JPH11251678A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH11251678A JPH11251678A JP4757598A JP4757598A JPH11251678A JP H11251678 A JPH11251678 A JP H11251678A JP 4757598 A JP4757598 A JP 4757598A JP 4757598 A JP4757598 A JP 4757598A JP H11251678 A JPH11251678 A JP H11251678A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor laser
- ridge
- type
- cladding layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作電圧を維持しつつ、アスペクト比の小さ
な半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 活性層５の上方に、活性層への電流通路
となるリッジ部１０を備える半導体レーザ１において、
リッジ１０の主要部を第１の層（第２ｐ型クラッド層
８）とその上に位置する第２の層（第３ｐ型クラッド層
９）によって構成するとともに、前記第１の層８を第２
の層９よりもエッチングレートが高い層によって構成
し、リッジ部１０の上部の傾斜角度ｂよりもリッジの下
部の傾斜角度ａを大きく設定した。
な半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 活性層５の上方に、活性層への電流通路
となるリッジ部１０を備える半導体レーザ１において、
リッジ１０の主要部を第１の層（第２ｐ型クラッド層
８）とその上に位置する第２の層（第３ｐ型クラッド層
９）によって構成するとともに、前記第１の層８を第２
の層９よりもエッチングレートが高い層によって構成
し、リッジ部１０の上部の傾斜角度ｂよりもリッジの下
部の傾斜角度ａを大きく設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
源に好適な半導体レーザに関し、特に、電流通路を構成
するストライプ状のリッジ部を備える半導体レーザ及び
その製造方法に関する。
源に好適な半導体レーザに関し、特に、電流通路を構成
するストライプ状のリッジ部を備える半導体レーザ及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ストライプ状のリッジ部を備える
この種の半導体レーザは、例えば特開平６−２６０７１
６号公報等に示されるように、活性層の上に配置するク
ラッド層を順メサストライプ形状にエッチングすること
によって、電流通路（光導波路）を構成するストライプ
状のリッジ部を形成しているとともに、このリッジ部の
両側面を埋めるように電流ブロック層を形成している。
この種の半導体レーザは、例えば特開平６−２６０７１
６号公報等に示されるように、活性層の上に配置するク
ラッド層を順メサストライプ形状にエッチングすること
によって、電流通路（光導波路）を構成するストライプ
状のリッジ部を形成しているとともに、このリッジ部の
両側面を埋めるように電流ブロック層を形成している。
【０００３】ところで、半導体レーザを光ディスク等の
光源に用いる場合は、アスペクト比の小さいものが望ま
れている。アスペクト比を小さくするための一つの手法
として、前記リッジ部の幅を狭くすることが知られてい
るが、リッジ部の幅を狭くしようとすると、リッジ部の
上部の幅も狭くなる。リッジ部は、電流通路として機能
するので、リッジ部の幅が狭くなると、活性層へ流れる
電流が少なくなり、動作電圧が高なるという問題が生じ
る。
光源に用いる場合は、アスペクト比の小さいものが望ま
れている。アスペクト比を小さくするための一つの手法
として、前記リッジ部の幅を狭くすることが知られてい
るが、リッジ部の幅を狭くしようとすると、リッジ部の
上部の幅も狭くなる。リッジ部は、電流通路として機能
するので、リッジ部の幅が狭くなると、活性層へ流れる
電流が少なくなり、動作電圧が高なるという問題が生じ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、動作
電圧を維持しつつ、アスペクト比の小さな半導体レーザ
を提供することを課題とする。
電圧を維持しつつ、アスペクト比の小さな半導体レーザ
を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、活性層の上方に、活性層への電流通路となるリッジ
部を備える半導体レーザにおいて、前記リッジ部の主要
部を第１の層とその上に位置する第２の層によって構成
するとともに、前記第１の層を第２の層よりもエッチン
グレートが高い層によって構成し、リッジ部の上部の傾
斜角度よりもリッジの下部の傾斜角度を大きく設定した
ことを特徴とする。
は、活性層の上方に、活性層への電流通路となるリッジ
部を備える半導体レーザにおいて、前記リッジ部の主要
部を第１の層とその上に位置する第２の層によって構成
するとともに、前記第１の層を第２の層よりもエッチン
グレートが高い層によって構成し、リッジ部の上部の傾
斜角度よりもリッジの下部の傾斜角度を大きく設定した
ことを特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体レーザは、活性層の
上方に、リッジ部を有するＡｌＧａＩｎＰからなるクラ
ッド層を備えた半導体レーザにおいて、前記リッジ部の
主要部を第１の層と、その上に位置する第２の層によっ
て構成し、前記第１の層をＡｌ組成比率が前記第２の層
よりも大きい層によって構成したことを特徴とする。
上方に、リッジ部を有するＡｌＧａＩｎＰからなるクラ
ッド層を備えた半導体レーザにおいて、前記リッジ部の
主要部を第１の層と、その上に位置する第２の層によっ
て構成し、前記第１の層をＡｌ組成比率が前記第２の層
よりも大きい層によって構成したことを特徴とする。
【０００７】また、半導体レーザの製造方法は、活性層
の上方に、ＡｌＧａＩｎＰからなる第１クラッド層、Ａ
ｌＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッド
層、Ａｌ組成比率が前記第２クラッド層よりも小さいＡ
ｌＧａＩｎＰからなる第３クラッド層、キャップ層を順
次成長させる工程と、マスク形成後にＡｌ組成が高いほ
どエッチングレートが高い薬品で前記第２クラッド層と
第３クラッド層をエッチングしてリッジ部を形成する工
程を備えることを特徴とする。
の上方に、ＡｌＧａＩｎＰからなる第１クラッド層、Ａ
ｌＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッド
層、Ａｌ組成比率が前記第２クラッド層よりも小さいＡ
ｌＧａＩｎＰからなる第３クラッド層、キャップ層を順
次成長させる工程と、マスク形成後にＡｌ組成が高いほ
どエッチングレートが高い薬品で前記第２クラッド層と
第３クラッド層をエッチングしてリッジ部を形成する工
程を備えることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を、ダブルヘ
テロ構造を備えるＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ
１を例にとって図面を参照して説明する。
テロ構造を備えるＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ
１を例にとって図面を参照して説明する。
【０００９】図１は、赤色半導体レーザ１の断面図を示
している。この図において、２はｎ型ＧａＡｓからなる
半導体基板であり、この基板２の上にＧａＩｎＰからな
るバッファ層３、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
からなるｎ型クラッド層４、井戸層としてＧａＩｎＰを
備えるＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸型活性層５が順
次形成されている。活性層５の上には、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１のｐ型クラッド層
６、必要に応じてｐ型ＧａＩｎＰからなるストップ層７
が形成されており、この上の中央部には、リッジ部の第
１層を構成するｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２のｐ
型クラッド層８、リッジ部の第２層を構成するｐ型（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第３のｐ型クラッ
ド層９が形成されてストライプ状のリッジ部１０が形成
されている。第２のｐ型クラッド層８によって構成する
リッジ部１０の第１層の傾斜角度ａは、第３のｐ型クラ
ッド層９によって構成するリッジ部１０の第２層の傾斜
角度ｂより大きくなるように設定している。リッジ部１
０の上には、ｐ型ＧａＡｓ（あるいはｐ型ＧａＩｎＰを
介在したｐ型ＧａＡｓ）からなるキャップ層１１が形成
されている。
している。この図において、２はｎ型ＧａＡｓからなる
半導体基板であり、この基板２の上にＧａＩｎＰからな
るバッファ層３、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
からなるｎ型クラッド層４、井戸層としてＧａＩｎＰを
備えるＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸型活性層５が順
次形成されている。活性層５の上には、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１のｐ型クラッド層
６、必要に応じてｐ型ＧａＩｎＰからなるストップ層７
が形成されており、この上の中央部には、リッジ部の第
１層を構成するｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２のｐ
型クラッド層８、リッジ部の第２層を構成するｐ型（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第３のｐ型クラッ
ド層９が形成されてストライプ状のリッジ部１０が形成
されている。第２のｐ型クラッド層８によって構成する
リッジ部１０の第１層の傾斜角度ａは、第３のｐ型クラ
ッド層９によって構成するリッジ部１０の第２層の傾斜
角度ｂより大きくなるように設定している。リッジ部１
０の上には、ｐ型ＧａＡｓ（あるいはｐ型ＧａＩｎＰを
介在したｐ型ＧａＡｓ）からなるキャップ層１１が形成
されている。
【００１０】これらリッジ部１０並びにキャップ層１１
の両側面は、ｎ型ＧａＡｓからなるブロック層１２で埋
め込まれている。さらに、キャップ層１１及びブロック
層１２の上には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１
３が形成されており、コンタクト層１３の上面にはｐ型
電極１４が、基板２の下面にはｎ型電極１５が各々オー
ミック接触して形成されている。
の両側面は、ｎ型ＧａＡｓからなるブロック層１２で埋
め込まれている。さらに、キャップ層１１及びブロック
層１２の上には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１
３が形成されており、コンタクト層１３の上面にはｐ型
電極１４が、基板２の下面にはｎ型電極１５が各々オー
ミック接触して形成されている。
【００１１】次に、上記半導体レーザ１の製造方法を図
２〜３を参照して説明する。まず、基板２上に、例えば
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により、バッファ
層３（膜厚０．３μｍ）、ｎ型クラッド層４（膜厚０．
８μｍ）、活性層５（合計膜厚０．０３〜０．１μ
ｍ）、第１のｐ型クラッド層６（膜厚０．３μｍ）、ス
トップ層７（膜厚０．０２μｍ）、第２のｐ型クラッド
層８（膜厚０．３μｍ）、第３のｐ型クラッド層９（膜
厚０．５μｍ）、キャップ層１１（膜厚０．３μｍ）を
順次積層して形成する（図２（ａ）参照）。
２〜３を参照して説明する。まず、基板２上に、例えば
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により、バッファ
層３（膜厚０．３μｍ）、ｎ型クラッド層４（膜厚０．
８μｍ）、活性層５（合計膜厚０．０３〜０．１μ
ｍ）、第１のｐ型クラッド層６（膜厚０．３μｍ）、ス
トップ層７（膜厚０．０２μｍ）、第２のｐ型クラッド
層８（膜厚０．３μｍ）、第３のｐ型クラッド層９（膜
厚０．５μｍ）、キャップ層１１（膜厚０．３μｍ）を
順次積層して形成する（図２（ａ）参照）。
【００１２】次に、キャップ層１１上に電子ビーム蒸着
法やＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成し、それをパタ−
ニングしてストライプ状のマスク１６を形成する（図２
（ｂ）参照）。
法やＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成し、それをパタ−
ニングしてストライプ状のマスク１６を形成する（図２
（ｂ）参照）。
【００１３】次に、キャップ層１１をエッチングするた
めのエッチング液、例えば燐酸／過酸化水素系のエッチ
ング液を用いてマスク１６にて覆われていない部分のキ
ャップ層１１を除去した後、Ａｌ組成の高い程エッチン
グレートが高いエッチング液、例えば塩酸（ＨＣＬ）を
用いてマスク１６にて覆われていない部分の第３のｐ型
クラッド層９、第２のｐ型クラッド層８を除去してスト
ライプ状のリッジ部１０を形成する（図２（ｃ）参
照）。ここで、リッジ部１０の第１層を構成する第２の
ｐ型クラッド層８は、リッジ部１０の第２層を構成する
第３のｐ型クラッド層９よりもＡｌ組成が高いので、図
１に示すように、第２のｐ型クラッド層８の傾斜角度ａ
が第３のｐ型クラッド層９の傾斜角度ｂよりも大きくな
る。したがって、リッジ部１０を第３のｐ型クラッド層
９と同じ組成の層のみで構成していた従来構造に比べ
て、リッジ部１０の上部の幅を同じに保ったままリッジ
部１０の下部の幅を狭く設定することができる。
めのエッチング液、例えば燐酸／過酸化水素系のエッチ
ング液を用いてマスク１６にて覆われていない部分のキ
ャップ層１１を除去した後、Ａｌ組成の高い程エッチン
グレートが高いエッチング液、例えば塩酸（ＨＣＬ）を
用いてマスク１６にて覆われていない部分の第３のｐ型
クラッド層９、第２のｐ型クラッド層８を除去してスト
ライプ状のリッジ部１０を形成する（図２（ｃ）参
照）。ここで、リッジ部１０の第１層を構成する第２の
ｐ型クラッド層８は、リッジ部１０の第２層を構成する
第３のｐ型クラッド層９よりもＡｌ組成が高いので、図
１に示すように、第２のｐ型クラッド層８の傾斜角度ａ
が第３のｐ型クラッド層９の傾斜角度ｂよりも大きくな
る。したがって、リッジ部１０を第３のｐ型クラッド層
９と同じ組成の層のみで構成していた従来構造に比べ
て、リッジ部１０の上部の幅を同じに保ったままリッジ
部１０の下部の幅を狭く設定することができる。
【００１４】次に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓを
成長させてブロック層１２（膜厚１μｍ）を形成する
（図３（ａ）参照）。そして、マスク１６を除去した
後、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓを成長させてコン
タクト層１３を形成する（図３（ｂ）参照）。次に、コ
ンタクト層１３の上面にｐ型電極１４を、基板２の下面
にｎ型電極１５を蒸着法などによって各々形成するとと
もに、オーミック接触させる（図３（ｃ）参照）。
成長させてブロック層１２（膜厚１μｍ）を形成する
（図３（ａ）参照）。そして、マスク１６を除去した
後、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓを成長させてコン
タクト層１３を形成する（図３（ｂ）参照）。次に、コ
ンタクト層１３の上面にｐ型電極１４を、基板２の下面
にｎ型電極１５を蒸着法などによって各々形成するとと
もに、オーミック接触させる（図３（ｃ）参照）。
【００１５】このようにして半導体レーザ１が製造され
るが、リッジ部１０の上部の幅を従来と同じに保つので
動作電圧の上昇を招くことがなく、また、リッジ部１０
の下部の幅を従来に比べて狭くすることができ、レーザ
出射光の水平広がりを大きくした、すなわち、アスペク
ト比の小さな半導体レーザを提供することができる。
るが、リッジ部１０の上部の幅を従来と同じに保つので
動作電圧の上昇を招くことがなく、また、リッジ部１０
の下部の幅を従来に比べて狭くすることができ、レーザ
出射光の水平広がりを大きくした、すなわち、アスペク
ト比の小さな半導体レーザを提供することができる。
【００１６】尚、上記実施例は、リッジ部１０の第１層
をｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐによって構成した場合を示した
が、この層はリッジ部１０の第２層をエッチングする薬
品に対してリッジ部１０の第２層よりもエッチングレー
トが高いもので構成すればよく、例えば、第３のｐ型ク
ラッド層９よりもＡｌ組成比率が高いｐ型（Ａｌ0.8Ｇ
ａ0.2）0.5Ｉｎ0.5Ｐやｐ型（Ａｌ0.9Ｇａ0.1）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ等によって構成してもよい。
をｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐによって構成した場合を示した
が、この層はリッジ部１０の第２層をエッチングする薬
品に対してリッジ部１０の第２層よりもエッチングレー
トが高いもので構成すればよく、例えば、第３のｐ型ク
ラッド層９よりもＡｌ組成比率が高いｐ型（Ａｌ0.8Ｇ
ａ0.2）0.5Ｉｎ0.5Ｐやｐ型（Ａｌ0.9Ｇａ0.1）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ等によって構成してもよい。
【００１７】また、上記実施例では、第１のｐ型クラッ
ド層６の上にストップ層７を設けた場合を示している
が、第１のｐ型クラッド層６と第２のｐ型クラッド層８
はＡｌ組成比率が相違し、第１のｐ型クラッド層６のエ
ッチングレートが第２のｐ型クラッド層８よりも低いの
で、この第１のｐ型クラッド層６をエッチングストップ
層として機能させることにより、光吸収性のｐ型ＧａＩ
ｎＰからなるストップ層７を不必要にすることができ
る。このように、第１のｐ型クラッド層６の上に直接第
２のｐ型クラッド層８を形成すれば、光取出効率を高め
ることができる。
ド層６の上にストップ層７を設けた場合を示している
が、第１のｐ型クラッド層６と第２のｐ型クラッド層８
はＡｌ組成比率が相違し、第１のｐ型クラッド層６のエ
ッチングレートが第２のｐ型クラッド層８よりも低いの
で、この第１のｐ型クラッド層６をエッチングストップ
層として機能させることにより、光吸収性のｐ型ＧａＩ
ｎＰからなるストップ層７を不必要にすることができ
る。このように、第１のｐ型クラッド層６の上に直接第
２のｐ型クラッド層８を形成すれば、光取出効率を高め
ることができる。
【００１８】また、上記実施例は、ダブルヘテロ構造を
備えるＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザを例にとっ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、他の構造の半導体レーザにも適用することができ
る。
備えるＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザを例にとっ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、他の構造の半導体レーザにも適用することができ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、動作電圧
の上昇を招くことなしに、レーザ出射光の水平広がりを
大きくすることができ、アスペクト比が小さく、光ディ
スクの光源として最適な半導体レーザを提供することが
できる。
の上昇を招くことなしに、レーザ出射光の水平広がりを
大きくすることができ、アスペクト比が小さく、光ディ
スクの光源として最適な半導体レーザを提供することが
できる。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体レーザの模式
的な断面図である。
的な断面図である。
【図２】同実施例の半導体レーザの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図３】同実施例の半導体レーザの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
１ 半導体レーザ ２ 基板 ３ バッファ層 ４ ｎ型クラッド層 ５ 活性層 ６ 第１ｐ型クラッド層 ８ 第２ｐ型クラッド層 ９ 第３ｐ型クラッド層 １０ リッジ部 １１ キャップ層 １２ ブロック層 １３ コンタクト層
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層の上方に、活性層への電流通路と
なるリッジ部を備える半導体レーザにおいて、前記リッ
ジ部の主要部を第１の層とその上に位置する第２の層に
よって構成するとともに、前記第１の層を第２の層より
もエッチングレートが高い層によって構成し、リッジ部
の上部の傾斜角度よりもリッジ部の下部の傾斜角度を大
きく設定したことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 活性層の上方に、リッジ部を有するＡｌ
ＧａＩｎＰからなるクラッド層を備えた半導体レーザに
おいて、前記リッジ部の主要部を第１の層と、その上に
位置する第２の層によって構成し、前記第１の層をＡｌ
組成比率が前記第２の層よりも大きい層によって構成し
たことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層の上方に、ＡｌＧａＩｎＰからな
る第１クラッド層、ＡｌＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ
からなる第２クラッド層、Ａｌ組成比率が前記第２クラ
ッド層よりも小さいＡｌＧａＩｎＰからなる第３クラッ
ド層、キャップ層を順次成長させる工程と、マスク形成
後にＡｌ組成が高いほどエッチングレートが高い薬品で
前記第２クラッド層と第３クラッド層をエッチングして
リッジ部を形成する工程を備えることを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4757598A JPH11251678A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4757598A JPH11251678A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251678A true JPH11251678A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12779055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4757598A Pending JPH11251678A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124952A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Sony Corporation | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2006295072A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2007329231A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4757598A patent/JPH11251678A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124952A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Sony Corporation | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JPWO2005124952A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2008-07-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US7532655B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-05-12 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and method of producing the same |
| KR101145965B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2012-05-15 | 소니 주식회사 | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2006295072A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2007329231A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |