KR940001293B1 - 반도체 광 검출장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 애버런치 포토다이오드의 구조를 나타내는 도.
제2도는 종래의 다른 애버런치 포토다이오드의 구조를 나타내는 도.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 애버런치 포토다이오드의 구조를 나타내는 도.
제4도는 제3도의 장치에 사용된 가드링(guard ring)의 수직 확장과 가드링의 항복전압 사이의 관계를 나타내는 그래프.
제5도는 제3도의 구조에서 전위의 분포를 나타내는 다이어그램.
제7a-7d도는 제3도의 애버런치 포토다이오드를 형성하는 과정을 나타내는 다이어그램.
제8도는 본 발명의 두번째 실시예에 따른 애버런치 포토다이오드의 구조를 나타내는 다이어그램.
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 물질을 사용하는 반도체 광 검출 장치에 관한 것이다.
반도체 광 검출 장치는 광 전기통신과 같은 여러가지 기술 분야에 사용된다. 특히, Inp, InGaAs 등의 화합물 반도체 물질로 형성된 장치는 진보한 광 전기통신 시스템에서 주된 역할을 한다. 다양한 반도체 광 검출장치 중에서, InGaAs를 사용하는 애버런치 포토다이오드(APD)가 우수한 감도 때문에 장거리 광 전기 통신 전화에 특히 중요하다.
애버런치 포토다이오드에서, 가드링으로 불리는 부재는 캐리어의 애버런치 증가를 야기하는 표면 전극에 인가된 큰 바이어스 전압을 지지하기 위한 표면 전극에 대응하여 사용된다.
제1도는 종래의 애버런치 포토다이오드를 나타낸다.
제1도에 의거하여, 애버런치 포토다이오드는 n+-형 InP기판 1에 구성된다. 특히, 기판 1위에 n-형 InGaAsP의 광 흡수층 2가 형성되고, n-형 InGaAsP의 중간층 3이 광 흡수층 2위에 제공된다. 더우기, n-형 InP 애버런치 증가층 4는 중간층 3위에 제공되고, 층 4의 그것과 다른 불순물 농도 레벨을 가지는 n--형 Inp층 5는 애버런치 증가층 4위에 제공된다. InP층 5의 일부분에, 광 방출을 수신하기 위한 윈도우를 형성하는 P+-형 InP영역 6이 제공된다. 그것에 의하여, InP영역 6과 InP층 5의 나머지 사이의 간격에 P-n접합이 형성된다.
InP영역 6주위에, 영역 6과 층 5 사이에 형성된 p-n접합에서 애버런치 광 증가가 발생하는 것을 안전하게 하기 위하여 가드링 7이 형성되고, 전체 구조는 InP층 5의 상부표면을 덮는 질화 실리콘 비활성막 8에 의하여 보호된다. 더우기, 가드링 7에 대응하여, 가드링 7과 전기적으로 접촉한 비활성막 8위에 전극 9가 제공된다. 또한, 대향 전극 10이 기판 1의 바닥표면에 제공된다.
동작에서, 큰 바이어스 전압은 p+-형 영역 6과 n+-형 InP층 5 사이의 간격에서 p-n접합이 역바이어스 되도록 전극 9와 전극 10을 가로질러 인가된다. 영역 6을 통하여 광 방사를 입사하는데 있어서, 광 방사의 광자가 광 흡수층 2에 의하여 흡수되고 그것에 의하여 전자와 홀은 층 2에 형성된다. 다음 홀은 영역 6으로 이동하고 전극 9에 의하여 제어되는 한편, 전자는 기판 1을 통과한 후 전극 10에 의하여 제어된다. 영역 6과 층 5사이의 p-n접합에서 큰 전계가 발생하므로써, p+-영역 6으로 들어간 홀은 가속되고 그것에 의하여 전자가 증가하며 홀은 애버런치 효과에 의하여 발생한다.
가드링 7은 p+-영역 6의 외부 에지에서 전계가 집중되지 않도록, 그리고 애버런치 증가가 영역 6의 중앙부에 형성된 p-n접합에서 항상 발생하도록 제공된다. 설명된 예에서, n--형 InP층 5의 불순물 농도 레벨은 p-n접합에 형성된 소모 영역의 측 확산이 촉진되도록 감소된다. 그것에 의하여, 가드링 7의 만곡에 기인한 전계가 덜 집중되고 영역 6의 그것보다 큰 충분한 항복 전압이 n--형 InP층 5에 대하여 가드링 7을 위해 얻어진다.
제2도는 종래의 다른 예를 나타낸다. 이 구조에서, 전계 집중의 또다른 완화를 위하여 가드링 7의 외측에 두번째 얇은 가드링 11이 제공된다. 전술한 어떤 실시예에서도, 애버런치 포토다이오드의 개선된 응답을 성취하기 위하여 n-형 애버런치 증가층 4의 불순물 농도 레벨을 증가시킬 필요가 있다. 개선된 응답의 이러한 요구는 광 전기통신에 사용된 장치에서 특히 필요하다. 그러나 층 4의 불순물 농도 레벨은 가드링 7과 n--형 InP영역 5사이의 항복 전압의 감소를 초래한다. 예를들면, 층 4가 5×1016cm-3의 불순물 농도 레벨로 도핑될 때, 가드링 7의 항복 전압은 약 50-60볼트로 감소한다. 이 항복전압은 p+-형 영역 6의 약 60볼트의 항복전압 보다 사실상 작거나 같고, 따라서 애버런치 포토다이오드는 바람직하게 동작하지 않는다.
따라서, 본 발명의 일반적인 목적은 전술된 문제점이 제거된 새롭고 유용한 애버런치 포토다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 특별한 목적은 개선된 응답을 가지는 애버런치 포토다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 불순물 농도 레벨이 n-형 InP 애버런치 증가층에서 증가할지라도 충분한 항복 전압이 가드링에 대하여 안전한 애버런치 포토다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 첫번째 도전형의 반도체 기판, 첫번째 밴드 갭을 가지며 애버런치 포토다이오드에 입사한 광 방출을 흡수하기 위한 반도체 기판위에 제공된 첫번째 도전형의 첫번째 화합물 반도체 층, 첫번째 밴드 갭보다 더 큰 두번째 밴드 캡을 가지며 첫번째 화합물 반도체 층위에 제공된 첫번째 도전형의 두번째 화합물 반도체 층, 두번째 화합물 반도체 층에 형성된 첫번째 도전형과 반대인 두번째 도전형의 광흡수 영역 및 그의 경계를 따라 광 흡수 영역 주위에 형성된 두번째 도전형의 가드링 영역으로 구성되고, 상기 두번째 화합물 반도체 층이 첫번째 불순물 농도 레벨을 가지는 첫번째 층, 캐리어의 애버런치 증가를 유도하기 위하여 첫번째 층위에 제공되고 첫번째 불순물 농도 레벨보다 더 높은 두번째 불순물 농도 레벨을 가지는 두번째 층 및 두번째 층위에 제공되고 두번째 불순물 농도 레벨보다 더 낮은 세번째 불순물 농도 레벨을 가지는 세번째 층으로 이루어지며, 여기서 가드링이 세번째 층을 통하여 통과하는 두번째 층으로 확장하도록 가드링이 형성되는 애버런치 포토다이오드를 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따라, 100볼트를 초과하는 충분한 항복 전압이 가드링에 대하여 성취된다. 이것은 가드링의 가장 깊은 레벨과 첫번째 층의 상단 표시 사이의 거리가 감소하므로써 가드링의 항복 전압이 증가하는 본 발명의 기초를 형성하는 것에 기인한다. 가드링은 첫번째 층의 상단 표면을 통하여 접촉하거나 통과한다. 그것에 의하여, 가드링의 항복 전압을 감소시키지 않고 애버런치 증가층으로서 작용하는 첫번째 층의 불순물 농도 레벨이 증가하고 애버런치 포토다이오드의 응답은 개선된다.
본 발명의 다른 특징과 목적은 첨부된 도면에 의거하여 보다 명확히 서술될 것이다.
제3도는 본 발명의 애버런치 포토다이오드의 첫번째 실시예를 나타낸다.
제3도에 의거하여, 애버런치 포토다이오드는 n+-형 InP기판 21위에 구성되고, 2μm의 두께를 갖는 기판 21위에 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨을 가지는 n-형 InGaAs의 광 흡수층 22가 제공된다. 더우기, n-형 InGaAsP의 중간층 23이 0.3μm의 두께를 갖는 광 흡수층 22위에 형성된다. 층 23은 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨로 도핑된다.
중간층 23위에, 0.5μm의 두께를 갖는 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨로 도핑된 n--형 InP층 32가 형성되고, 5×1016cm-3의 불순물 농도 레벨을 갖는 n-형으로 도핑된 InP층 24가 0.5μm의 두께로 형성된다. 후술되는 바와같이 이 층 24는 캐리어의 애버런치 증가를 야기하는 애버런치 증가층으로서 작용한다. 더우기, 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨로 도핑된 n--형 InP층 25가 1μm의 두께로 n-형 InP층 24위에 형성된다.
층 25의 중심부에, 예를들면 Cd의 확산에 의하여 1018cm-3의 불순물 농도 레벨로 p+-형 영역 26이 형성된다. 영역 26이 층 24와 층 25 사이의 경계 근처에서 층 24를 향해 확장하도록 100μm의 직경으로 영역 26이 형성된다.
p+-형 영역 26이 경계에 의하여 측으로 정의되고 가드링 영역 27이 층 24와 밑에 깔린 n-형 InP층 32사이의 경계에 근접한 깊이에 도달하도록 1×1016cm-3-1×1017cm-3의 불순물 농도 레벨로 Be의 이온 주입에 의하여 p+-형으로 가드링 영역 27이 형성된다. 다시 말하면 가드링 영역 27은 층 25를 통하여 통과하고 층 24로 확장한다. 이 가드링 영역 27은 후술되겠지만 층 24와 층 32 사이에 경계에 도달하거나 초과 할 수 있다. 가드링 영역 27은 InP층 25의 상단 표면과 동기화하는 상단 표면을 갖는다.
InP층 25의 상단 표면위에, 표면을 보호하기 위하여 질화 실리콘의 빌활성막 28이 제공되고, 비활성막 28은 가드링 영역 27의 상단 표면을 노출하기 위하여 패턴화된다. 가드링 영역 27의 노출된 부분위에, 증착과 패터닝에 의하여 적층된 금-아연(Au-Zn) 구조의 전극 29가 제공된다. 더우기, 적층된 금-게르마늄(Au-Ge) 구조의 전극 30이 적극 29의 대향전극으로서 기판 21의 전체 바닥 표면위에 제공된다.
동작에서, 소모 영역이 p+-형 영역 26과 n--형 층 25 사이의 p-n 접합에 대응하여 형성되도록 역바이어스 전압은 전극 29와 전극 30을 가로질러 인가된다. 실제로, 가드링 영역 27은 p+-형 영역 26의 에지 또는 경계에서 전계가 집중되는 것을 방지할 수 있고 영역 26을 통하여 균일한 전계가 얻어진다.
광 흡수층 22를 형성하는 InGaAs로 영향을 받는 파장을 갖는 광 비임의 입사에 있어서, 많은수의 전자-홀 쌍이 광자의 흡수로 형성된다. 이것에 의하여, 홀이 네가티브 전압을 인가하는 전극 29에 유도되는 한편 전자는 포지티브 전압을 인가하는 전극 30에 유도된다. 다음 홀은 애버런치 증가층 24로 가속되고, 그것에 의하여 많은수의 전자-홀쌍이 애버런치 효과의 결과로서 층 24에서 발생된다. 캐리어의 이 증가 때문에, 애버런치 포토다이오드는 증가된 감도와 감소된 노이즈의 장점을 제공한다.
제4도는 가드링 27의 항복 전압 및 층 32와 층 24사이의 경계로 부터 측정된 가드링 27의 깊이 사이의 관계를 나타낸다. 이 관계는 제3도에 도시된 구조를 갖는 많은 수의 샘플을 준비하고 제3도에 표시된 거리 d를 변화시키며 가드링 영역 27의 항복 전압을 측정하므로써 얻어진다.
제4도로 부터 명백해 알 수 있는 바와같이, 가드링 영역 27의 항복 전압은 거리 d를 감소시키므로써 증가하고, d=0와 d=-0.1 사이의 최소에 도달한다. d=0의 경우에, 영역 27의 끝은 층 24와 층 32 사이의 경계에 도달하고, 직경 d가 네가티브 값을 가지면, 영역 27은 경게를 넘어 층 32로 확장한다. 어떤 경우에도 p-형 영역 26에 대한 약 60볼트의 항복 전압보다 더 높은 70볼트를 초과하는 항복 전압이 거리 d가 약 0.2μm 이하로 설정될때 얻어진다. 일반적으로, 가드링 27의 항복 전압이 영역 26의 항복 전압 VB와 동기화할때, 직경 d는 제4도에 도시된 값 dc보다 작게 설정된다.
가드링 영역 27의 불순물 농도 레벨의 항복 전압이 이와같이 증가할때, 애버런치 증가층 24의 불순물 농도 레벨은 증가하고 장치의 응답도 개선된다. 가드링의 항복 때문에 층 24의 불순물 농도 레벨이 종래에는 2-3×1016cm-3으로 제한된다.
다음, 가드링 영역 27의 조합으로 사용된 n-형 층 32에 관한 본 발명의 다른 특징이 서술될 것이다.
약하게 도핑된 n--형 InP층 32는 중간층 23에 이웃한 InGaAs 광 흡수층 24의 일부에 인가된 전계를 감소하기 위하여 층 24와 중간층 33 사이에 끼워진다. 층 24로 깊이 확장하고 층 24와 층 32 사이의 간격 근처에 도달하는 강하게 도핑된 가드링 영역 27은 중간층 33에 이웃한 InGaAs 광 흡수층 22의 그들에 대한 전계의 증가를 유도한다.
제5도는 InP층 32가 제공되지 않는 장치에서 전위 V의 분포를 점선으로 나타낸다. 프로필은 그곳에 도시된 것으로서 전극 29를 통하여 통과하는 통로 C를 따라 얻어진다. 이 경우에, 가드링 27과 기판 21 사이의 영역에서 나타나고 광 흡수층 22를 포함하는 큰 전계를 나타내는 분포에서 경사가 나타난다.
이와같은 큰 전계가 광 흡수층에 인가될때, 터널 전자가 제6도에 도시된 바와같이 가전자대 Ev에서 전도대 Ec로 이동 하므로써 영역 22내로 흐르는 기회가 생긴다. 이와같은 터널 전류는 장치에 광 빔이 입사하는지의 여부에 관계없이 흐르고 암 전류 또는 노이즈를 형성한다. 본 발명에서, 광 흡수층 22의 큰 전계는 제5도에서 실선으로 설명되는 바와같이 층 23과 층 24 사이의 약전도 InP층 32를 삽입하므로써 완화된다. InP층 32에 인가된 이러한 큰 전계는 InGaAs의 0.75eV의 밴드 갭보다 사실상 더 큰 2.34eV의 밴드갭을 가지는 InP로서 터널 전자의 전송을 야기하지 않는다. 물론, 제5도의 프로필이 영역 26의 중심을 통하여 통과하는 통로를 따라 얻어질때, 캐리어의 애버런치 증가를 발생하는 전계를 나타내는 층 24의 전위의 분포에서 경사가 나타난다.
다음, 제3도의 구조를 제조하는 과정이 제7a-7d도에 의거하여 서술될 것이다.
제7a는 첫번째 단계에서, InGaAs 광 흡수층 22가 2μm의 두께로 InP 기판 21위에 에피텍셜 성장한다. 이미 서술된 바와같이, InP 기판 21이 n+-형으로 도핑되고 층 22는 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨로 n-형으로 도핑된다. 더우기, n-형 InGaAsP 중간층 23은 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨과 0.3μm의 두께로 층 22위에 성장된다. 또한, n-형 InP층 32, n-형 InP층 24 및 n-형 InP층 25가 각각 0.5μm, 0.5μm 및 1μm의 두께로 층 23위에 연속적으로 성장한다. 이미 서술된 바와같이, 층 32, 24 및 25의 불순물 농도 레벨은 각각 5×1015cm-3, 5×1016cm-3및 5×1015cm-3이다. 그것에 의하여, 제7a도에 도시된 구조가 얻어진다.
다음, 제7a도에 도시된 구조는 150eV의 가속 전압과 5×1013cm-2의 도우즈(dose)하에서 수행되는 Be의 이온주입으로 처리된다. 이온주입후, 구조는 750℃에서 30분 동안 어닐링 처리된다. 이 처리로써, 주입된 Be원자는 그안에서 구동되고 가드링 영역 27은 약 1.5μm의 두께로 형성된다. 그것에 의하여, 영역 27의 하부끝은 제7b도에 도시된 바와같이 층 32와 층 24 사이의 경계에 도달한다.
다음, 설명되지 않은 질화 실리콘 막은 플라즈마 화학 기상 증착법에 의하여 제7B구조의 표면위에 증착되고, 영역 26에 대응하는 층 25의 표면 영역을 노츨시키기 위하여 사실상 패턴화된다. 더우기, 마스크로서 패턴화된 질화 실리콘을 사용하는 Cd가 550℃에서 20분 동안 가열구동처리에 의하여 층 25로 확산된다. 그것에 의하여 p+-형 영역 26은 제7c도에 도시된 바와같이 약 1μm의 두께로 형성된다.
제7c도의 단계후, 패턴화된 질화 실리콘막이 에칭에 의하여 제거되고 질화 실리콘의 비활성막 28은 플라스마 화학 기상 증착법에 의하여 층 25의 표면위에 증착된다. 다음 비활성막 28은 층 25의 영역을 노출하기 위하여 패턴화되고, 여기서 가드링 영역 27은 노출된 가드링 영역 27에 대응하여 형성되고 전극 29는 증착된다. 다음 전극 30은 기판 21의 바닥 표면위에 증착되고 제3도의 구조는 제7d도에 도시된 바와같이 완성된다.
제8도는 본 발명의 애버런치 포토다이오드의 두번째 실시예를 나타낸다. 이 실시예에서, 가드링 영역 27의 외부 경계에 두번째 가드링 31이 제공된다. 그것에 의하여 가드링 31에서의 전계의 집중이 좀더 완화된다. 이 실시예의 다른 부분은 이미 서술된 것과 동일하고 그의 설명은 생략된다.
더우기, 본 발명은 구조의 각 반도체층의 도전형이 반대로 되는 경우에도 적용될 수 있다.
또한, 본 발명은 이들 실시예로 제한되지 않으며 다양한 변화와 수정이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 행해질 수 있다.
Claims (7)
- 상부 표면과 하부 표면을 가지는 첫번째 반도체 물질의 기판(21), 기판의 상부 표면위에 제공되고, 상부 표면과 하부 표면을 가지며, 첫번째 도전형으로 도핑된 III-V족 첫번째 화합물 반도체 물질로 이루어지고, 검출되어야할 광 방출의 파장에 대응하는 밴드 갭을 가지며 애버런치 포토다이오드에 입사하는 광 방출에 응답하여 캐리어를 발생하는 첫번째 반도체 층(22), 첫번째 반도체 층의 상부 표면위에 제공되고, 상부 표면과 하부 표면을 가지며, 첫번째 도전형으로 도핑된 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질로 이루어지고 첫번째 반도체 층의 밴드 갭 보다 사실상 더 큰 밴드 갭을 가지며, 캐리어의 애버런치 증가를 야기하기 위하여 첫번째 반도체 층에 발생된 캐리어가 공급되는 두번째 반도체 층(24,25,32), 상부 표면이 두번째 반도체 층의 상부 표면과 사실상 동기되고 하부 표면이 두번째 반도체 층의 하부 표면위에 놓이도록 두번째 반도체 층내에 형성된 상부 표면, 하부 표면 및 측 경계를 가지며, 반대 도전형으로 도핑되고 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질로 이루어지고 애버런치 포토다이오드에 입사한 광 빔을 통과하며, 상기 측 경계가 그의 상부 표면과 하부 표면을 연결하고 그 주위로 확장하며, 그의 상기 하부 경계가 그것과 그의 아래에 위치한 두번째 반도체 층 사이의 p-n접합을 형성하는 광수신 영역(26), 그의 상부 표면이 두번째 반도체층의 상부 표면과 사실상 동기화되도록 광수신 영역의 측 경계를 따라 두번째 반도체 층에 형성된 상부 표면을 가지며, 두번째 반도체 층의 하부 표면을 향하여 확장하는 경계에 의하여 둘러싸여지고 두번째 도전형으로 도핑되며 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질로 이루어지는 가드링 영역(27), 그것과 접촉한 전기적인 것을 만들기 위하여 가드링 영역의 상부 표면위에 제공된 첫번째 전극(29) 및 그것과 접촉한 전기적인 것을 만들기 위하여 기판의 하부 표면위에 제공된 두번째 전극(30)으로 구성된 광 방출을 검출하기 위한 애버런치 포토다이오드에 있어서, 상기 첫번째와 두번째 전극이 광수신 영역의 하부 표면에 형성된 p-n 접합에 역바이어스 전압을 인가하고 광 방출과 애버런치 증가에 응답하여 형성된 캐리어를 모으기 위한 것으로, 각각 반대 극성 바이어스 전압인 첫번째 극성 바이어스 전압과 두번째 극성 바이어스 전압에 인가되며, 상기 두번째 반도체 층이 두번째 반도체 층의 하부 표면과 동기화되는 상부 표면과 하부 표면을 가지는 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질의 첫번째 층(32), 첫번째 층의 상부 표면위에 제공되고 상부 표면과 하부 표면을 가지는 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질의 두번째 층(24) 및 세번째 층의 상부 표면의 두번째 반도체 층의 상부 표면과 사실상 동기되도록 두번째 층의 상부 표면위에 제공되고 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질의 세번째 층(25)로 구성되고, 첫번째 층의 불순물 농도 레벨이 두번째 층의 불순물 농도 레벨보다 사실상 더 낮고 세번째 층의 불순물 농도 레벨이 두번째 층의 불순물 농도 레벨보다 사실상 더 낮도록 상기 첫번째, 두번째 및 세번째 층이 각 불순물 농도 레벨을 가지며, 광 수신 영역이 그의 상부 표면이 세번째 층의 하부 표면에 그위에 동기화되어 위치하도록 형성되고, 가드링 영역이 적어도 두번째 층으로 확장하고 가드링 영역을 정의하는 경계가 두번째 층의 상부 표면 아래에 위치하는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 III-V족 첫번째 화합물 반도체 물질이 InGaAs를 포함하고 III-V족 두번째 화합물 반도체 물질이 InP를 포함하는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 두번째 반도체 층의 상기 두번째 층(24)가 약 5×1016cm-3이상의 불순물 농도 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 두번째 반도체 층의 상기 첫번째 층(32)가 약 5×1015cm-3의 불순물 농도 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 가드링 영역(27)의 상기 경계가 두번째 층의 하부 표면에 도달하는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 가드링 영역을 정의하는 경계가 두번째 층의 상부 표면 사이에 약 0.2μm이하의 분리(d)가 형성되도록, 상기 가드링 영역(27)이 두번째 반도체 층의 두번째 층의 하부 표면을 향하여 확장하는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 가드링 영역이 광수신 영역의 항복 전압(VB)보다 더 낮은 항복 전압을 가지도록 상기 가드링 영역(27)이 거리(d)를 갖는 두번째 반도체 층의 두번째 층의 하부 표면을 향하여 확장하고 상기 광수신 영역(26)이 항복 전압에 의하여 특징 지워지는 것을 특징으로 하는 애버런치 포토다이오드.
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