JPH01256178A - 半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
半導体受光素子の製造方法Info
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- JPH01256178A JPH01256178A JP63084910A JP8491088A JPH01256178A JP H01256178 A JPH01256178 A JP H01256178A JP 63084910 A JP63084910 A JP 63084910A JP 8491088 A JP8491088 A JP 8491088A JP H01256178 A JPH01256178 A JP H01256178A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical group [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体受光素子の製造方法に係り、特にアバランシェホ
トダイオード（ＡＰＤ）の製造方法に関量子効率が大き
くしかも雑音特性に優れたアバランシェホトダイオード
を制御性よ（製造する方法を目的とし。
トダイオード（ＡＰＤ）の製造方法に関量子効率が大き
くしかも雑音特性に優れたアバランシェホトダイオード
を制御性よ（製造する方法を目的とし。
ｐ型の基板１上にｐ型の増倍層２． ｐ型の吸収Ｒ３
，ｐ型の第１ウィンドｊｆｆ１４．ｎ型第２ウィンド層
５をこの順に積層する工程と、該積層をエツチングして
少なくとも該第１ウィンド層に達するメサ構造を形成す
る工程と、酸エツチング部分をｐ型の埋込Ｎ６で埋込む
工程とを含む半導体受光素子の製造方法をもって構成す
る。
，ｐ型の第１ウィンドｊｆｆ１４．ｎ型第２ウィンド層
５をこの順に積層する工程と、該積層をエツチングして
少なくとも該第１ウィンド層に達するメサ構造を形成す
る工程と、酸エツチング部分をｐ型の埋込Ｎ６で埋込む
工程とを含む半導体受光素子の製造方法をもって構成す
る。
本発明は半導体受光素子の製造方法に・係り、特にアバ
ランシェホトダイオードの製造方法に関しに関する。
ランシェホトダイオードの製造方法に関しに関する。
量子効率が大きく雑音特性に優れた半導体受光素子を制
御性よく製造することが要求されている。
御性よく製造することが要求されている。
このため、かかる要求に合う半導体受光素子の製造方法
を開発する必要がある。
を開発する必要がある。
光通信用の半ｍ体受光素子として、アバランシェホトダ
イオードが使用されている。かかる素子には量子効率が
大きく雑音特性に優れている、二とが要求される。
イオードが使用されている。かかる素子には量子効率が
大きく雑音特性に優れている、二とが要求される。
従来、化合物半導体ＡｌｘＧａ、−ＸＳｈはスプリント
オフ・バンドエネルギΔ（価電子帯の頂上のエネルギが
電子のスピン軌道相互作用のため一つの値に定まらずに
ある幅を持つようになった時のエネルギ幅）とバンドギ
ャップエネルギＥｇが等しくなる組成（ｘ ＝０．０ｆ
ｌｉ５ ）で共鳴イオン化が起こり。
オフ・バンドエネルギΔ（価電子帯の頂上のエネルギが
電子のスピン軌道相互作用のため一つの値に定まらずに
ある幅を持つようになった時のエネルギ幅）とバンドギ
ャップエネルギＥｇが等しくなる組成（ｘ ＝０．０ｆ
ｌｉ５ ）で共鳴イオン化が起こり。
ホールのイオン化率βが増大し、電子のイオン化率αに
対するイオン化率比（β／α）が大きくなることが報告
されている（０．１ｌｉｄｅｂｒａｎｄ ｅｔ、ａｌ。
対するイオン化率比（β／α）が大きくなることが報告
されている（０．１ｌｉｄｅｂｒａｎｄ ｅｔ、ａｌ。
ＴＥＥＥ Ｑｕａｎｔｕｍ ＥｌｅｃＬｒｏ、
ロＥ−１７（１９８１） ｐ、２８４ ） 。
ロＥ−１７（１９８１） ｐ、２８４ ） 。
それゆえ化合物半導体Ａ１．、Ｇａ、−、ｘＳｂをアバ
ランシェホトダイオードの増倍層として使用すれば量子
効率が大きく雑音特性に優れることが期待され９種々の
検討がなされてきた。
ランシェホトダイオードの増倍層として使用すれば量子
効率が大きく雑音特性に優れることが期待され９種々の
検討がなされてきた。
ｆＪＩＪえば、 ＡＩ、 Ｇａ、−、Ｓｂを使用したア
バランシェホトダイオードとして第３図乃至第６図の従
来例Ｉ乃至従来例■に示すような構造が知られている。
バランシェホトダイオードとして第３図乃至第６図の従
来例Ｉ乃至従来例■に示すような構造が知られている。
第３図は従来例■で、１は基板、２は吸収層。
３は増倍層、４は第１ウインド層、５は第２ウインド層
、７は絶縁層、８及び９は電極を表す。基板１から第２
ウィンド層５に至る各層の材料構成は次の如くである。
、７は絶縁層、８及び９は電極を表す。基板１から第２
ウィンド層５に至る各層の材料構成は次の如くである。
１、基板 ｎ ” −ＧａＡｓ３、吸収層
ｎ −ＧａＡｓ ２、増倍層 ｎ −Ａ１． Ｇａ、、５ｂ（ｘ
＝０．０６５ ） ４、第１ウィンド層 ｎ −ＡｔＸＧａ、−，５ｂ（ｘ
＝０．３ ） ５、第２ウインドｆｌ ｐ ” −ＡＩ ＸＧａ、−
ｘＳｂ（ｘ ＝０．３ ） ＡＩ、 Ｇａ、−、Ｓｂを使用したアバランシェホトト
ランジスタの構造において、共鳴イオン化の起こる増倍
層３にホールのみを注入することが雑音特性の面から重
要である。
ｎ −ＧａＡｓ ２、増倍層 ｎ −Ａ１． Ｇａ、、５ｂ（ｘ
＝０．０６５ ） ４、第１ウィンド層 ｎ −ＡｔＸＧａ、−，５ｂ（ｘ
＝０．３ ） ５、第２ウインドｆｌ ｐ ” −ＡＩ ＸＧａ、−
ｘＳｂ（ｘ ＝０．３ ） ＡＩ、 Ｇａ、−、Ｓｂを使用したアバランシェホトト
ランジスタの構造において、共鳴イオン化の起こる増倍
層３にホールのみを注入することが雑音特性の面から重
要である。
ところで、光通信には波長１．５５μｍあるいは波長１
．３μｍの光がよく使用される。光増倍層２がＡｌＸＧ
ａ、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．０６５ ）なるＩＭ成では
、バンドギャップが０．８１ｅＶであるため、波長１．
５５μｍの光は増倍層２を透過するが、波長１．３１１
ｍの光は増倍層２で吸収される。増倍層２で光が吸収さ
れるとホールと電子が同時に増倍層２に注入されるこた
になり、雑音が大きくなる。
．３μｍの光がよく使用される。光増倍層２がＡｌＸＧ
ａ、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．０６５ ）なるＩＭ成では
、バンドギャップが０．８１ｅＶであるため、波長１．
５５μｍの光は増倍層２を透過するが、波長１．３１１
ｍの光は増倍層２で吸収される。増倍層２で光が吸収さ
れるとホールと電子が同時に増倍層２に注入されるこた
になり、雑音が大きくなる。
ＧａＡｓなる組成の吸収層３は波長１．５５μｍの光及
び波長１６３μｍの光のいずれも吸収する。第３図にお
いて、もしも波長１．３μｍの光を第２ウィンド層５側
から入射すると吸収層３に達する前に増倍層２で光が吸
収され、前述のような不都合が生じるので、光を基板１
側から入射することが行われる。しかし、光が基板１に
吸収されるのを防ぐため、基板に大間ＬＪして光の入射
する基板の厚さを極＜ ＴｊｉＪ ＜ Ｌ、なければな
らない。そのためかかる構造を実現するためのプロセス
が複雑になるという欠点があった。
び波長１６３μｍの光のいずれも吸収する。第３図にお
いて、もしも波長１．３μｍの光を第２ウィンド層５側
から入射すると吸収層３に達する前に増倍層２で光が吸
収され、前述のような不都合が生じるので、光を基板１
側から入射することが行われる。しかし、光が基板１に
吸収されるのを防ぐため、基板に大間ＬＪして光の入射
する基板の厚さを極＜ ＴｊｉＪ ＜ Ｌ、なければな
らない。そのためかかる構造を実現するためのプロセス
が複雑になるという欠点があった。
第４図の従来例■は積層構成の材料を従来例■と同じ＜
シ、増倍Ｎ２をメサ形に形成してホールが集中して流れ
るように工夫したものであるが。
シ、増倍Ｎ２をメサ形に形成してホールが集中して流れ
るように工夫したものであるが。
光の入射は従来例■と同様基板１側から行われので、従
来例Ｉと同様の問題点を有する。
来例Ｉと同様の問題点を有する。
この問題点を解決するものとして、第５図の従来例■に
示すような構造のアバランシェホトダイオードがある。
示すような構造のアバランシェホトダイオードがある。
第５図において、１は基牟反、２は増倍層、３は吸収層
、４は第１ウインド層、５は第２ウインド層、７は絶Ｉ
ｉ層、８及び９は電極を表す。基板１から第２ウィンド
層５に至る各層の材料構成は次の如くである。
、４は第１ウインド層、５は第２ウインド層、７は絶Ｉ
ｉ層、８及び９は電極を表す。基板１から第２ウィンド
層５に至る各層の材料構成は次の如くである。
１、基板 ρ−ＧａＡｓ
２、増倍層 ｐ −ＡＩ、 Ｇａ、−ｘＳｈ（
×＝０．０６５） ３、吸収層 ｐ −ＧａＡｓ ４、第１ウィンド層 ｐ −Ａｌｙ Ｇａ、−ＸＳｂ（
ｘ＝０．３） ５、第２ウィンド層 ｎ ” −ＡＩ 、 Ｇａ、−８
ｓｂ（ｘ −４）、３ ） この構造では第２ウインド５から入射する波長１．５５
μｍの光あるいは波長１．３μｍの光いずれも吸収層３
により吸収され、該吸収層で生成されたしかし、第５図
の構造を実現する場合、いかにしてｐ −Ａｌｘ Ｇａ
、−、、ｓｈ （ｘ ＝ｏ、３）の第１ウィンド層 ４
の層中にｎ ” −Ａｌ ｘＧａ、−、Ｓｂ （ｘ −
０，３）の第２ウィンド層５を形成するかが大きな問題
となる。ｎ ” −Ａｌ ｘ Ｇ、ｊ、−ＸＳｂ （ｘ
−０−３）をイオン注入により形成するとすれば、ドー
パント種として硫黄（Ｓ）あるいはセレン（Ｓｅ）とい
う草気圧の高いものが必要となり、このようなイオンを
制御してイオン注入し望みの組成を得ることは極めて難
しいという新たな問題に遭遇する。
×＝０．０６５） ３、吸収層 ｐ −ＧａＡｓ ４、第１ウィンド層 ｐ −Ａｌｙ Ｇａ、−ＸＳｂ（
ｘ＝０．３） ５、第２ウィンド層 ｎ ” −ＡＩ 、 Ｇａ、−８
ｓｂ（ｘ −４）、３ ） この構造では第２ウインド５から入射する波長１．５５
μｍの光あるいは波長１．３μｍの光いずれも吸収層３
により吸収され、該吸収層で生成されたしかし、第５図
の構造を実現する場合、いかにしてｐ −Ａｌｘ Ｇａ
、−、、ｓｈ （ｘ ＝ｏ、３）の第１ウィンド層 ４
の層中にｎ ” −Ａｌ ｘＧａ、−、Ｓｂ （ｘ −
０，３）の第２ウィンド層５を形成するかが大きな問題
となる。ｎ ” −Ａｌ ｘ Ｇ、ｊ、−ＸＳｂ （ｘ
−０−３）をイオン注入により形成するとすれば、ドー
パント種として硫黄（Ｓ）あるいはセレン（Ｓｅ）とい
う草気圧の高いものが必要となり、このようなイオンを
制御してイオン注入し望みの組成を得ることは極めて難
しいという新たな問題に遭遇する。
第６図の従来例■は積層構成の材料は従来例■と同じ＜
シ、吸収層３及び増倍層２をメサ形に形成してホールが
集中して流れるように工夫したものであるが ｐ甲の第
１ウィンド層４の層中にｎ〔発明が解決しようとする課
題〕 従って、第５図あるいは第６図に示す積層構成をいかに
して制’＋Ｔｎｌ性よく実現するかという課題が生じる
。
シ、吸収層３及び増倍層２をメサ形に形成してホールが
集中して流れるように工夫したものであるが ｐ甲の第
１ウィンド層４の層中にｎ〔発明が解決しようとする課
題〕 従って、第５図あるいは第６図に示す積層構成をいかに
して制’＋Ｔｎｌ性よく実現するかという課題が生じる
。
本発明はかかる課題に応えろ製造方法を提供することを
目的とする。
目的とする。
第１図は本発明の製造方法によって形成されるアバラン
シェホトダイオードの断面図である。
シェホトダイオードの断面図である。
第１図において、■はｐ型の基板、２はｐ型の増倍層、
３はｐ型の吸収層、４はｐ型の第１ウインド層、５はｎ
型の第２ウインド層、６はｐ型の埋込層、７は絶縁層、
８及び９は電極を表す。
３はｐ型の吸収層、４はｐ型の第１ウインド層、５はｎ
型の第２ウインド層、６はｐ型の埋込層、７は絶縁層、
８及び９は電極を表す。
ｐ型の基板１上にｐ型の増（Ｂ層２． ｐ型の吸収Ｒ
３，ｐ型の第１ウィンドｉ４．ｎ型の第２ウィンド層５
をこの順に積層する工程と、該積層をエツチングして少
なくとも該第１ウィンド層に達するメサ構造を形成する
工程と、該エツチング部分をｐ型の埋込層６で埋込む工
程とを含む半糞体受光素子の製造方法により前記課題は
解決される。
３，ｐ型の第１ウィンドｉ４．ｎ型の第２ウィンド層５
をこの順に積層する工程と、該積層をエツチングして少
なくとも該第１ウィンド層に達するメサ構造を形成する
工程と、該エツチング部分をｐ型の埋込層６で埋込む工
程とを含む半糞体受光素子の製造方法により前記課題は
解決される。
本発明ではまずｐ型の基板１上にｐ型の増倍層２ 、
ｐ型の吸収層＋３＋ｐ型の第１ウィンド層４゜ｎ型第
２ウィンド層５をこの順に積層する。このよ・）な積層
構造は例えば液相エピタキシャル成長法により側御性よ
く実現できる。しかる後化学エツチングによりメリ構造
を形成する。エンチングで除去した部分にはｐ型の埋込
層６を形成して。
ｐ型の吸収層＋３＋ｐ型の第１ウィンド層４゜ｎ型第
２ウィンド層５をこの順に積層する。このよ・）な積層
構造は例えば液相エピタキシャル成長法により側御性よ
く実現できる。しかる後化学エツチングによりメリ構造
を形成する。エンチングで除去した部分にはｐ型の埋込
層６を形成して。
ｎ”ｐＪ２合の周辺部のブレークダウンを防くガードリ
ングの役目を持たせている。
ングの役目を持たせている。
かくすることにより、ｎ型の第２ウィンド層５を精度よ
く形成している。
く形成している。
以下本発明の実施例について説明する。第２図（ａ）乃
至第２図（（１）は実施例のプロセスを示し、それらを
参照しながら説明する。
至第２図（（１）は実施例のプロセスを示し、それらを
参照しながら説明する。
第２図（ａ）参照
（１００）ＺｎドープＧａ５ｂＯｐ型の基板１に、ｐ型
の増倍層２． ｒｔ型の吸収層３． ｐ型の第１ウ
インド層４．ｎ型の第２ウィンド層５の積層を液相成長
により形成する。
の増倍層２． ｒｔ型の吸収層３． ｐ型の第１ウ
インド層４．ｎ型の第２ウィンド層５の積層を液相成長
により形成する。
各層の組成及び該組成を実現するための液相３１１成と
液相成長条件を次に示す。
液相成長条件を次に示す。
１、基板 ｐ −ＧａＡｓ
２、増倍ｆ） ｐ −ＡｌＸＧａ、−，５ｂ
（ｘ ＝０．０６５ ） ３、吸収層 ｐ −ＧａＡｓ ４、第１ウインドＦＪ ｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ｘＳｂ
（ｘ −０，３） ５、第２ウィンド層 ｎ ” −Ａｌ ｘＧａ、−，５
ｂ（ｘ ＝０．３ ） 液相組成（原子比）は次の如くである。
（ｘ ＝０．０６５ ） ３、吸収層 ｐ −ＧａＡｓ ４、第１ウインドＦＪ ｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ｘＳｂ
（ｘ −０，３） ５、第２ウィンド層 ｎ ” −Ａｌ ｘＧａ、−，５
ｂ（ｘ ＝０．３ ） 液相組成（原子比）は次の如くである。
２、 増イ含層 Ａｌ １．５
ｘ １ｏ−３Ｇａ Ｏ，１４８ Ｓｈ Ｏ，ｆＥ５０５ Ｚｎ Ｉ Ｘｌ０−５ ３、吸収層 Ｇ、１０．１５５Ｓｂ ０．８
４５ Ｚｎ Ｉ Ｘ１Ｏ−５ ４、第１ウィンド層 ＡＩ ０．０１０Ｇａ Ｏ，
１００ Ｓｈ Ｏ，８９０ Ｚｎ Ｉ Ｘｌ０−５ ５、第２ウィンド層 ＡＩ ０．０１０Ｇａ Ｏ，
１００ Ｓｈ Ｏ，８９０ Ｔｅ Ｉ Ｘｌ０−５ 液相成長温度は６１５℃とする。各層の成長時間及びそ
れによって生じる各層の成長層厚は次の如くである。
ｘ １ｏ−３Ｇａ Ｏ，１４８ Ｓｈ Ｏ，ｆＥ５０５ Ｚｎ Ｉ Ｘｌ０−５ ３、吸収層 Ｇ、１０．１５５Ｓｂ ０．８
４５ Ｚｎ Ｉ Ｘ１Ｏ−５ ４、第１ウィンド層 ＡＩ ０．０１０Ｇａ Ｏ，
１００ Ｓｈ Ｏ，８９０ Ｚｎ Ｉ Ｘｌ０−５ ５、第２ウィンド層 ＡＩ ０．０１０Ｇａ Ｏ，
１００ Ｓｈ Ｏ，８９０ Ｔｅ Ｉ Ｘｌ０−５ 液相成長温度は６１５℃とする。各層の成長時間及びそ
れによって生じる各層の成長層厚は次の如くである。
２、増倍層 ３秒 ２μｍ
３、吸収層 ２秒 １．５５μｍ４、第１ウ
ィンド層 １秒 ０．５μｍ５、第２ウィンド層 １
秒 １μｍ 第２図（ｂ）参照 第２ウィンド層５の上に直径１５０μｍの窒化膜７１を
形成し、該窒化膜をマスクとしてＲｒメタノールでエツ
チングし、基１反１に達するメサエッチングを行う。
ィンド層 １秒 ０．５μｍ５、第２ウィンド層 １
秒 １μｍ 第２図（ｂ）参照 第２ウィンド層５の上に直径１５０μｍの窒化膜７１を
形成し、該窒化膜をマスクとしてＲｒメタノールでエツ
チングし、基１反１に達するメサエッチングを行う。
第２図（ｃ）参照
埋込層６を生成するための埋込み成長を行う。
液相温度は６１５℃とし、成長時間は４秒とする。
組成はｐ−八ＩＸ ｃａ、−Ｘｓｈ （ｘ ＝０．３
）で、それを実現するための液相Ｉ且或は次の如くで
ある。
）で、それを実現するための液相Ｉ且或は次の如くで
ある。
６、埋込層 八１ ０．０１０Ｇａ Ｏ，１
００ Ｓｂ Ｏ，８９０ Ｚｎ １ ｘｔｏ−’ 第２図（ｄ）参照 窒化膜７１を弗酸で除去した後、直径１００μｍの窓を
持つ窒化膜の絶縁層７を形成する。この後受光径８０μ
ｎ１として、 Ａｕ／Ｇｅのｎ電極を形成する。基板１
側にＴｉ／ＡｕのｐＴＬ極９を形成する。
００ Ｓｂ Ｏ，８９０ Ｚｎ １ ｘｔｏ−’ 第２図（ｄ）参照 窒化膜７１を弗酸で除去した後、直径１００μｍの窓を
持つ窒化膜の絶縁層７を形成する。この後受光径８０μ
ｎ１として、 Ａｕ／Ｇｅのｎ電極を形成する。基板１
側にＴｉ／ＡｕのｐＴＬ極９を形成する。
かくして第２ウィンド層５の上面から入射する波長１，
３μｍ、波長１．５５μｍいずれの光に対しても量子効
率が大きく、シかも雑音特性に優れたアバランシェホト
ダイオードを実現することができた。
３μｍ、波長１．５５μｍいずれの光に対しても量子効
率が大きく、シかも雑音特性に優れたアバランシェホト
ダイオードを実現することができた。
また、吸収層３のＧａＡｓと格子整合する第１ウインド
府・１及び第２ウィンド層５として前記の実施例の組成
の代わりに。
府・１及び第２ウィンド層５として前記の実施例の組成
の代わりに。
４、第１ウィンド層 ρ−＾］ Ｘ Ｇａ１−Ｘ＾ｓ、
Ｓｂ、−。
Ｓｂ、−。
（Ｘ ＝０．３ 、 ｙ＝Ｏ，Ｑ３５ ）５、第２ウ
インドＨｎ −Ａｌ ｙ Ｇａ、−ｘＡｓ、 Ｓｂ＋−
ｙ（ｘ ＝０．３ 、Ｖ ＝０．０３５ ）なる■成を
採用し、その他の条件は前記の実施例と同じくした池の
実施例でも、量子効率が大きく７（を音特性に価れるア
バランシェホ！・ダイオードが実現することができた。
インドＨｎ −Ａｌ ｙ Ｇａ、−ｘＡｓ、 Ｓｂ＋−
ｙ（ｘ ＝０．３ 、Ｖ ＝０．０３５ ）なる■成を
採用し、その他の条件は前記の実施例と同じくした池の
実施例でも、量子効率が大きく７（を音特性に価れるア
バランシェホ！・ダイオードが実現することができた。
以上説明した様に９本発明によれば１．５５μｍ。
１．３μｍいずれの波長の光に対しても、量子効率が大
きく雑音特性に侵れるアバランシェホトダイオードを容
易に制御性よく製造することができ。
きく雑音特性に侵れるアバランシェホトダイオードを容
易に制御性よく製造することができ。
光通信の分野に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の方法によるアバランシェホトダイオー
ド。 第２図は実施例。 第３図乃至第６図は従来例■乃至従来例■である。 図
において。 １は基板。 ２は増倍層。 ３は吸収層。 ４は第１ウィンド層。 ５は第２ウィンド層。 ６は埋込層。 ７は屯ｆ（層。 ７１は窒化膜。 ３．９は電極 本も明の方法じよるアバラレジエホトズイ窪−ド穿 １
口 （α） 実騎例 番２０（ぞグ（ジ （Ｃ） 昇 洗 例 第 ２０（ゼの２） 往来例 工 １３ の 氾 せ例 ｒ 瑯 ４ 図 従象例■ 寥 ５ ｃ カ 徒千例■ 拳６ ■
ド。 第２図は実施例。 第３図乃至第６図は従来例■乃至従来例■である。 図
において。 １は基板。 ２は増倍層。 ３は吸収層。 ４は第１ウィンド層。 ５は第２ウィンド層。 ６は埋込層。 ７は屯ｆ（層。 ７１は窒化膜。 ３．９は電極 本も明の方法じよるアバラレジエホトズイ窪−ド穿 １
口 （α） 実騎例 番２０（ぞグ（ジ （Ｃ） 昇 洗 例 第 ２０（ゼの２） 往来例 工 １３ の 氾 せ例 ｒ 瑯 ４ 図 従象例■ 寥 ５ ｃ カ 徒千例■ 拳６ ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ型の基板（１）上にｐ型の増倍層（２）、ｐ型の吸
収層（３）、ｐ型の第１ウインド層（４）、ｎ型の第２
ウインド層（５）をこの順に積層する工程と、 該積層をエッチングして少なくとも該第１ウインド層に
達するメサ構造を形成する工程と、該エッチング部分を
ｐ型の埋込層（６）で埋込む工程とを含むことを特徴と
する半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084910A JPH01256178A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084910A JPH01256178A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体受光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256178A true JPH01256178A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13843885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63084910A Pending JPH01256178A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0470258A1 (en) * | 1990-02-28 | 1992-02-12 | Fujitsu Limited | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63084910A patent/JPH01256178A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0470258A1 (en) * | 1990-02-28 | 1992-02-12 | Fujitsu Limited | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device |
| US5362674A (en) * | 1990-02-28 | 1994-11-08 | Fujitsu Limited | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device including an embedded layer at its side wall |
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