JPS61247084A - 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61247084A JPS61247084A JP8790685A JP8790685A JPS61247084A JP S61247084 A JPS61247084 A JP S61247084A JP 8790685 A JP8790685 A JP 8790685A JP 8790685 A JP8790685 A JP 8790685A JP S61247084 A JPS61247084 A JP S61247084A
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- Japan
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- inp
- mesa
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分ＦＪ、ｆ〕
本発明はＩｎＧａＡｓＰ活性層の周囲をＩｎＰ層で埋め
込んだ埋め込みへテヘロ構造半導体レーザに関する。
込んだ埋め込みへテヘロ構造半導体レーザに関する。
埋め込みへテヘロ構造半導体レーザ（ＢＨ−ＬＤ）は低
い発振しきい値電流、安定化した発儀横モード、高温動
作可能などの浸れた特性を有しているため、光フアイバ
通信用光源として注目を集めている。従来の技術として
、例えば特願昭５６−１６６６６６ に示した構造の半
纏体レーザがある。
い発振しきい値電流、安定化した発儀横モード、高温動
作可能などの浸れた特性を有しているため、光フアイバ
通信用光源として注目を集めている。従来の技術として
、例えば特願昭５６−１６６６６６ に示した構造の半
纏体レーザがある。
この構造は、２本のほぼ平行な溝にはさ“まれて形成さ
れた発光再結合する活性層を含むメサストライプの周囲
で確実Ｋｔ流プロ、り層が形成でさ、したがって濃度特
性に優れ、樵々の基板処理過程でのダメージを受けるこ
とが少なく製造歩留りの向上したＩｎＧａＡｓＰ／１ｎ
Ｐ ＢＨ−ＬＤが提案されている。
れた発光再結合する活性層を含むメサストライプの周囲
で確実Ｋｔ流プロ、り層が形成でさ、したがって濃度特
性に優れ、樵々の基板処理過程でのダメージを受けるこ
とが少なく製造歩留りの向上したＩｎＧａＡｓＰ／１ｎ
Ｐ ＢＨ−ＬＤが提案されている。
しかしながら、この構造のＢ Ｈ−Ｌ Ｄでは発光再結
合する活性ｔｔｉを含むメサストライプをはさんでいる
溝の部分においては電流プロ、り層の成長速度が速く、
Ｐ −Ｉ ｎＰｔ１プロ、り層、ｎ −ＩｎＰ電流ブロ
ック層の積層に際し、特にｎ−ＩｎＰ電流プロ、り層が
メサストライプ上部で連続して成長してしまうことがあ
シ、歩留りの低下を招いていた。
合する活性ｔｔｉを含むメサストライプをはさんでいる
溝の部分においては電流プロ、り層の成長速度が速く、
Ｐ −Ｉ ｎＰｔ１プロ、り層、ｎ −ＩｎＰ電流ブロ
ック層の積層に際し、特にｎ−ＩｎＰ電流プロ、り層が
メサストライプ上部で連続して成長してしまうことがあ
シ、歩留りの低下を招いていた。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべく、メサストライ
プ上部に形成されたｎ−１ｎＰ１［流プロ。
プ上部に形成されたｎ−１ｎＰ１［流プロ。
り層を、不純物のアクト、拡散罠よシＰ型領域に変換せ
しめ、製造歩留りの大幅に向上したＢＨ−ＬＤを提供す
ることにある。
しめ、製造歩留りの大幅に向上したＢＨ−ＬＤを提供す
ることにある。
本発明によれば、第１導電型半纏体基板上に少くとも活
性層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体
ウェハアを活性層よりも深い２本の平行な溝によシメサ
ストライプを形成した後ｓ６込み成長してなる埋め込み
へテヘロ構造半導体レーザにおいて、前記発光再結合す
る活性層を含むメサストライプの上面のみ除いて第２導
電型半導体電流プロ、り１−１第１導電型半導体ブロッ
ク層が順次積層され、さらに拡散しやすい不純物を１０
１８／ｄ以上の濃度でドーグした第２導電型半導体埋め
込み層が積層されてなることを特徴とする埋め込みへテ
ヘロ構造半導体レーザが得られる。
性層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体
ウェハアを活性層よりも深い２本の平行な溝によシメサ
ストライプを形成した後ｓ６込み成長してなる埋め込み
へテヘロ構造半導体レーザにおいて、前記発光再結合す
る活性層を含むメサストライプの上面のみ除いて第２導
電型半導体電流プロ、り１−１第１導電型半導体ブロッ
ク層が順次積層され、さらに拡散しやすい不純物を１０
１８／ｄ以上の濃度でドーグした第２導電型半導体埋め
込み層が積層されてなることを特徴とする埋め込みへテ
ヘロ構造半導体レーザが得られる。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の実施例であるＩ ｎＧ ａＡ ｓ Ｐ
ＢＨ−ＬＤの断面図を示す。このよりなりＨ−ＬＤを作
製するには次のようにすればよい。まず（１００） ｎ
−ＩｎＰ基板ｌ上にｎ−ＩｎＰバ、７ア層２ ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層、３Ｐ−ＩｎＰクラ、ド層４を順次積層さ
せた多層膜構造半導体ウェノ・−Ｋ＜Ｄｌｌ＞方向に平
行に１ｎＧａＡｓＰ活性層３よりも深くメサエッチング
して幅５μｍ、深さ２μｍの２本の平行な溝３０．３１
′Ｉｒ：作り、それにより発光再結合する活性層を含む
幅２μｍのメサストライプ１０を形成する０このように
して得られた半導体基板上にＰ−ＩｎＰｉ流ブロック層
５．ｎ−ＩｎＰ 電流ブロック層、６をメサ上面のみ除
いて。
ＢＨ−ＬＤの断面図を示す。このよりなりＨ−ＬＤを作
製するには次のようにすればよい。まず（１００） ｎ
−ＩｎＰ基板ｌ上にｎ−ＩｎＰバ、７ア層２ ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層、３Ｐ−ＩｎＰクラ、ド層４を順次積層さ
せた多層膜構造半導体ウェノ・−Ｋ＜Ｄｌｌ＞方向に平
行に１ｎＧａＡｓＰ活性層３よりも深くメサエッチング
して幅５μｍ、深さ２μｍの２本の平行な溝３０．３１
′Ｉｒ：作り、それにより発光再結合する活性層を含む
幅２μｍのメサストライプ１０を形成する０このように
して得られた半導体基板上にＰ−ＩｎＰｉ流ブロック層
５．ｎ−ＩｎＰ 電流ブロック層、６をメサ上面のみ除
いて。
積層させ、さらにＺｎをｌＯ／−以上ドープし九Ｐ−Ｉ
ｎＰ埋め込み層、７Ｐ−１ｎＧａＡｓＰ電極層８を全面
にわたって成長させ、目的のＢｌ（−ＬＤが得られる。
ｎＰ埋め込み層、７Ｐ−１ｎＧａＡｓＰ電極層８を全面
にわたって成長させ、目的のＢｌ（−ＬＤが得られる。
本発明の実施例においてはＰ−ＩｎＰ埋め込み層にＺｎ
のような熱拡散しやすい不純物を高濃度にドーグするこ
とによ＃）％従来例のようにｎ −ＩｎＰ電流プロ、り
層がメサストライプ上に積層しても、成長過程で、Ｐ−
ＩｎＰ埋め込み層のＺｎ不純物がｎ−ＩｎＰ［流ブロッ
ク層中に熱拡散して、Ｐ域領Ｋｆ侯される。したがって
、メサストライプ部分に電流が流れなくなるという欠点
が除去されるため、＃造歩留シが大幅に向上した０この
ようなりＨ−ＬＤにおいて、１枚のウェノ・−内で発損
しきい値′ｒ１．流が１０〜２ＱｍＡ、微分蓋子効率が
５０〜６０チというレーザが均一に得られ、またクエハ
ー間のバラノキも小さく、ＢＨ−ＬＤの特性上の再現性
、製作歩留りが大幅に向上した０本発明の特徴は、メサ
ストライプ上に積層したｎ−ＩｎＰ電流ブロック層をそ
の上に成長するＰ−ＩｎＰ埋め込み層中のＺｎ不純物の
同相拡散によシＰ型領域に変換せしめることである。し
たがって高性能なり１（−ＬＤの製造歩留シを大幅に改
善することができた。
のような熱拡散しやすい不純物を高濃度にドーグするこ
とによ＃）％従来例のようにｎ −ＩｎＰ電流プロ、り
層がメサストライプ上に積層しても、成長過程で、Ｐ−
ＩｎＰ埋め込み層のＺｎ不純物がｎ−ＩｎＰ［流ブロッ
ク層中に熱拡散して、Ｐ域領Ｋｆ侯される。したがって
、メサストライプ部分に電流が流れなくなるという欠点
が除去されるため、＃造歩留シが大幅に向上した０この
ようなりＨ−ＬＤにおいて、１枚のウェノ・−内で発損
しきい値′ｒ１．流が１０〜２ＱｍＡ、微分蓋子効率が
５０〜６０チというレーザが均一に得られ、またクエハ
ー間のバラノキも小さく、ＢＨ−ＬＤの特性上の再現性
、製作歩留りが大幅に向上した０本発明の特徴は、メサ
ストライプ上に積層したｎ−ＩｎＰ電流ブロック層をそ
の上に成長するＰ−ＩｎＰ埋め込み層中のＺｎ不純物の
同相拡散によシＰ型領域に変換せしめることである。し
たがって高性能なり１（−ＬＤの製造歩留シを大幅に改
善することができた。
尚、Ｐ−ＩｎＰ埋め込み層中に察加するＺｎ又はＭｇ濃
度が１０ ／ｄ以上必要な理由は、結晶成長濃度が６０
０〜６５０℃範囲で不純物の同相拡散を有効と活用する
ために必要な１ｆｌｌｆであり実験結果では１０ ／−
を境いとして良否かはつきシした。
度が１０ ／ｄ以上必要な理由は、結晶成長濃度が６０
０〜６５０℃範囲で不純物の同相拡散を有効と活用する
ために必要な１ｆｌｌｆであり実験結果では１０ ／−
を境いとして良否かはつきシした。
第１図は本発明の８Ｈ−ＬＤの躇■面図である。
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板上に少なくとも活性層を含む半導
体多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウェファを、前
記活性層よりも深くメサエッチングして形成された２本
の溝により、発光再結合する活性層を含むメサストライ
プを形成した後、埋め込み成長してなる埋め込みテヘロ
構造半導体レーザにおいて前記発光再結合する活性層を
含むメサストライプの上面のみ除いて第２導電型半導体
電流ブロック層、第１導電型半導体電流ブロック層が順
次積層され、さらに、拡散しやすい不純物を１０＾１＾
８／ｃｍ＾３以上の濃度でドープした第２導電型半導体
埋め込み層が全面にわたって積層されてなることを特徴
とする埋め込みテヘロ構造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8790685A JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8790685A JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247084A true JPS61247084A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0436598B2 JPH0436598B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=13927951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8790685A Granted JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247084A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365536A (en) * | 1992-07-20 | 1994-11-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5452316A (en) * | 1993-09-24 | 1995-09-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser having stacked active layers with reduced drive voltage |
| US6434179B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-08-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor laser chip |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200484A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8790685A patent/JPS61247084A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200484A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365536A (en) * | 1992-07-20 | 1994-11-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5452316A (en) * | 1993-09-24 | 1995-09-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser having stacked active layers with reduced drive voltage |
| US6434179B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-08-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor laser chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436598B2 (ja) | 1992-06-16 |
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