JPH1140897A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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- JPH1140897A JPH1140897A JP19555697A JP19555697A JPH1140897A JP H1140897 A JPH1140897 A JP H1140897A JP 19555697 A JP19555697 A JP 19555697A JP 19555697 A JP19555697 A JP 19555697A JP H1140897 A JPH1140897 A JP H1140897A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速変調が可能な、素子容量の小さい、かつ
簡単な作製工程で作製できるＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ
埋め込み層で埋め込んだ半導体レーザ素子及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込ま
れた半導体レーザ素子において、ｎ型ＩｎＰ基板１のス
トライプに有機金属気相成長法により形成されるアンド
ープＩｎＧａＡｓＰ活性層５とｐ型ＩｎＰクラッド層６
と、全体にエピタキシャル成長されるＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層７と、このＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７上に選
択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層９
と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７の内、前記ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層６と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層９が接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパント
の拡散により、変質されるｐ形半導体層１０とを具備す
る。
簡単な作製工程で作製できるＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ
埋め込み層で埋め込んだ半導体レーザ素子及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込ま
れた半導体レーザ素子において、ｎ型ＩｎＰ基板１のス
トライプに有機金属気相成長法により形成されるアンド
ープＩｎＧａＡｓＰ活性層５とｐ型ＩｎＰクラッド層６
と、全体にエピタキシャル成長されるＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層７と、このＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７上に選
択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層９
と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７の内、前記ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層６と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層９が接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパント
の拡散により、変質されるｐ形半導体層１０とを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
に係り、特に、Ｆｅドープの半絶縁高抵抗（率）ＩｎＰ
埋め込み層を有する III−Ｖ族化合物半導体レーザ素子
及びその製造方法に関するものである。
に係り、特に、Ｆｅドープの半絶縁高抵抗（率）ＩｎＰ
埋め込み層を有する III−Ｖ族化合物半導体レーザ素子
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このような分野の技術としては、本願の
発明者によって、既に、特開平９−４３５５５号公報と
して提案されている。すなわち、１．３μｍ帯、１．５
μｍ帯の光通信に用いられる半導体光素子として、図３
に示すような、半絶縁性高抵抗ＩｎＰ埋め込み層を用い
た半導体発光素子が知られている。
発明者によって、既に、特開平９−４３５５５号公報と
して提案されている。すなわち、１．３μｍ帯、１．５
μｍ帯の光通信に用いられる半導体光素子として、図３
に示すような、半絶縁性高抵抗ＩｎＰ埋め込み層を用い
た半導体発光素子が知られている。
【０００３】以下、１．５μｍ帯半導体レーザを例にと
って説明する。図３において、ｎ型ＩｎＰ基板１の上
に、バンドギャップ波長１．５５μｍ、厚さ約０．１μ
ｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２が形成され、そ
の上に厚さ約１．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層３、バ
ンドギャップ波長１．３μｍ、厚さ約０．２μｍのｐ型
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４が形成されている。
って説明する。図３において、ｎ型ＩｎＰ基板１の上
に、バンドギャップ波長１．５５μｍ、厚さ約０．１μ
ｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２が形成され、そ
の上に厚さ約１．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層３、バ
ンドギャップ波長１．３μｍ、厚さ約０．２μｍのｐ型
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４が形成されている。
【０００４】ｎ型ＩｎＰ基板１上のこれらの積層は、基
板までメサエッチングされ、メサ側面をＦｅドープの高
抵抗ＩｎＰ層５で埋め込まれている。また、基板上にｐ
側電極６、基板裏面上にｎ側電極７を形成し、両端面に
膜厚が、約２０００ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜（屈折率〜１．７
５）等で形成されるＡＲコート（図示なし）が施され、
半導体レーザが構成される。
板までメサエッチングされ、メサ側面をＦｅドープの高
抵抗ＩｎＰ層５で埋め込まれている。また、基板上にｐ
側電極６、基板裏面上にｎ側電極７を形成し、両端面に
膜厚が、約２０００ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜（屈折率〜１．７
５）等で形成されるＡＲコート（図示なし）が施され、
半導体レーザが構成される。
【０００５】そこで、ｐ側電極６とｎ側電極７の間に、
バイアス電流を印加すると、印加電流に応じてアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ活性層２から光が発生し、閾値以上の
印加電流によってレーザ発振が得られる。ここで、Ｆｅ
ドープの高抵抗ＩｎＰ層５が高い抵抗率を有しているこ
とにより、素子容量が低減され、広帯域の変調特性が得
られる。
バイアス電流を印加すると、印加電流に応じてアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ活性層２から光が発生し、閾値以上の
印加電流によってレーザ発振が得られる。ここで、Ｆｅ
ドープの高抵抗ＩｎＰ層５が高い抵抗率を有しているこ
とにより、素子容量が低減され、広帯域の変調特性が得
られる。
【０００６】アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２は、上
下をｎ型ＩｎＰ基板１と、ｐ型ＩｎＰクラッド層３で挟
まれ、左右をＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層５で挟まれて
いるため、光導波構造を形成する。
下をｎ型ＩｎＰ基板１と、ｐ型ＩｎＰクラッド層３で挟
まれ、左右をＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層５で挟まれて
いるため、光導波構造を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層において
は、Ｆｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層成長時に、ｐ
型ＩｎＰクラッド層と接した領域にｐ型ＩｎＰクラッド
層からｐ形ドーパントであるＺｎが拡散し、十分高抵抗
なＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層が得られなかっ
た。
た従来のＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層において
は、Ｆｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層成長時に、ｐ
型ＩｎＰクラッド層と接した領域にｐ型ＩｎＰクラッド
層からｐ形ドーパントであるＺｎが拡散し、十分高抵抗
なＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層が得られなかっ
た。
【０００８】これは、Ｆｅドープの高抵抗ＩｎＰ層で
は、ｐ形ドーパントであるＺｎの拡散が早いことによ
る。また、素子容量はＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込
み層の厚みに依存し、素子容量を低減するには、Ｆｅド
ープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層の厚みを厚くする必要が
ある。このため、メサの高さを高くする必要があるが、
ｐ型ＩｎＰクラッド層と接する領域が広がり、さらにリ
ーク電流が増加することから、閾値、発光効率等の素子
特性が劣化し、また高速変調特性が得られないという問
題点があった。
は、ｐ形ドーパントであるＺｎの拡散が早いことによ
る。また、素子容量はＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込
み層の厚みに依存し、素子容量を低減するには、Ｆｅド
ープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層の厚みを厚くする必要が
ある。このため、メサの高さを高くする必要があるが、
ｐ型ＩｎＰクラッド層と接する領域が広がり、さらにリ
ーク電流が増加することから、閾値、発光効率等の素子
特性が劣化し、また高速変調特性が得られないという問
題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点を除去し、高速変調
が可能な、素子容量の小さい、かつ簡単な作製工程で作
製できるＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層で埋め込
んだ半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
が可能な、素子容量の小さい、かつ簡単な作製工程で作
製できるＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ埋め込み層で埋め込
んだ半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込まれた半導
体レーザ素子において、ｎ型化合物半導体基板のストラ
イプに有機金属気相成長法により形成される活性層とｐ
型ＩｎＰクラッド層と、全体にエピタキシャル成長され
るＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層と、このＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層上に選択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前
記ｐ型ＩｎＰクラッド層と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層が接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパ
ントの拡散により、変質されるｐ形半導体層とを設ける
ようにしたものである。
成するために、 〔１〕Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込まれた半導
体レーザ素子において、ｎ型化合物半導体基板のストラ
イプに有機金属気相成長法により形成される活性層とｐ
型ＩｎＰクラッド層と、全体にエピタキシャル成長され
るＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層と、このＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層上に選択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前
記ｐ型ＩｎＰクラッド層と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層が接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパ
ントの拡散により、変質されるｐ形半導体層とを設ける
ようにしたものである。
【００１１】〔２〕Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め
込まれた半導体レーザ素子の製造方法において、ｎ型化
合物半導体基板にストライプを形成する工程と、前記ス
トライプの中に活性層とｐ型ＩｎＰクラッド層を有機金
属気相成長法により形成する工程と、全体にＦｅドープ
高抵抗ＩｎＰ層をエピタキシャル成長させる工程と、前
記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層上に開口部を有する選択成
長マスクを形成する工程と、前記選択成長マスクの開口
部にｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を形成する工程
と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前記ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層が
接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパントの拡散
により、ｐ形半導体層に変質させる工程とを施すように
したものである。
込まれた半導体レーザ素子の製造方法において、ｎ型化
合物半導体基板にストライプを形成する工程と、前記ス
トライプの中に活性層とｐ型ＩｎＰクラッド層を有機金
属気相成長法により形成する工程と、全体にＦｅドープ
高抵抗ＩｎＰ層をエピタキシャル成長させる工程と、前
記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層上に開口部を有する選択成
長マスクを形成する工程と、前記選択成長マスクの開口
部にｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を形成する工程
と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前記ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層が
接した部分をｐ形半導体層からのｐ形ドーパントの拡散
により、ｐ形半導体層に変質させる工程とを施すように
したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例による半導体レーザ素子の断面図である。この図
に示すように、この実施例の半導体レーザ素子は、ｎ型
ＩｎＰ基板１のストライプに有機金属気相成長法により
形成されるアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５とｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層６と、全体にエピタキシャル成長される
Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７と、このＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層７上に選択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層９と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７の
内、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層６と前記ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層９が接した部分をｐ形半導体層からの
ｐ形ドーパントの拡散により、変質されるｐ形半導体層
１０とから構成される。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例による半導体レーザ素子の断面図である。この図
に示すように、この実施例の半導体レーザ素子は、ｎ型
ＩｎＰ基板１のストライプに有機金属気相成長法により
形成されるアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５とｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層６と、全体にエピタキシャル成長される
Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７と、このＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層７上に選択的に形成されるｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層９と、前記Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７の
内、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層６と前記ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層９が接した部分をｐ形半導体層からの
ｐ形ドーパントの拡散により、変質されるｐ形半導体層
１０とから構成される。
【００１３】以下、その半導体レーザ素子の製造工程に
ついて説明する。図２は本発明の実施例による半導体レ
ーザ素子の製造工程断面図である。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板
１上に、開口幅約１．５μｍのＳｉＯ2 等の絶縁膜を用
いたエッチングマスク（選択成長マスク）２を形成す
る。
ついて説明する。図２は本発明の実施例による半導体レ
ーザ素子の製造工程断面図である。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板
１上に、開口幅約１．５μｍのＳｉＯ2 等の絶縁膜を用
いたエッチングマスク（選択成長マスク）２を形成す
る。
【００１４】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、そ
のエッチングマスク２をマスクとして、深さ約０．５μ
ｍのストライプ３を形成する。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、そのストライプ
３の中に、ｎ型ＩｎＰクラッド層４とバンドギャップ波
長１．５５μｍ、厚さ約０．１μｍのアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５と、その上に不純物濃度ｐ＝１×１０
17ｃｍ-3、厚さ約０．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層６
をＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）により、エピタキ
シャル成長させる。
のエッチングマスク２をマスクとして、深さ約０．５μ
ｍのストライプ３を形成する。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、そのストライプ
３の中に、ｎ型ＩｎＰクラッド層４とバンドギャップ波
長１．５５μｍ、厚さ約０．１μｍのアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５と、その上に不純物濃度ｐ＝１×１０
17ｃｍ-3、厚さ約０．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層６
をＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）により、エピタキ
シャル成長させる。
【００１５】（４）次に、図２（ｄ）に示すように、エ
ッチングマスク（選択成長マスク）２を除去し、全体に
Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７をエピタキシャル成長させ
る。 （５）次いで、図２（ｅ）に示すように、開口幅約５μ
ｍのＳｉＯ2 膜からなる選択成長マスク８を形成する。 （６）次に、図２（ｆ）に示すように、選択成長マスク
８の開口部にバンドギャップ波長１．３μｍ、不純物濃
度ｐ＝５×１０18ｃｍ-3、厚さ約０．２μｍのｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層９が形成される。
ッチングマスク（選択成長マスク）２を除去し、全体に
Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７をエピタキシャル成長させ
る。 （５）次いで、図２（ｅ）に示すように、開口幅約５μ
ｍのＳｉＯ2 膜からなる選択成長マスク８を形成する。 （６）次に、図２（ｆ）に示すように、選択成長マスク
８の開口部にバンドギャップ波長１．３μｍ、不純物濃
度ｐ＝５×１０18ｃｍ-3、厚さ約０．２μｍのｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層９が形成される。
【００１６】ここで、Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層７のう
ち、ｐ型ＩｎＰクラッド層６とｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層９に接した部分では、ｐ形半導体層からｐ形ド
ーパントが拡散され、ｐ形半導体層１０に変化する。次
いで、基板表面にはｐ側電極１１を形成し、基板裏面上
にはｎ側電極１２を形成する。
ち、ｐ型ＩｎＰクラッド層６とｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層９に接した部分では、ｐ形半導体層からｐ形ド
ーパントが拡散され、ｐ形半導体層１０に変化する。次
いで、基板表面にはｐ側電極１１を形成し、基板裏面上
にはｎ側電極１２を形成する。
【００１７】最後に、図示しないが、両端面に膜厚が、
約２０００ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜（屈折率〜１．７５）等で
形成されるＡＲコート（図示なし）が施され、半導体レ
ーザが構成される。次に、この半導体光素子の動作につ
いて説明する。ｐ側電極１１とｎ側電極１２の間に順方
向電流を印加すると、ｐ形半導体層１０に変化したＦｅ
ドープ高抵抗ＩｎＰ層７を介して、アンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層５に電流が注入され、レーザ発振が起き
る。
約２０００ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜（屈折率〜１．７５）等で
形成されるＡＲコート（図示なし）が施され、半導体レ
ーザが構成される。次に、この半導体光素子の動作につ
いて説明する。ｐ側電極１１とｎ側電極１２の間に順方
向電流を印加すると、ｐ形半導体層１０に変化したＦｅ
ドープ高抵抗ＩｎＰ層７を介して、アンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層５に電流が注入され、レーザ発振が起き
る。
【００１８】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではない。例え
ば、活性層のバンドギャップ波長等は任意であり、ま
た、同様の構造の光変調器にも適用することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。例え
ば、活性層のバンドギャップ波長等は任意であり、ま
た、同様の構造の光変調器にも適用することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、活性層の上のＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層を拡散
によってｐ形半導体層に変質させて形成するようにして
いるので、リーク電流を最小に低減することができ、素
子特性の向上を図ることができる。
よれば、活性層の上のＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層を拡散
によってｐ形半導体層に変質させて形成するようにして
いるので、リーク電流を最小に低減することができ、素
子特性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例による半導体レーザ素子の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例による半導体レーザ素子の製造
工程断面図である。
工程断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ素子の断面図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ エッチングマスク ３ ストライプ ４ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ５ アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層 ６ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ７ Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層 ８ 選択成長マスク（ＳｉＯ2 膜） ９ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １０ ｐ形半導体層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込ま
れた半導体レーザ素子において、（ａ）ｎ型化合物半導
体基板のストライプに有機金属気相成長法により形成さ
れる活性層とｐ型ＩｎＰクラッド層と、（ｂ）全体にエ
ピタキシャル成長されるＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層と、
（ｃ）該Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層上に選択的に形成さ
れるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層と、（ｄ）前記Ｆ
ｅドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前記ｐ型ＩｎＰクラッド
層と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層が接した部分
をｐ形半導体層からのｐ形ドーパントの拡散により、変
質されるｐ形半導体層とを具備することを特徴とする半
導体レーザ素子。 - 【請求項２】 Ｆｅドープ高抵抗埋め込み層で埋め込ま
れた半導体レーザ素子の製造方法において、（ａ）ｎ型
化合物半導体基板にストライプを形成する工程と、
（ｂ）前記ストライプの中に活性層とｐ型ＩｎＰクラッ
ド層を有機金属気相成長法により形成する工程と、
（ｃ）全体にＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層をエピタキシャ
ル成長させる工程と、（ｄ）前記Ｆｅドープ高抵抗Ｉｎ
Ｐ層上に開口部を有する選択成長マスクを形成する工程
と、（ｅ）前記選択成長マスクの開口部にｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層を形成する工程と、（ｆ）前記Ｆｅ
ドープ高抵抗ＩｎＰ層の内、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層
と前記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層が接した部分を
ｐ形半導体層からのｐ形ドーパントの拡散により、ｐ形
半導体層に変質させる工程とを施すことを特徴とする半
導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19555697A JPH1140897A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19555697A JPH1140897A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140897A true JPH1140897A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16343081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19555697A Withdrawn JPH1140897A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140897A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518216B2 (en) | 2006-03-20 | 2009-04-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium nitride baseplate, epitaxial substrate, and method of forming gallium nitride |
| JP2014011348A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体レーザの製造方法、及び半導体素子の製造方法 |
| CN108470803A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-08-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制作方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP19555697A patent/JPH1140897A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518216B2 (en) | 2006-03-20 | 2009-04-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium nitride baseplate, epitaxial substrate, and method of forming gallium nitride |
| JP2014011348A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体レーザの製造方法、及び半導体素子の製造方法 |
| CN108470803A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-08-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制作方法 |
| CN108470803B (zh) * | 2018-03-20 | 2019-11-12 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |