KR0175440B1 - 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 11
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- -1 Silicon nitrile Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리오 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1012㎝-2로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의 제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형전극과, 상기 활성영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반사막이 형성되지 않은 부분에 형성된 제1도전형 전극을 포함한다.
따라서, 제1가드링 보다 제2가드링의 확산 깊이를 더 깊게 하므로 활성영역의 모서리 부분의 전기장 세기가 상대적으로 낮아지게 되어 효과적인 가드링이 가능하며, 또한, 제2가드링의 깊이를 활성 영역의 깊이와 같이 조절 할 수 있어 공정이 매우 쉽고 깊이 조절이 용이하며, 그리고, 제2가드링을 하나만 형성하므로 다이오드의 면적을 줄일 수 있고, 따라서, 다이오드의 커팬시컨스를 줄일 수 있으며, 증폭층 폭을 0.2∼0.3㎛로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ 이상으로 증가시킬 수 있다.
Description
제1도는 본 발명에 따른 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 단면도.
제2도 (a) 및 (b)는 가드링 구조에서 확산 깊이가 전기장 분포에 미치는 작용 효과를 비교하기 위한 단면도.
제3도는 증폭층 두께에 따른 항복 전압의 크기를 나타낸 그래프.
제4도는 초고속 동작에 필요한 최적화된 흡수층의 두께를 나타낸 그래프.
제5도는 본 발명에 따른 초고속 애벌랜치 포토다이오드 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호설명
1 : n+InP 반도체 기관 2 : n--InGaAs 광흡수층
3 : n--InGaAsP그레이딩 층 4 : n-InP 전하층
5 : n--InP 증폭층 6 : 제2가드링
7 : 제1가드링 8 : p-InP 활성층
9 : 표면보호층 10 : p형 전극
11 : n형 전극 12 : 무반사막
본 발명은 초고속 광통신용 애벌란치 포토다이오드(Avalanche Photodiode : 이하 APD라 칭함) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 광통신 기술이 발달함에 따라 초대용량 정보의 장거리 전송이 가능하게 되었는데, 이는 반도체 레이저로 대표되는 발광소자와 APD로 대표되는 수광소자의 특성향상에 힘 입은바 크다.
APD는 자체 증폭 기능을 갖기 때문에 핀 포토다이오드(PIN Photodiode)에 비해 수신 감도가 매우 좋아 장거리 전송에 유리하다.
2.5Gbps 광통신에서는 주로 InP/InGaAs APD가 많이 사용되고 있으며, 보다 낮은 전송 속도에서는 수신 감도에서 APD에 불리하나 가격이 싼 PIN PD가 많이 이용되고 있다.
전송 속도가 10Gbps급에 이르는 초고속 광통신에는 InP를 증폭층으로 갖는 APD는 잉여 잡음이 초격자 증폭층 구조나 계단형 증폭층 구조를 갖는 APD 보다 크기 때문에 초격자 증폭층 구조나 계단형 증폭층 구조의 APD를 연구해 왔다.
상기 초격자 구조나 계단형 증폭층 구조는 서로 다른 밴드 갭을 갖는 반도체 물질 사이에 가전자대(valence band) 및 전도대(conduction band)의 에너지 불연속성을 이용하는 것으로서, 전자의 이온화 계수 α가 정공의 이온화 계수 β보다 매우 커지도록 증폭층을 설계한다.이 경우, 증폭층으로 정공이 주입되면 잡음이 크게 증가하므로, 증폭층으로 전자가 주입되어야 한다.
InP 위에 성장되는 InGaAs는 의도적으로 도핑하지 않을 경우 실리콘의 불순물로 참가하여 n-형이 되기 때문에 전자를 증폭층에 주입하기 위해서 광흡수층인 InGaAs층을 형성할 때 p-형의 불순물을 의도적으로 주입하여야 한다.
그리고, 초격자 구조의 증폭층을 p-형으로 결정 성장시키기 위해 p-형 불순물을 도핑시키는 데, 다이오드를 초고속 동작시키기 위해서는 접합 면적을 줄여 정전 용량을 감소시키도록 메사 에칭한다.
그러나, InP 위에 InGaAs를 p-형 불순물을 인위적으로 도핑시켜 형성하는 것은 재현성이 매우 낮은 어려운 문제점이 있었다.
또한, 메사형은 애칭된 표면에서 누설 전류가 흐를 뿐만 아니라 쉽게 열화되기 때문에, 신뢰성이 저하되고, 수명이 짧아지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 광흡수층을 n-형으로 형성하여 재현성을 향상시킬 수 있는 초고속 애벌란치 포토다이오드 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 누설 전류 및 열화를 방지하여 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 초고속 애벌란치 포토다이오드 및 그의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 초고속 애벌란치 포토다이오드는 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러층으로 구성되는 InP와 격자 정합되며 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1012cm-2로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의 제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊이 보다 얕은 확산 깊이를 갖고, 제2도전형을 가지면서도 상기 제2가드링과 전기적으로 격리되도록 형성된 InP의 제1가드링과, 상기 제1가드링의 사이에 접합되게 2차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링과 동일한 확산 깊이를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형 전극과, 상기 활성 영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과, 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반사막이 형성되지 않은 부분에 형성된 제1도전형 전극을 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 초고속 애벌란치 포토다이오드의 제조방법은 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAs의 광흡수층, 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층, 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1015cm-3인 제1도전형 InP의 전하층, 캐리어 농도가 1∼5×1015㎝-3인 제1도전형 InP의 증폭층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 증폭층의 상부 표면에 소정 부분을 제외한 부분에 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하고, 증폭층에 제2도전형의 불순물을 확산시켜 제1 및 제2가드링을 형성하고 상기 실리콘 나이트라이드 박막을 제거하는 공정과, 상기 증폭층의 상부 표면에 상기 제2가드링의 상부와 상기 제1가드링의 소정 부분을 제외한 부분에 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하고, 제2도전형의 불순물을 확산시켜 활성층을 형성함과 동시에 상기 제2가드링의 확산 깊이를 깊게하고, 상기 실리콘 나이트라이드 박막을 제거하는 공정과, 상기 증폭층의 상부에 표면보호층을 형성하고 상기 활성영역의 상부를 노출시킨 후, 제2도전형 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형 전극을 형성하고 상기 제1도전형 전극과 대응하는 부분의 반도체 기판의 하부 표면을 노출시킨 후 무반사막을 형성하는 공정을 구비한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명에 따른 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 단면도이다.
먼저, n+-InP 반도체 기판(1) 위에 0.8∼1.2μm의 두께를 갖고 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 n--InGaAs 광흡수층(2), 한층 또는 여러층으로 구성되고 InP에 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3이고, 두께가 0.1∼0.2μm인 n--InGaAsP의 그레이딩층(3), 0.01∼0.3μm의 두께를 갖고 두께×캐리어농도(전하량으로 정의)가 2.5∼3.5×1012cm-2로 조절되는 n--InP 전하층(4), 두께 3∼4μm이고 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인n--InP 증폭층(5)으로 순차적으로 결정 성장 되어 형성된다. 상기 증폭층(5)의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 p+-InP 제2가드링(6)과 1차례의 확산에 의해 p+-InP 제1가드링(7)이 형성되고, 상기 제1가드링(7)의 사이에 접합되게 2차례의 확산에 의해 p+-InP 활성영역(8)이 형성된다. 그리고 상술한 구조의 표면에 표면 보호를 위한 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지는 표면보호층(9)이 형성되고, 상기 활성영역(8)의 상부에 p-형 전극(10)이 형성된다. 또한, 반도체 기판(1)의 하부 표면에 n-형 전극(11)과 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지는 무반사막(12)이 형성된다.
상술한 구조에서 제2가드링(6)의 확산 깊이는 제1가드링(7)의 확산 깊이 보다 깊고, 활성영역(8)의 확산 깊이와 같아야 한다.
즉, 제1 및 제2가드링(7),(6)와 활성영역(8)의 확산 깊이는 상호 관계는
lr= la p
를 만족하여야 한다. 상기에서, lr은 제2가드링(6)과 전하층(4)의 간격이고, la은 활성 영역(8)과 전하층(4)의 간격이고, lp은 제1가드링(7)과 전하층(4)의 간격이다.
상기 관계식은, 본 발명에서 각 영여긔 확산 방법을 암시하고 있는데, 본 발명에서는 초고속 광통신용 애벌랜치 포토다이오드로 사용하기 위해서 la= 0.2∼04μm로 하고, 광흡수층(2)의 두께를 0.8∼1.2μm로 하는 것을 특징으로 한다.
상기에서 제2가드링(6)을 하나만 형성함으로써 다이오드의 면적을 줄일 수 있고, 따라서, 다이오드의 커패시턴스를 줄일 수 있다.
또한, 10Gbps와 같은 초고속 동작을 위해서는 캐패시턴스가 0.2pF 이내로 제한되어야 하는데, 이를 위해서는 가드링의 크기를 줄이는 것이 필수적이다.
그리고, 증폭층(5)의 폭을 0.2∼0.3μm로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ 이상으로 증가시킬 수 있다. 이득-대역폭의 곱은 증폭층(5) 너비의 역수에 근사적으로 비례한다. 그러나, pin 구조의 증폭층을 갖는 본 발명의 구조의 경우 n--InGaAs 흡수층(2)의 두께에 따라 항복 전압이 달라진다.
제2도(a) 및 (b)는 제1 및 제2가드링(7),(6)의 확산 깊이가 전기장 분포에 미치는 작용 효과를 비교하기 위한 단면도이다.
상술한 바와 같이, 제2가드링(6)의 확산 깊이가 제1가드링(7)의 확산 깊이 보다 깊기 때문에 바이어스 전압을 가하였을 때 제1가드링(7)과 활성영역(8) 사이의 pn 접합의 모서리 부분의 등전위선(equi-potential line)의 곡률 반경이 제2도(a)와 같이 제2가드링(6)의 확산 깊이와 제1가드링(7)의 확산 깊이가 같을 때 보다 커지게 된다.
그러나, 제2가드링(6)이 제1가드링(7)과 확산 깊이가 같을 때의 등전위선은 제2도(b)와 같이 된다.
상기에서, 제2도(a)에 도시된 바와 같이 제2가드링(6)의 확산 깊이가 제1가드링(7)의 확산 깊이 보다 깊을 경우 곡률 반경이 크고, 따라서, CC'선을 따르는 등전위선의 간격이 제2도(b)에 도시된 바와 같이 제2가드링(6)의 확산 깊이가 제1가드링(7)의 확산 깊이와 같을 경우의 CC'선을 따르는 등전위선의 간격 보다 넓음을 알 수 있다.
이는 가드링으로서의 효과가 제2도(b)의 경우보다는 제2도(a)의 경우, 즉, 제2가드링(6)의 확산 깊이가 제1가드링(7)의 확산 깊이 보다 깊게 조절되는 것이 유리하다.
상기 제2도(a) 및 (b)에서 DD'선을 따르는 등전위선의 간격은 서로 크게 변화하지 않는다.
따라서, 제1가드링(7)과 활성영역(8) 사이의 pn 접합의 모서리 부분에서의 전기장 세기(electric field intensity)가 상대적으로낮아지게되어 효과적인 가드링으로 동작하게 된다.
제3도는 증폭층(5)의 두께에 따른 항복 전압의 크기를 나타낸 그래프이다.
상기 그래프에서, 증폭층(5) 두께 la에 따른 항복 전압을 계산한 결과인데, la만 변화시키고 다른 변수는 일정하게 두었다.
항복전압이 작다는 것은 같은 전압에서 이득(증폭)이 크다는 뜻이다.
제3도에서 볼수 있듯이 증폭층(5)의 두께(la)가 증가하면 항복전압이 감소하다가 소정 값 la0에서 최소가 되고 다시 서서히 증가한다. 따라서, 제1도와 같은 구조에서는 la및 lp가 소자 내부에 동시에 존재하므로, la가 la0보다 작다면 제3도에서 보는 바와 같이 증폭층(5)의 두께가 증가에 따라 항복 전압이 감소하는 영역에 들게 되기 때문에, 제1도에서 A로 표시된 부분에서 최대 이득이 발생되며, 따라서, 가드링으로서의 역할을 할 수 없게 되며 소자의 성능을 떨어뜨린다.
그러므로, 이득-대역폭의 곱을 100GHz 이상으로 증가시키기 위해서는 la0가 0.3μm 이내로 들도록 하여야 한다. 그러나, la0는 InGaAs 광흡수층(2)의 두께에 의존하며 그 계산 결과를 제4도에 나타내었는데, InGaAs 광흡수층(2)의 두께를 1.0μm 내외로 조절하면 된다. 이 경우, InGaAs 광흡수층(2)의 두께가 1.0μm 이내로 얇기 때문에 양자 효율이 줄어들게 되나 제1도와 같은 구조를 선택하면 InGaAs 광흡수층(2)에서 흡수되지 않은 빛이 p-형 전극(10)에 반사되므로 다시 InGaAs 광흡수층(2)을 통과하게 되고, 따라서, 전체적으로 2μm 정도의 두께를 갖는 효과를 갖게 되어 이득-대역폭의 곱과 양자 효율을 동시에 증가시킬 수 있게 된다.
제5도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조 공정이다.
제5도(a)를 참조하면, n+-InP 반도체 기판(1) 위에 0.8∼1.2μm의 두께를 갖고 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 n--InGaAs 광흡수층(2), 한층 또는 여러층으로 구성되고 InP에 격자 정합되며 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3이고 두께가 0.1∼0.2μm인 n--InGaAs의 그레이딩층(3), 0.01∼0.3μm의 두께를 갖고 두께×캐리어농도(전하량으로정의)가 2.5∼3.5×1012cm-2로 조절되는 n-InP 전하층(4), 두께 3∼4 μm이고 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 n--InP 증폭층(5)을 LPE, MBE 또는 MOCVD 등의 결정 성장 방법으로 순차적으로 형성한다. 그리고, 상기 증폭층(5)의 상부 표면에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법으로 실리콘 나이트라이드(SiNx) 박막(13)을 형성하고, 상기 실리콘 나이트라이드 박막의 소정 부분을 제거하여 상기 증폭층(5)을 노출시킨다.그리고, 상기 실리콘 나이트라이드 박막(13)을 확산 마스크로 하여 p형 불순물을 상기 증폭층(5)의 노출면을 통해 확산시켜 제1,및 제2가드링(7),(6)을 형성한다.
상기에서, 제1 및 제2가드링(7),(6) 형성시 p형 불순물의 확산원으로는 Zn3p2가 적당하여, 확산 온도는 500∼550℃가 적당하고 0.8∼1.5 μm 정도의 깊이 까지 확산시킨다.
제5도(b)를 참조하면, 상기 확산 마스크로 사용된 실리콘 나이트라이드 박막(13)을 제거한다. 그리고, 상기 증폭층(5)의 상부에 재차 실리콘 나이트라이드 박막(13)을 증착하고, 상기 제2가드링(6)과 제1가드링(7)의 가운데 부분을 노출시킨다. 그 다음, 상기 실리콘 나이트라이드 박막(13)을 확산 마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2가드링(7),(6)과 동일한 물질을 500∼550℃의 온도로 확산시켜 활성영역(8)을 형성한다.
이때, 제1가드링(7)은 드라이브-인(drive-in) 되는데, 그 깊이는 500℃에서 확산할 경우 0.5∼1.0μm 정도이며, 제2가드링(6)과 활성영역(8)의 확산깊이는 la= lr= 0.2∼0.4㎛가 되도록 한다.
제5도(c)를 참조하면, 상기 실리콘 나이트라이드 박막(13)을 제거하고, 상기 증폭층(5)의 상부에 표면 보호를 위한 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지는 표면보호층(9)을 형성한다. 그리고, 상기 활성영역(8)의 상부의 표면보호층(9)을 제거하고, p-형 전극(10)을 형성한다. 제5도(d)를 참조하면, 상기 반도체 기판(1)의 두께가 80∼120㎛정도가 되도록 하부 표면을 연마한다. 그리고, 상기 반도체 기판(1)의 하부 표면에 n-형 전극(11)을 형성한다. 그리고, 상기 n-형 전극(11)의 소정 부분, 즉, 상기 p-형 전극(10)과 대응하는 부분을 제외한 부분을 제거하여 반도체 기판(1)의 하부 표면을 노출시키고, 이 노출된 부분에 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 산화막으로 이루어지는 무반사막(12)을 형성한다.
따라서, 본 발명는 제1가드링 보다 제2가드링의 확산 깊이를 더 깊게 하므로, 활성영역의 모서리 부분의 전기장 세기가 상대적으로 낮아지게 되어 효과적인 가드링이 가능하며, 또한, 제2가드링의 깊이를 활성 영역의 깊이와 같이 조절할 수 있어 공정이 매우 쉽고 깊이 조절이 용이한 잇점이 있다. 그리고, 제2가드링을 하나만 형성하므로 다이오드의 면적을 줄일 수 있고, 따라서, 다이오드의 커패시턴스를 줄일 수 있으며, 증폭층 폭을 0.2∼0.3 ㎛로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ이상으로 증가시킬 수 있는 잇점이 있다.
Claims (11)
- 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1012㎝-2로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊이 보다 얕은 확산 깊이를 갖고, 제2도전형을 가지면서도 상기 제2가드링과 전기적으로 격리되도록 형성된 InP의 제1가드링과, 상기 제1가드링과 전기적으로 접합되게 2차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링과 동일한 확산 깊이를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형 전극과, 상기 활성 영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과, 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반 사막이 형성되지 않은 부분에 형성된 제1도전형 전극을 포함하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 광흡수층이 0.8∼1.2㎛의 두께로 형성된 초고속 애벌랜치 포토다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 그레이딩층이 0.1∼0.2㎛의 두께로 형성된 초고속 애벌랜치 포토다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭층의 폭이 0.2∼0.4㎛인 초고속 애벌랜치 포토다이오드.
- 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAs의 광흡수층, 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층, 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1012㎝-2로 조절된 제1도전형 InP의 전하층, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InP의 증폭층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 증폭층의 상부 표면에 소정 부분을 제외한 부분에 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하고 증폭층에 제2도전형의 불순물을 확산시켜 제1 및 제2가드링을 형성하고 상기 실리콘 나이트라이드 박막을 제거하는 공정과, 상기 증폭층의 상부 표면에 상기 제2가드링의 상부와 상기 제1가드링의 소정 부분을 제외한 부분에 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하고, 제2도전형의 불순물을 확산시켜 활성층을 형성함과 동시에 상기 제2가드링의 확산 깊이를 깊게 하고 상기 실리콘 나이트라이드 박막을 제거하는 공정과, 상기 증폭층의 상부에 표면보호층을 형성하고, 상기 활성영역의 상부를 노출시킨 후 제2도전형 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형 전극을 형성하고, 상기 제1도전형 전극과 대응하는 부분의 반도체 기판의 하부 표면을 노출시킨 후 무반사막을 형성하는 공정을 구비하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 층들을 LPE, MBE 또는 MOCVD의 결정 성장 방법으로 형성하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2가드링 형성시 확산원으로 Zn3P2를 사용하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2가드링 형성시 500∼550℃의 온도로 확산하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 활성영역 형성시 확산원으로 Zn3P2를 사용하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 활성영역 형성시 500∼550℃의 온도로 확산하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2도전형 전극 형성 후 상기 반도체 기판의 하부 표면을 연마하는 공정을 더 구비하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050531A KR0175440B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050531A KR0175440B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054557A KR970054557A (ko) | 1997-07-31 |
| KR0175440B1 true KR0175440B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19440499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050531A KR0175440B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0175440B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020034100A (ko) * | 2002-01-21 | 2002-05-08 | 주흥로 | 애벌란치 포토다이오드 |
| KR100464452B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040032026A (ko) * | 2002-10-08 | 2004-04-14 | (주)엑스엘 광통신 | 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR100497143B1 (ko) * | 2002-10-11 | 2005-06-28 | 서울반도체 주식회사 | 카메라 조명용 발광 다이오드 소자 |
-
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- 1995-12-15 KR KR1019950050531A patent/KR0175440B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020034100A (ko) * | 2002-01-21 | 2002-05-08 | 주흥로 | 애벌란치 포토다이오드 |
| KR100464452B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970054557A (ko) | 1997-07-31 |
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