JPS5884483A - 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5884483A JPS5884483A JP18161781A JP18161781A JPS5884483A JP S5884483 A JPS5884483 A JP S5884483A JP 18161781 A JP18161781 A JP 18161781A JP 18161781 A JP18161781 A JP 18161781A JP S5884483 A JPS5884483 A JP S5884483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- inp
- current block
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩｎＧａＡｓＰ 活性層の周囲をＩｎＰ層で埋
め込んだ埋め込みへテロ構造半導体レーザに関する。
め込んだ埋め込みへテロ構造半導体レーザに関する。
埋め込みへテロ構造半導体レーず（ＢＨ−ＬＤ ）は低
い発振しきい値電流、安定化された発振横モード、高温
動作可能なと優れた特性を有しているため、光７テイパ
通信用光源として注目を集めている。本出動人は昭和５
６年１０月１９日付で出願した特許出願明細書に示した
様に、２本のは埋平行な溝にはさまれて形成された発光
再結合する活性層を含むメサストライプ以外で確実に電
流ブロック層が形成でき、したがって温ｆ特性に優れ、
種々の基板処理過程でのｌメージを受けることが少なく
製造歩留りの向上したＩｎＧａム５ＰＢＨ−ＬＤｔ発明
した。しかしながらこの構造ｏＢＨ−ＬＤでは発光再結
合する活性層を含むメサストライプをはさんヤいる溝の
部分においては電流ブロック層の成長速度が速（、ｐ−
ＩｎＰ電流電流−ロータ層−ＩｎＰ電流ブｐツク層の積
層に際し、特にｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層チストク
イズ上部で連続して成長してしまうことがあ〕、歩留り
の低下を招いていた。
い発振しきい値電流、安定化された発振横モード、高温
動作可能なと優れた特性を有しているため、光７テイパ
通信用光源として注目を集めている。本出動人は昭和５
６年１０月１９日付で出願した特許出願明細書に示した
様に、２本のは埋平行な溝にはさまれて形成された発光
再結合する活性層を含むメサストライプ以外で確実に電
流ブロック層が形成でき、したがって温ｆ特性に優れ、
種々の基板処理過程でのｌメージを受けることが少なく
製造歩留りの向上したＩｎＧａム５ＰＢＨ−ＬＤｔ発明
した。しかしながらこの構造ｏＢＨ−ＬＤでは発光再結
合する活性層を含むメサストライプをはさんヤいる溝の
部分においては電流ブロック層の成長速度が速（、ｐ−
ＩｎＰ電流電流−ロータ層−ＩｎＰ電流ブｐツク層の積
層に際し、特にｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層チストク
イズ上部で連続して成長してしまうことがあ〕、歩留り
の低下を招いていた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、あらかじめメサス
トライプ以外に電流ブロック層が形成され、電流ブロッ
ク層はただ１層のみ成長させればよく、製造歩留りの大
幅に向上したＢＨ−ＬＤを提供することにある。
トライプ以外に電流ブロック層が形成され、電流ブロッ
ク層はただ１層のみ成長させればよく、製造歩留りの大
幅に向上したＢＨ−ＬＤを提供することにある。
本発明によれば第１導電型半導体基板上に少くとも活性
層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウ
ェファを活性層よりも深い２本の平行な溝によりメサス
トライプを形成した後埋め込み成長してなる埋め込みヘ
テｐ構造半導体レーザにおいて、２本の平行な溝によっ
てはさまれた、発光再結合する活性層を含むメサスト２
イブ以外の部分に第２導電型不純物拡散層が活性層より
も深くまで形成され、発光再結合する活性層を含むメサ
ストライプの上面のみを除いて第１導電減半導体電流ブ
ロック層が、さらに全面にわたりて第２導電型半導体埋
め込み層が積層されてなることを特徴とする埋め込みへ
テロ構造半導体レーザが得られる。
層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウ
ェファを活性層よりも深い２本の平行な溝によりメサス
トライプを形成した後埋め込み成長してなる埋め込みヘ
テｐ構造半導体レーザにおいて、２本の平行な溝によっ
てはさまれた、発光再結合する活性層を含むメサスト２
イブ以外の部分に第２導電型不純物拡散層が活性層より
も深くまで形成され、発光再結合する活性層を含むメサ
ストライプの上面のみを除いて第１導電減半導体電流ブ
ロック層が、さらに全面にわたりて第２導電型半導体埋
め込み層が積層されてなることを特徴とする埋め込みへ
テロ構造半導体レーザが得られる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明の実施例であるＩａＧａＡｓＰ ＢＨ−
ＬＤの断面図を示す。このようなりＨ−ＬＤを作製する
ｋは次のようにすれによい。まず（１００） ｎ−Ｉ
ｎ Ｐ基板ｌｏｔ上にｎ −Ｉ ｎ Ｐバラフッ層１層
２゜ノンド−グＩｎＧａＡｓＰ活性層ｔｏｎ、ｐ−Ｉａ
Ｐクツット°層１０４を順次積層させた多層膜構造半導
体ウェファに＜０１１＞方向に平行に、ＩａＧａＡｓＰ
ａ性層１０３ よ抄も深くメサエッチングして幅６層ｍ
、深さ３ｐｒｎの２本の平行な溝１０５ 、１０６を作
り、それＫより発光再結合する活性層管含む幅３μｍの
メサストライプ１０７１形成する。この後工がテングマ
スクである８１０鵞膜を残してｐ形不純物であるＺｎを
選択拡散してＺｎｎ拡散電流プラック領域１０８を形成
する。このようにして得られたクエファに液相エピタ中
シャル成長法により、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１０９
をメチストクイズ１０７の上面のみを除いて積層させ、
さらにｐ −Ｉ ｎ ｐ埋め込み層１１０、ｐ−Ｉ口Ｇ
ａ Ａｓ Ｐ電極層を全面にわたりて成長させ、目的の
ＢＨ−ＬＤが得られる。
ＬＤの断面図を示す。このようなりＨ−ＬＤを作製する
ｋは次のようにすれによい。まず（１００） ｎ−Ｉ
ｎ Ｐ基板ｌｏｔ上にｎ −Ｉ ｎ Ｐバラフッ層１層
２゜ノンド−グＩｎＧａＡｓＰ活性層ｔｏｎ、ｐ−Ｉａ
Ｐクツット°層１０４を順次積層させた多層膜構造半導
体ウェファに＜０１１＞方向に平行に、ＩａＧａＡｓＰ
ａ性層１０３ よ抄も深くメサエッチングして幅６層ｍ
、深さ３ｐｒｎの２本の平行な溝１０５ 、１０６を作
り、それＫより発光再結合する活性層管含む幅３μｍの
メサストライプ１０７１形成する。この後工がテングマ
スクである８１０鵞膜を残してｐ形不純物であるＺｎを
選択拡散してＺｎｎ拡散電流プラック領域１０８を形成
する。このようにして得られたクエファに液相エピタ中
シャル成長法により、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１０９
をメチストクイズ１０７の上面のみを除いて積層させ、
さらにｐ −Ｉ ｎ ｐ埋め込み層１１０、ｐ−Ｉ口Ｇ
ａ Ａｓ Ｐ電極層を全面にわたりて成長させ、目的の
ＢＨ−ＬＤが得られる。
本発明の実施例においては埋め込み成長の前にあらかじ
めＺａ拡拡散電流クロ１２層１０Ｂ形成しておくことに
より、従来例のようＫｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層び
ｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層層をメチ上面を除いて積
層させる必要がなく、電流ブロック層はｎ−ＩａＰｅ）
１層だけでよいので、電流ブロック層がメサストライプ
をおおりてしまうということが少ない。したがりてＢＨ
−ＬＤの製造歩留りが大幅に向上した。このようなりＨ
−ＬＤにおいて室温での発振しきμ値電流が１０〜２０
ｍム、微分量子効率が５０チ糧変の素子が再現性よく得
られた。
めＺａ拡拡散電流クロ１２層１０Ｂ形成しておくことに
より、従来例のようＫｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層び
ｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層層をメチ上面を除いて積
層させる必要がなく、電流ブロック層はｎ−ＩａＰｅ）
１層だけでよいので、電流ブロック層がメサストライプ
をおおりてしまうということが少ない。したがりてＢＨ
−ＬＤの製造歩留りが大幅に向上した。このようなりＨ
−ＬＤにおいて室温での発振しきμ値電流が１０〜２０
ｍム、微分量子効率が５０チ糧変の素子が再現性よく得
られた。
本発明の特徴は、ＢＨ−ＬＤＯｆｉめ込み成長前にあら
かじめＺｎ拡散による電流プＷツク層を形成しておくこ
とであり、Ｉｌめ込み成長時に積層させる電流ブロック
層はｎ−ＩｎＰ電流プセｔり層１層のみでよいことであ
る。メチストライ１を紘さんでいる２本の溝での成長速
度は速くとも、メゾ上面に電流ブロック層が成長してし
まうことがなく、したがってＢＨ−ＬＤの製造歩留〕が
大幅に向上し九。
かじめＺｎ拡散による電流プＷツク層を形成しておくこ
とであり、Ｉｌめ込み成長時に積層させる電流ブロック
層はｎ−ＩｎＰ電流プセｔり層１層のみでよいことであ
る。メチストライ１を紘さんでいる２本の溝での成長速
度は速くとも、メゾ上面に電流ブロック層が成長してし
まうことがなく、したがってＢＨ−ＬＤの製造歩留〕が
大幅に向上し九。
第１図は本発明のＢＨ−ＬＤの断面図である。
図中、１０１・・・・・・ｎ−ＩｎＰ基板、１０２・・
・・・・ｎ−Ｉ ａ Ｐバラフッ層、１０３・・・・・
・１ｎＧａＡｓＰ活性層、１０４ ”” ｇ）−ＩｎＰ
／ ９ ！Ｆ、 Ｖ層、１０５ 、１０６・・・・・
−溝、１０７・・・・・・メサストライプ、１０８・旧
・・Ｚａ拡散電流プ四ツク層、１０９・・・・・・ｎ−
Ｉｎｐ＊Ｒプ撃がり層、１１０・・・・−・ｐ−ＩｎＰ
ｉｌめ込み層、１１１ ・、・・・・ｐ−ＩｎＧａＡａ
ｐ電極層、！１２・・・・・・ｐ彫オー建ｌり電極、１
１３１１１ｍ形オーＺｖり電極である。
・・・・ｎ−Ｉ ａ Ｐバラフッ層、１０３・・・・・
・１ｎＧａＡｓＰ活性層、１０４ ”” ｇ）−ＩｎＰ
／ ９ ！Ｆ、 Ｖ層、１０５ 、１０６・・・・・
−溝、１０７・・・・・・メサストライプ、１０８・旧
・・Ｚａ拡散電流プ四ツク層、１０９・・・・・・ｎ−
Ｉｎｐ＊Ｒプ撃がり層、１１０・・・・−・ｐ−ＩｎＰ
ｉｌめ込み層、１１１ ・、・・・・ｐ−ＩｎＧａＡａ
ｐ電極層、！１２・・・・・・ｐ彫オー建ｌり電極、１
１３１１１ｍ形オーＺｖり電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型半導体基板上に少くとも活性層を含む半導体
多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウェファを前記活
性層よりも深い２本の平行な溝゛によりメサストライプ
を形成し良後埋め込み成長してなる埋め込みへテロ構造
半導体レーずにおいて。 前記２本の平行な溝によってはさまれた１発光再結合す
る前記活性層を含む前記メサストライプ以外の部分に第
２導電蓋不純物拡散層が前記活性層よりも深くまで形成
され、発光再結合す名前記活性層を含む前記メサストラ
ププの上面のみを除いて第１導電瀝半一体電流ブロック
層が、さらに全面にわたりて第２導電飄半導体埋め込み
層が積層されてなることｔ＊黴とする濶め込みヘテー構
造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161781A JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161781A JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884483A true JPS5884483A (ja) | 1983-05-20 |
| JPS6237913B2 JPS6237913B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=16103923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18161781A Granted JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223186A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| JPS6260285A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6261386A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2534669Y2 (ja) * | 1995-04-06 | 1997-05-07 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品用キャップ電極による取付け構造 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP18161781A patent/JPS5884483A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223186A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| JPS6260285A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6261386A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237913B2 (ja) | 1987-08-14 |
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