＜０１１＞方向のストライプ状開
口と直交して、（１００）面から＜０１１＞方向に傾斜
した斜面４１が、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の端面近傍に形
成されている。

この実施例の半導体レーザでは、（１００）面から＜０
１１＞方向に傾斜した面方位を有する基板上に成長した
結晶に比べ、端面近傍に形成された（１００）面から＜
０１１＞方向に傾斜した斜面４１上に成長した結晶はバ
ンドギャップエネルギーが大きくなっている。

このように本実施例によれば、共振器端面部における活
性層１２のバンドギャップエネルギーを他の領域のそれ
よりも大きくすることかでき、端面部の光吸収及びそれ
による発熱融解を制御することが可能となる。本実施例
構造により、先出力は従来の〜３倍が得られ、その出力
限界を決めるものは端面の融解によるものではなく、通
電電流による発熱が限界を決めるものであった。

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例では、活性層の組成をＩ　ｎｏ、５　　（
Ｇ　ａ　１−ｘ　Ａ　１　ｔ　）　０５Ｐでｘ−０と、
クラッド層の組成を Ｉｎｏ５　ＣＧａ１−ｖ　Ａｌｙ）ｏ、ｓ　Ｐでｙ　−
０，７としたが、これに限るものではなく、ｘ＜ｙの関
係を満たす範囲であれば適宜変更可能である。

また、電流阻止層には、ＧａＡｓ以外にも、ＧａＡｌＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｌＰ等を用いてもよい。また、第１及び
第２の実施例では＜０１１＞方向に沿ってレーザ共振器
を構成したか、この方向は適宜変更可能である。但し、
共振器端面部の活性層のバンドギャップエネルギーを最
も大きくするには上記方向か望ましい。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、 ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を有する半導体レ
ーザにおいて、活性層の光出射端面部のバンドギャップ
エネルギーか活性層の主たる発光部より大きくなってい
るので、活性層の光出射付近での光吸収を防止すること
ができ、これにより連続動作における最大光出力の向上
をはかることができる。また、バンドギャップエネルギ
ーの差を作るために結晶成長用基板の面方位の違いを利
用することにより、上記半導体レーザ装置を容易なプロ
セスで作成することが可能であり、その有用性は絶大で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わる半導体レーザの
概略構造を示す斜視図、第２図は上記レーザの要部構成
を示す断面図、第３図は上記レーザの製造工程を示す断
面図、第４図は本発明の第２の実施例に係わる半導体レ
ーザの概略構造を示す断面図、第５図は第２の実施例レ
ーザの要部構成を示す断面図、第６図及び第７図は第１
及び第２の実施例の変形例を説明するための素子構造断
面図、第８図は本発明の第３の実施例レーザの構造を示
す斜視図、第９図は従来の問題点を説明するための素子
構造断面図である。 １０　・−ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板、１１−ｎ　−１
ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ｐクラッド層、１２−ｒ　ｎ　Ｇ
　ａ　Ａ　Ｉ　Ｐ活性層、１３−＝　ｐ　−１ｎ　Ｇ　
ａ　Ａ　Ｉ　Ｐクラッド層、１４．３４−ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層、１５・・・ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１
６．１７・・・電極、 ２１・・・Ｖ字型溝、 ２２・・・傾斜面、 ２３・・・メサ部、 ３１・・・逆Ｖ字型突起、 ４１・・・傾斜面。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第２図 第 図 第４ 図 第８図 第９図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に、これと格子整合する活性層をｐ
   型及びｎ型クラッド層で挾んだＩｎＧａＡｌＰ系混晶か
   らなるダブルヘテロ構造部が形成され、このダブルヘテ
   ロ構造部上に電流を狭窄するための電流狭窄構造部が形
   成された半導体レーザ装置において、 前記基板の主面を（１００）面から〈０１１〉方向と等
   価な方向に傾いた面方位に設定し、前記基板の共振器端
   面近傍に共振器方向に沿ってＶ字型の溝又は逆Ｖ字型の
   突起を設け、この溝の底部又は突起の上部と前記基板の
   中央部表面とを面一に形成し、共振器端面近傍における
   活性層のバンドギャップエネルギーを他の部分よりも大
   きくしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. （２）半導体基板上に、これと格子整合する活性層をｐ
   型及びｎ型クラッド層で挟んだＩｎＧａＡｌＰ系混晶か
   らなるダブルヘテロ構造部が形成され、このダブルヘテ
   ロ構造部上に電流を狭窄するための電流狭窄構造部が形
   成された半導体レーザ装置において、 前記基板の主面を（１００）面から〈０１１〉方向と等
   価な方向に傾いた面方位に設定し、前記基板の共振器端
   面近傍に、該基板の主面とは異なる面方位を持つ傾斜面
   を形成し、この傾斜面上に形成される前記ダブルヘテロ
   構造部の活性層のバンドギャップエネルギーを他の部分
   よりも大きくしてなることを特徴とする半導体レーザ装
   置。