JP2763352B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 化合物半導体を用いた半導体受光素子に関し、 反応速度を上げるためにｎ−InP増倍層の濃度を上げ
ても十分なガードリング耐圧を確保することができる半
導体受光素子を提供することを目的とし、 第１導電型の半導体基板上に、第１の禁制帯幅を有す
る第１導電型の第１化合物半導体層と、前記第１の禁制
帯幅より大きい第２の禁制帯幅を有する第１導電型の第
２化合物半導体層とが形成され、前記第２化合物半導体
層中に第２導電型の受光領域が形成され、この受光領域
の周囲に第２導電型のガードリングが形成された半導体
受光素子において、前記第２化合物半導体層は、不純物
濃度の低い第１の層と、不純物濃度の高い増倍層として
の第２の層と、不純物濃度の低い第３の層により構成さ
れ、前記受光領域は、前記第２の層と前記第３の層の界
面近傍に達する深さまで形成され、前記ガードリング
は、前記第１の層と前記第２の層の界面近傍に達する深
さまで形成されるように構成する。
ても十分なガードリング耐圧を確保することができる半
導体受光素子を提供することを目的とし、 第１導電型の半導体基板上に、第１の禁制帯幅を有す
る第１導電型の第１化合物半導体層と、前記第１の禁制
帯幅より大きい第２の禁制帯幅を有する第１導電型の第
２化合物半導体層とが形成され、前記第２化合物半導体
層中に第２導電型の受光領域が形成され、この受光領域
の周囲に第２導電型のガードリングが形成された半導体
受光素子において、前記第２化合物半導体層は、不純物
濃度の低い第１の層と、不純物濃度の高い増倍層として
の第２の層と、不純物濃度の低い第３の層により構成さ
れ、前記受光領域は、前記第２の層と前記第３の層の界
面近傍に達する深さまで形成され、前記ガードリング
は、前記第１の層と前記第２の層の界面近傍に達する深
さまで形成されるように構成する。
［産業上の利用分野］ 本発明は化合物半導体を用いた半導体受光素子に関す
る。
る。
半導体受光素子は、光ファイバを用いた光通信システ
ムにおいて用いられているが、近年の光通信システムの
高度化に伴い、InP、InGaAs等の化合物半導体を材料と
して用いた半導体受光素子が重要視されている。特に、
受光感度のすぐれたInGaAsのAPD（Avalanche Photo−Di
ode）は、光通信システムにおける長距離幹線システム
における受光素子として注目されている。これらの化合
物半導体のAPDでは、APDとして動作するために重要な役
割を果たすガードリングの形成が難しく、素子特性の向
上及び製造歩留りの向上のためにすぐれた構造のガード
リングが要求されている。
ムにおいて用いられているが、近年の光通信システムの
高度化に伴い、InP、InGaAs等の化合物半導体を材料と
して用いた半導体受光素子が重要視されている。特に、
受光感度のすぐれたInGaAsのAPD（Avalanche Photo−Di
ode）は、光通信システムにおける長距離幹線システム
における受光素子として注目されている。これらの化合
物半導体のAPDでは、APDとして動作するために重要な役
割を果たすガードリングの形成が難しく、素子特性の向
上及び製造歩留りの向上のためにすぐれた構造のガード
リングが要求されている。
［従来の技術］ 化合物半導体を用いた従来のAPDを第５図及び第６図
に示す。
に示す。
第５図のAPDにおいては、n+−InP基板１上にｎ−InGa
As光吸収層２が形成され、このｎ−InGaAs光吸収層２上
にｎ−InGaAsP中間層３を介して濃度の異なるｎ−InP増
倍層４及びn-−InP層５が形成されている。このn-−InP
層５の中央には受光領域であるp+−InP領域６が形成さ
れ、このp+−InP領域６を取り囲むようにガードリング
７が形成されている。ガードリング７は中央の受光領域
のpn接合で必ずアバランシェ増倍が生ずるようにするた
めに設けられている。n-−InP層５上にはSiN膜のパッシ
ベーション膜８を介して、p+−InP領域６周囲にコンタ
クトするｐ電極９が形成されている。ｎ電極10はn+−In
P基板１下面に形成されている。
As光吸収層２が形成され、このｎ−InGaAs光吸収層２上
にｎ−InGaAsP中間層３を介して濃度の異なるｎ−InP増
倍層４及びn-−InP層５が形成されている。このn-−InP
層５の中央には受光領域であるp+−InP領域６が形成さ
れ、このp+−InP領域６を取り囲むようにガードリング
７が形成されている。ガードリング７は中央の受光領域
のpn接合で必ずアバランシェ増倍が生ずるようにするた
めに設けられている。n-−InP層５上にはSiN膜のパッシ
ベーション膜８を介して、p+−InP領域６周囲にコンタ
クトするｐ電極９が形成されている。ｎ電極10はn+−In
P基板１下面に形成されている。
このAPDではｎ−InP増倍層４上のn-−InP層５の濃度
を低下させて空乏層が横方向に広がり易くすることによ
り、ガードリング７周辺の接合の湾曲による電界の集中
を緩和し、ガードリング７の耐圧を上げてp+−InP領域
６との耐圧差が得られるようにしている。
を低下させて空乏層が横方向に広がり易くすることによ
り、ガードリング７周辺の接合の湾曲による電界の集中
を緩和し、ガードリング７の耐圧を上げてp+−InP領域
６との耐圧差が得られるようにしている。
第６図に示すAPDでは、ガードリング７周辺に、ガー
ドリング７より浅い第２ガードリング11を更に形成する
ことにより、ガードリング７周辺における電界集中をよ
り一層緩和するように工夫している。
ドリング７より浅い第２ガードリング11を更に形成する
ことにより、ガードリング７周辺における電界集中をよ
り一層緩和するように工夫している。
［発明が解決しようとする課題］ 一般に、APDの応答速度を上げるためには、ｎ−InP増
倍層４の不純物濃度を上げる必要がある。しかしなが
ら、ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を上げるとガードリ
ング７の耐圧が低くなり、p+−InP領域６との十分な耐
圧差が確保できなくなるという問題があった。例えば、
ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を５×1016cm-3にする
と、ガードリング７の耐圧は50〜60Vに低下し、受光領
域であるp+−InP領域６の耐圧（約60V）との差がなくな
り、APDとして動作しなくなった。
倍層４の不純物濃度を上げる必要がある。しかしなが
ら、ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を上げるとガードリ
ング７の耐圧が低くなり、p+−InP領域６との十分な耐
圧差が確保できなくなるという問題があった。例えば、
ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を５×1016cm-3にする
と、ガードリング７の耐圧は50〜60Vに低下し、受光領
域であるp+−InP領域６の耐圧（約60V）との差がなくな
り、APDとして動作しなくなった。
本発明の目的は、応答速度を上げるためにｎ−InP増
倍層の濃度を上げても十分なガードリング耐圧を確保す
ることができる半導体受光素子を提供することにある。
倍層の濃度を上げても十分なガードリング耐圧を確保す
ることができる半導体受光素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的は、第１導電型の半導体基板上に、第１の禁
制帯幅を有する第１導電型の第１化合物半導体層と、前
記第１の禁制帯幅より大きい第２の禁制帯幅を有する第
１導電型の第２化合物半導体層とが形成され、前記第２
化合物半導体層中に第２導電型の受光領域が形成され、
この受光領域の周囲に第２導電型のガードリングが形成
された半導体受光素子において、前記第２化合物半導体
層は、不純物濃度の低い第１の層と、不純物濃度の高い
増倍層としての第２の層と、不純物濃度の低い第３の層
により構成され、前記受光領域は、前記第２の層と前記
第３の層の界面近傍に達する深さまで形成され、前記ガ
ードリングは、前記第１の層と前記第２の層の界面近傍
に達する深さまで形成されていることを特徴とする半導
体受光素子によって達成される。
制帯幅を有する第１導電型の第１化合物半導体層と、前
記第１の禁制帯幅より大きい第２の禁制帯幅を有する第
１導電型の第２化合物半導体層とが形成され、前記第２
化合物半導体層中に第２導電型の受光領域が形成され、
この受光領域の周囲に第２導電型のガードリングが形成
された半導体受光素子において、前記第２化合物半導体
層は、不純物濃度の低い第１の層と、不純物濃度の高い
増倍層としての第２の層と、不純物濃度の低い第３の層
により構成され、前記受光領域は、前記第２の層と前記
第３の層の界面近傍に達する深さまで形成され、前記ガ
ードリングは、前記第１の層と前記第２の層の界面近傍
に達する深さまで形成されていることを特徴とする半導
体受光素子によって達成される。
［作用］ 本発明によれば、第２化合物半導体層が不純物濃度の
低い第１の層と不純物濃度の高い第２の層と不純物濃度
の低い第３の層により構成され、ガードリング層は第３
の層と第２の層を突抜けて第１の層と第２の層の界面近
傍に達する深さまで形成されているので、第２の層の不
純物濃度が高くなってもガードリング層の耐圧が低くな
ることなく、受光領域との十分な耐圧差を確保できる。
低い第１の層と不純物濃度の高い第２の層と不純物濃度
の低い第３の層により構成され、ガードリング層は第３
の層と第２の層を突抜けて第１の層と第２の層の界面近
傍に達する深さまで形成されているので、第２の層の不
純物濃度が高くなってもガードリング層の耐圧が低くな
ることなく、受光領域との十分な耐圧差を確保できる。
［実施例］ 本発明の第１の実施例によるAPDを第１図を用いて説
明する。第５図に示す従来のAPDと同一の構成要素には
同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。
明する。第５図に示す従来のAPDと同一の構成要素には
同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。
n+−InP基板１上に、５×1015cm-3の不純物濃度で厚
さ２μｍのｎ−InGaAs光吸収層２が形成され、このｎ−
InGaAs光吸収層２上に、５×1015cm-3の不純物濃度で厚
さ0.3μｍのｎ−InGaAsP中間層３が形成されている。
さ２μｍのｎ−InGaAs光吸収層２が形成され、このｎ−
InGaAs光吸収層２上に、５×1015cm-3の不純物濃度で厚
さ0.3μｍのｎ−InGaAsP中間層３が形成されている。
ｎ−InGaAsP中間層３上には、不純物濃度の異なる３
層構造のInP層12、４、５が形成されている。すなわ
ち、ｎ−InGaAsP中間層３上には、不純物濃度の低い
（５×1015cm-3）厚さ0.5μｍのn-−InP層12が形成さ
れ、このn-−InP層12上に、不純物濃度が高い（５×10
16cm-3）厚さ0.5μｍのｎ−InP増倍層４が形成され、更
に、このｎ−InP増倍層４上に、不純物濃度の低い（５
×1015cm-3）厚さ１μｍのn-−InP層５が形成されてい
る。
層構造のInP層12、４、５が形成されている。すなわ
ち、ｎ−InGaAsP中間層３上には、不純物濃度の低い
（５×1015cm-3）厚さ0.5μｍのn-−InP層12が形成さ
れ、このn-−InP層12上に、不純物濃度が高い（５×10
16cm-3）厚さ0.5μｍのｎ−InP増倍層４が形成され、更
に、このｎ−InP増倍層４上に、不純物濃度の低い（５
×1015cm-3）厚さ１μｍのn-−InP層５が形成されてい
る。
n-−InP層５の中央には、Cdの拡散により受光領域で
あるp+−InP領域６（不純物濃度＝ ×10 cm-3）が、n
-−InP層５とｎ−InP増倍層４の界面近傍に達するまで
形成されている。
あるp+−InP領域６（不純物濃度＝ ×10 cm-3）が、n
-−InP層５とｎ−InP増倍層４の界面近傍に達するまで
形成されている。
p+−InP領域６周囲に形成されたBeをイオン注入した
ガードリング７（不純物濃度＝ ×10 cm-3）は、n-−
InP層５及びｎ−InP増倍層４を突抜けて、ｎ−InP増倍
層４とn-−InP層12の界面近傍に達するまで深く形成さ
れている。
ガードリング７（不純物濃度＝ ×10 cm-3）は、n-−
InP層５及びｎ−InP増倍層４を突抜けて、ｎ−InP増倍
層４とn-−InP層12の界面近傍に達するまで深く形成さ
れている。
第２図にガードリング７の深さと耐圧の関係を示す。
ｎ−InP増倍層４とn-−InP層12の界面からガードリング
７の下面までの距離ｄ［μｍ］を横軸にとり、ガードリ
ング７の耐圧［Ｖ］を縦軸にとる。第２図から明らかな
ように、ガードリング７を深く形成するほど耐圧が高く
なることがわかる。例えば、距離ｄを0.2μｍ以下にす
れば、ガードリング７の耐圧は70V以上と、p+−InP領域
６の耐圧（約60V）より高くなる。
ｎ−InP増倍層４とn-−InP層12の界面からガードリング
７の下面までの距離ｄ［μｍ］を横軸にとり、ガードリ
ング７の耐圧［Ｖ］を縦軸にとる。第２図から明らかな
ように、ガードリング７を深く形成するほど耐圧が高く
なることがわかる。例えば、距離ｄを0.2μｍ以下にす
れば、ガードリング７の耐圧は70V以上と、p+−InP領域
６の耐圧（約60V）より高くなる。
本実施例のようにガードリング７を深く形成すれば、
ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を高くしてもガードリン
グ７が十分高い耐圧となる。
ｎ−InP増倍層４の不純物濃度を高くしてもガードリン
グ７が十分高い耐圧となる。
なお、本実施例では、ｎ−InGaAsP中間層３上に不純
物濃度の低いn-−InP層12を挿入することにより、深い
ガードリング７によりヘテロ界面の電界が高くなりトン
ネル電流が発生することを防止している。
物濃度の低いn-−InP層12を挿入することにより、深い
ガードリング７によりヘテロ界面の電界が高くなりトン
ネル電流が発生することを防止している。
次に、本実施例によるAPDの製造方法を第３図を用い
て説明する。
て説明する。
まず、n+−InP基板１上に、ｎ−InGaAs光吸収層２
（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:2μｍ）、ｎ−InGaAs
P中間層３（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:0.3μ
ｍ）、n-−InP層12（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:0.
5μｍ）、ｎ−InP増倍層４（不純物濃度:5×1016cm-3、
厚さ:0.5μｍ）及びn-−InP層５（不純物濃度:5×1015c
m-3、厚さ:1μｍ）を順次エピタキシャル成長させる
（第３図（ａ））。
（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:2μｍ）、ｎ−InGaAs
P中間層３（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:0.3μ
ｍ）、n-−InP層12（不純物濃度:5×1015cm-3、厚さ:0.
5μｍ）、ｎ−InP増倍層４（不純物濃度:5×1016cm-3、
厚さ:0.5μｍ）及びn-−InP層５（不純物濃度:5×1015c
m-3、厚さ:1μｍ）を順次エピタキシャル成長させる
（第３図（ａ））。
次に、イオン注入エネルギーが150eV、ドーズ量が５
×1013cm-2の条件でBeを選択的にイオン注入し、その後
750℃で約30分間アニールする。すると、約1.5μｍ深さ
のガードリング７が形成され、ガードリング７の下面が
ｎ−InP増倍層４とn-−InP層12の界面近傍まで達する
（第３図（ｂ））。
×1013cm-2の条件でBeを選択的にイオン注入し、その後
750℃で約30分間アニールする。すると、約1.5μｍ深さ
のガードリング７が形成され、ガードリング７の下面が
ｎ−InP増倍層４とn-−InP層12の界面近傍まで達する
（第３図（ｂ））。
次に、n-−InP層５の受光領域に、プラズマCVD法によ
り形成したSiN膜（図示せず）を選択マスクとして用い
て、不純物であるCdを熱拡散することにより受光領域の
pn接合を形成する。例えば、約550℃で約20分間Cdを拡
散する。すると、約１μｍ深さのp+−InP領域６が形成
され、p+−InP領域６の下面がn-−InP層５とｎ−InP増
倍層４の界面近傍まで達する（第３図（ｃ））。
り形成したSiN膜（図示せず）を選択マスクとして用い
て、不純物であるCdを熱拡散することにより受光領域の
pn接合を形成する。例えば、約550℃で約20分間Cdを拡
散する。すると、約１μｍ深さのp+−InP領域６が形成
され、p+−InP領域６の下面がn-−InP層５とｎ−InP増
倍層４の界面近傍まで達する（第３図（ｃ））。
次に、表面保護のためにSiN膜のパッシベーション膜
８を形成する。続いて、p+−InP領域６周囲上のパッシ
ベーション膜８をエッチング除去し、パッシベーション
膜８上にp+−InP領域６とコンタクトするｐ電極９を形
成する。次に、n+−InP基板１下面にｎ電極10を形成し
て、APDを完成する（第３図（ｃ））。
８を形成する。続いて、p+−InP領域６周囲上のパッシ
ベーション膜８をエッチング除去し、パッシベーション
膜８上にp+−InP領域６とコンタクトするｐ電極９を形
成する。次に、n+−InP基板１下面にｎ電極10を形成し
て、APDを完成する（第３図（ｃ））。
次に、本発明の第２の実施例によるAPDを第４図を用
いて説明する。第１図に示すAPDと同一の構成要素には
同一の符号を付して説明を省略する。
いて説明する。第１図に示すAPDと同一の構成要素には
同一の符号を付して説明を省略する。
本実施例は、第１図のAPDのガードリング７周辺に、
第６図のAPDと同様に、ガードリング７周囲に第２ガー
ドリング11を更に形成したものである。第２ガードリン
グ11を形成することにより、ガードリング７周辺におけ
る電界集中を緩和することができる。
第６図のAPDと同様に、ガードリング７周囲に第２ガー
ドリング11を更に形成したものである。第２ガードリン
グ11を形成することにより、ガードリング７周辺におけ
る電界集中を緩和することができる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能であ
る。
る。
例えば、上記実施例ではｎ型基板上にｎ型光吸収層と
ｎ型増倍層を形成し、ｎ型増倍層中にｐ型受光領域を形
成したが、これら実施例と導電型を反対にしても同様の
ガードリング作用が得られる。
ｎ型増倍層を形成し、ｎ型増倍層中にｐ型受光領域を形
成したが、これら実施例と導電型を反対にしても同様の
ガードリング作用が得られる。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、応答速度を上げるため
にｎ−InP増倍層の濃度を上げても十分なガードリング
耐圧を確保することができる。
にｎ−InP増倍層の濃度を上げても十分なガードリング
耐圧を確保することができる。
第１図は本発明の第１の実施例によるAPDの断面図、 第２図はAPDにおけるガードリングの深さと耐圧の関係
を示すグラフ、 第３図は本発明の第１の実施例によるAPDの製造方法を
示す工程図、 第４図は本発明の第２の実施例によるAPDの断面図、 第５図、第６図は従来のAPDの断面図である。 図において、 １……n+−InP基板 ２……ｎ−InGaAs光吸収層 ３……ｎ−InGaAsP中間層 ４……ｎ−InP増倍層 ５……n-−InP層 ６……p+−InP領域 ７……ガードリング ８……パッシベーション膜 ９……ｐ電極 10……ｎ電極 11……第２ガードリング 12……n-−InP層
を示すグラフ、 第３図は本発明の第１の実施例によるAPDの製造方法を
示す工程図、 第４図は本発明の第２の実施例によるAPDの断面図、 第５図、第６図は従来のAPDの断面図である。 図において、 １……n+−InP基板 ２……ｎ−InGaAs光吸収層 ３……ｎ−InGaAsP中間層 ４……ｎ−InP増倍層 ５……n-−InP層 ６……p+−InP領域 ７……ガードリング ８……パッシベーション膜 ９……ｐ電極 10……ｎ電極 11……第２ガードリング 12……n-−InP層
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板上に、第１の禁制
帯幅を有する第１導電型の第１化合物半導体層と、前記
第１の禁制帯幅より大きい第２の禁制帯幅を有する第１
導電型の第２化合物半導体層とが形成され、前記第２化
合物半導体層中に第２導電型の受光領域が形成され、こ
の受光領域の周囲に第２導電型のガードリングが形成さ
れた半導体受光素子において、 前記第２化合物半導体層は、不純物濃度の低い第１の層
と、不純物濃度の高い増倍層としての第２の層と、不純
物濃度の低い第３の層により構成され、 前記受光領域は、前記第２の層と前記第３の層の界面近
傍に達する深さまで形成され、 前記ガードリングは、前記第１の層と前記第２の層の界
面近傍に達する深さまで形成されていることを特徴とす
る半導体受光素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301064A JP2763352B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体受光素子 |
| EP90312617A EP0434218B1 (en) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | Semiconductor photodetection device |
| KR1019900018836A KR940001293B1 (ko) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | 반도체 광 검출장치 |
| DE69009422T DE69009422T2 (de) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | Halbleiterfotodetektorvorrichtung. |
| US07/813,051 US5179431A (en) | 1989-11-20 | 1991-12-23 | Semiconductor photodetection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301064A JP2763352B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160766A JPH03160766A (ja) | 1991-07-10 |
| JP2763352B2 true JP2763352B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17892431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1301064A Expired - Lifetime JP2763352B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体受光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0434218B1 (ja) |
| JP (1) | JP2763352B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001293B1 (ja) |
| DE (1) | DE69009422T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11862747B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-01-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor light-receiving element and method of manufacturing semiconductor light-receiving element |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102284627B1 (ko) * | 2019-12-04 | 2021-08-02 | 주식회사 시지트로닉스 | 수광반도체 소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7709618A (nl) * | 1977-09-01 | 1979-03-05 | Philips Nv | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| JPS5984589A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Fujitsu Ltd | アバランシフオトダイオード |
| EP0304048B1 (en) * | 1987-08-19 | 1997-05-28 | Nec Corporation | A planar type heterostructure avalanche photodiode |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1301064A patent/JP2763352B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-20 DE DE69009422T patent/DE69009422T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-20 KR KR1019900018836A patent/KR940001293B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-20 EP EP90312617A patent/EP0434218B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11862747B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-01-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor light-receiving element and method of manufacturing semiconductor light-receiving element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03160766A (ja) | 1991-07-10 |
| KR910010757A (ko) | 1991-06-29 |
| DE69009422T2 (de) | 1994-09-15 |
| DE69009422D1 (de) | 1994-07-07 |
| EP0434218A1 (en) | 1991-06-26 |
| KR940001293B1 (ko) | 1994-02-18 |
| EP0434218B1 (en) | 1994-06-01 |
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