JPH03250684A - メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 - Google Patents
メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03250684A JPH03250684A JP2045854A JP4585490A JPH03250684A JP H03250684 A JPH03250684 A JP H03250684A JP 2045854 A JP2045854 A JP 2045854A JP 4585490 A JP4585490 A JP 4585490A JP H03250684 A JPH03250684 A JP H03250684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mesa
- inp
- inp substrate
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 11
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩｎＰ系半導体レーし或いはＩｎＰ系光変光変調器メサ
を埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法の改良
に関し、 メサの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように
、また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクト
がとれるようにすることを目的とし、ＩｎＰ基板上にＩ
ｎＧａＡｓ Ｐ層或いはＩｎＧａＡｓ層をＩｎＰ層で
挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工程と、次いで、
表面から前記ＩｎＰ基板の一部にまで達し且つ該表面に
於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に対して垂直或いは逆メ
サ形状であってしかも下段になるにつれて幅広になる複
数段のメサを形成する工程と、次いで、前記複数段のメ
サを有機金属気相成長法を適用してＩｎＰ層で埋め込む
工程とを含んでなるよう構成する。
を埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法の改良
に関し、 メサの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように
、また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクト
がとれるようにすることを目的とし、ＩｎＰ基板上にＩ
ｎＧａＡｓ Ｐ層或いはＩｎＧａＡｓ層をＩｎＰ層で
挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工程と、次いで、
表面から前記ＩｎＰ基板の一部にまで達し且つ該表面に
於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に対して垂直或いは逆メ
サ形状であってしかも下段になるにつれて幅広になる複
数段のメサを形成する工程と、次いで、前記複数段のメ
サを有機金属気相成長法を適用してＩｎＰ層で埋め込む
工程とを含んでなるよう構成する。
本発明は、ＩｎＰ系半導体レーし或いはｌｎＰ系光変光
変調器メサを埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する
方法の改良に関する。
変調器メサを埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する
方法の改良に関する。
半導体レーザ或いは光変調器に於いて、ＩｎＰ基板上に
ＩｎＰ系の諸手導体層が多層に積層されたウェハを用い
、表面から活性層を含む適宜の層までをメサ状に形成し
、該メサの周囲をＩｎＰ系半導体で埋め込むことが行わ
れ、このうち、特に高速応答を要求されるものに於いて
は、埋め込み層を高抵抗化することが行われている。
ＩｎＰ系の諸手導体層が多層に積層されたウェハを用い
、表面から活性層を含む適宜の層までをメサ状に形成し
、該メサの周囲をＩｎＰ系半導体で埋め込むことが行わ
れ、このうち、特に高速応答を要求されるものに於いて
は、埋め込み層を高抵抗化することが行われている。
前記構成の半導体レーザ或いは光変調器は、高速の光通
信システムや光コンピュータを実現する上で重要な素子
となるので、良質のものを安定に製造できるようにしな
ければならない。
信システムや光コンピュータを実現する上で重要な素子
となるので、良質のものを安定に製造できるようにしな
ければならない。
〔従来の技術］
第８図は従来の技術を説明する為の工程要所に於けるＩ
ｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表している。
ｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表している。
図に於いて、
１はＩｎＰ基板、
２はＩ ｎＣｙａＡｓＰ或いはＩｎＧａＡｓからなる活
性層、 ３はＩｎＰｎチク９フ、 ４はＩｎＧａＡｓＰ１ｉ極コンタクト層、５はエツチン
グ・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示してい
る。
性層、 ３はＩｎＰｎチク９フ、 ４はＩｎＧａＡｓＰ１ｉ極コンタクト層、５はエツチン
グ・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示してい
る。
このメサは、ブロム・メタノールからなる非選択性エツ
チング液を用いて形成したものである。
チング液を用いて形成したものである。
第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於けるＩ
ｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
ｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
このメサは、臭化水素系の非選択性エツチング液を用い
て形成したものである。
て形成したものである。
第１０図は従来の技術を説明する為の工程要所に於ける
ＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。
ＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。
このメサは、ＩｎＰは塩酸或いは臭化水素を用いて、ま
た、ＩｎＧａＡｓＰ或いは１ ｎＧａＡｓは硫酸系の選
択性エツチング液を用いて形成したものである。
た、ＩｎＧａＡｓＰ或いは１ ｎＧａＡｓは硫酸系の選
択性エツチング液を用いて形成したものである。
第８図乃至第１０図に見られる各メサは、この後、気相
成長法を適用することで生成されるＩｎＰ系半導体層で
埋め込まれる。
成長法を適用することで生成されるＩｎＰ系半導体層で
埋め込まれる。
第８図及び第１０図に見られる従来例の場合、気相成長
法を適用することに依って、メサをＩｎＰ系半導体層で
埋め込む場合、埋め込み層の成長中に（１１１） Ｂ面
が現れ、そこでは結晶の成長が著しく遅い為、メサ・ト
ップに異常成長が発生したり、或いは、メサ・サイドに
空孔が発生するなどの問題がある。
法を適用することに依って、メサをＩｎＰ系半導体層で
埋め込む場合、埋め込み層の成長中に（１１１） Ｂ面
が現れ、そこでは結晶の成長が著しく遅い為、メサ・ト
ップに異常成長が発生したり、或いは、メサ・サイドに
空孔が発生するなどの問題がある。
第１１図は第８図並びに第１０図について説明されたよ
うなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の異常成長
を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要部
切断正面図を表し、また、第１２図は第１１図を説明す
るための半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図
乃至第１１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
うなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の異常成長
を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要部
切断正面図を表し、また、第１２図は第１１図を説明す
るための半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図
乃至第１１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、６はＩｎＰ埋め込み層、６Ａはメサを埋め
込む為の半導体層が異常成長した部分を表している。
込む為の半導体層が異常成長した部分を表している。
第１３図は同じく第８図並びに第１０図について説明さ
れたようなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の空
孔発生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真であ
る要部切断正面図を表し、また、第１４図は第１３図を
説明するための半導体レーザの要部切断正面図を表し、
第８図乃至第１０図に於いて用いた記号と同記号は同部
分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
れたようなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の空
孔発生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真であ
る要部切断正面図を表し、また、第１４図は第１３図を
説明するための半導体レーザの要部切断正面図を表し、
第８図乃至第１０図に於いて用いた記号と同記号は同部
分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、６Ｂはメサを埋め込む為の半導体層に発生
した空孔を表している。
した空孔を表している。
前記したような異常成長部分６Ａ、或いは、空孔６Ｂな
どが発生する理由は、前記したように、結晶成長中に（
１１１）Ｂ面が現れ、そこでの半導体結晶成長速度が著
しく遅いことに起因している。このように、異常成長部
分６Ａ、或いは、空孔６Ｂなどが発生すると、リークが
発生して良好な半導体レーザは得られない。即ち、前記
埋め込みが終わった後は、電極となる厚さ例えば２１μ
ｍ〕乃至３〔μｍ〕程度のＡｕをコンタクト層表面に、
且つ、それよりも幅広く形成するのであるが、そのＡｕ
を被着させる前の段階で、厚さ例えば２０００ Ｃ人〕
程度のＴｉＰｔを被着させている。これは、Ａｕが半導
体層内に入り込むことを抑止する為であり、若し、これ
を行わない場合、Ａｕが半導体層内に入ってリークを発
生することになる。ところが、前記したように、異常成
長部分６Ａ、或いは、空孔６Ｂなどが発生すると、その
異常成長部分６Ａの近傍や空孔６Ｂの内部にはＴｔＰｔ
が被着されない部分が生じ、Ａｕの電極を形成した際、
そこからＡｕが容易に侵入し、リークが発生する原因と
なって、良好な性能を得ることはできない。
どが発生する理由は、前記したように、結晶成長中に（
１１１）Ｂ面が現れ、そこでの半導体結晶成長速度が著
しく遅いことに起因している。このように、異常成長部
分６Ａ、或いは、空孔６Ｂなどが発生すると、リークが
発生して良好な半導体レーザは得られない。即ち、前記
埋め込みが終わった後は、電極となる厚さ例えば２１μ
ｍ〕乃至３〔μｍ〕程度のＡｕをコンタクト層表面に、
且つ、それよりも幅広く形成するのであるが、そのＡｕ
を被着させる前の段階で、厚さ例えば２０００ Ｃ人〕
程度のＴｉＰｔを被着させている。これは、Ａｕが半導
体層内に入り込むことを抑止する為であり、若し、これ
を行わない場合、Ａｕが半導体層内に入ってリークを発
生することになる。ところが、前記したように、異常成
長部分６Ａ、或いは、空孔６Ｂなどが発生すると、その
異常成長部分６Ａの近傍や空孔６Ｂの内部にはＴｔＰｔ
が被着されない部分が生じ、Ａｕの電極を形成した際、
そこからＡｕが容易に侵入し、リークが発生する原因と
なって、良好な性能を得ることはできない。
また、第９図について説明されたようなメサでは、図か
ら明らかな通り、下方になるにつれて幅が拡がる形成に
なっていることから、活性層２の幅を狭くした場合、電
極を形成する為の電極コンタクト層４の幅が著しく狭い
ものとなり、半導体レーザを構成するダイオードのシリ
ーズ抵抗が高（なって特性が悪化する。
ら明らかな通り、下方になるにつれて幅が拡がる形成に
なっていることから、活性層２の幅を狭くした場合、電
極を形成する為の電極コンタクト層４の幅が著しく狭い
ものとなり、半導体レーザを構成するダイオードのシリ
ーズ抵抗が高（なって特性が悪化する。
本発明は、メサの埋め込み層に異常成長や空孔などに起
因してリークなどが発生しないように、また、活性層の
幅を狭くしても充分な電極コンタクトがとれるようにし
ようとする。
因してリークなどが発生しないように、また、活性層の
幅を狭くしても充分な電極コンタクトがとれるようにし
ようとする。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明を実施して形成されたメサを説明する為
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図を表
している。
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図を表
している。
図に於いて、
１１はＩｎＰ基板、
１１Ａは第一段メサ部分、
１２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、
１３はＩｎＰクラッド層、
１４はＩｎＧａＡｓ Ｐ：］ンクラッド層１５はエツチ
ング・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示して
いる。
ング・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示して
いる。
図から明らかな通り、この光半導体装置に於ける第一段
メサ部分１１ＡはＩｎＰ基板１１の一部から、また、第
二段メサ部分は活性層１２とクラッド層１３とコンタク
トＪｉ１４からそれぞれ構成されている。
メサ部分１１ＡはＩｎＰ基板１１の一部から、また、第
二段メサ部分は活性層１２とクラッド層１３とコンタク
トＪｉ１４からそれぞれ構成されている。
このように、階段状メサ部分を形成してから埋め込みを
行うと、前記したような異常成長や空孔は全く発生しな
いことが実験的に確認され、そして、図からも明らかな
ように、活性７１１２の幅に比較して電極コンタクト層
の幅が狭（なる虞も皆無である。
行うと、前記したような異常成長や空孔は全く発生しな
いことが実験的に確認され、そして、図からも明らかな
ように、活性７１１２の幅に比較して電極コンタクト層
の幅が狭（なる虞も皆無である。
このようなことから、本発明に依る埋め込み型光半導体
装置の製造方法に於いては、ＩｎＰ基板（例えばｎ型Ｉ
ｎＰ基板１１）上にＩ ｎ Ｇ ａ Ａ、 ｓＰ層（例
えばＩ ｎＧａＡｓＰ活性層１２）或いはＩｎＧａＡｓ
層をＩｎＰ層（例えばｎ型ＩｎＰ基板１１及びｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１３）で挟んだダブル・ペテロ構造を形成
する工程と、次いで、表面から前記ＩｎＰ基板の一部に
まで達し且つ該表面に於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に
対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段になる
につれて幅広になる複数段のメサを形成する工程と、次
いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用し
てＩｎＰ層で埋め込む工程とを含んでいる。
装置の製造方法に於いては、ＩｎＰ基板（例えばｎ型Ｉ
ｎＰ基板１１）上にＩ ｎ Ｇ ａ Ａ、 ｓＰ層（例
えばＩ ｎＧａＡｓＰ活性層１２）或いはＩｎＧａＡｓ
層をＩｎＰ層（例えばｎ型ＩｎＰ基板１１及びｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１３）で挟んだダブル・ペテロ構造を形成
する工程と、次いで、表面から前記ＩｎＰ基板の一部に
まで達し且つ該表面に於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に
対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段になる
につれて幅広になる複数段のメサを形成する工程と、次
いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用し
てＩｎＰ層で埋め込む工程とを含んでいる。
前記手段を採ることに依り、ＩｎＰからなる埋め込み層
に（１１１）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生する
ことは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリーク
が発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭
（しても電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電
極の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。
に（１１１）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生する
ことは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリーク
が発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭
（しても電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電
極の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。
〔実施例］
第２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体レーザの要部切断正面図を表し、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に解説する。尚、第１
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
要所に於ける半導体レーザの要部切断正面図を表し、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に解説する。尚、第１
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
第２図参照
２−（１）
ｆ機金属気相成長（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｓ ｖ
ａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ： ＭＯ
ＶＰＥ）法を適用することに依って、面指数が（１００
）であるｎ型ＩｎＰ基板１１上に活性層１２、クラッド
層１３、電極コンタクト層１４を順に成長させる。 こ
こで、各半導体層に関する主要なデータを例示すると次
の通りである。
ａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ： ＭＯ
ＶＰＥ）法を適用することに依って、面指数が（１００
）であるｎ型ＩｎＰ基板１１上に活性層１２、クラッド
層１３、電極コンタクト層１４を順に成長させる。 こ
こで、各半導体層に関する主要なデータを例示すると次
の通りである。
■ 基板１１について
不純物：Ｓ或いはＳｎ
不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）■ 活
性層１２について 材料：ノン・ドープＩｎＧａＡｓＰ ルミネセンス・ピーク波長：ｉ、、３ｃμｍ〕厚さ：ｏ
、ｉ５ ｃμｍ〕 ■ クラッドＪｉ１３について 材料；Ｐ型ＩｎＰ 不純物：Ｃｄ或いはＺｎ 不純物濃度： ７ Ｘ １０ ′７（ｃｍ−”）厚さ：
１．５（μｍ］ ■ 電極コンタクト層１４について 材料：Ｐ型１ｎ、ＧａＡｓＰ 不純物：Ｃｄ或いはＺｎ 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）厚さ：
０．３Ｃμｍ］ ２−（２） 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ。
性層１２について 材料：ノン・ドープＩｎＧａＡｓＰ ルミネセンス・ピーク波長：ｉ、、３ｃμｍ〕厚さ：ｏ
、ｉ５ ｃμｍ〕 ■ クラッドＪｉ１３について 材料；Ｐ型ＩｎＰ 不純物：Ｃｄ或いはＺｎ 不純物濃度： ７ Ｘ １０ ′７（ｃｍ−”）厚さ：
１．５（μｍ］ ■ 電極コンタクト層１４について 材料：Ｐ型１ｎ、ＧａＡｓＰ 不純物：Ｃｄ或いはＺｎ 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）厚さ：
０．３Ｃμｍ］ ２−（２） 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ。
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用する
ことに依って、二酸化シリコン膜１５を成長させる。尚
、この場合の膜厚は約１０００〔入〕程度で良く、また
、材料としては、二酸化シリコンの他に窒化シリコン膜
や酸化アルミニウム膜などを用いることができる。
ことに依って、二酸化シリコン膜１５を成長させる。尚
、この場合の膜厚は約１０００〔入〕程度で良く、また
、材料としては、二酸化シリコンの他に窒化シリコン膜
や酸化アルミニウム膜などを用いることができる。
２−（３）
通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・プ
ロセス及びエツチング・ガスをトリフロロメタン（ＣＨ
Ｆ３ ）とする反応性イオン・エツチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＴＥ）法を通
用することに依り、二酸化シリコン膜１５のバターニン
グを行って、基板１１の［：０１１）方向に延び、且つ
、幅が例えば３〜４〔μｍ〕程度であるストライブを形
成する。
ロセス及びエツチング・ガスをトリフロロメタン（ＣＨ
Ｆ３ ）とする反応性イオン・エツチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＴＥ）法を通
用することに依り、二酸化シリコン膜１５のバターニン
グを行って、基板１１の［：０１１）方向に延び、且つ
、幅が例えば３〜４〔μｍ〕程度であるストライブを形
成する。
第３図参照
３−（１）
エンチャントを硫酸系エツチング液とするウェット・エ
ツチング法を適用することに依り、ストライブ状二酸化
シリコン膜１５をエツチング・マスクとして電極コンタ
クト層１４のバターニングを行う。
ツチング法を適用することに依り、ストライブ状二酸化
シリコン膜１５をエツチング・マスクとして電極コンタ
クト層１４のバターニングを行う。
３−（２）
エッチャントを塩酸系エツチング液とするウェット・エ
ツチング法を適用することに依り、クラッド層１３のバ
ターニングを行う。
ツチング法を適用することに依り、クラッド層１３のバ
ターニングを行う。
Ｌ−（３）
エッチャントを硫酸系エツチング液とするウェット・エ
ツチング法を適用することに依り、活性１ｉ１２のバタ
ーニングを行う。
ツチング法を適用することに依り、活性１ｉ１２のバタ
ーニングを行う。
この場合、エツチング時間を調節することに依り、活性
Ｎ１２の幅を制御することが可能である。
Ｎ１２の幅を制御することが可能である。
第４図参照
１−（１）
エッチャントをＨｃｆ＋ＨＮｏ３＋Ｈ２０□とするウェ
ット・エツチング法を通用することに依り、基板１１を
エツチングしてメサＩＩＡを形成する。尚、この工程を
経ることに依り、活性層１２、クラッド層１３、電極コ
ンタクト層１４の形状は、図示のように、逆メサ状にな
り、そして、このメサが第一段目のメサ、メサ１１Ａが
第二段目のメサであって１．第一段目のメサに比較して
第二段目のメサは幅広になっていることが明らかである
。
ット・エツチング法を通用することに依り、基板１１を
エツチングしてメサＩＩＡを形成する。尚、この工程を
経ることに依り、活性層１２、クラッド層１３、電極コ
ンタクト層１４の形状は、図示のように、逆メサ状にな
り、そして、このメサが第一段目のメサ、メサ１１Ａが
第二段目のメサであって１．第一段目のメサに比較して
第二段目のメサは幅広になっていることが明らかである
。
第５図参照
５−（１）
ＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、埋め込み層１６を
形成する。
形成する。
ここで、埋め込み層１６に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。
ると次の通りである。
材料： ＩｎＰ
厚さ：１．９５Ｃμｍ］〜２ 〔μｍ〕５−（２）
この後、通常の技法を適用することに依り、ｎ側電極や
ｐ側電極を形成して完成する。尚、ｐ＠電極を形成する
際には、二酸化シリコン膜１５を除去しなければならな
いのは云うまでもない。
ｐ側電極を形成して完成する。尚、ｐ＠電極を形成する
際には、二酸化シリコン膜１５を除去しなければならな
いのは云うまでもない。
以上のようにして作成した半導体レーザに於いては、図
からも明らかなように、メサの埋め込み層１６に異常成
長が発生したり、空孔が発生することは全くなかった。
からも明らかなように、メサの埋め込み層１６に異常成
長が発生したり、空孔が発生することは全くなかった。
第６図は前記実施例に於ける第４図に対応する半導体結
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表している
。
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表している
。
図に依ると、本発明を実施して、二段のメサを形成した
状態が明瞭に認められよう。
状態が明瞭に認められよう。
第７図は前記実施例に於ける第５図に相当する半導体結
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表している
。尚、本図では、埋め込み層１６が単層ではなく、複数
の層が積層されているが、これは、実験の為、ＩｎＰの
埋め込み層１６を複数回に分けて成長させるようにし、
その間に、極薄のＩ ｎＡｓ Ｐマーカ層を介在させで
あることに依るものであり、実質的には第５図に示した
状態と変わりないものである。
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表している
。尚、本図では、埋め込み層１６が単層ではなく、複数
の層が積層されているが、これは、実験の為、ＩｎＰの
埋め込み層１６を複数回に分けて成長させるようにし、
その間に、極薄のＩ ｎＡｓ Ｐマーカ層を介在させで
あることに依るものであり、実質的には第５図に示した
状態と変わりないものである。
図から明らかな通り、異常成長や空孔は全く発生してい
ないことが看取されよう。
ないことが看取されよう。
本発明に依る光半導体装置の製造方法に於いては、メサ
の埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように、ま
た、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクトがと
れるようにすることを目的とし、ＩｎＰ基板上にＩｎＣ
；ａＡｓＰ層或いはＩｎ、 Ｇ ａ Ａ ｓ ｉｉをＩ
ｎＰ層で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工程と、
次いで、表面から前記ＩｎＰ基板の一部にまで達し且つ
該表面に於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に対して垂直或
いは逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて幅広
になる複数段のメサを形成する工程と、次いで、前記複
数段のメサを有機金属気相成長を適用してＩｎＰ層で埋
め込む工程とを含んでいる。
の埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように、ま
た、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクトがと
れるようにすることを目的とし、ＩｎＰ基板上にＩｎＣ
；ａＡｓＰ層或いはＩｎ、 Ｇ ａ Ａ ｓ ｉｉをＩ
ｎＰ層で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工程と、
次いで、表面から前記ＩｎＰ基板の一部にまで達し且つ
該表面に於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に対して垂直或
いは逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて幅広
になる複数段のメサを形成する工程と、次いで、前記複
数段のメサを有機金属気相成長を適用してＩｎＰ層で埋
め込む工程とを含んでいる。
前記構成を採ることに依り、ＩｎＰからなる埋め込み層
に（１１１）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生する
ことは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリーク
が発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭
くしても電極コンタクトａの幅は充分に採れるから、電
極の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。
に（１１１）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生する
ことは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリーク
が発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭
くしても電極コンタクトａの幅は充分に採れるから、電
極の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。
第１図は本発明を実施して形成されたメサを説明する為
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図、第
２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程要
所に於ける半導体レーザの要部切断正面図、第６図は前
記実施例に於ける第４図に対応する半導体結晶構成の顕
微鏡写真である要部切断正面図、第７図は前記実施例に
於ける第５図に相当する半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第８図は従来の技術を説明する為
の工程要所に於けるＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正
面図、第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於
けるＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図、第１０図
は従来の技術を説明する為の工程要所に於けるＩｎＰ系
半導体レーザの要部切断正面図、第１１図は第８図及び
第１０図について説明されたようなメサをＩｎＰ系半導
体で埋め込んだ場合の異常成長を解説する為の半導体結
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図、第１２図は
第１１図を説明するための半導体レーザの要部切断正面
図、第１３図は同じく第８図及び第１０図について説明
されたようなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の
空孔発生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第１４図は第１３図を説明するた
めの半導体レーザの要部切断正面図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、 １１はＩｎＰ基板、 １１Ａは第一段メサ部分、 １２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 １３はＩｎＰクラッド層、 １４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ：Ｉンタクト層、１５はエツ
チング・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示し
ている。
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図、第
２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程要
所に於ける半導体レーザの要部切断正面図、第６図は前
記実施例に於ける第４図に対応する半導体結晶構成の顕
微鏡写真である要部切断正面図、第７図は前記実施例に
於ける第５図に相当する半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第８図は従来の技術を説明する為
の工程要所に於けるＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正
面図、第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於
けるＩｎＰ系半導体レーザの要部切断正面図、第１０図
は従来の技術を説明する為の工程要所に於けるＩｎＰ系
半導体レーザの要部切断正面図、第１１図は第８図及び
第１０図について説明されたようなメサをＩｎＰ系半導
体で埋め込んだ場合の異常成長を解説する為の半導体結
晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図、第１２図は
第１１図を説明するための半導体レーザの要部切断正面
図、第１３図は同じく第８図及び第１０図について説明
されたようなメサをＩｎＰ系半導体で埋め込んだ場合の
空孔発生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第１４図は第１３図を説明するた
めの半導体レーザの要部切断正面図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、 １１はＩｎＰ基板、 １１Ａは第一段メサ部分、 １２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 １３はＩｎＰクラッド層、 １４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ：Ｉンタクト層、１５はエツ
チング・マスクである二酸化シリコン膜をそれぞれ示し
ている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ層あるいはＩｎＧａＡｓ
層をＩｎＰ層で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工
程と、 次いで、表面から前記ＩｎＰ基板の一部にまで達し且つ
該表面に於ける最上段は前記ＩｎＰ基板に対して垂直或
いは逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて幅広
になる複数段のメサを形成する工程と、 次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用
してＩｎＰ層で埋め込む工程と を含んでなることを特徴とするメサ埋め込み型光半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045854A JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
| US07/721,575 US5362674A (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device including an embedded layer at its side wall |
| EP91904318A EP0470258B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device |
| PCT/JP1991/000255 WO1991013480A1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Mesa buried type optical semiconductor device and manufacture thereof |
| DE69109397T DE69109397T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045854A JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250684A true JPH03250684A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2561163B2 JP2561163B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=12730797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045854A Expired - Fee Related JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362674A (ja) |
| EP (1) | EP0470258B1 (ja) |
| JP (1) | JP2561163B2 (ja) |
| DE (1) | DE69109397T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991013480A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW347597B (en) * | 1994-01-31 | 1998-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
| KR0146714B1 (ko) * | 1994-08-08 | 1998-11-02 | 양승택 | 평면 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
| SE9700931D0 (sv) * | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Buried heterostructure laser |
| GB2407434A (en) * | 2003-10-24 | 2005-04-27 | Sharp Kk | Vcsel |
| KR102002858B1 (ko) | 2012-08-10 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US11175520B2 (en) * | 2018-02-09 | 2021-11-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59145590A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59147478A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS59227177A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| EP0118671A1 (en) * | 1983-01-17 | 1984-09-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPS60115281A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61256320A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 導波型光変調器 |
| GB8518353D0 (en) * | 1985-07-20 | 1985-08-29 | Plessey Co Plc | Heterostructure device |
| US4662998A (en) * | 1985-12-12 | 1987-05-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrodeposition of refractory metal silicides |
| JPH01256178A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045854A patent/JP2561163B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-26 EP EP91904318A patent/EP0470258B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-26 US US07/721,575 patent/US5362674A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-26 WO PCT/JP1991/000255 patent/WO1991013480A1/ja active IP Right Grant
- 1991-02-26 DE DE69109397T patent/DE69109397T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59145590A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59147478A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS59227177A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69109397D1 (de) | 1995-06-08 |
| DE69109397T2 (de) | 1995-09-07 |
| EP0470258A1 (en) | 1992-02-12 |
| EP0470258A4 (en) | 1992-07-15 |
| JP2561163B2 (ja) | 1996-12-04 |
| US5362674A (en) | 1994-11-08 |
| EP0470258B1 (en) | 1995-05-03 |
| WO1991013480A1 (en) | 1991-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2827326B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2595457B2 (ja) | Ｒｗｇ型半導体レーザー装置及び製造方法 | |
| JP2000340880A (ja) | 半導体レーザおよびその作製方法 | |
| JP4002422B2 (ja) | 半導体素子およびその作製方法 | |
| JPH03250684A (ja) | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 | |
| US5441912A (en) | Method of manufacturing a laser diode | |
| JPH077232A (ja) | 光半導体装置 | |
| US5360763A (en) | Method for fabricating an optical semiconductor device | |
| JPH0474488A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPS5884483A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JP2528877B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2921925B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6244440B2 (ja) | ||
| JPH11354880A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| KR100596510B1 (ko) | 반도체 광소자의 제조방법 | |
| JPH11251678A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS6390879A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP4441085B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH0697603A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH08222809A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH01208871A (ja) | 量子細線構造およびその形成方法 | |
| JPS6318875B2 (ja) | ||
| JPH06350188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH05206573A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |