JPH0794773A - ＳｉＣ紫外線検出器 - Google Patents
ＳｉＣ紫外線検出器Info
- Publication number
- JPH0794773A JPH0794773A JP5232877A JP23287793A JPH0794773A JP H0794773 A JPH0794773 A JP H0794773A JP 5232877 A JP5232877 A JP 5232877A JP 23287793 A JP23287793 A JP 23287793A JP H0794773 A JPH0794773 A JP H0794773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- type
- substrate
- layer
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ３００ｎｍ以下の短波長に対しても良好に応
答し、リーク電流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検
出器を提供する。 【構成】 ｐ型α−ＳｉＣ基板（１０）と、基板（１
０）上に形成されたｐ型ＳｉＣエピタキシャル層（１
１）と、ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層（１１）上に形成
されたｎ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層（１２）と、基板
（１０）にオーミック接触する電極（１５）と、ｎ+ 型
ＳｉＣエピタキシャル層（１２）にオーミック接触する
電極（１３）とを有する。
答し、リーク電流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検
出器を提供する。 【構成】 ｐ型α−ＳｉＣ基板（１０）と、基板（１
０）上に形成されたｐ型ＳｉＣエピタキシャル層（１
１）と、ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層（１１）上に形成
されたｎ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層（１２）と、基板
（１０）にオーミック接触する電極（１５）と、ｎ+ 型
ＳｉＣエピタキシャル層（１２）にオーミック接触する
電極（１３）とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は１５０〜４００ｎｍの紫
外波長域においてフォトンを検出することができ、高温
環境でも作動するＳｉＣ紫外線検出器に関する。
外波長域においてフォトンを検出することができ、高温
環境でも作動するＳｉＣ紫外線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、紫外波長域において高感度で応答
時間が短い固体光検出器が要望されている。しかし、現
在使用されている半導体材料からなる光検出器では、１
５０〜４００ｎｍの波長域において効率的に作動すると
いう要求を完全に満たせるわけではない。六方晶炭化ケ
イ素（α−ＳｉＣ）は、ＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ半
導体材料などの他の材料と比較して、応用面で優れた多
くの特性を有する。この材料は、よく知られた高い放射
線耐性に加えて、必要なスペクトル特性を有する（Ｒ．
Ｇ．Ｖｅｒｅｎｃｈｉｋｏｖａ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏ
ｖ． Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．２６，５６５（１
９９２））。
時間が短い固体光検出器が要望されている。しかし、現
在使用されている半導体材料からなる光検出器では、１
５０〜４００ｎｍの波長域において効率的に作動すると
いう要求を完全に満たせるわけではない。六方晶炭化ケ
イ素（α−ＳｉＣ）は、ＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ半
導体材料などの他の材料と比較して、応用面で優れた多
くの特性を有する。この材料は、よく知られた高い放射
線耐性に加えて、必要なスペクトル特性を有する（Ｒ．
Ｇ．Ｖｅｒｅｎｃｈｉｋｏｖａ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏ
ｖ． Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．２６，５６５（１
９９２））。
【０００３】α−ＳｉＣフォトダイオードの利点は、バ
ンドギャップ（３ｅＶ）が広いことから、ＩＲ放射に応
答しないことであり、これはＩＲバックグラウンド中で
ＵＶを検出することが要求される応用分野では重要であ
る。ＳｉＣデバイスの他の利点は、バンドギャップが広
いことからダイオード暗電流のレベルが非常に低いた
め、高温環境で利用できることである。このことは低レ
ベルのフォトン量を検出することが必要である場合に特
に重要である。
ンドギャップ（３ｅＶ）が広いことから、ＩＲ放射に応
答しないことであり、これはＩＲバックグラウンド中で
ＵＶを検出することが要求される応用分野では重要であ
る。ＳｉＣデバイスの他の利点は、バンドギャップが広
いことからダイオード暗電流のレベルが非常に低いた
め、高温環境で利用できることである。このことは低レ
ベルのフォトン量を検出することが必要である場合に特
に重要である。
【０００４】ＳｉＣのｐ−ｎ接合およびスペクトル特性
を利用して紫外線放射を検出できることがわかっている
（Ｒ．Ｂ．Ｃａｍｐｂｅｌｌ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏｌｉ
ｄＳｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．１０，９４９（１９
６７））。しかし、ｐ−ｎ接合デバイスの光感応スペク
トルは、表面からある距離に位置する空間電荷層のため
に３００ｎｍの領域で急激な落ち込みを示す。
を利用して紫外線放射を検出できることがわかっている
（Ｒ．Ｂ．Ｃａｍｐｂｅｌｌ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏｌｉ
ｄＳｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．１０，９４９（１９
６７））。しかし、ｐ−ｎ接合デバイスの光感応スペク
トルは、表面からある距離に位置する空間電荷層のため
に３００ｎｍの領域で急激な落ち込みを示す。
【０００５】ＳｉＣからなるショットキー・バリアフォ
トダイオードは、光感応領域が表面の近傍にあるため、
短波長の検出に有利である。しかし、ショットキーデバ
イスでは、キャリヤーのマルチフォトントンネリングの
ためにリーク電流が大きい。ＳｉＣ中に非常に浅いｐ−
ｎ接合を形成すれば、短波長に対する高感度も保証され
る。例えば、ｐ−ｎ接合が１００ｎｍ以下の深さにある
ならば、波長λ＝２００ｎｍの信号を効率的に検出でき
る。これはイオン注入または拡散技術によって達成でき
る。イオン注入によって製造された検出器は、λ＝２５
０〜３００ｎｍの領域に量子効率のピークを有する。し
かし、この検出器は逆方向電流が高いという深刻な欠点
を有する（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ Ｐｒｏｃ． ｉｎ Ｐｈ
ｙｓ．，Ｖｏｌ．３４，（１９８９）ｐ．１，１３，Ｅ
ｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｇ．Ｌ．Ｈａｒｒｉｓ ａｎｄ
Ｃ．Ｙ．Ｗ．Ｙａｎｇ）。
トダイオードは、光感応領域が表面の近傍にあるため、
短波長の検出に有利である。しかし、ショットキーデバ
イスでは、キャリヤーのマルチフォトントンネリングの
ためにリーク電流が大きい。ＳｉＣ中に非常に浅いｐ−
ｎ接合を形成すれば、短波長に対する高感度も保証され
る。例えば、ｐ−ｎ接合が１００ｎｍ以下の深さにある
ならば、波長λ＝２００ｎｍの信号を効率的に検出でき
る。これはイオン注入または拡散技術によって達成でき
る。イオン注入によって製造された検出器は、λ＝２５
０〜３００ｎｍの領域に量子効率のピークを有する。し
かし、この検出器は逆方向電流が高いという深刻な欠点
を有する（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ Ｐｒｏｃ． ｉｎ Ｐｈ
ｙｓ．，Ｖｏｌ．３４，（１９８９）ｐ．１，１３，Ｅ
ｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｇ．Ｌ．Ｈａｒｒｉｓ ａｎｄ
Ｃ．Ｙ．Ｗ．Ｙａｎｇ）。
【０００６】表面が（０００１）配向のα−ＳｉＣから
なるアバランシェ・フォトダイオードは、伝導帯上のα
−ＳｉＣの超構造の影響によると思われるミニバンド中
の電子の動きによる単極性増倍を保証できるため、原理
的に重要である。この効果が低濃度にドープされたｎ型
ＳｉＣ基板上に（Ａｌで）高濃度にドープされたｐ+型
ＳｉＣ層を成長させることによって観察されたことは強
調されるべきである。発生するキャリヤーは主にホール
であり、これは過剰ノイズレベルが低いことを保証す
る。周囲の表面は、表面ブレークダウンを防止するため
に、薄い絶縁層を形成するように処理されている。この
ｐ−ｎ接合は、飛躍が大きく均一なアバランシェブレー
クダウン電圧に関して非対称である。
なるアバランシェ・フォトダイオードは、伝導帯上のα
−ＳｉＣの超構造の影響によると思われるミニバンド中
の電子の動きによる単極性増倍を保証できるため、原理
的に重要である。この効果が低濃度にドープされたｎ型
ＳｉＣ基板上に（Ａｌで）高濃度にドープされたｐ+型
ＳｉＣ層を成長させることによって観察されたことは強
調されるべきである。発生するキャリヤーは主にホール
であり、これは過剰ノイズレベルが低いことを保証す
る。周囲の表面は、表面ブレークダウンを防止するため
に、薄い絶縁層を形成するように処理されている。この
ｐ−ｎ接合は、飛躍が大きく均一なアバランシェブレー
クダウン電圧に関して非対称である。
【０００７】しかし、ＡｌまたはＮの拡散によってｐ+
−ｎまたはｎ+ −ｐフォトダイオードを形成する方法で
は、非常に高い温度（２８００℃）と長時間（２０時
間）を要する（Ｈ．Ｃ．Ｃｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｐ
ｒｏｃ．Ｃｏｎｆ． ｏｎ ＳｉＣ，Ｎ．Ｙ．，Ｐｅｒ
ｇａｍｏｎ，１９６０，ｐ．４９６）。また、デプレッ
ション領域はフォトダイオードの上面から数μｍの近傍
に形成されるため、量子効率が低下する。
−ｎまたはｎ+ −ｐフォトダイオードを形成する方法で
は、非常に高い温度（２８００℃）と長時間（２０時
間）を要する（Ｈ．Ｃ．Ｃｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｐ
ｒｏｃ．Ｃｏｎｆ． ｏｎ ＳｉＣ，Ｎ．Ｙ．，Ｐｅｒ
ｇａｍｏｎ，１９６０，ｐ．４９６）。また、デプレッ
ション領域はフォトダイオードの上面から数μｍの近傍
に形成されるため、量子効率が低下する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、３０
０ｎｍ以下の短波長に対するも良好に応答し、リーク電
流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検出器を提供する
ことを目的とする。
０ｎｍ以下の短波長に対するも良好に応答し、リーク電
流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検出器を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明のＳｉＣ
紫外線検出器は、第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基
板上に形成された第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層
上に形成された第２導電型の高濃度ＳｉＣ層と、前記第
１導電型の基板にオーミック接触する電極と、前記第２
導電型の高濃度ＳｉＣ層にオーミック接触する電極とを
具備したことを特徴とするものである。
紫外線検出器は、第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基
板上に形成された第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層
上に形成された第２導電型の高濃度ＳｉＣ層と、前記第
１導電型の基板にオーミック接触する電極と、前記第２
導電型の高濃度ＳｉＣ層にオーミック接触する電極とを
具備したことを特徴とするものである。
【００１０】本願第２の発明のＳｉＣ紫外線検出器は、
第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基板上に形成された
第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層上に形成された絶
縁層と、該絶縁層上に形成された金属層と、前記第１導
電型の基板にオーミック接触する電極とを具備したこと
を特徴とするものである。
第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基板上に形成された
第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層上に形成された絶
縁層と、該絶縁層上に形成された金属層と、前記第１導
電型の基板にオーミック接触する電極とを具備したこと
を特徴とするものである。
【００１１】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
願第１の発明のＳｉＣ紫外線検出器は、ｎ型ＳｉＣ基板
＼ｎ型ＳｉＣ層＼ｐ+ ＳｉＣ層という構造、またはｐ型
ＳｉＣ基板＼ｐ型ＳｉＣ層＼ｎ+ ＳｉＣ層という構造を
有している。そして、特に中間層および最上層のＳｉＣ
層のキャリヤー濃度を適当に設定することによりリーク
電流を小さくして応答効率を高めている。ここで、キャ
リヤー濃度は、基板に関しては０．５〜１０×１０18ｃ
ｍ-3、中間層のＳｉＣ層に関しては１０16〜１０18ｃｍ
-3特に１〜５×１０17ｃｍ-3、最上層のＳｉＣ層に関し
ては１〜５×１０18ｃｍ-3であることが好ましい。
願第１の発明のＳｉＣ紫外線検出器は、ｎ型ＳｉＣ基板
＼ｎ型ＳｉＣ層＼ｐ+ ＳｉＣ層という構造、またはｐ型
ＳｉＣ基板＼ｐ型ＳｉＣ層＼ｎ+ ＳｉＣ層という構造を
有している。そして、特に中間層および最上層のＳｉＣ
層のキャリヤー濃度を適当に設定することによりリーク
電流を小さくして応答効率を高めている。ここで、キャ
リヤー濃度は、基板に関しては０．５〜１０×１０18ｃ
ｍ-3、中間層のＳｉＣ層に関しては１０16〜１０18ｃｍ
-3特に１〜５×１０17ｃｍ-3、最上層のＳｉＣ層に関し
ては１〜５×１０18ｃｍ-3であることが好ましい。
【００１２】中間層および最上層のＳｉＣ層を液相エピ
タキシー（ＬＰＥ）または化学気相成長（ＣＶＤ）によ
りエピタキシャル成長させれば、製造条件を緩和するこ
とができる。最上層のｐ+ またはｎ+ 層は、ＮＦ2 ／Ｏ
2 混合ガスを用いてＲＩＥでエッチングすることにより
厚さ０．１〜０．５μｍとすることができ、短波長に対
する応答性を改善できる。
タキシー（ＬＰＥ）または化学気相成長（ＣＶＤ）によ
りエピタキシャル成長させれば、製造条件を緩和するこ
とができる。最上層のｐ+ またはｎ+ 層は、ＮＦ2 ／Ｏ
2 混合ガスを用いてＲＩＥでエッチングすることにより
厚さ０．１〜０．５μｍとすることができ、短波長に対
する応答性を改善できる。
【００１３】デバイスの形状をメサ型にしコンタクト領
域以外のｐ+ またはｎ+ 領域をＲＩＥによって０．１μ
ｍ以下の厚さまで薄くすれば、短波長に対する応答性を
より増大させることができる。メサ型にすれば、コンタ
クトの焼結工程で引き起こされる収率ロスを避けること
もできる。また、メサ型ダイオードのエッジに酸化膜を
形成すれば、リーク電流を非常に低くすることができ、
低レベルの光照射に対する応答効率を増大させることが
できる。
域以外のｐ+ またはｎ+ 領域をＲＩＥによって０．１μ
ｍ以下の厚さまで薄くすれば、短波長に対する応答性を
より増大させることができる。メサ型にすれば、コンタ
クトの焼結工程で引き起こされる収率ロスを避けること
もできる。また、メサ型ダイオードのエッジに酸化膜を
形成すれば、リーク電流を非常に低くすることができ、
低レベルの光照射に対する応答効率を増大させることが
できる。
【００１４】本願第２の発明のＳｉＣ紫外線検出器は、
ｎ型ＳｉＣ基板＼ｎ型ＳｉＣ層＼絶縁層＼金属層という
構造、またはｐ型ＳｉＣ基板＼ｐ型ＳｉＣ層＼絶縁層＼
金属層という構造を有している。そして、本願第１の発
明と同様に、中間層のＳｉＣ層のキャリヤー濃度、絶縁
層・金属層の厚さを適当に設定することによりリーク電
流を小さくして応答効率を高めている。このデバイスに
関しても、メサ型の形状を採用して上記と同様な効果を
得ることができる。
ｎ型ＳｉＣ基板＼ｎ型ＳｉＣ層＼絶縁層＼金属層という
構造、またはｐ型ＳｉＣ基板＼ｐ型ＳｉＣ層＼絶縁層＼
金属層という構造を有している。そして、本願第１の発
明と同様に、中間層のＳｉＣ層のキャリヤー濃度、絶縁
層・金属層の厚さを適当に設定することによりリーク電
流を小さくして応答効率を高めている。このデバイスに
関しても、メサ型の形状を採用して上記と同様な効果を
得ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 図１に本実施例におけるｎ+ −ｐ接合を持つ紫外線検出
器を示す。基板１０は、アルミニウムまたはボロンがド
ープされたキャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3
のｐ型ＳｉＣ（図面では六方晶ＳｉＣを６Ｈ：ＳｉＣで
表記する）である。このｐ型ＳｉＣ基板１０上にアルミ
ニウムまたはボロンがドープされた１〜５μｍ厚さのｐ
型ＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させる。エピタキ
シャル層１１のキャリヤー濃度は約１〜５×１０17ｃｍ
-3である。ドーピングは実質的に均一であってもよい
し、勾配をもっていてもよい。基板１０のキャリヤー濃
度が高いとデバイスの直列抵抗が減少する。ｐ型ＳｉＣ
エピタキシャル層１１の上に窒素が高濃度にドープされ
たｎ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層１２を成長させて、ｎ
+ −ｐ接合を持つフォトダイオードを形成する。ｎ+ 型
ＳｉＣエピタキシャル層１２の厚さは０．１〜０．５μ
ｍであり、キャリヤー濃度は１〜１０×１０18ｃｍ-3で
ある。ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層１１に深さ方向に徐
々に低濃度になるように勾配を持たせてドーピングする
と、デプレッション領域の幅が広がって応答効率が増大
する。
器を示す。基板１０は、アルミニウムまたはボロンがド
ープされたキャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3
のｐ型ＳｉＣ（図面では六方晶ＳｉＣを６Ｈ：ＳｉＣで
表記する）である。このｐ型ＳｉＣ基板１０上にアルミ
ニウムまたはボロンがドープされた１〜５μｍ厚さのｐ
型ＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させる。エピタキ
シャル層１１のキャリヤー濃度は約１〜５×１０17ｃｍ
-3である。ドーピングは実質的に均一であってもよい
し、勾配をもっていてもよい。基板１０のキャリヤー濃
度が高いとデバイスの直列抵抗が減少する。ｐ型ＳｉＣ
エピタキシャル層１１の上に窒素が高濃度にドープされ
たｎ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層１２を成長させて、ｎ
+ −ｐ接合を持つフォトダイオードを形成する。ｎ+ 型
ＳｉＣエピタキシャル層１２の厚さは０．１〜０．５μ
ｍであり、キャリヤー濃度は１〜１０×１０18ｃｍ-3で
ある。ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層１１に深さ方向に徐
々に低濃度になるように勾配を持たせてドーピングする
と、デプレッション領域の幅が広がって応答効率が増大
する。
【００１６】エピタキシャル層１２とオーミック接触す
るＮｉ／Ａｌからなる電極１３、および基板１０とオー
ミック接触するＴｉ／Ａｌからなる電極１５を形成す
る。電極をＡｒガス雰囲気中でアニールする。図２に示
すように、上面１６の電極１３のパターン１７をくし形
に加工することにより、光誘起キャリヤーを効率よく集
めて感度を増大させる。電極１３上にＡｕワイヤ１４を
接続する。
るＮｉ／Ａｌからなる電極１３、および基板１０とオー
ミック接触するＴｉ／Ａｌからなる電極１５を形成す
る。電極をＡｒガス雰囲気中でアニールする。図２に示
すように、上面１６の電極１３のパターン１７をくし形
に加工することにより、光誘起キャリヤーを効率よく集
めて感度を増大させる。電極１３上にＡｕワイヤ１４を
接続する。
【００１７】図３に示すように、本発明に係る紫外線検
出器は、エッジにおけるリーク電流を減少させるため
に、エッジに自然酸化膜またはシリコン酸化膜２３を有
するメサ型としてもよい。メサの中心部の電極２４上に
Ａｕワイヤ２５が形成される。ｎ+ エピタキシャル層２
２上のコンタクト領域はオーミック接触を確保するため
に厚くする。基板２０、ｐ型エピタキシャル層２１、お
よびｎ+ 型エピタキシャル層２２のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ１０、１１、１２と同一である。
出器は、エッジにおけるリーク電流を減少させるため
に、エッジに自然酸化膜またはシリコン酸化膜２３を有
するメサ型としてもよい。メサの中心部の電極２４上に
Ａｕワイヤ２５が形成される。ｎ+ エピタキシャル層２
２上のコンタクト領域はオーミック接触を確保するため
に厚くする。基板２０、ｐ型エピタキシャル層２１、お
よびｎ+ 型エピタキシャル層２２のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ１０、１１、１２と同一である。
【００１８】図４にｎ+ −ｐ接合を持つ紫外線検出器の
応答スペクトルを示す。約２７０ｎｍの近傍で応答性が
ピークを示している。図５にｎ+ 型エピタキシャル層の
厚さと応答性のピーク位置との関係を示す。ｎ+ 型エピ
タキシャル層の厚さが減少するにつれて、応答性のピー
ク位置が短波長側にシフトしていることがわかる。
応答スペクトルを示す。約２７０ｎｍの近傍で応答性が
ピークを示している。図５にｎ+ 型エピタキシャル層の
厚さと応答性のピーク位置との関係を示す。ｎ+ 型エピ
タキシャル層の厚さが減少するにつれて、応答性のピー
ク位置が短波長側にシフトしていることがわかる。
【００１９】実施例２ 図６に本実施例におけるｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出
器を示す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3
のｎ型ＳｉＣ基板３０上に窒素がドープされた１〜５μ
ｍ厚さのｎ型ＳｉＣエピタキシャル層３１を成長させ
る。エピタキシャル層３１のキャリヤー濃度は約１〜５
×１０17ｃｍ-3である。ドーピングは実質的に均一であ
ってもよいし、勾配をもっていてもよい。基板３０のキ
ャリヤー濃度が高いとデバイスの直列抵抗が減少する。
ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層３１の上にアルミニウムが
０．５〜１０×１０18ｃｍ-3の高キャリヤー濃度にドー
プされた厚さ０．１〜０．５μｍのｐ+ 型ＳｉＣエピタ
キシャル層３２を成長させて、ｐ+ −ｎ接合を持つフォ
トダイオードを形成する。ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層
３１に深さ方向に徐々に低濃度になるように勾配を持た
せてドーピングすると、デプレッション領域の幅が広が
って応答効率が増大する。
器を示す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3
のｎ型ＳｉＣ基板３０上に窒素がドープされた１〜５μ
ｍ厚さのｎ型ＳｉＣエピタキシャル層３１を成長させ
る。エピタキシャル層３１のキャリヤー濃度は約１〜５
×１０17ｃｍ-3である。ドーピングは実質的に均一であ
ってもよいし、勾配をもっていてもよい。基板３０のキ
ャリヤー濃度が高いとデバイスの直列抵抗が減少する。
ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層３１の上にアルミニウムが
０．５〜１０×１０18ｃｍ-3の高キャリヤー濃度にドー
プされた厚さ０．１〜０．５μｍのｐ+ 型ＳｉＣエピタ
キシャル層３２を成長させて、ｐ+ −ｎ接合を持つフォ
トダイオードを形成する。ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層
３１に深さ方向に徐々に低濃度になるように勾配を持た
せてドーピングすると、デプレッション領域の幅が広が
って応答効率が増大する。
【００２０】エピタキシャル層３２とオーミック接触す
るＴｉ／Ａｌからなる電極３３、および基板３０とオー
ミック接触するＮｉ／Ａｌからなる電極３５を形成す
る。電極をＡｒガス雰囲気中でアニールする。図７に示
すように、上面３６の電極３３のパターン３７をくし形
に加工することにより、光誘起キャリヤーを効率よく集
めて感度を増大させる。電極３３上にＡｕワイヤ３４を
接続する。
るＴｉ／Ａｌからなる電極３３、および基板３０とオー
ミック接触するＮｉ／Ａｌからなる電極３５を形成す
る。電極をＡｒガス雰囲気中でアニールする。図７に示
すように、上面３６の電極３３のパターン３７をくし形
に加工することにより、光誘起キャリヤーを効率よく集
めて感度を増大させる。電極３３上にＡｕワイヤ３４を
接続する。
【００２１】図８に示すように、本発明に係る紫外線検
出器は、エッジにおけるリーク電流を減少させるため
に、エッジに自然酸化膜またはシリコン酸化膜４３を有
するメサ型としてもよい。メサの中心部の電極４４上に
Ａｕワイヤ４５が形成される。ｐ+ エピタキシャル層４
２上のコンタクト領域はオーミック接触を確保するため
に厚くする。基板４０、ｎ型エピタキシャル層４１、お
よびｐ+ 型エピタキシャル層４２のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ３０、３１、３２と同一である。
出器は、エッジにおけるリーク電流を減少させるため
に、エッジに自然酸化膜またはシリコン酸化膜４３を有
するメサ型としてもよい。メサの中心部の電極４４上に
Ａｕワイヤ４５が形成される。ｐ+ エピタキシャル層４
２上のコンタクト領域はオーミック接触を確保するため
に厚くする。基板４０、ｎ型エピタキシャル層４１、お
よびｐ+ 型エピタキシャル層４２のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ３０、３１、３２と同一である。
【００２２】図９に実施例１および２におけるｎ+ −ｐ
およびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎ
ｍの波長に対する感度を、最上層のｎ+ およびｐ+ エピ
タキシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す。基
板中および中間層のエピタキシャル層中のキャリヤー濃
度は一定としている。この図から、最上層のｎ+ および
ｐ+ エピタキシャル層中のキャリヤー濃度は、特に１〜
１０×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましいことがわかる。
およびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎ
ｍの波長に対する感度を、最上層のｎ+ およびｐ+ エピ
タキシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す。基
板中および中間層のエピタキシャル層中のキャリヤー濃
度は一定としている。この図から、最上層のｎ+ および
ｐ+ エピタキシャル層中のキャリヤー濃度は、特に１〜
１０×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましいことがわかる。
【００２３】図１０に実施例１および２におけるｎ+ −
ｐおよびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０
ｎｍの波長に対する感度を、中間層のｐおよびｎエピタ
キシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す。基板
中および最上層のエピタキシャル層中のキャリヤー濃度
は一定としている。この図から、中間層のｐおよびｎエ
ピタキシャル層中のキャリヤー濃度は、１０16〜１０18
ｃｍ-3の範囲で選択すればよく、特に１〜５×１０17ｃ
ｍ-3の範囲が好ましいことがわかる。
ｐおよびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０
ｎｍの波長に対する感度を、中間層のｐおよびｎエピタ
キシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す。基板
中および最上層のエピタキシャル層中のキャリヤー濃度
は一定としている。この図から、中間層のｐおよびｎエ
ピタキシャル層中のキャリヤー濃度は、１０16〜１０18
ｃｍ-3の範囲で選択すればよく、特に１〜５×１０17ｃ
ｍ-3の範囲が好ましいことがわかる。
【００２４】実施例３ 図１１に本実施例におけるＭＩＳ型の紫外線検出器を示
す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3のｎ型
ＳｉＣ基板５０上に、キャリヤー濃度１〜５×１０17ｃ
ｍ-3、厚さ１〜５μｍの窒素がドープされたｎ型ＳｉＣ
エピタキシャル層５１を成長させる。エピタキシャル層
５１上に、自然酸化膜またはシリコン酸化膜５２を成長
させる。酸化膜５２の厚さは５〜３０ｎｍである。酸化
膜５２上に、Ｃｒ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｐｂ，Ｐｄなどからな
る半透明の金属層５３を成長させ、ＭＩＳダイオードを
形成する。金属層５３上に電極５４を形成し、Ａｕまた
はＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ５５を接続する。ｎ型基板５
０とオーミック接触するＮｉ／Ａｌからなる電極５６を
形成する。オーミック接触を達成するために、Ａｒガス
雰囲気中でアニールする。
す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3のｎ型
ＳｉＣ基板５０上に、キャリヤー濃度１〜５×１０17ｃ
ｍ-3、厚さ１〜５μｍの窒素がドープされたｎ型ＳｉＣ
エピタキシャル層５１を成長させる。エピタキシャル層
５１上に、自然酸化膜またはシリコン酸化膜５２を成長
させる。酸化膜５２の厚さは５〜３０ｎｍである。酸化
膜５２上に、Ｃｒ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｐｂ，Ｐｄなどからな
る半透明の金属層５３を成長させ、ＭＩＳダイオードを
形成する。金属層５３上に電極５４を形成し、Ａｕまた
はＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ５５を接続する。ｎ型基板５
０とオーミック接触するＮｉ／Ａｌからなる電極５６を
形成する。オーミック接触を達成するために、Ａｒガス
雰囲気中でアニールする。
【００２５】図１２に示すように、このＭＩＳダイオー
ドは図８と同様なメサ型としてもよい。なお、エッジの
酸化膜６４は形成しても形成しなくてもよいが、形成す
ればエッジのリーク電流を減少させることができ、リー
ク電流が減少するにつれてＭＩＳダイオードの感度が向
上する。ＡｕまたはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ６５はメサ
の中心部に形成される。金属層６３上のコンタクト領域
はオーミック接触を確保するために厚くする。基板６０
およびｎ型エピタキシャル層６１のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ５０、５１と同一である。酸化膜６
２および金属層６３の厚さは、それぞれ５２、５３と同
一である。
ドは図８と同様なメサ型としてもよい。なお、エッジの
酸化膜６４は形成しても形成しなくてもよいが、形成す
ればエッジのリーク電流を減少させることができ、リー
ク電流が減少するにつれてＭＩＳダイオードの感度が向
上する。ＡｕまたはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ６５はメサ
の中心部に形成される。金属層６３上のコンタクト領域
はオーミック接触を確保するために厚くする。基板６０
およびｎ型エピタキシャル層６１のキャリヤー濃度およ
び厚さは、それぞれ５０、５１と同一である。酸化膜６
２および金属層６３の厚さは、それぞれ５２、５３と同
一である。
【００２６】実施例４ 図１３に本実施例におけるＭＩＳ型の紫外線検出器を示
す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3のｐ型
ＳｉＣ基板７０上に、キャリヤー濃度５〜１０×１０17
ｃｍ-3、厚さ１〜５μｍのＡｌがドープされたｐ型Ｓｉ
Ｃエピタキシャル層７１を成長させる。エピタキシャル
層７１上に、自然酸化膜またはシリコン酸化膜７２を成
長させる。酸化膜７２の厚さは５〜３０ｎｍである。酸
化膜７２上に、Ｃｒ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｐｂ，Ｐｄなどから
なる半透明の金属層７３を成長させ、ＭＩＳダイオード
を形成する。金属層７３上に電極７４を形成し、Ａｕま
たはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ７５を接続する。ｎ型基板
７０とオーミック接触するＴｉ／Ａｌからなる電極７６
を形成する。オーミック接触を達成するために、Ａｒガ
ス雰囲気中でアニールする。
す。キャリヤー濃度０．５〜１０×１０18ｃｍ-3のｐ型
ＳｉＣ基板７０上に、キャリヤー濃度５〜１０×１０17
ｃｍ-3、厚さ１〜５μｍのＡｌがドープされたｐ型Ｓｉ
Ｃエピタキシャル層７１を成長させる。エピタキシャル
層７１上に、自然酸化膜またはシリコン酸化膜７２を成
長させる。酸化膜７２の厚さは５〜３０ｎｍである。酸
化膜７２上に、Ｃｒ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｐｂ，Ｐｄなどから
なる半透明の金属層７３を成長させ、ＭＩＳダイオード
を形成する。金属層７３上に電極７４を形成し、Ａｕま
たはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ７５を接続する。ｎ型基板
７０とオーミック接触するＴｉ／Ａｌからなる電極７６
を形成する。オーミック接触を達成するために、Ａｒガ
ス雰囲気中でアニールする。
【００２７】図１４に示すように、このＭＩＳダイオー
ドはメサ型としてもよい。なお、エッジの酸化膜８４は
形成しても形成しなくてもよいが、形成すればエッジの
リーク電流を減少させることができ、リーク電流が減少
するにつれてＭＩＳダイオードの感度が向上する。Ａｕ
またはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ８５はメサの中心部に形
成される。金属層８３上のコンタクト領域はオーミック
接触を確保するために厚くする。基板８０およびｐ型エ
ピタキシャル層８１のキャリヤー濃度および厚さは、そ
れぞれ７０、７１と同一である。酸化膜８２および金属
層８３の厚さは、それぞれ７２、７３と同一である。
ドはメサ型としてもよい。なお、エッジの酸化膜８４は
形成しても形成しなくてもよいが、形成すればエッジの
リーク電流を減少させることができ、リーク電流が減少
するにつれてＭＩＳダイオードの感度が向上する。Ａｕ
またはＡｌ，Ｃｕなどのワイヤ８５はメサの中心部に形
成される。金属層８３上のコンタクト領域はオーミック
接触を確保するために厚くする。基板８０およびｐ型エ
ピタキシャル層８１のキャリヤー濃度および厚さは、そ
れぞれ７０、７１と同一である。酸化膜８２および金属
層８３の厚さは、それぞれ７２、７３と同一である。
【００２８】図１３に本発明の紫外線検出器の応答性を
周波数を関数として示す。１０6 Ｈｚ以下では高い応答
性を示すが、１０6 Ｈｚを超えると応答信号は急激に減
少する。したがって、本発明の紫外線検出器は、０．１
μｓの応答時間でフォトンを検出できる。
周波数を関数として示す。１０6 Ｈｚ以下では高い応答
性を示すが、１０6 Ｈｚを超えると応答信号は急激に減
少する。したがって、本発明の紫外線検出器は、０．１
μｓの応答時間でフォトンを検出できる。
【００２９】図１４にＭＩＳ紫外線検出器の応答スペク
トルを示す。ｐ−ｎ接合を持つ紫外線検出器と比較し
て、応答スペクトルはブロードになっている。ピーク位
置は約２８０ｎｍの領域である。酸化膜５２および金属
層５３の厚さが減少するのにともなって、ピーク位置は
短波長側へシフトする。
トルを示す。ｐ−ｎ接合を持つ紫外線検出器と比較し
て、応答スペクトルはブロードになっている。ピーク位
置は約２８０ｎｍの領域である。酸化膜５２および金属
層５３の厚さが減少するのにともなって、ピーク位置は
短波長側へシフトする。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、３
００ｎｍ以下の短波長に対しても良好に応答し、リーク
電流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検出器を提供す
ることができる。
００ｎｍ以下の短波長に対しても良好に応答し、リーク
電流が少なくて感度が高いＳｉＣ紫外線検出器を提供す
ることができる。
【図１】本発明の実施例１におけるｎ+ −ｐ接合紫外線
検出器の断面図。
検出器の断面図。
【図２】図１の紫外線検出器の上面電極のパターン形状
を示す平面図。
を示す平面図。
【図３】本発明の実施例１におけるメサ型のｎ+ −ｐ接
合紫外線検出器の断面図。
合紫外線検出器の断面図。
【図４】本発明の実施例１における紫外線検出器の応答
スペクトル図。
スペクトル図。
【図５】本発明の実施例１における紫外線検出器のｎ+
型エピタキシャル層の厚さと感度のピーク位置との関係
を示す特性図。
型エピタキシャル層の厚さと感度のピーク位置との関係
を示す特性図。
【図６】本発明の実施例２におけるｐ+ −ｎ接合紫外線
検出器の断面図。
検出器の断面図。
【図７】図６の紫外線検出器の上面電極のパターン形状
を示す平面図。
を示す平面図。
【図８】本発明の実施例２におけるメサ型のｐ+ −ｎ接
合紫外線検出器の断面図。
合紫外線検出器の断面図。
【図９】本発明の実施例１および２におけるｎ+ −ｐお
よびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎｍ
の波長に対する感度を、最上層のｎ+ およびｐ+ エピタ
キシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す特性
図。
よびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎｍ
の波長に対する感度を、最上層のｎ+ およびｐ+ エピタ
キシャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す特性
図。
【図１０】本発明の実施例１および２におけるｎ+ −ｐ
およびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎ
ｍの波長に対する感度を、中間層のｐおよびｎエピタキ
シャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す特性図。
およびｐ+ −ｎ接合を持つ紫外線検出器のλ＝２７０ｎ
ｍの波長に対する感度を、中間層のｐおよびｎエピタキ
シャル層中のキャリヤー濃度の関数として示す特性図。
【図１１】本発明の実施例３におけるｎ型基板を有する
ＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
ＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
【図１２】本発明の実施例３におけるｎ型基板を有する
メサ型のＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
メサ型のＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
【図１３】本発明の実施例４におけるｐ型基板を有する
ＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
ＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
【図１４】本発明の実施例４におけるｐ型基板を有する
メサ型のＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
メサ型のＭＩＳ紫外線検出器の断面図。
【図１５】本発明の紫外線検出器の応答性を周波数を関
数として示す特性図。
数として示す特性図。
【図１６】本発明のＭＩＳ紫外線検出器の応答スペクト
ル図。
ル図。
１０、２０…ｐ型ＳｉＣ基板、１１、２１…ｐ型ＳｉＣ
エピタキシャル層、１２、２２…ｎ+ 型ＳｉＣエピタキ
シャル層、１３、２４…電極、１４、２５…Ａｕワイ
ヤ、１５…電極、２３…酸化膜、３０、４０…ｎ型Ｓｉ
Ｃ基板、３１、４１…ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層、３
２、４２…ｐ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層、３３、４４
…電極、３４、４５…Ａｕワイヤ、３５…電極、４３…
酸化膜、５０、６０…ｎ型ＳｉＣ基板、５１、６１…ｎ
型ＳｉＣエピタキシャル層、５２、６２、６４…酸化
膜、５３、６３…金属層、５４…電極、５５、６５…Ａ
ｕワイヤ、５６…電極、７０、８０…ｐ型ＳｉＣ基板、
７１、８１…ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層、７２、８
２、８４…酸化膜、７３、８３…金属層、７５、８５…
Ａｕワイヤ、７６…電極。
エピタキシャル層、１２、２２…ｎ+ 型ＳｉＣエピタキ
シャル層、１３、２４…電極、１４、２５…Ａｕワイ
ヤ、１５…電極、２３…酸化膜、３０、４０…ｎ型Ｓｉ
Ｃ基板、３１、４１…ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層、３
２、４２…ｐ+ 型ＳｉＣエピタキシャル層、３３、４４
…電極、３４、４５…Ａｕワイヤ、３５…電極、４３…
酸化膜、５０、６０…ｎ型ＳｉＣ基板、５１、６１…ｎ
型ＳｉＣエピタキシャル層、５２、６２、６４…酸化
膜、５３、６３…金属層、５４…電極、５５、６５…Ａ
ｕワイヤ、５６…電極、７０、８０…ｐ型ＳｉＣ基板、
７１、８１…ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層、７２、８
２、８４…酸化膜、７３、８３…金属層、７５、８５…
Ａｕワイヤ、７６…電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基板
上に形成された第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層上
に形成された第２導電型の高濃度ＳｉＣ層と、前記第１
導電型の基板にオーミック接触する電極と、前記第２導
電型の高濃度ＳｉＣ層にオーミック接触する電極とを具
備したことを特徴とするＳｉＣ紫外線検出器。 - 【請求項２】 第１導電型のα−ＳｉＣ基板と、該基板
上に形成された第１導電型のＳｉＣ層と、該ＳｉＣ層上
に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された金属層
と、前記第１導電型の基板にオーミック接触する電極と
を具備したことを特徴とするＳｉＣ紫外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232877A JPH0794773A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | ＳｉＣ紫外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232877A JPH0794773A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | ＳｉＣ紫外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794773A true JPH0794773A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16946240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5232877A Pending JPH0794773A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | ＳｉＣ紫外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794773A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186587A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光検出素子 |
| CN109326657A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-12 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法 |
| CN113328007A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-08-31 | 南京大学 | 一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外探测器及其制备方法 |
| CN115000230A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-09-02 | 太原理工大学 | 一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5232877A patent/JPH0794773A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186587A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光検出素子 |
| CN109326657A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-12 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法 |
| CN113328007A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-08-31 | 南京大学 | 一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外探测器及其制备方法 |
| CN115000230A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-09-02 | 太原理工大学 | 一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 |
| CN115000230B (zh) * | 2022-06-13 | 2024-03-22 | 太原理工大学 | 一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Adivarahan et al. | SiO 2-passivated lateral-geometry GaN transparent Schottky-barrier detectors | |
| US7851881B1 (en) | Schottky barrier diode (SBD) and its off-shoot merged PN/Schottky diode or junction barrier Schottky (JBS) diode | |
| US9673347B2 (en) | Minority carrier based HgCdTe infrared detectors and arrays | |
| CN106711253B (zh) | 一种iii族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器 | |
| US10720544B2 (en) | Virtual negative bevel and methods of isolating adjacent devices | |
| CN110660882B (zh) | 一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法 | |
| JP4635187B2 (ja) | 半導体光検出器 | |
| Maeda et al. | Impact ionization coefficients in GaN measured by above-and sub-E g illuminations for p−/n+ junction | |
| US5936268A (en) | Epitaxial passivation of group II-VI infrared photodetectors | |
| JP2020107901A (ja) | 平面のアバランシェ・フォトダイオード | |
| US20100276699A1 (en) | Silicon Carbide and Related Wide Bandgap Semiconductor Based Optically-Controlled Power Switching Devices | |
| CN113471326B (zh) | 一种ⅲ族氮化物异质结光电探测器 | |
| Li et al. | Analysis of external quantum efficiencies of GaN homojunction pin ultraviolet photodetectors | |
| JPH0794773A (ja) | ＳｉＣ紫外線検出器 | |
| US10002979B1 (en) | Unipolar doping in photodiode and phototransistor | |
| JP2001525117A (ja) | エピタキシャル成長層を有するアバランシェ半導体デバイス | |
| Musca et al. | Planar p-on-n HgCdTe heterojunction mid-wavelength infrared photodiodes formed using plasma-induced junction isolation | |
| Razeghi et al. | AlGaN ultraviolet detectors | |
| Li et al. | Geiger-mode operation 4H-SiC recessed-window avalanche photodiodes fabricated by N ion implantation | |
| CN110690314A (zh) | 吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法 | |
| CN113113506B (zh) | 一种iii族氮化物增益型光电探测器及其制备方法 | |
| Chiou et al. | GaN metal–semiconductor interface and its applications in GaN and InGaN metal–semiconductor–metal photodetectors | |
| KR940001293B1 (ko) | 반도체 광 검출장치 | |
| Maeda et al. | Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomulitiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect | |
| KR20230112262A (ko) | 고농도 도핑된 에피층을 이용한 광대역 포토다이오드 및 그 제조방법 |