KR100895056B1 - 반도체 레이저장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 레이저장치의 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 지장 없이 형성할 수 있고, 또한 상부 클래드층측으로의 광 분포의 확장을 억제 없이 방지할 수 있는 수단을 제공한다. 반도체 레이저장치에 있어서는, n-GaAs 기판(1) 상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 클래드층(4)과, 단층의 p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)과, 스트라이프형의 볼록부(6)를 구비한 p-AlGaInP 제2 클래드층(7)과, p-GaAs 콘택층(8)이 적층되어 있다. p-AlGaInP 제2 클래드층(7)의 스트라이프형의 볼록부(6) 이외의 부분은, 절연막(9)에 의해 덮어져 있다. p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)의 굴절률은 각 클래드층(2, 4, 7)의 굴절률과 거의 같게 되어 있다.
반도체, 레이저, 클래드층, 콘택층, 발광효율, 굴절률, 전극, 절연막

Description

반도체 레이저장치{SEMICONDUCTOR LASER DEVICE}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치의 사시도이고, 그 일부는 절단되어 있다.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 레이저장치의 수직면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치의 수직면 단면도이다.
도 4는 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치 내에서의 에너지준위 내지 밴드갭 에너지의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 5는 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치 내에서의 광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 6은 ESL을 구비한 종래의 반도체 레이저장치 내에서의 에너지준위 내지 밴드갭 에너지의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 7은 ESL을 구비한 반도체 레이저장치 내에서의 광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 8은 ESL을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치 내에서의 에너지 준위 내지 밴드갭 에너지의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 9는 ESL을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치 내에서의 광 분 포를 나타내는 그래프이다.
도 10은 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치(AlGaAs-ESL), ESL을 구비한 종래의 반도체 레이저장치(AlGaInP/GaInP-ESL) 및 ESL을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치(ESL 없음)에서의, 광출력과 입력전류와의 관계(P-I 특성)를 나타내는 그래프이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : n-GaAs 기판 2 : n-AlGaInP 클래드층
3 : AlGaInP:/GaInPMQW 활성층 4 : AlGaInP 제1 클래드층
5 : p-AlxGa1 - xAs-ESL 6 : 스트라이프형의 볼록부
7 : p-AlGaInP 제2 클래드층 8 : p-GaAs 콘택층
9 : 절연막 10 : p-전극
11 : 반도체 레이저 단면 근방에 설정된 단면창영역
12 : 레이저광 13 : p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층
14 : n-전극
본 발명은, 광디스크 시스템이나 광통신 시스템 등에 이용되는 반도체 레이 저장치에 관한 것이다.
pn 접합부를 갖는 화합물 반도체 중에서의 전자천이에 의해 레이저광을 방사하도록 한 반도체 레이저장치는, 고체 레이저장치나 기체 레이저장치에 비해 구동전압이 낮고, 또한 소형·경량이기 때문에, 광디스크 시스템이나 광통신 시스템 등의 레이저광원으로서 널리 사용되고 있다.
이러한 반도체 레이저장치는, 예를 들면, n형(이하, 「n-」라 한다. ) GaAs로 이루어지는 기판 상에, 순서대로, n-AlGaInP로 이루어지는 하부 클래드층과, 다중양자우물구조를 갖는 활성층과, p형(이하, 「p-」라 한다. ) AlGaInP로 이루어지는 제1 상부 클래드층과, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 다중양자우물구조의 에칭스톱층과, p-AlGaInP로 이루어져 스트라이프형의 볼록부를 갖는 제2 상부 클래드층과, p-GaAs로 이루어지는 콘택층과, p-전극이 적층된 구조를 가지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이때, 제2 상부 클래드층의 상면은, 스트라이프형의 볼록부 이외의 부분에서는 절연막에 의해 덮어져 있다.
[특허문헌 1]
일본특허공개평 10-125995호 공보(단락[0016], 도 1
그런데, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 종래의 반도체 레이저장치에서는, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 다중양자우물구조의 에칭스톱층이 설치되어 있기 때문에, 발광효율이 낮아진다고 했던 문제가 있다. 본원 발명자 등의 지견에 의하 면, 이러한 에칭스톱층을 설치한 경우는, 이것을 설치하지 않은 경우에 비해, 발광효율이 약 7% 저하하는 것으로 추찰된다(후술한 도 10 참조).
이것은, 이러한 에칭스톱층을 설치하면, 활성층에 집중해야 할 광분포가 상부 클래드층측으로 넓어지고(후술한 도 7 참조), 콘택층 등으로 광흡수가 생기기 때문이다. 그러나, 에칭스톱층을 설치하지 않으면, 제2 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 형성하기 위한 선택에칭을 적절히 행할 수 없다고 했던 문제가 생긴다.
일반적으로, p-GaAs로 이루어지는 콘택층에서의 광흡수는, p-AlGaInP로 이루어지는 제2 상부 클래드층을 두껍게 하여 광분포가 콘택층까지 도달하지 않도록 하면, 방지 없이 억제할 수 있다. 그러나, 스트라이프형의 볼록부를 갖는 p-AlGaInP로 이루어지는 제2 상부 클래드층과 그 양측의 층과의 굴절률차에 의해 레이저광을 가두도록 한 도파로 기구를 갖는 인덱스 가이드 레이저에 있어서, 저항률이 높은 재료로 이루어지는 클래드층을 사용하는 경우는, 스트라이프형의 볼록부의 저항이 높아져, 고출력시의 출력특성이나 온도특성이 악화한다고 했던 문제가 생긴다.
본 발명은 상기 종래의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 반도체 레이저장치의 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 지장 없이 형성할 수 있고, 또한 상부 클래드층측으로의 광분포의 확장을 억제 없이 방지할 수 있어, 나아가서는 콘택층 등으로의 광의 흡출 내지 광흡수를 감소할 수 있는 수단을 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 본 발명에 관한 반도체 레이저장치는, 활성층과, 활성층의 하측에 위치하는 하부 클래드층과, 활성층의 상측에 위치하는 제1 상부 클래드층과, 제1 상부 클래드층에 접하는 제2 상부 클래드층과, 제1 상부 클래드층에 도달할 때까지 제2 상부 클래드층의 일부가 제거되어 형성되어진 스트라이프형의 볼록부를 갖고, 상기 볼록부의 아래쪽에 스트라이프형의 광도파로가 형성되어 있는 반도체 레이저장치에 있어서, 제2 상부 클래드층은, 제1 상부 클래드층의 재료와는 다른 원소를 포함하는 재료로 형성되고, 제1 상부 클래드층의 굴절률의 95 ∼ 105 %의 범위내의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 한다.
[발명의 실시예]
이하, 첨부한 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다
(실시예 1)
도 1은, 본 발명의 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치의 사시도이다. 또한, 도 2는, 도 1에 나타내는 반도체 레이저장치의, 광도파로 근방부의 수직면 단면도이다.
도 1과 도 2에 나타내는 바와 같이, 반도체 레이저장치에 있어서는, 실질적으로 n-GaAs로 이루어지는 기판(1)(이하 「n-GaAs 기판(1)」이라 한다. ) 상에, 순 서대로, 실질적으로 n-AlGaInP로 이루어지는 하부 클래드층(2)(이하 「n-AlGaInP 클래드층(2)」이라 한다. )과, 실질적으로 AlGaInP와 GaInP로 이루어져 다중양자우물(이하 「MQW」이라 한다. ) 구조를 갖는 활성층(3)(이하 「AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)」이라 한다.)과, 실질적으로 p-AlGaInP로 이루어지는 제1 상부 클래드층(4)(이하 「p-AlGaInP 제1 클래드층(4)」이라 한다.)과, 실질적으로 p-AlxGa1 - xAs(x는, 0∼1의 범위 내의 Al 조성비)로 이루어지는 단층의 에칭스톱층(5)(이하 「p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)」이라 한다. )과, 실질적으로 p-AlCaInP로 이루어져 스트라이프형의 볼록부(6)를 구비한 제2 상부 클래드층(7)(이하 「p-AlGaInP 제2 클래드층(7)」이라 한다. )과, 실질적으로 p-GaAs로 이루어지는 콘택층(8)(이하 「p-GaAs 콘택층(8)」이라 한다.)이 적층되어 있다.
여기서, p-AlGaInP 제2 클래드층(7)의 스트라이프형의 볼록부(6) 이외의 부분은, 절연막(9)에 의해 덮어져 있다. 그리고, p-GaAs 콘택층(8) 및 절연막(9) 상에는, p-전극(10)이 설치되어 있다. 또한, n-GaAs 기판(1)의 하면에는 n-전극(14)이 설치되어 있다. 이때, 반도체 레이저장치의 단면 근방부에는 단면창영역(11)이 형성되어 있다.
이 반도체 레이저장치에서는, p-전극(10)과 n-전극(14)과의 사이에 전압이 인가되어 p-전극(10)으로부터 n-전극(14)으로 향하여 임계치 이상의 전류가 흐르면, 스트라이프형의 볼록부(6)의 아래쪽에서 AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3) 부근에서 레이저 발진이 생겨, 레이저광(12)이 생성된다. 이 레이저광(12)은, 스트라이프형 의 볼록부(6)의 아래쪽에서 AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)부근에 형성된 스트라이프형의 광도파로를 통해, 단면창영역(11)으로부터 외부로 방사된다.
이 반도체 레이저장치에서는, 단층의 p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)은, 각 클래드층(2, 4, 7)의 재료(AlGaInP)와는 다른 재료로 형성되어 있지만, 그 굴절률은 각 클래드층(2, 4, 7)의 굴절률과 거의 같게 되어 있다. 본원 발명자 등의 지견에 의하면, p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)의 Al 조성비 x를 0.45 이상 0.9 이하로 하면, p-AlxGa1-xAs의 굴절률은, p-AlGaInP 또는 n-AlGaInP의 굴절률과 거의 같게 된다. 그래서, 이 반도체 레이저장치에서는, p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)의 Al 조성비 x를 0.7로 설정하고 있다.
이 반도체 레이저장치에서의 각 층 3, 4, 5, 7의 굴절률 n은, 다음과 같다.
AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3) : n=3.65(웰층)
p-AlGaInP 제1 클래드층(4) : n=3.39
p-AlxGa1 - xAs-ESL(5) : n=3.38(x=0.7)
p-AlGaInP 제2 클래드층(7) : n=3.39
이때, 종래의 반도체 레이저장치에서의, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 MQW 구조의 에칭스톱층에서는, 그 굴절률 n은 활성층과 거의 같은 3.65 정도이다.
도 4와 도 5에, 각각, 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치에서 p-AlxGa1 -xAs-ESL(5)의 Al 조성비 x를 0.7로 하여 층두께를 20nm로 한 경우에서의, 반도체 레이저장치 내의 에너지 준위 내지 밴드갭 에너지의 분포(밴드구조)와, 반도체 레이저 장치 내의 레이저광의 광분포를 나타낸다(계산결과).
비교를 위해, 도 6과 도 7에, 각각, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 MQW 구조의 에칭스톱층을 구비한 반도체 레이저장치에서의, 반도체 레이저장치 내의 에너지준위 내지 밴드갭 에너지의 분포와, 반도체 레이저장치 내의 레이저광의 광분포를 나타낸다(계산결과).
이때, 참고를 위해, 도 8과 도 9에, 각각, 에칭스톱층을 구비하고 있지 않은 반도체 레이저장치에서의, 반도체 레이저장치 내의 에너지준위 내지 밴드갭 에너지의 분포와, 반도체 레이저장치 내의 레이저광의 광분포를 나타낸다(계산결과).
또한, 도 10에, 실시예 1에서의 반도체 레이저장치(AlGaAs-ESL)와, 에칭스톱층을 구비한 상기 종래의 반도체 레이저장치(AlGaInP/GaInP-ESL)와, 에칭스톱층을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치(ESL 없음)에서의, 광출력과 입력전류와의 관계(P-I 특성)를 나타낸다(계산결과).
도 6 및 도 7에서 명백해지는 바와 같이, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 MQW 구조의 에칭스톱층을 구비한 종래의 반도체 레이저장치에서는, 광분포는 상부 클래드층측으로 넓어져 있다. 이것에 비해, 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치에서는, 도 4 및 도 5에서 명백해지는 바와 같이, 광분포의 상부 클래드층측으로의 확장은 거의 없고, 에칭스톱층을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치인 경우(도 8, 도 9 참조)와 동일하다.
또한, 도 10에서 명백해지는 바와 같이, 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치의 발광효율은, 에칭스톱층을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치인 경 우와 동일하고, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 MQW 구조의 에칭스톱층을 구비한 종래의 반도체 레이저장치인 경우에 비해 약 7% 양호하다. 따라서, 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치는, 그 고출력화(하이 파워) 및 고효율화에 유리하다.
이때, 실시예 1에 관한 반도체 레이저장치에 대한 상기 계산결과는, p-AlxGa1-xAs-ESL(5)의 Al 조성비 x를 0.7로 한 경우에 대한 것이지만, Al 조성비 x를 0.45(n=3.57 정도)∼0.9(n=3.24 정도)의 범위 내에 설정하면, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이하, 이 반도체 레이저장치의 제조방법을 설명한다. 이 반도체 레이저장치의 제조공정에서는, 우선, MOCVD법 등의 결정성장법에 의해, n-GaAs 기판(1)상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 제1 클래드층(4)과, p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)과, p-AlGaInP 제2 클래드층(7)과, p-GaAs 콘택층(8)을 형성한다. 다음에, 반도체 레이저장치의 단면 근방에, Zn 확산에 의해 AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)을 무질서화함으로써 단면창영역(11)을 형성한다. 그리고, 레지스트나 절연막 등으로 이루어져 소정의 패턴을 구비한 마스크를 사용하여, p-AlGaInP 제2 클래드층(7)을 선택적으로 에칭함으로써, 스트라이프형의 볼록부(6)를 형성한다.
여기서, 예를 들면, 황산계나 염산계 등의 에천트를 사용하여, p-AlGaInP 제2 클래드층(7)을 선택적으로 에칭한다. 이 에칭은, p-AlxGa1 - xAs-ESL(5)에 도달하면 정지한다. 다음에, 질화막 등의 절연막(9)을 형성한다. 더욱이, 사진제판과 에칭에 의해, 스트라이프형의 볼록부(6) 상의 절연막(9)을 제거하여 개구부를 형성한다. 이후, 금 등으로 구성되는 p-전극(10) 및 n-전극(14)을 형성한다. 이것에 의해, 반도체 레이저장치가 완성된다.
(실시예 2)
이하, 본 발명의 실시예 2를 설명한다.
도 3은, 본 발명의 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치의 광도파로 근방부의 수직면 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 이 반도체 레이저장치에 있어서는, n-GaAs 기판(1) 상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 제1 클래드층(4)과, 실질적으로 p-AlxGa1-xAs(x는, 0∼1의 범위 내의 Al 조성비)로 이루어지는 스트라이프형의 볼록부(6)를 구비한 제2 상부 클래드층(13)(이하 「p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)」이라 한다. )과, p-GaAs 콘택층(8)이 적층되어 있다.
여기서, p-AlxGa1-xAs 제2 클래드층(13)의 스트라이프형의 볼록부(6) 이외의 부분은, 절연막(9)에 의해 덮어져 있다. 그리고, p-CaAs 콘택층(8) 및 절연막(9) 상에는, p-전극(10)이 설치되어 있다. 이때, 도시하고 있지 않지만, n-GaAs 기판(1)의 하면에는 n-전극이 설치되고, 또한 반도체 레이저의 단면 근방에는 단면창영역이 형성되어 있다(도 1 참조).
이 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치에서도, 상기한 실시예 1에 관한 반도 체 레이저장치인 경우와 동일하게, p-전극(10)과 n-전극과의 사이에 전압이 인가되어 p-전극(10)으로부터 n-전극으로 향하여 임계치 이상의 전류가 흐르면, 레이저광이, 스트라이프형의 볼록부(6)의 아래쪽에서 AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3) 부근에 형성된 스트라이프형의 광도파로를 통해, 단면창영역으로부터 외부로 방사된다.
이 반도체 레이저장치에서는, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)은 p-AlGaInP 제1 클래드층(4)과는 다른 재료로 형성되어 있지만, 그 굴절률은 p-AlGaInP 제1 클래드층(4)의 굴절률과 거의 같게 되어 있다. 실시예 1인 경우와 동일한 이유에 의해, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)의 Al 조성비 x를 0.45 이상 0.9이하로 하면, p-AlxGa1 - xAs의 굴절률은 p-AlGaInP 또는 n-AlGaInP의 굴절률과 거의 같게 된다. 그래서, 이 반도체 레이저장치에서는, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)의 Al 조성비 x를 0.7로 설정하고 있다.
이 반도체 레이저장치에서의 각 층 3, 4, 13의 굴절률 n은, 다음과 같다.
AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3) : n=3.65(웰층)
p-AlGaInP 제1 클래드층(4) : n=3.39
p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13) : n=3.38(x=0.7)
이 반도체 레이저장치에서는, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)이, 예를 들면 실시예 1인 경우와 같은 보통의 p-AlGaInP 제2 클래드층(7)(n=3.39)과 동일한 정도의 굴절률이기 때문에, 반도체 레이저장치 내에서의 광분포는, 에칭스톱층을 구비 하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치인 경우(도 8, 도 9 참조)와 동일한 정도가 된다. 따라서, 그 발광효율도, 에칭스톱층을 구비하고 있지 않은 보통의 반도체 레이저장치인 경우(도 10 참조)와 동일하게 양호해져, p-AlGaInP와 GaInP로 이루어지는 MQW 구조의 에칭스톱층을 구비한 종래의 반도체 레이저장치인 경우에 비해 약 7% 양호해지는 것이 추찰된다. 따라서, 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치는, 그 고출력화 및 고효율화에 유리하다.
더욱이, 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치에서는, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)의 재료인 p-AlxGa1 - xAs는, 종래의 반도체 레이저장치의 상부 클래드층의 재료인 p-AlGaInP에 비해 캐리어 농도를 높게 하는 것이 용이하다. 이 때문에, 캐리어농도를 높임으로써, p-AlxGaA1 - xAs 제2 클래드층(13)의 스트라이프형의 볼록부(6)의 저항을 작게 할 수 있어, 고온시나 고출력시의 출력특성을 높일 수 있다. 이때, 실시예 2에서는, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)의 Al 조성비 x를 0.7로 하고 있지만, Al 조성비 x를 0.45(n=3.57 정도)∼0.9(n=3.24 정도)의 범위 내에 설정하면, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이하, 실시예 2에 관한 반도체 레이저장치의 제조방법을 설명한다. 이 반도체 레이저장치의 제조공정에서는, 우선, MOCVD법 등의 결정성장법에 의해, n-GaAs 기판(1) 상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 제1 클래드층(4)과, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)과, p-GaAs 콘택 층(8)을 형성한다. 다음에, 반도체 레이저장치의 단면 근방에, Zn 확산에 의해 AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)을 무질서화함으로써 단면창영역(도 1 참조)을 형성한다. 그리고, 레지스트나 절연막 등으로 이루어져 소정의 패턴을 구비한 마스크를 사용하여, p-AlxGa1 - xAs 제2 클래드층(13)을 선택적으로 에칭함으로써, 스트라이프형의 볼록부(6)를 형성한다.
여기서, 예를 들면, 플루오르화수소산계 등의 에천트를 사용하여, p-AlxGa1-xAs 제2 클래드층(13)을 선택적으로 에칭한다. 이 에칭은, p-AlGaInP 제1 클래드층(4)에 도달하면 거의 정지한다. 다음에 질화막 등의 절연막(9)을 형성한다. 더욱이, 사진제판과 에칭에 의해, 스트라이프형의 볼록부(6)의 상부 절연막(9)을 제거하여 개구부를 형성한다. 이후, 금 등으로 구성되는 p-전극(10) 및 n-전극(도 1 참조)을 형성한다. 이것에 의해, 반도체 레이저장치가 완성된다.
본 발명에 관한 반도체 레이저장치에 의하면, 단층의 에칭스톱층이 각 클래드층의 재료와는 다른 재료로 형성되고, 또한 클래드층의 굴절률과 거의 같은 굴절률을 가지므로, 제2 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 지장 없이 형성할 수 있으며, 또한 상부 클래드층측에의 광분포의 확장을 억제 없이 방지하여, GaAs 콘택층 등으로의 광의 흡출 내지 광흡수를 감소할 수 있다.

Claims (1)

  1. 활성층과,
    활성층의 하측에 위치하는 하부 클래드층과,
    활성층의 상측에 위치하는 제1 상부 클래드층과,
    제1 상부 클래드층에 접하는 제2 상부 클래드층과,
    제1 상부 클래드층에 도달할 때까지 제2 상부 클래드층의 일부가 제거되어 형성되어진 스트라이프형의 볼록부를 갖고,
    상기 볼록부의 아래쪽에 스트라이프형의 광도파로가 형성되어 있는 반도체 레이저장치에 있어서,
    제2 상부 클래드층은, 제1 상부 클래드층의 재료와는 다른 원소를 포함하는 재료로 형성되고,
    제1 상부 클래드층의 굴절률의 95 ∼ 105 %의 범위내의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저장치.
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