JPS63102385A - 自励発振型半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
自励発振型半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS63102385A JPS63102385A JP24890586A JP24890586A JPS63102385A JP S63102385 A JPS63102385 A JP S63102385A JP 24890586 A JP24890586 A JP 24890586A JP 24890586 A JP24890586 A JP 24890586A JP S63102385 A JPS63102385 A JP S63102385A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
くイ）産業上の利用分野
本発明は、自動発振型半導体レーザの製造方法に関する
。
。
（ロ） 従来の技術
半導体レーザの出力光にｆｆｉ畳するノイズは量子ノイ
ズ等の定常動作時に発生するものと、温度変化に伴うモ
ードホッピングノイズやレーザ光自身が半導体レーザ自
身に逆戻りする時に生じる戻り光ノイズ等の外部的要因
で生じるものがある。
ズ等の定常動作時に発生するものと、温度変化に伴うモ
ードホッピングノイズやレーザ光自身が半導体レーザ自
身に逆戻りする時に生じる戻り光ノイズ等の外部的要因
で生じるものがある。
なかでも戻り光ノイズはコンパクトディスク（ＣＤ）装
置やビデオディスク（ＶＤ）装置等においてＳ／Ｎ比を
低下させる原因となっていた。
置やビデオディスク（ＶＤ）装置等においてＳ／Ｎ比を
低下させる原因となっていた。
そこで、１９８４年の電気通信学会技術研究報告０ＱＥ
８４−５７において、上記戻り光ノイズを１氏Ｍ町蛯な
半導体レーザとしてマルチモードで発振する自励発振型
半導体レーザが提案された。
８４−５７において、上記戻り光ノイズを１氏Ｍ町蛯な
半導体レーザとしてマルチモードで発振する自励発振型
半導体レーザが提案された。
第５図は斯る半導体レーザを示し、ｐ型ＧａＡＳからな
る基板（１）上にはｎ型ＧａＡｓＷＩ（２）とノンドー
プＧ ａ ＊、ｓａＡ ｌ。ａｓＡｓ層（３）とを交互
に５層積着し、かつ基板（１）に達するＴ型の溝が形成
された電流狭窄層〈４）が積層されている。また、断る
狭窄層（４）上及び溝上にはｐ型Ｇａｓ。
る基板（１）上にはｎ型ＧａＡｓＷＩ（２）とノンドー
プＧ ａ ＊、ｓａＡ ｌ。ａｓＡｓ層（３）とを交互
に５層積着し、かつ基板（１）に達するＴ型の溝が形成
された電流狭窄層〈４）が積層されている。また、断る
狭窄層（４）上及び溝上にはｐ型Ｇａｓ。
Ａ Ｒｅ、ｓ＋Ａ ｓからなる第１ウランド層（５）、
ｐ型Ｇ ａ ＊、ａ、Ａ Ｒｏ、＋ｓＡ Ｓからなる活
性層（６）、ｎ型Ｇ ａ ｓ、ｓｓＡ ｅ ＊、ｓｓＡ
８からなる第２ クラン）’ Ｒ１（７）及びｎ型Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層（８）が順次積層されている
。
ｐ型Ｇ ａ ＊、ａ、Ａ Ｒｏ、＋ｓＡ Ｓからなる活
性層（６）、ｎ型Ｇ ａ ｓ、ｓｓＡ ｅ ＊、ｓｓＡ
８からなる第２ クラン）’ Ｒ１（７）及びｎ型Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層（８）が順次積層されている
。
斯る半導体レーザでは、溝底部の電流注入領域の幅Ｗ１
が溝開口直上の光；リイド領域の幅Ｗ才に較べて狭くな
るため、光ガイド領域内の活性！（６）において、′ｆ
電流注入領域直上部除く部分が可飽和吸収体（図中、斜
線で明示）となる、このため、活性】（６）より発振し
たレーザ光はマルチモードとなる。
が溝開口直上の光；リイド領域の幅Ｗ才に較べて狭くな
るため、光ガイド領域内の活性！（６）において、′ｆ
電流注入領域直上部除く部分が可飽和吸収体（図中、斜
線で明示）となる、このため、活性】（６）より発振し
たレーザ光はマルチモードとなる。
（ハ〉 発明が解決しよ・）とする問題点熱るに、上記
半導体レーザでは、上記可飽和吸収体を形成するために
、電流狭窄層（４）に形成された溝をＴ型としなければ
ならない。このため斯る溝形成には２回のエンチング工
程が必要であり、工程が繁雑となり歩留りが低下すると
いう問題があった。
半導体レーザでは、上記可飽和吸収体を形成するために
、電流狭窄層（４）に形成された溝をＴ型としなければ
ならない。このため斯る溝形成には２回のエンチング工
程が必要であり、工程が繁雑となり歩留りが低下すると
いう問題があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は、凸状のストライプが形成された基板の一主面上に
電流狭窄層を成長させる第１工程、上記電流狭窄層表面
より頂部が上記ストライプに達する逆三角形の溝を形成
する第２工程、上記を流狭窄層表面及び−Ｆ配溝上に表
面が平坦な第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層
を順次夜長させる第３工程からなることにある。
徴は、凸状のストライプが形成された基板の一主面上に
電流狭窄層を成長させる第１工程、上記電流狭窄層表面
より頂部が上記ストライプに達する逆三角形の溝を形成
する第２工程、上記を流狭窄層表面及び−Ｆ配溝上に表
面が平坦な第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層
を順次夜長させる第３工程からなることにある。
（ホ〉 作用
斯る方法によれば、溝は一回のエツチング処理で形成で
きる。
きる。
くべ）実施例
第１図乃至第４図は本発明の実施例を示す工程別断面図
である。
である。
第１図は第１工程を示し１、同図（ａ）に示す如くｐ型
ＧａＡｓ基板（１１）の−主面に紙面垂直方向に延在し
、かつ断面形状が高さｔ−Ｏ，Ｓμｍ、底辺長ｂ−１，
０μｍの三角形となるストライプ〈１２）を形成する。
ＧａＡｓ基板（１１）の−主面に紙面垂直方向に延在し
、かつ断面形状が高さｔ−Ｏ，Ｓμｍ、底辺長ｂ−１，
０μｍの三角形となるストライプ〈１２）を形成する。
具体的には第１図（ｂ）に示すように基板（１１）の−
・主面上に幅１．０μｍで紙面垂直方向に延在するエツ
チングマスク（１３）を形成し、硫酸二過酸化水素水二
水−５：１：１のエツチング液で上記基板（１１）の−
主面をエツチングすることによりストライプ（１２〉を
形成できる。
・主面上に幅１．０μｍで紙面垂直方向に延在するエツ
チングマスク（１３）を形成し、硫酸二過酸化水素水二
水−５：１：１のエツチング液で上記基板（１１）の−
主面をエツチングすることによりストライプ（１２〉を
形成できる。
第２図は第２工程を示し、基板（１１）の−主面上にＴ
ｅドープでキャリア濃度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ ’ ” ／
Ｃｍ ’ （７） ｎ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層（
１４）を積層する。
ｅドープでキャリア濃度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ ’ ” ／
Ｃｍ ’ （７） ｎ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層（
１４）を積層する。
断る電流狭窄層（１４）は基板（１２）の−主面の平坦
部上での層厚が１μｍでかつ表面が平坦となるように例
えば液相エピタキシャル成長法を用いて形成できる。
部上での層厚が１μｍでかつ表面が平坦となるように例
えば液相エピタキシャル成長法を用いて形成できる。
第３図は第３工程を示し、電流狭窄Ｊ＠（１４）表面よ
りストライプ（１２）に達する深さを有し、かつ上記ス
トライプ〈１２〉と平行に延在する断面逆三角形状の溝
〈１５）を形成する。断る形成は、まず、第３図（ｂ）
に示す如く、ストライプ（１２）と対向する部分を除く
１を流狭窄ＦＩ！（１４）表面にエツチングマスク（１
６）を形成し、リンａｉ：メタノール二過酸化水素水−
１：２：１のエツチング液で上記電流狭窄層（１４）表
面をエツチングすることにより行なえる。
りストライプ（１２）に達する深さを有し、かつ上記ス
トライプ〈１２〉と平行に延在する断面逆三角形状の溝
〈１５）を形成する。断る形成は、まず、第３図（ｂ）
に示す如く、ストライプ（１２）と対向する部分を除く
１を流狭窄ＦＩ！（１４）表面にエツチングマスク（１
６）を形成し、リンａｉ：メタノール二過酸化水素水−
１：２：１のエツチング液で上記電流狭窄層（１４）表
面をエツチングすることにより行なえる。
尚、このときの溝（１５）の開口幅Ｂは約３μｍであり
、かつ深さＴは約１μｍである。
、かつ深さＴは約１μｍである。
第４図は最終工程を示し、１を沈狭窄層（１４）及び溝
（１５）表面にｐ型Ｇ ａ ｅ、ｓｉＡ ｌ ｏ、ｓ＋
Ａ ｓからなる第１クラッド層り１７）、ｐ型Ｇ ａ
ｅ、ｓｙＡ ｊ！ ＊、ｒｓＡ Ｓからなる活性層（１
８）、ｎ型Ｇ ａ ＊、ａｓＡ Ｒｏ、ｓｓＡ Ｓから
なる第２クラツド＠（１９）及びｎ型ＧａＡｓからなる
キャップ層（２０）を液相エピタキシャル成長法を用い
て順次積層する。斯る各１は共に表面が平坦であり、又
基板（１１）平坦部直上での層厚は夫ｋｏ、２Ｂ ｍ、
ｏ、ｏｓμｆｆ！、 １．５μｍ、２．ＯＡｔｍであ
る。
（１５）表面にｐ型Ｇ ａ ｅ、ｓｉＡ ｌ ｏ、ｓ＋
Ａ ｓからなる第１クラッド層り１７）、ｐ型Ｇ ａ
ｅ、ｓｙＡ ｊ！ ＊、ｒｓＡ Ｓからなる活性層（１
８）、ｎ型Ｇ ａ ＊、ａｓＡ Ｒｏ、ｓｓＡ Ｓから
なる第２クラツド＠（１９）及びｎ型ＧａＡｓからなる
キャップ層（２０）を液相エピタキシャル成長法を用い
て順次積層する。斯る各１は共に表面が平坦であり、又
基板（１１）平坦部直上での層厚は夫ｋｏ、２Ｂ ｍ、
ｏ、ｏｓμｆｆ！、 １．５μｍ、２．ＯＡｔｍであ
る。
斯る半導体レーザでは溝（１５）底部の電流注入領域の
幅Ｗ１は１μｍ以下であり、溝（１５）の開口直上の光
ガイド領域の幅Ｗ、は約３μｍと、従来の半導体レーザ
と同様に光ガイド領域の幅の方が大となる。従って従来
と同様に光ガイド領域内の活性Ｊｆ！＜１８）において
、電流注入領域直上部を除く部分が可飽和吸収体（図中
、斜線で明示）となり、活性層（１８）よりマルチモー
ドのレーザ光が発振する。
幅Ｗ１は１μｍ以下であり、溝（１５）の開口直上の光
ガイド領域の幅Ｗ、は約３μｍと、従来の半導体レーザ
と同様に光ガイド領域の幅の方が大となる。従って従来
と同様に光ガイド領域内の活性Ｊｆ！＜１８）において
、電流注入領域直上部を除く部分が可飽和吸収体（図中
、斜線で明示）となり、活性層（１８）よりマルチモー
ドのレーザ光が発振する。
また、本実施例方法により得られた自励発振型半導体レ
ーザの歩宿りは約７０％であった。これに対して従来の
Ｔ型溝を形成する方法では自励発振型半導体レーザの歩
留りは約５０％であった。
ーザの歩宿りは約７０％であった。これに対して従来の
Ｔ型溝を形成する方法では自励発振型半導体レーザの歩
留りは約５０％であった。
尚、本実施例ではストライプ（１２）の形成及び溝（１
５）の形成にウエットエ／チングを用いたが、反応性イ
オンエツチング等のドライエツチングを用いても問題は
ない。
５）の形成にウエットエ／チングを用いたが、反応性イ
オンエツチング等のドライエツチングを用いても問題は
ない。
くト）発明の効果
未発Ｆ！Ｖ！方法によれば自励発振型の半導体レーザを
歩留りよく生産できる。また、可飽和吸収体を形成する
ための溝作成を一回のエツチング工程でできるので、製
造工程を清略化できる。
歩留りよく生産できる。また、可飽和吸収体を形成する
ための溝作成を一回のエツチング工程でできるので、製
造工程を清略化できる。
第１図乃至第４図は本発明の詳細な説明するための工程
別断面図、第５図は従来例を説明するための断面図であ
る。 （１１）・・・基板、＜１２）・・・ストライプ、（１
４）・・・寛流狭窄看、り１５〉・・・溝、（１７）・
・・第１クラッド層、り１８）・・・活性層、（１９）
・・・第２クラメト層。
別断面図、第５図は従来例を説明するための断面図であ
る。 （１１）・・・基板、＜１２）・・・ストライプ、（１
４）・・・寛流狭窄看、り１５〉・・・溝、（１７）・
・・第１クラッド層、り１８）・・・活性層、（１９）
・・・第２クラメト層。
Claims (1)
- （１）凸状のストライプが形成された基板の一主面上に
電流狭窄層を成長させる第１工程、上記電流狭窄層表面
より頂部が上記ストライプに達する逆三角形の溝を形成
する第２工程、上記電流狭窄層表面及び上記溝上に表面
が平坦な第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層を
順次成長させる第３工程からなることを特徴とする自励
発振型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24890586A JPS63102385A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 自励発振型半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24890586A JPS63102385A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 自励発振型半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102385A true JPS63102385A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17185174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24890586A Pending JPS63102385A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 自励発振型半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257286A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199396A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24890586A patent/JPS63102385A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199396A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257286A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
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