JPS59200484A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59200484A JPS59200484A JP7499283A JP7499283A JPS59200484A JP S59200484 A JPS59200484 A JP S59200484A JP 7499283 A JP7499283 A JP 7499283A JP 7499283 A JP7499283 A JP 7499283A JP S59200484 A JPS59200484 A JP S59200484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type inp
- active layer
- type
- stripe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は安定な発振横モード特性を示し、生産性にすぐ
れた埋め込み形半導体レーザに関する。
れた埋め込み形半導体レーザに関する。
埋め込み形半導体レーザは発振閾値が１０ｍＡから３０
ｍＡ程度と小さく、素子の発熱量が小さいため１００℃
を越える高温での動作が可能である等の特徴を有してい
る。ところで、埋め込み形半導体レーザでは、平坦な連
続する活性層を有する半導体レーザに比べ接合に水平な
方向での活性層とこれを埋め込む半導体層との間の屈折
率差が太きい。
ｍＡ程度と小さく、素子の発熱量が小さいため１００℃
を越える高温での動作が可能である等の特徴を有してい
る。ところで、埋め込み形半導体レーザでは、平坦な連
続する活性層を有する半導体レーザに比べ接合に水平な
方向での活性層とこれを埋め込む半導体層との間の屈折
率差が太きい。
従って高次横モードの発振を抑制するためには活性層幅
を２μｍ程度以下に小さくして作製する必要がある。例
えば第１図に示すＩｎＧａＡｓＰ二重チャンネル形プレ
ーナ埋め込み構造半導体レーザ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｂａ
ｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅＬａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ 、以後Ｄ
Ｃ−ＰＢＨＬＤと略す）では、昭和５３年春季第３０回
応用物理学関係連合講演会の５ｐ−Ｈ−３で関等によっ
て報告される様にＩｎＧａＡｓＰ活性層ストライプ３０
を矩形の光導波路として計算した場合に１次の導波モー
ドがカット・オフになる様な寸法、例えば活性層厚０．
１μｍ１ 活性層幅１．５μｍにまで活性層寸法を小さ
く制御する必要がある。この条件は素子作製上では、か
なり厳しい条件である。素子作製の歩留りを向上させる
には、フォトリングラフィ技術の制御性を考えると３μ
ｍ程度以上の線幅であることが望ましい。第２図は、ス
トリップ埋め込み形半導体レーザ（５ｔｒｉｐ−Ｂｕｒ
ｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｄｉｏｄｅ以後５ＢＨＬＤと略す）と呼ばれる半導体
レーザ構造の断面図である。この構造においては、ネル
ソ７ （Ｒ，Ｊ、Ｎｅ１ｓｏｎ ）等によりアプライド
・フィジックスーレターズ（Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）誌の１９８０年発行第３
６巻、第５号の３５８頁から３６０頁にて報告される様
に、幅５μｍ程度の活性層でも基本横モードで発振する
ことが確かめられている。この理由は発光波長１．３μ
ｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層ストライプ３ｏに接して発光
波長にして１．１５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ 光導波
路層９を設けていることにある。即ちＩｎＧａＡｓＰ
活性層ストライプ３゜とＩｎＧａＡｓＰ 光導波路層９
との間の屈折率差が小さいため５０〜８０％程度の光は
ＩｎＧａＡｓＰ 光導波路９中を伝搬する。ＩｎＧａＡ
ｓＰ 光導波路層９は連続した層であるから、実効的に
伝搬光に対する、接合に平行な方向の屈折率差は、第１
図の場合の様にＩｎＧａＡｓＰ 活性層ストライプ３ｏ
単層で光を伝搬させる場合に比べて小さくなるため、−
次の導波モードのカット・オフになる活性層幅を広くで
きる。確かにこの様な方法で活性層幅を広くすることが
できる。しかしながら、この構造でも活性層幅に限度が
あり、又、高出力では基本モートにならない欠点がある
。
を２μｍ程度以下に小さくして作製する必要がある。例
えば第１図に示すＩｎＧａＡｓＰ二重チャンネル形プレ
ーナ埋め込み構造半導体レーザ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｂａ
ｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅＬａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ 、以後Ｄ
Ｃ−ＰＢＨＬＤと略す）では、昭和５３年春季第３０回
応用物理学関係連合講演会の５ｐ−Ｈ−３で関等によっ
て報告される様にＩｎＧａＡｓＰ活性層ストライプ３０
を矩形の光導波路として計算した場合に１次の導波モー
ドがカット・オフになる様な寸法、例えば活性層厚０．
１μｍ１ 活性層幅１．５μｍにまで活性層寸法を小さ
く制御する必要がある。この条件は素子作製上では、か
なり厳しい条件である。素子作製の歩留りを向上させる
には、フォトリングラフィ技術の制御性を考えると３μ
ｍ程度以上の線幅であることが望ましい。第２図は、ス
トリップ埋め込み形半導体レーザ（５ｔｒｉｐ−Ｂｕｒ
ｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｄｉｏｄｅ以後５ＢＨＬＤと略す）と呼ばれる半導体
レーザ構造の断面図である。この構造においては、ネル
ソ７ （Ｒ，Ｊ、Ｎｅ１ｓｏｎ ）等によりアプライド
・フィジックスーレターズ（Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）誌の１９８０年発行第３
６巻、第５号の３５８頁から３６０頁にて報告される様
に、幅５μｍ程度の活性層でも基本横モードで発振する
ことが確かめられている。この理由は発光波長１．３μ
ｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層ストライプ３ｏに接して発光
波長にして１．１５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ 光導波
路層９を設けていることにある。即ちＩｎＧａＡｓＰ
活性層ストライプ３゜とＩｎＧａＡｓＰ 光導波路層９
との間の屈折率差が小さいため５０〜８０％程度の光は
ＩｎＧａＡｓＰ 光導波路９中を伝搬する。ＩｎＧａＡ
ｓＰ 光導波路層９は連続した層であるから、実効的に
伝搬光に対する、接合に平行な方向の屈折率差は、第１
図の場合の様にＩｎＧａＡｓＰ 活性層ストライプ３ｏ
単層で光を伝搬させる場合に比べて小さくなるため、−
次の導波モードのカット・オフになる活性層幅を広くで
きる。確かにこの様な方法で活性層幅を広くすることが
できる。しかしながら、この構造でも活性層幅に限度が
あり、又、高出力では基本モートにならない欠点がある
。
本発明は上記欠点を除去し、活性層幅の制御が容烏で、
更に高出力でも基本モード発振する半導体レーザを提供
することを目的としている。
更に高出力でも基本モード発振する半導体レーザを提供
することを目的としている。
本発明の半導体レーザは、半導体基板上に平坦な光導波
路層と、活性層の少なくとも２層を含む半導体層を備え
、かつ前記活性層はストライプ状の平行な２本の溝によ
り前記２本の溝に挾まれた発光再結合を行う領域と溝の
外側領域とに分離され、更に、発光再結合を行う領域が
禁制帯幅の大きな層で埋め込まれている構成となってい
る。
路層と、活性層の少なくとも２層を含む半導体層を備え
、かつ前記活性層はストライプ状の平行な２本の溝によ
り前記２本の溝に挾まれた発光再結合を行う領域と溝の
外側領域とに分離され、更に、発光再結合を行う領域が
禁制帯幅の大きな層で埋め込まれている構成となってい
る。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第３図Ａは本発明の第１の実施例の埋め込み形半導体レ
ーザの断面構造図を示すものである。第１回目の液相エ
ピタキシャル成長で（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板（Ｓ
ｎドープ、キャリア濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ ３）μｍ組
成のｎ形１ｎＧａＡｓＰ 光導波路層９（Ｓｎドープ、
ｌＸｌ０”鑞−３、厚さ１．５μｍ）、発光波長１．３
層組成のＩｎＧａＡｓＰ 活性層３（ノンドープ、厚さ
０．１５ μｍ ）、ｐ形ＩｎＰクラッド層４（Ｚｎド
ープ、Ｉ Ｘｌ０１８ｃｍ ”、厚さ１．５ ｔｔｍ
）を順次積層した多層膜ウェハを作製した後、２本の平
行な＠３μｍの溝１１０．１１１を＜ １１０ ＞方向
に平行に作製し、中央に幅５μｍのメサネトライプ１０
０を形成する。溝１１０．１１１の作製に除し、ｐ形Ｉ
ｎＰ ４７４及びＩｎＧａＡｓＰ活性層３のエツチング
には、各々の層を選択的にエツチングするＨＣｌ系、Ｈ
２ＳＯ４とＨ２Ｏ２の混合液糸を各々用いることにより
、溝１１０．１１１の底面をｎ形ＩｎＧａＡｓＰ 光導
波路層９の上面とすることができる。第２回目の液相エ
ピタキシャル成長では、まずｐ形ＩｎＰ電流ブロック層
５ （Ｚｎドープ、１×ＩＱ”ｃｍ ３、平坦部での厚
さ０．５ ｔｔｍ ）、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６
（Ｔｅドープ、３ Ｘｌ０１８α−３、平坦部での厚さ
０．５μｍ） をメサストライプ１００の上部には積
層させずにメサ１００の両肩部から平坦部に向かう形状
で積層させる。こ２１らの層に連続してｐ形ＩｎＰ埋め
込み層７ （Ｚｎドープ、１ ｘｉｏ”Ｃｍ−”平坦部
での厚さ１，５μｍｍ）、及び発光波長にして１．１５
μｍ組成のｐ形ＩｎＧａＡｓＰ キャップ層８（Ｚｎ
ドープ、１×１０１９ｃｔ３、平坦部での厚さｌ ｐｍ
）を全面に亘って埋め込んで成長を終λる。さらにｐ形
ＩｎＧａＡｓＰ キャップ層８の上Ｌｔｈ、Ａｕ−Ｚ
ｎを用いたｐ側金属電極２０を形成し、また全体が１０
０μｍ程度の厚さになるまでｎ形ＩｎＰ基板１側を研磨
したのちＡｕ −Ｓｎを用いたｎ側金属電極２１を形成
する。襞間により、長さ３００μｍ程度の共珈器長にな
る様に切り出して半導体レーザチップとする。この構造
の半導体レーザでは注入電流はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め
層６とｐ形ＩｎＰ篭流ブロック層５とで形成されるｐｎ
逆バイアス接合により、メサストライプ１００の部分に
集中して流れる。発振閾値は室温で３５〜５ＱｙｎＡ程
度であった。微分量子Ｔｏ特性温度）に比例するとして
表現される発振閾値の温度依存性は特性温度Ｔ。にして
７０〜８０にであった。
ーザの断面構造図を示すものである。第１回目の液相エ
ピタキシャル成長で（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板（Ｓ
ｎドープ、キャリア濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ ３）μｍ組
成のｎ形１ｎＧａＡｓＰ 光導波路層９（Ｓｎドープ、
ｌＸｌ０”鑞−３、厚さ１．５μｍ）、発光波長１．３
層組成のＩｎＧａＡｓＰ 活性層３（ノンドープ、厚さ
０．１５ μｍ ）、ｐ形ＩｎＰクラッド層４（Ｚｎド
ープ、Ｉ Ｘｌ０１８ｃｍ ”、厚さ１．５ ｔｔｍ
）を順次積層した多層膜ウェハを作製した後、２本の平
行な＠３μｍの溝１１０．１１１を＜ １１０ ＞方向
に平行に作製し、中央に幅５μｍのメサネトライプ１０
０を形成する。溝１１０．１１１の作製に除し、ｐ形Ｉ
ｎＰ ４７４及びＩｎＧａＡｓＰ活性層３のエツチング
には、各々の層を選択的にエツチングするＨＣｌ系、Ｈ
２ＳＯ４とＨ２Ｏ２の混合液糸を各々用いることにより
、溝１１０．１１１の底面をｎ形ＩｎＧａＡｓＰ 光導
波路層９の上面とすることができる。第２回目の液相エ
ピタキシャル成長では、まずｐ形ＩｎＰ電流ブロック層
５ （Ｚｎドープ、１×ＩＱ”ｃｍ ３、平坦部での厚
さ０．５ ｔｔｍ ）、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６
（Ｔｅドープ、３ Ｘｌ０１８α−３、平坦部での厚さ
０．５μｍ） をメサストライプ１００の上部には積
層させずにメサ１００の両肩部から平坦部に向かう形状
で積層させる。こ２１らの層に連続してｐ形ＩｎＰ埋め
込み層７ （Ｚｎドープ、１ ｘｉｏ”Ｃｍ−”平坦部
での厚さ１，５μｍｍ）、及び発光波長にして１．１５
μｍ組成のｐ形ＩｎＧａＡｓＰ キャップ層８（Ｚｎ
ドープ、１×１０１９ｃｔ３、平坦部での厚さｌ ｐｍ
）を全面に亘って埋め込んで成長を終λる。さらにｐ形
ＩｎＧａＡｓＰ キャップ層８の上Ｌｔｈ、Ａｕ−Ｚ
ｎを用いたｐ側金属電極２０を形成し、また全体が１０
０μｍ程度の厚さになるまでｎ形ＩｎＰ基板１側を研磨
したのちＡｕ −Ｓｎを用いたｎ側金属電極２１を形成
する。襞間により、長さ３００μｍ程度の共珈器長にな
る様に切り出して半導体レーザチップとする。この構造
の半導体レーザでは注入電流はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め
層６とｐ形ＩｎＰ篭流ブロック層５とで形成されるｐｎ
逆バイアス接合により、メサストライプ１００の部分に
集中して流れる。発振閾値は室温で３５〜５ＱｙｎＡ程
度であった。微分量子Ｔｏ特性温度）に比例するとして
表現される発振閾値の温度依存性は特性温度Ｔ。にして
７０〜８０にであった。
この構造の積層方向に垂直な方向での実効屈折率は第３
図Ｃに示されている様に、メサストライプ１００の部分
が大きくその両側の溝部１１０，１１１の部分で小さく
、更にその外側ではＩｎＧａＡｓＰ 活性層３が残され
ているため大きくなっている。従ってこの方向での発振
横モードの光の電界分布を考えると、同じく第３図Ｂに
示されている様に基本モードの光の電界分ｍ１ａ）はメ
サストライプ１００の部分のＩｎＧａＡｓＰ 活性層ス
トライプ３０及びその下の１ｎＧａＡｓＰ 光導波路層
９にほとんど含まれている。しかしながら、高次モード
に関しては、光の電界分布は横方向に拡がってくる。例
えば１次モード（ｂ）では第３図Ｂに示す様に電界分布
の裾の部分が溝１１０．１１１の外側のＩｎＧａＡｓＰ
活性層３にかかってくる。この部分のＩｎＧａＡｓＰ
活性層３には電流が注入されず、しかもこのＩｎＧａＡ
ｓＰ 活性層３は発光波長とほぼ同じ禁制帯幅を有する
ため光の電界は強く吸収されることになる。従って基本
モードと１次モードに対し、発振閾値に達するのに必要
な利得の差は、２本の溝１１０，１１１の外側にＩｎＧ
ａＡｓＰ 活性層３がない場合に比べ太きくすることが
できる。即ち、高次横モード発生を抑制することができ
る。幅１００ ｎｓ 、繰り返しｌ ＫＨｚの電流パル
スを印加して発振して遠視野像を測定したところ、ピー
ク光出力３００ ｍＷにおいても基本横モードで発振し
ており高次モードが発生する１頃向は見られなかった。
図Ｃに示されている様に、メサストライプ１００の部分
が大きくその両側の溝部１１０，１１１の部分で小さく
、更にその外側ではＩｎＧａＡｓＰ 活性層３が残され
ているため大きくなっている。従ってこの方向での発振
横モードの光の電界分布を考えると、同じく第３図Ｂに
示されている様に基本モードの光の電界分ｍ１ａ）はメ
サストライプ１００の部分のＩｎＧａＡｓＰ 活性層ス
トライプ３０及びその下の１ｎＧａＡｓＰ 光導波路層
９にほとんど含まれている。しかしながら、高次モード
に関しては、光の電界分布は横方向に拡がってくる。例
えば１次モード（ｂ）では第３図Ｂに示す様に電界分布
の裾の部分が溝１１０．１１１の外側のＩｎＧａＡｓＰ
活性層３にかかってくる。この部分のＩｎＧａＡｓＰ
活性層３には電流が注入されず、しかもこのＩｎＧａＡ
ｓＰ 活性層３は発光波長とほぼ同じ禁制帯幅を有する
ため光の電界は強く吸収されることになる。従って基本
モードと１次モードに対し、発振閾値に達するのに必要
な利得の差は、２本の溝１１０，１１１の外側にＩｎＧ
ａＡｓＰ 活性層３がない場合に比べ太きくすることが
できる。即ち、高次横モード発生を抑制することができ
る。幅１００ ｎｓ 、繰り返しｌ ＫＨｚの電流パル
スを印加して発振して遠視野像を測定したところ、ピー
ク光出力３００ ｍＷにおいても基本横モードで発振し
ており高次モードが発生する１頃向は見られなかった。
第４図は本発明の第２の実施例の埋め込み形半導体レー
ザの断面構造図を示すものである。ｉｌの実施例の構造
と異なる点はｎ形Ｉ ｎ０ａＡｓ Ｐ 光導波路層９と
ＩｎＧａＡｓＰ 活性層３との間にｎ形１ｎＩ’バリア
層１０（Ｓｎドープ、ｌ×１０Ｉ８ｃ１ｃ３、厚さ０．
０５μｍ）が入っている点だけである。この様にすると
溝１１０，１１１を形成する際に、ＩｎＧａＡｓＰ 層
とＩｎＰ層とが交互に積層されているためＩ−ＩＣＡ糸
、及びＨ，８０，とＨ２Ｏ，０混合液系を用いた選択エ
ツチングが更に容易となる。この素子の特性は、第１の
実施例とほぼ同様であり、高次横モードの発生はほぼ完
全に抑制されていた。
ザの断面構造図を示すものである。ｉｌの実施例の構造
と異なる点はｎ形Ｉ ｎ０ａＡｓ Ｐ 光導波路層９と
ＩｎＧａＡｓＰ 活性層３との間にｎ形１ｎＩ’バリア
層１０（Ｓｎドープ、ｌ×１０Ｉ８ｃ１ｃ３、厚さ０．
０５μｍ）が入っている点だけである。この様にすると
溝１１０，１１１を形成する際に、ＩｎＧａＡｓＰ 層
とＩｎＰ層とが交互に積層されているためＩ−ＩＣＡ糸
、及びＨ，８０，とＨ２Ｏ，０混合液系を用いた選択エ
ツチングが更に容易となる。この素子の特性は、第１の
実施例とほぼ同様であり、高次横モードの発生はほぼ完
全に抑制されていた。
第４図に示す第２の実施例では溝１１０，１１１の底部
をｎ形ＩｎＰバリア層１０としたが、更にＨＣｌ系のエ
ツチング液でバリア層１０をエツチングした構造の埋め
込み形半導体レーザでも同様の素子特性を得ることがで
きた。
をｎ形ＩｎＰバリア層１０としたが、更にＨＣｌ系のエ
ツチング液でバリア層１０をエツチングした構造の埋め
込み形半導体レーザでも同様の素子特性を得ることがで
きた。
第３図、及び第４図に示す実施例の構造では、溝１１０
．１１１の幅を３μｍとしたが、２μｍ程度と狭くする
ことも可能である。また高次モードの抑制は若干弱くな
るが５μｍ程度にしても良い。またＩｎＧａＡｓＰ 活
性層ストライプ３０の幅は５μｍとしたがこれより狭く
ても同様に高次横モードの発生を抑制することが可能で
ある。
．１１１の幅を３μｍとしたが、２μｍ程度と狭くする
ことも可能である。また高次モードの抑制は若干弱くな
るが５μｍ程度にしても良い。またＩｎＧａＡｓＰ 活
性層ストライプ３０の幅は５μｍとしたがこれより狭く
ても同様に高次横モードの発生を抑制することが可能で
ある。
尚、上記実施例の光導波路層に回折格子を形成した構造
にすると、横モードのみならず、軸モードも単一モード
で発振する半導体レーザが得られる。
にすると、横モードのみならず、軸モードも単一モード
で発振する半導体レーザが得られる。
最後に本発明の特徴をまとめると、発振閾値が３ＱｍＡ
から５０ｒｒｌＡ 程度と比較的小さい埋め込み形半導
体レーザにおいて、活性層ストライプの両側に活性層と
同一組成の半導体層を近接させて配置させることにより
、扁次横モードの発生を抑制することができ高出力まで
基本横モードで発振することが可能であることである。
から５０ｒｒｌＡ 程度と比較的小さい埋め込み形半導
体レーザにおいて、活性層ストライプの両側に活性層と
同一組成の半導体層を近接させて配置させることにより
、扁次横モードの発生を抑制することができ高出力まで
基本横モードで発振することが可能であることである。
第１図及び第２図は従来構造の埋め込み形半導体レーザ
を示す構造断面図、第３図Ａ、ｆ：ｌ、Ｃは本発明の第
１の実施例及び光の電界強度分布と実効屈折率を示す図
、第４図は第２の実施例を示す構造断面図である。 図中、１はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ層
、３はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラ
ッド層、５はｐ形Ｉｎｐ電流ブロック層、６はｎ形Ｉｎ
Ｐ電流閉じ込め層、７はｐ形１ｎＰ埋め込み層、８はｐ
形ＩｎＧａＡｓＰキャ、プ層、９はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ
光導波路層、３０はＩｎＧａＡｓＰ 活性層ストライ
プ、２０はｐ側金属電極、２１はｎ側金属電極、１００
はメサストライプ、１１０及び１１１は平行な２本の溝
を示す。 算１図 第２回 ０ ／／／ ／ＤＯ／／Ｄ
を示す構造断面図、第３図Ａ、ｆ：ｌ、Ｃは本発明の第
１の実施例及び光の電界強度分布と実効屈折率を示す図
、第４図は第２の実施例を示す構造断面図である。 図中、１はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ層
、３はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラ
ッド層、５はｐ形Ｉｎｐ電流ブロック層、６はｎ形Ｉｎ
Ｐ電流閉じ込め層、７はｐ形１ｎＰ埋め込み層、８はｐ
形ＩｎＧａＡｓＰキャ、プ層、９はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ
光導波路層、３０はＩｎＧａＡｓＰ 活性層ストライ
プ、２０はｐ側金属電極、２１はｎ側金属電極、１００
はメサストライプ、１１０及び１１１は平行な２本の溝
を示す。 算１図 第２回 ０ ／／／ ／ＤＯ／／Ｄ
Claims (1)
- １、半導体基板上に、平坦な光導波路層と、活性層の少
なくとも２層を含む半導体層を備え、かつ前記活性層は
ストライプ状の平行な２本の溝により前記２本の溝に挾
まれた発光再結合を行う領域と溝の外側領域とに分離さ
れ、更に、当該活性層は少なくとも発光再結合を行う領
域が活性層よりも禁制帯幅の大きな半導体層で埋め込ま
れていることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7499283A JPS59200484A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7499283A JPS59200484A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200484A true JPS59200484A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13563279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7499283A Pending JPS59200484A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247084A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
| EP0621665A2 (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-26 | Nec Corporation | Semiconductor double-channel-planar-buried-heterostructure laser diode effective against leakage current |
| WO2015015633A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7499283A patent/JPS59200484A/ja active Pending
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