KR100216524B1 - 애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명을 10 Gps (Giga bit per second) 이상의 초고속 광통신에서도 사용 할 수 있고 간단한 구조를 가지며 제조방법이 매우 쉬운 애벌런치 포토다이오드 및 제조방법에 관한 것이다. 그 목적은 가장자리 항복을 막고 증폭층 폭을 0.3 ㎛ 이하의 두께로 줄여 이득×대역폭 곱을 80 ㎓ 이상으로 증가시키는 데에 있다. 그 구성은 기판과, 상기 기판 위에 적층된 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 적층된 도핑하지 않은 광흡수층과, 상기 광흡수층 위에 한 층 또는 여러 층으로 적층된 그레이딩층과, 상기 그레이딩층 위에 적층된 전기장 완충층과, 상기 전기장 완충층 위에 적층된 도핑하지 않은 증폭층과, 상기 증폭층의 상단 일부에 증폭층이 되도록 형성되고 가장자리 부분은 상기 증폭층의 폭이 중앙보다 크도록 하여 상층부에서부터의 깊이가 작게 형성된 확산층과, 상기 확산층 주위로 링 형태를 가지며 상기 확산층의 중앙부와 동일한 깊이를 갖도록 형성된 가드링과, 상기 가드링 위에 형성된 p-금속전극 및 기판쪽에 형성된 n-금속전극으로 되어 있다.

Description

애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법
본 발명은 10 Gps (Giga bit per second) 이상의 초고속 광통신에서도 사용 할 수 있고 간단한 구조를 가지며 제조방법이 매우 쉬운 애벌런치 포토다이오드 및 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 앞으로의 대용량의 정보전송 또는 교환을 위해서 광통신은 필수적이며 초당 2.5기가 비트의 전송속도를 갖는 광통신이 현재 사용되고 있다. 또 광통신의 전송용량을 증가시키기 위해 초당 전송속도를 증가시키는 방법이 많이 연구되고 있다. 광통신 시스템의 전송속도가 증가하면 수신기에서는 잡음이 증가하게 된다. 따라서 수신감도가 현저하게 나빠진다. 현재까지 10 Gbps의 광수신기를 위한 광검출기로는 PIN-PD(P-type Intrinsic N-type PhotoDiode) 가 사용되어 왔는데 PIN-PD는 내부이득이 없기 때문에 20 dBm 이하의 수신감도를 얻을 수 없었다. 디지털 광통신에서 20 dBm 의 수신감도란 10㎼ 이상의 출력세기를 갖는 광신호는 오차없이 수신할 수 있다는 뜻이다. 또한, 광통신의 다른 장점으로 장거리 전송을 들 수 있는데 빛이 먼 거리를 전송하면 광섬유의 손실에 의해 출력이 저하된다. 따라서 수신감도가 낮을수록 출력레벨이 낮은 광신호를 오차 없이 수신할 수 있기 때문에 장거리 전송이 가능하려면 수신감도가 낮아야 하며 이는 시스템의 수를 줄일 수 있기 때문에 전체적으로 가격을 낮추는 방법이 된다. 초고속 광통신에서 PIN-PD 대신에 APD(Avalanche PhotoDiode)를 사용하면 수신감도가 크게 향상된다(낮아진다). APD는 내부에서 신호전류를 증폭하기 때문에 10배만큼 증폭하면 수신감도는 10 ㏈ 만큼 향상될 수 있다(실제 상황에서는 잉여잡음이 있어서 약간 달라진다). 이는 광섬유의 손실을 0.5 ㏈/㎞ 라 하면 20㎞를 더 멀리 송신할 수 있다는 뜻이 된다. 따라서 APD를 사용하면 PIN보다 훨씬 경제적이다. 그러나 APD는 증폭할 때 내부 증폭을 얻는데 걸리는 시간이 있어서 디지털 1에 해당하는 펄스를 증폭할 경우 펄스의 폭이 넓어지는 현상이 발생하여 대역폭이 줄어든다. 증폭률을 증가시키면 펄스폭은 늘어나게 된다. 이와 같은 현상을 애벌런치 빌드-업 시간(Avalanche Build-up time)이라 하며 이득과 대역폭의 곱으로 표현된다. 즉, APD 소자의 이득×대역폭을 50 ㎓라 하면 1 ㎓의 신호는 50배만큼, 5 ㎓의 신호는 10배만큼, 10 ㎓의 신호는 5배만큼 증폭할 수 있음을 뜻하게 된다. 따라서 APD 소자를 초고속 신호에 대해 큰 증폭률로 가동시키기 위해서는 이득×대역폭을 크게 하여야 하며 10 Gbps 광통신의 경우 이득×대역폭이 80 ㎓ 이상이 되어야 좋은 수신감도를 기대할 수 있다. APD에서 이득×대역폭을 80 ㎓ 이상으로 얻기 위해서는 증폭층(APD에서 증폭이 일어나는 층) 폭이 얇고 미세하게 잘 조절되어야 하며 이의 실현은 매우 어렵다.
제1도∼2도는 일반적인 종래의 애벌런치 포토다이오드의 구조도이다. 제1도∼2도를 참조하여 일반적인 종래의 애벌런치 포토다이오다의 구조를 설명하면 다음과 같다.
이는 종래의 통신용 APD의 구조를 나타낸 것으로 지금까지 대부분의 APD가 이 구조를 채택하고 있다. 이 구조의 특징은 소자의 안정된 동작을 위해 필수적인 가드링 확산에 있으며 이 가드링은 가운데 활성영역보다 p-type 캐리어의 전하농도가 낮게 제조되어야 하며 이를 위해 증폭층을 n-type으로 성장하게 된다. 가드링 제조에는 카드뮴 확산이나 베릴륨-임플랜트한(Be-implant) 후 드라이브-인(drive-in)시켜 캐리어 농도가 낮도록 하는 방법을 주로 사용하는데 이 공정은 매우 까다롭다. 그러나, 결정적인 단점으로는 증폭층을 n-InP로 채택하기 때문에 전기장이 기울게 되고 그 결과 증폭층 폭을 좁게할 수 없어 이득×대역폭 곱을 70 ㎓ 이상으로 만들기가 매우 어렵다는 문제점이 있었다.
증폭층의 캐리어 농도를 낮추고 높은 전기장을 가하기 위해 증폭층 구조를 p-i-n 으로 하면 이득×대역폭 곱을 100 ㎓ 이상으로 만들 수 있다. 그러나 이 구조는 종래의 APD에서 채택하던 가드링(guard ring) 제조 방법을 사용할 수 없기 때문에 새로운 개념의 가드링 구조가 채택되어야 한다. 새로운 가드링 벙법으로는 SAGCM구조와 떠 있는 가드링(Floating guard ring, 이하 FGR이라 약칭함) 구조가 있다. SAGCM 구조는 이득×대역폭 곱이 120 ㎓ 이상을 얻은 것이 발표되었으나[IEEE Photonics Technology Letters, vol.5, pp672-674, 1993년] 이 구조는 결정성장을 2회 하므로 인해 소자의 신뢰성이 없고 수명이 짧은 한계를 갖고 있다. FGR APD는 p-i-n 구조의 증폭층을 가지며 가드링 제조도 비교적 쉬운 새로운 개념의 구조로 1990년에 미국전기공학회 논문지[IEEE Photon. Tech. Lett., vol.2, pp571-573, 1990]에 발표된 바 있다. 이 구조는 제2도에 나타낸 바와 같이 FGR(29)을 자지며 활성영역이 주변의 가드링 보다 더 깊게 확산되어 있다.
그러나, 이 구조는 두번의 확산공정을 기하여야 하는 번거로움이 있고 또한 두번의 확산공정을 함으로써 확산 깊이의 제어가 정밀하지 못하였으며, 구조의 특성상 활성영역 가장자리 부분의 곡률반경에 의해 조기항복이 일어날 수 있기 때문에 증폭층 폭을 얇게 조절하기가 힘들다는 문제점이 있었다. 이러한 문제점에 관한 이론적 설명은 다음의 참고문헌에 잘 나타나 있다. [Applied Physics Letters, volume 67, pp3789-3791 또는 한국광학회지 제7권 66페이지, 1996년]
상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 가장자리 항복을 막고 증폭층 폭을 0.3㎛ 이하의 두께로 줄여 이득 × 대역폭 곱을 80 ㎓ 이상으로 증가시키는 데에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 기판과, 상기 기판 위에 적층된 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 적층된 도핑하지 않은 광흡수층과, 상기 광흡수층 위에 한 층 또는 여러 층으로 적충된 그레이딩층과, 상기 그레이딩층 위에 적충된 전기장 완충층과, 상기 전기장 완충층 위에 적충된 도핑하지 않은 증폭층과, 상기 증폭층의 상단 일부에 가장 자리 부분이 중앙부분보다 확산깊이가 얕게 구성되어 가장자리의 증폭층이 중앙부의 증폭층보다 두껍도록 형성된 확산층과, 상기 확산층 주위로 링 형태를 가지며 상기 확산층의 중앙부와 동일한 깊이를 갖도록 형성된 가드링과, 상기 확산층 위에 형성된 p-금속전극 및 기판쪽에 형성된 n-금속전극으로 구성되는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 특징은 기판 위에 버퍼층을 성장시키는 단계와, 상기 버퍼층 위에 광흡수층을 도핑하지 않은 채로 성장 시키는 단계와, 상기 광흡수층 위에 그레이딩층을 한 층 또는 여러 층으로 성장시키는 단계와, 상기 그레이딩층 위에 전기장 완충층을 성장시키는 단계와, 상기 전기장 완충층 위에 증폭층을 도핑하지 않은 채로 성장시키는 단계와, 상기 증폭층 주위로 링 형태를 갖도록 남겨 두고 상기 확산 보조층을 에칭하는 단계와, 상기 에칭한 위에 pn접합형성을 위하여 상기 증폭층 상단 일부와 상기 확산 보조층 위에 창을 형성하고 그 둘레에 띠모양의 창을 갖도록 패턴화된 확산 마스크를 형성하는 단계와, 상기 증폭층의 상단 일부를 증폭층이 되도록 형성하고 가장자리 부분은 상기 증폭층의 폭이 중앙보다 크도록 확산 보조층을 이용하여 깊이가 얕게 형성하는 단계 및 상기 확산 마스크 위에 p-금속전극을 형성하고 상기 기판 쪽에 n-금속전극을 형성하는 단계로 이루어지는 데에 있다.
p+-InP 확산층(38)의 가장자리 부분은 중앙보다 증폭층 폭(1a)이 두껍고 가드링(39)은 확산층의 중앙과 같은 깊이를 갖는다. 그래서 소자의 동작전압에서 확산층(38)의 가장자리에서는 음의 곡률반경(negative curvature)을 갖는 등전위선(equi-potential line)을 형성하게 된다. 그래서, 항복전압이 중앙보다 커지게 된다. 즉, 증폭이 중앙보다 낮아져서 큰 증폭을 얻어 수신감도를 향상시킨다.
제1도는 일반적인 애벌런치 포토다이오드의 구조도,
제2도는 종래의 애벌런치 포토다이오드의 구조도,
제3도는 본 발명에 따른 애벌런치 포토다이오드의 구조도.
제4a도∼4e도는 본 발명에 따른 애벌런치 포토다이오드의 제조방법을 나타낸 도면,
제5도는 본 발명에 따른 애벌런치 포토다이오드의 완성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : n+-InP 기판 12 : n-InP 완충층(buffer layer)
13 : 도핑되지 않은(undoped)(n--type) InGaAs 광흡수층(absorption layer)
14 : 도핑되지 않은(n--type) InGaAsP 그레이딩층(grading layer)
15 : n-InP 증폭층 16 : 도핑되지 않은(n--type) InP
17 : 질화규소(silicon nitride) 표면 보호막
18 : Zn(또는 Cd)-확산된(diffused) p+-InP
19 : p 형 가드링(p-type guard ring) 21 : n+-InP 기판
22 : n-InP 완충층(buffer layer)
23 : 도핑되지 않은(undoped)(n--type) InGaAs 광흡수층(absorption layer)
24 : 도핑되지 않은(n--type) InGaAsP 그레이딩층(grading layer)
25 : n-InP 전기장 완충층(field buffer layer)
26 : undoped(n-type) InP 증폭층
27 : 질화규소(silicon nitride) 표면 보호막
28 : Zn(또는 Cd)-확산된(diffused) p+-InP
29 : p 형 가드링(p-type guard ring) 31 : n+-InP 기판
32 : n-InP 완충층(buffer layer)
33 : 도핑되지 않은(undoped)(n--type) InGaAs 광흡수층(absorption layer)
34 : 도핑되지 않은(n--type) InGaAsP 그레이딩층(grading layer)
35 : n-InP 전기장 완충층(field buffer layer)
36 : undoped(n-type) InP 증폭층
37 : 질화규소(silicon nitride) 표면 보호막
38 : Zn(또는 Cd)-확산된(diffused) p+-InP
39 : p 형 가드링(p-type guard ring)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들 중의 두가지를 상세히 설명한다.
APD는 n+-InP 기판(31), 그 위에 적층된 n-InP buffer층(32), 그 위에 0.5∼3.0 ㎛의 두께로 적층된 도핑하지 않은 n-InGaAS 광흡수층(33), 그 위에 한 층 또는 여러층의로 적층된 도핑하지 않은 n-InGaAsP 그레이딩층(34), 그 위에 전하밀도(두께×캐리어 농도)가 2∼3.0×1012㎝-2을 갖도록 적층된 n-InP 전기장 완층층(35), 그 위에 총두께 1.5∼4 ㎛로 적층된 도핑하지 않은 n-InP 증폭층(36), 증폭층의 상단 일부에 직경 20∼100 ㎛와 증폭층 폭(제3도에서 W) 0.1∼0.5 ㎛이 되도록 형성되고 가장자리 부분은 증폭층 폭(W)이 중앙보다 크도록(따라서 상층부에서부터 확산 깊이는 작도록) 형성된 n+-InP 확산층(38), 그 확산층 주위로 확산층과 전기적으로 분리되고 링 형태(ring shape)를 가지며 확산 층과 동일한 깊이를 갖도록 형성된 n+-InP 가드링(39), 그 위에 형성된 표면 보호층(37) 및 확산층 위에 형성된 p-면 전극 금속과 기판쪽에 형성된 n-면 전극으로 구성된다.
제4a도∼4e도는 본 발명에 따른 애벌런치 포토다이오드의 제조방법을 나타낸 도면이다. 제4a도∼4e를 참조하여 본 발명에 따른 애벌런치 포토다이오드의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
n+-InP 기판(31) 위에 n-InP 버퍼층(32), 0.5∼3.0 ㎛의 두께를 갖고 도핑하지 않은 n-InGaAs 광흡수층(33), 한 층 또는 여러 층의 도핑하지 않은 n-InGaAsP 그레이딩층(34), 그 위에 전하밀도(두께×캐리어 농도)가 2∼3.5×1012㎝-2을 갖도록 두께와 캐리어 농도가 조절된 n-InP 전기장 완층층(35), 그 위에 총 두께 1.5∼4 ㎛의 도핑하지 않은 n-InP 증폭층(36), 그 위에 InGaAs 또는 InGaAsP 확산 보조층을 유기금속증착법(MOCVD: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)으로 차례로 성장하고(제4a도), InGaAs(P)층을 n+-InP 확산층(38) 가장자리에 위치하도록 링(ring) 형태를 갖도록 남겨 두고 식각한다(제4b도). 이렇게 하는 이유는 확산층(38)의 가장자리 부분은 중앙부분보다 확산 깊이가 얕도록 하기 위함이며 따라서 InGaAs(P)층의 두께는 확산층(38)의 중앙부분과 가장자리 부분의 확산깊이 차이를 고려해서 결정된다. InGaAs(P) 확산 보조층 식각은 선택식각이 가능하므로 매우 쉽게 형성할 수 있다. 확산 보조층이 제조되면 그 위에 pnwjq합형성을 위한 Zn-확산을 위해 n-InP 증폭층(36) 상단 일부와 InGaAs(P) 확산 보조층 위에 직영 20∼100 ㎛의 창(구멍, window)과 그 둘레에 링 형태의 띠모양의 창(구멍, window)을 갖도록 패턴화된 질화 실리콘(SiNx) 확산 마스크를 형성하고(제4c도) Zn을 확산시킨다. Zn의 확산은 500∼550℃가 적당하다. 이렇게 하면 확산층의 가장자리의 상단에 여분의 InGaAs(P) 확산 보조층이 있으므로 소자내부의 확산 패턴은 확산층 중앙부와 링 부분은 깊게 확산되고 확산층의 가장자리 부분의 확산깊이는 상대적으로 얕아진다. 이렇게 하면 확산은 단 한 차례만 행하면 되고 소자가 높은 이득 × 대역폭을 갖도록 확산깊이를 정확하게 조절할 수 있다. 이 소자의 확산 마스크 및 확산 보조층을 제거한 후 상부에 전극접촉을 위한 창이 형성된 SiNx(37) 및 그 위에 형성된 p-금속, 기판쪽에 형성된 n-금속을 형성하면 소자 제조공정이 완료된다.
위에서는 전방입사 구조를 실시예로 들었으나 동일한 구조와 제조공정을 갖도록 하면서도 기판 쪽에서 광입사가 이루어지도록 변형하여 다른 실시예를 만들 수도 있다. 이 경우 기판쪽에 SiNx무반사막이 형성된다. 제조 방법상으로 InGaAs(P) 확산 보조층은 InP 기판에 성장되는 물질은 모두 가능하며 그 예로 InAlAs나 InP, InGaAlAs 등도 확산 보조층으로 사용할 수 있다. 또한 제4d도에서 Zn의 확산이 이루어진 후 확산 보조층 및 확산 마스크를 제거하지 않아도 소자구성 및 소자동작에 아무런 하자가 없기 때문에 공정의 편의상 제거하지 않아도 무방하다.
상술한 바와 같은 본 발명은 큰 증폭을 얻어 수신감도를 향상시키는 데에 큰 역할을 하며 중앙부의 증폭층의 폭(1a)을 얇게 만들 수 있다는 데에 그 효과가 있다. 또한, Zn의 확산을 한차례만 실시하면 되므로 종래의 방법(모두 2회)보다 매우 경제적이다. 특히 Zn 확산 깊이의 정확한 조절이 가능하므로 소자의 수율도 향상시킬 수 있다는 데에 또 다른 효과가 있다. 그리고, 확산층(38)의 가장자리 부분의 등전위선을 음의 곡률반경을 갖도록 제조할 수 있기 때문에 가드링을 하나만 제조하여도 충분하므로 소자의 유효면적을 줄일 수 있고 따라서 용량을 작게 할 수 있어 초고속 동작에 유리하다는 데에 또 다른 효과가 있다. 또한 한번의 확산 공정으로 가드링과 활성영역을 동시에 제조할 수 있고 증폭층 폭을 미세하게 조절할 수 있기 때문에 높은 이득-대역폭 곱을 갖는 소자를 제조할 수 있고, 재현성을 높일 수 있으며 제조공정을 간단화 할 수 있어 우수한 성능의 APD 소자를 대량 생산할 수 있다.

Claims (21)

  1. 기판, 상기 기판 위에 적층된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 적층된 도핑하지 않은 광흡수층, 상기 광흡수층 위에 한 층 또는 여러 층으로 적층된 그레이딩층, 상기 그레이딩층 위에 적층된 전기장 완층층, 상기 전기장 완층층 위에 적층된 도핑하지 않은 증폭층, 상기 증폭층의 상단 일부에 가장자리 부분이 중앙부분보다 확산깊이가 얕도록 구성되어 가장자리의 증폭층 폭이 중앙부분의 증폭층 폭보다 두껍도록 형성된 확산층, 상기 확산층 주위로 링 형태를 가지며 상기 확산층의 중앙부와 동일한 깊이를 갖도록 형성된 가드링, 상기 확산층 위에 형성된 p-금속전극, 및 기판쪽에 형성된 n-금속전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 n+-InP 기판인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전기장 완층층이 전하밀도가 2∼3.5×1012㎝-2을 갖는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 증폭층이 도핑하지 않은 n-InP인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 확산층이 상기 증폭층 폭이 0.1∼0.5 ㎛가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가드링이 상기 확산층과 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드.
  7. 기판 위에 버퍼층을 성장시키는 단계, 상기 버퍼층 위에 광흡수층을 도핑하지 않은 채로 성장시키는 단계, 상기 광흡수층 위에 그레이딩층을 한 층 또는 여러 층으로 성장시키는 단계, 상기 그레이딩층 위에 전기장 완층층을 성장시키는 단계, 상기 전기장 완층층 위에 증폭층을 도핑하지 않은 채로 성장시키는 단계, 상기 확산층 주위로 링 형태를 갖도록 남겨 두고 상기 확산 보조층을 에칭하는 단계, 상기 에칭한 위에 pn접합형성을 위하여 상기 증폭층 상단 일부와 상기 확산 보조층 위에 창을 형성하고 그 둘레에 띠모양의 창을 갖도록 패턴화된 확산 마스크를 형성하는 단계, 상기 증폭층의 상단 일부를 증폭층이 되도록 형성하는 단계, 및 상기 확산층 위에 p-금속전극을 형성하고, 상기 기판 쪽에 n-금속전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 애벌런치 푸토다이오드의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판이 n+-InP 기판인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 증폭층 형성단계에서 가장자리 부분은 상기 증폭층의 폭이 중앙보다 크도록 확산 보조층을 이용하여 가장자리에 확산 깊이가 중앙부분의 확산 깊이보다 얕게 되도록 확산시켜 상기 증폭층의 상단 일부를 증폭층이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 전기장 완층층이 전하밀도가 2∼3.5×1012㎝-2을 갖는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 증폭층이 도핑하지 않은 n-InP인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 확산층이 상기 증폭층 폭이 0.1∼0.5 ㎛가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 가드링이 상기 확산층과 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 확산 보조층이 InGaAs 또는 InGaAsP 또는 InAlAs 또는 InGaAlAs인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드 제조방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 확산 마스크가 질화실리콘인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  16. 제7항에 있어서, 상기 Zn의 확산 공정이 500∼550℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  17. 제7항에 있어서, Be을 이용하여 이온 임플랜테이션(ion implantation) 방법을 사용하여 pn접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  18. 제7항에 있어서, 확산을 위해 사용된 상기 확산 보조층 및 상기 확산 마스크를 확산공정이 끝난 후 제거하고 그 위에 표면 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  19. 제7항에 있어서, 확산을 위해 사용된 상기 확산 보조층 및 상기 확산 마스크를 확산 공정이 끝난 후 제거하지 않고 그 위에 표면 보호층을 덧붙영 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 표면 보호층이 질화실리콘인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
  21. 제7항에 있어서, 상기 확산 보조층이 상기 증폭층의 일보를 식각하여 만드는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법.
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