JPH0936479A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低しきい値電流のInP/AlInAs/AlInAsP系のレ
ーザを提供する。 【構成】 n型InP基板1上にn型AlGaInAs光導波路層2、I
n0.7Ga0.3As井戸層及びInPに格子整合したAlGaInAs障壁
層で構成される多重量子井戸活性層3、p型AlGaInAs光導
波路層4、p型AlInAsクラッド層5、p型InGaAsPエッチン
グストップ層10が形成されており、p型InGaAsP10上にn
型InP電流ブロック層6が形成されており、中央部にはn
型InP電流ブロック層6が存在していない開口領域がスト
ライプ状に形成されている。p型AlInAsクラッド層5とp
型AlInAs埋め込み層9の間に設けられたn型InP層6は電流
ブロック層として作用し、InP層6が設けられていないメ
サ部分以外に流れる発光に寄与しない無効電流を低減す
る。また、InPはAlInAsよりも屈折率が低いため、レー
ザ共振器内を伝搬する光は電流が注入されるメサ部に閉
じ込められ、単峯性の光強度分布が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光通信の光源に適した半
導体レーザおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信用の半導体レーザの材料と
してはInPを基板とした、InP/InGaAsP/InGaAs系が一般
的であった。この理由は光ファイバの低損失波長が1.31
μm及び1.55μmであり、InP/InGaAsP/InGaAs系がこれら
の波長に適合しているためである。

【０００３】しかしながら、この材料系では図７(a)に
示す様にInPとInGaAsPのダブルヘテロ構造において伝導
帯のバンドオフセット（ΔEc）と価電子帯のバンドオフ
セット（ΔEv）の比が約4:6であり、伝導帯の方が小さ
い。更に電子の質量は正孔の質量と比較して重いため、
電子が活性層（InGaAsP）からクラッド層（InP）へ熱放
出しやすい。

【０００４】このように熱放出した電子は発光再結合に
寄与せず、無効電流となり、しきい値電流の上昇、光出
力低下などのレーザ特性の劣化をまねく。この様な現象
は特にレーザを高温で動作した場合において顕著であ
り、InP/InGaAsP/InGaAs系のレーザでは問題となってい
た。

【０００５】この様な問題を解決するために、同様にIn
Pを基板とした、InP/AlInAs/AlInAsP系のレーザが提案
された。この材料系はInP/InGaAsP/InGaAs系と同様にIn
Pに格子整合し、1.31μm及び1.55μmの波長帯域をカバ
ーすることが可能である。この材料系の特徴は図７(b)
の様にAlInAsとAlInAsPのダブルヘテロ構造において伝
導帯のバンドオフセット（ΔEc）と価電子帯のバンドオ
フセット（ΔEv）の比が約7:3であり活性層からクラッ
ド層への電子の熱放出が生じにくい。このため、優れた
高温動作特性が期待できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、InP/
AlInAs/AlInAsP系では優れた高温動作特性が期待できる
が、InP/InGaAsP/InGaAs系と比較して、しきい値電流が
高いのが現状である。InP/InGaAsP/InGaAs系では活性層
および光導波路層をエッチングにより1μm程度の幅のス
トライプに加工し、その両脇をp型-n型-p型のInPで埋め
込むことにより、活性層に効率良く電流を注入する構
造、いわゆる埋め込みレーザ構造を採用しているが、In
P/AlInAs/AlInAsP系では活性層近傍の光導波路層にAlを
含むため、エッチング後に酸化されやすく、良好な埋め
込み成長が困難であり、埋め込みレーザ構造を採用する
ことが出来ない。

【０００７】このため、InP/AlInAs/AlInAsP系では活性
層をエッチングしない、図８に示す様なInGaAs/AlGaInA
s MQW活性層92を有するいわゆるリッジレーザが一般的
である。この構造では電流を注入する部分にInPクラッ
ド層85を設け、メサ構造にすることにより電流注入部の
等価屈折率を注入しない部分よりも高い、いわゆる屈折
率導波路構造とし、電流注入部に基本横モード光のみを
導波させている。この場合、InPクラッド層85のメサ幅
を1μm程度に狭くすると、低しきい値化が図れるが、メ
サ上にp型電極87を形成をする必要があり、実際は3μm
以上とせざるをえない。このため、InP/AlInAs/AlInAsP
系のリッジレーザではInP/AlInAs/AlInAsP系の埋め込み
レーザよりも低しきい値電流特性が実現されていない。

【０００８】本発明は、低しきい値電流特性を有するIn
P/AlInAs/AlInAsP系の埋め込みレーザおよびその作製方
法を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前述したように、InP/Al
InAs/AlInAsP系では活性層および光導波路層のエッチン
グ後の再成長は非常に困難である。しかしながら、前述
したようなメサ構造を活性層上のAlInAsクラッド層に形
成したのち、メサ以外の部分をAlInAsクラッド層と逆の
伝導型でAlInAsクラッド層よりも低屈折率な材料、例え
ばInPで埋め込み、更に全面をAlInAsクラッド層と同伝
導型のInPで埋め込むことにより、屈折率導波路構造と
することが出来、更には、メサ上に電極形成をする必要
が無いため、メサの幅を1μm程度に狭くすることが可能
となる。

【００１０】ここで、AlInAsクラッド層と逆の伝導型の
InPが電流ブロック層として作用し、活性層に効率良く
電流が注入される。また、平坦なAlInAsクラッド層上に
AlInAsクラッド層と逆の伝導型の低屈折率な材料、例え
ばInPを平坦に堆積し、1μm程度の幅でInPをAlInAsクラ
ッド層が露出するまでエッチングし、その後、AlInAs埋
め込み層を全面に堆積することにより、屈折率導波路構
造とすることが出来、更には、電流注入領域の幅を1μm
程度にすることが可能である。また、ここで、平坦なAl
InAsクラッド層と低屈折率な材料の間にエッチングスト
ップ層を設けることにより、低屈折率な材料をエッチン
グする際に電流注入領域の幅の制御が容易になる。ま
た、AlInAsクラッド層が大気中にさらされないため、良
好な結晶性を有するAlInAs埋め込み層の再成長が可能と
なる。

【００１１】

【作用】本発明の作用を図１から図６を用いて説明す
る。

【００１２】図１に示す半導体レーザ装置において、p
型AlInAsクラッド層5の厚さが中央部で厚いメサ形状に
なっており、メサ以外の部分の上にn型InP層6、更にn型
InP層6及びp型AlInAsクラッド層5のメサ上部にp型InP層
7が形成されている。n型InP層6は電流ブロック層として
作用し、電流はメサ部から活性層3に注入される。

【００１３】また、InPはAlInAsよりも屈折率が低いた
めメサ部の屈折率はメサ以外の部分の屈折率よりも高く
なり、レーザ共振器内を伝搬する光は電流が注入される
メサ部に閉じ込められ、単峯性の光強度分布が得られ
る。

【００１４】図２、図３に示す半導体レーザ装置におい
て、p型AlInAsクラッド層5とp型AlInAs埋め込み層9の間
に設けられた、n型InP層6は電流ブロック層として作用
し、InP層6が設けられていないメサ部分以外に流れる発
光に寄与しない無効電流を低減する。また、InPはAlInA
sよりも屈折率が低いため、レーザ共振器内を伝搬する
光は電流が注入されるメサ部に閉じ込められ、単峯性の
光強度分布が得られる。

【００１５】また、本発明では、電流が注入されるメサ
部の幅を1μm程度とすることが可能であり、低しきい値
電流特性が実現可能である。

【００１６】また、図２及び図３においてn型InP層6は
電流注入部において逆テーパー状になっており、注入電
流の横方法への広がりを防ぐ役割を果たしており、活性
領域に効率よく電流を供給する。

【００１７】また、図３においてp型InGaAsPエッチング
ストップ層10はInP及びAlInAsよりもバンドギャップエ
ネルギーが小さく設定されており、高温動作時において
p型AlInAs埋め込み層9を越えてn型InP層6に注入される
キャリアをp型IInGaAsPエッチングストップ層10におい
て再結合させ、p型AlInAsクラッド層5に拡散しないよう
にし、無効電流を生じさせない作用をする。

【００１８】図５に示す半導体レーザ装置の作製方法に
おいて、有機金属気相成長法による結晶成長はn型AlGaI
nAs光導波路層2、多重量子井戸活性層3、p型AlGaInAs光
導波路層4、p型AlInAsクラッド層5、n型InP電流ブロッ
ク層6の成長とp型AlInAs埋め込み層9、p型InGaAsPコン
タクト層8の成長の２回であり、従来の作製方法におけ
る３回よりも少ない成長回数で埋め込みレーザ構造が作
製可能である。

【００１９】また、図６に示す半導体レーザ装置の作製
方法においては、p型InGaAsPエッチングストップ層10を
p型AlInAsクラッド層5と、n型InP電流ブロック層6の間
に連続的に成長するため、成長回数は図５に示した作製
方法と同じであり、なおかつ、p型AlInAs埋め込み層9の
成長の際に表面に露出するのはn型InP電流ブロック層6
とp型InGaAsPエッチングストップ層10のAlを含まない層
であり、p型AlInAs埋め込み層9の成長の際のAlを酸化さ
せない特別な手段を必要とせず、p型AlInAs埋め込み層9
の成長が容易に行うことが可能である。また、塩酸：酢
酸系の溶液に対してp型InGaAsPエッチングストップ層10
はエッチングされず、n型InP電流ブロック層6はエッチ
ングされるため、n型InP電流ブロック層6のエッチング
による電流狭窄構造の作製が容易になる。

【００２０】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明第１の実施例の半導体レーザ
装置を示す正面図であり、レーザ光はこの面から出射さ
れる。

【００２１】本発明の半導体レーザはn型InP基板1上にI
nPに格子整合したn型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm,
λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga0.3As井戸層（厚さ3.5n
m）及びInPに格子整合したAlGaInAs障壁層（厚さ12nm,
λg=1.25μm）で構成される多重量子井戸活性層3、p型A
lGaInAs光導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）4、InP
に格子整合したp型AlInAsクラッド層5が形成されてお
り、p型AlInAsクラッド層5は中央部の膜厚が厚いストラ
イプ状のメサ形状になっており、メサの上部の幅が1μm
になっている。

【００２２】また、p型AlInAsクラッド層5上のメサの上
部以外にはn型InP電流ブロック層6が形成されている。
また、p型AlInAsクラッド層5のメサの上部及びn型InP電
流ブロック層6上にp型InP埋め込み層（厚さ2μm）7、及
びp型InGaAsPコンタクト層（厚さ1μm, λg=1.3μm）8
が形成されている。更に、n型InP基板1の下にn側電極1
2、p型InGaAsPコンタクト層8の上にp側電極11が形成さ
れている。

【００２３】本実施例において、p型AlInAsクラッド層5
の厚さが中央部で厚いメサ形状になっており、メサ以外
の部分の上にn型InP層6、更にn型InP層6及びp型AlInAs
クラッド層5のメサ上部にp型InP層7が形成されている。
n型InP層6は電流ブロック層として作用し、電流はメサ
部から活性層3に注入される。

【００２４】また、InPはAlInAsよりも屈折率が低いた
めメサ部の屈折率はメサ以外の部分の屈折率よりも高く
なり、レーザ共振器内を伝搬する光は電流が注入される
メサ部に閉じ込められ、単峯性の光強度分布が得られ
る。

【００２５】（実施例２）図２は本発明第２の実施例の
半導体レーザ装置を示す正面図であり、レーザ光はこの
面から出射される。

【００２６】本発明の半導体レーザはn型InP基板1上にI
nPに格子整合したn型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm,
λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga0.3As井戸層（厚さ3.5n
m）及びInPに格子整合したAlGaInAs障壁層（厚さ12nm,
λg=1.25μm）で構成される多重量子井戸活性層3、p型A
lGaInAs光導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）4、InP
に格子整合したp型AlInAsクラッド層5が形成されてお
り、p型AlInAsクラッド層5上にn型InP電流ブロック層6
が形成されており、中央部にはn型InP電流ブロック層6
が存在していない開口領域がストライプ状に形成されて
いる。このp型AlInAsクラッド層5上での開口領域の幅は
1μmである。

【００２７】また、p型AlInAsクラッド層5の開口領域上
及びn型InP電流ブロック層6上にp型AlInAs埋め込み層
（厚さ2μm）9、及びp型InGaAsPコンタクト層（厚さ1μ
m, λg=1.3μm）8が形成されている。更に、n型InP基板
1の下にn側電極12、p型InGaAsPコンタクト層8の上にp側
電極11が形成されている。

【００２８】本実施例において、p型AlInAsクラッド層5
とp型AlInAs埋め込み層9の間に設けられた、n型InP層6
は電流ブロック層として作用し、InP層6が設けられてい
ないメサ部分以外に流れる発光に寄与しない無効電流を
低減する。また、InPはAlInAsよりも屈折率が低いた
め、レーザ共振器内を伝搬する光は電流が注入されるメ
サ部に閉じ込められ、単峯性の光強度分布が得られる。

【００２９】また、本発明では、電流が注入されるメサ
部の幅を1μm程度とすることが可能であり、低しきい値
電流特性が実現可能である。

【００３０】また、n型InP層6は電流注入部において逆
テーパー状になっており、注入電流の横方法への広がり
を防ぐ役割を果たしており、活性領域に効率よく電流を
供給する。

【００３１】（実施例３）図３は本発明第３実施例の半
導体レーザ装置を示す正面図であり、レーザ光はこの面
から出射される。

【００３２】本発明の半導体レーザはn型InP基板1上にI
nPに格子整合したn型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm,
λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga0.3As井戸層（厚さ3.5n
m）及びInPに格子整合したAlGaInAs障壁層（厚さ12nm,
λg=1.25μm）で構成される多重量子井戸活性層3、p型A
lGaInAs光導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）4、InP
に格子整合したp型AlInAsクラッド層5、p型InGaAsPエッ
チングストップ層（厚さ10nm、λg=1.3μm）10が形成さ
れており、p型InGaAsPエッチングストップ層8上にn型In
P電流ブロック層6が形成されており、中央部にはn型InP
電流ブロック層6が存在していない開口領域がストライ
プ状に形成されている。このp型InGaAsPエッチングスト
ップ層10上での開口領域の幅は1μmである。

【００３３】また、p型InGaAsPエッチングストップ層8
の開口領域上及びn型InP電流ブロック層6上にp型AlInAs
埋め込み層（厚さ2μm）9、及びp型InGaAsPコンタクト
層（厚さ1μm, λg=1.3μm）8が形成されている。更
に、n型InP基板1の下にn側電極12、p型InGaAsPコンタク
ト層8の上にp側電極11が形成されている。

【００３４】本実施例においては、実施例２と比べて、
p型InGaAsPエッチングストップ層10はInP、及びAlInAs
よりもバンドギャップエネルギーが小さく設定されてお
り、高温動作時においてp型AlInAs埋め込み層9を越えて
n型InP層6に注入されるキャリアをp型IInGaAsPエッチン
グストップ層10において再結合させ、p型AlInAsクラッ
ド層5に拡散しないようにし、無効電流を生じさせない
作用をする。

【００３５】（実施例４）図４は本発明第４の実施例の
半導体レーザ装置の作製方法を説明する図である。

【００３６】図４(a)に示すようにn型InP基板1上に有機
金属気相成長法によりInPに格子整合したn型AlGaInAs光
導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga
0.3As井戸層（厚さ3.5nm）及びInPに格子整合したAlGaI
nAs障壁層（厚さ12nm, λg=1.25μm）で構成される多重
量子井戸活性層3、p型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm,
λg=1.25μm）4、InPに格子整合したp型AlInAsクラッ
ド層5を順次堆積する。

【００３７】この後、図４(b)に示す様に幅が3μmのス
トライプ状のSiO213をプラズマCVD法、およびエッチン
グによりp型AlInAsクラッド層5表面に形成する。

【００３８】次に図４(c)に示す様にストライプ状のSiO
213をマスクとして、上部の幅が1μmになるようにp型Al
InAsクラッド層5に対してエッチングによりメサ14を形
成する。

【００３９】次に図４(d)に示す様に有機金属気相成長
法により、SiO213をマスクとしてn型InP電流ブロック層
6を堆積する。

【００４０】次に図４(e)に示す様にSiO213をマスクを
エッチングにより除去し、図４(f)に示す様に有機金属
気相成長法により、全面にp型InP埋め込み層（厚さ2μ
m）7、及びp型InGaAsPコンタクト層（厚さ1μm, λg=1.
3μm）8を堆積し、図４(g)に示す様にp型InGaAsPコンタ
クト層8上にp側電極11を蒸着し、n型InP基板1の裏面にn
側電極12を蒸着する。最後にへき開により、レーザ共振
器を完成させる。

【００４１】（実施例５）図５は本発明第５の実施例の
半導体レーザ装置の作製方法を説明する図である。

【００４２】図５(a)に示すようにn型InP基板1上に有機
金属気相成長法によりInPに格子整合したn型AlGaInAs光
導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga
0.3As井戸層（厚さ3.5nm）及びInPに格子整合したAlGaI
nAs障壁層（厚さ12nm, λg=1.25μm）で構成される多重
量子井戸活性層3、p型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm,
λg=1.25μm）4、InPに格子整合したp型AlInAsクラッ
ド層（厚さ200nm）5、n型InP電流ブロック層6を順次堆
積する。

【００４３】この後、図５(b)に示す様にストライプ状
の開口幅が3μmのSiO213をプラズマCVD法、およびエッ
チングによりn型InP電流ブロック層6表面に形成する。

【００４４】次に図５(c)に示す様にSiO213をマスクと
して、n型InP電流ブロック層6を塩酸：酢酸系の溶液に
より逆メサ状にエッチングし、p型AlInAsクラッド層5を
露出させる。この時、p型AlInAsクラッド層5上の開口幅
が1μmとなるようにエッチングを進める。次に図５(d)
に示す様にSiO213をエッチングにより除去する。

【００４５】次に図５(e)に示す様に有機金属気相成長
法により、全面にp型AlInAs埋め込み層（厚さ2μm）9、
及びp型InGaAsPコンタクト層（厚さ1μm, λg=1.3μm）
8を堆積し、図５(f)に示す様にp型InGaAsPコンタクト層
8上にp側電極11を蒸着し、n型InP基板1の裏面にn側電極
12を蒸着する。最後にへき開により、レーザ共振器を完
成させる。

【００４６】本実施例の半導体レーザ装置の作製方法で
は、有機金属気相成長法による結晶成長はn型AlGaInAs
光導波路層2、多重量子井戸活性層3、p型AlGaInAs光導
波路層4、p型AlInAsクラッド層5、n型InP電流ブロック
層6の成長とp型AlInAs埋め込み層9、p型InGaAsPコンタ
クト層8の成長の２回であり、従来の作製方法における
３回よりも少ない成長回数で埋め込みレーザ構造が作製
可能である。

【００４７】（実施例６）図６は本発明第六実施例の半
導体レーザ装置の作製方法を説明する図である。図６
(a)に示すようにn型InP基板1上に有機金属気相成長法に
よりInPに格子整合したn型AlGaInAs光導波路層（厚さ10
0nm, λg=1.25μm）2、6対のIn0.7Ga0.3As井戸層（厚さ
3.5nm）及びInPに格子整合したAlGaInAs障壁層（厚さ12
nm, λg=1.25μm）で構成される多重量子井戸活性層3、
p型AlGaInAs光導波路層（厚さ100nm, λg=1.25μm）4、
InPに格子整合したp型AlInAsクラッド層（厚さ200nm）
5、p型InGaAsPエッチングストップ層（厚さ10nm、λg=
1.3μm）10、n型InP電流ブロック層6を順次堆積する。

【００４８】この後、図６(b)に示す様にストライプ状
の開口幅が3μmのSiO213をプラズマCVD法、およびエッ
チングによりn型InP電流ブロック層6表面に形成する。

【００４９】次に図６(c)に示す様にSiO213をマスクと
して、n型InP電流ブロック層6を塩酸：酢酸系の溶液に
より逆メサ状にエッチングし、p型InGaAsPエッチングス
トップ層10を露出させる。この時、p型InGaAsPエッチン
グストップ層10上の開口幅が1μmとなるようにエッチン
グを進める。

【００５０】次に図６(d)に示す様にSiO213をエッチン
グにより除去する。次に図６(e)に示す様に有機金属気
相成長法により、全面にp型AlInAs埋め込み層（厚さ2μ
m）9、及びp型InGaAsPコンタクト層（厚さ1μm, λg=1.
3μm）8を堆積し、図６(f)に示す様にp型InGaAsPコンタ
クト層8上にp側電極11を蒸着し、n型InP基板1の裏面にn
側電極12を蒸着する。最後にへき開により、レーザ共振
器を完成させる。

【００５１】また、この半導体レーザ装置の作製方法で
は、p型InGaAsPエッチングストップ層10をp型AlInAsク
ラッド層5と、n型InP電流ブロック層6の間に連続的に成
長するため、成長回数は図５に示した作製方法と同じで
あり、なおかつ、p型AlInAs埋め込み層9の成長の際に表
面に露出するのはn型InP電流ブロック層6とp型InGaAsP
エッチングストップ層10のAlを含まない層であり、p型A
lInAs埋め込み層9の成長の際のAlを酸化させない特別な
手段を必要とせず、p型AlInAs埋め込み層9の成長が容易
に行うことが可能である。また、塩酸：酢酸系の溶液に
対してp型InGaAsPエッチングストップ層10はエッチング
されず、n型InP電流ブロック層6はエッチングされるた
め、n型InP電流ブロック層6のエッチングによる電流狭
窄構造の作製が容易になる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の埋め込み
レーザ構造およびその作製方法を用いることにより、低
しきい値電流特性を有し、長期信頼性にすぐれたInP/Al
InAs/AlInAsP系半導体レーザ装置を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１実施例の半導体レーザ装置を示す正
面図

【図２】本発明第２実施例の半導体レーザ装置を示す正
面図

【図３】本発明第３実施例の半導体レーザ装置を示す正
面図

【図４】本発明第４実施例の半導体レーザ装置の製造方
法を説明する図

【図５】本発明第５実施例の半導体レーザ装置の製造方
法を説明する図

【図６】本発明第６実施例の半導体レーザ装置の製造方
法を説明する図

【図７】伝導帯のバンドオフセットと価電子帯のバンド
オフセットの比を説明する図

【図８】従来構造を説明する図

【符号の説明】

１ n型InP基板 ２ n型AlGaInAs光導波路層 ３ In0.7Ga0.3As/AlGaInAs多重量子井戸活性層 ４ p型AlGaInAs光導波路層 ５ p型AlInAsクラッド層 ６ n型InP電流ブロック層 ７ p型InP埋め込み層 ８ p型InGaAsPコンタクト層 ９ p型AlInAs埋め込み層 １０ p型InGaAsPエッチングストップ層 １１ p側電極 １２ n側電極 １３ SiO2 １４ メサ ８１ n型InP基板 ８２ InGaAs/AlGaInAs MQW活性層 ８３ p-InAsP ８４ p-AlInAsエッチングストップ層 ８５ p-InP ８６ p-InGaAs ８７ p側電極 ８８ n側電極 ８９ Al2O3

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】InP基板と該InP基板上に形成された多層構
   造とを備え、レーザ光を放射する半導体レーザであっ
   て、 該多層構造は少なくとも活性層、光導波路層、クラッド
   層、電流ブロック層、埋め込み層を含んでおり、 該活性層がInGaAsPもしくはInGaAsであり、該光導波路
   層がAlInGaAsPであり、 該クラッド層、該電流ブロック層、該埋め込み層は該活
   性層を挟んで該InP基板と反対側に位置しており、 該電流ブロック層は該クラッド層と該埋め込み層の間に
   位置し、該クラッド層と該埋め込み層はレーザ共振器方
   向にストライプ状に接触しており、 該クラッド層と該埋め込み層の伝導型は該InP基板と該
   電流ブロック層が同じであり、 該クラッド層と該埋め込み層は該InP基板と逆の伝導型
   であり、 該電流ブロック層が該クラッドよりも低屈折率な材料で
   あり、 該埋め込み層がAlGaInAsであることを特徴とする半導体
   レーザ。
2. 【請求項２】前記電流ブロック層がInPであることを特
   徴とする請求項１に記載の半導体型レーザ。
3. 【請求項３】前記活性層がInGaAsPもしくはInGaAs井戸
   層とAlInGaAsP障壁層からなる多重量子井戸構造である
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
4. 【請求項４】前記クラッド層において光が導波する部分
   が他の部分よりも膜厚が厚いメサ形状になっており、 該クラッド層が該メサの上部において前記埋め込み層と
   接触していることを特徴とする請求項１に記載の半導体
   レーザ。
5. 【請求項５】前記電流ブロック層において光が導波する
   部分が他の部分よりも膜厚が薄く、 その一部において該電流ブロック層が存在せず、 前記クラッド層と前記埋め込み層が接触していることを
   特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ。
6. 【請求項６】前記クラッド層と前記電流ブロック層もし
   くは前記埋め込み層の間にInGaAsPエッチングストッパ
   層が挿入されていることを特徴とする請求項5に記載の
   半導体レーザ。
7. 【請求項７】InP基板上にAlInGaAsP光導波路層、活性
   層、AlInGaAsP光導波路層、AlInAsクラッド層を連続し
   て堆積する工程と、 AlInAsクラッド層表面にストライプ状の保護膜を形成す
   る工程と、 該保護膜の形成されていない領域のAlInAsクラッド層の
   一部を、該保護膜をマスクとしてエッチングする工程
   と、 該保護膜の形成されていない領域のAlInAsクラッド層上
   にのみInP電流ブロック層を堆積する工程と、 該保護膜を除去し、全面にAlInAs埋め込み層を堆積する
   工程とを含む半導体レーザの製造方法。
8. 【請求項８】InP基板上にAlInGaAsP光導波路層、活性
   層、AlInGaAsP光導波路層、AlInAsクラッド層、InP電流
   ブロック層を連続して堆積する工程と、 該InP電流ブロック層表面に保護膜を堆積し、該保護膜
   の一部をストライプ状にエッチングする形成する工程
   と、 該保護膜の形成されていない領域のInP電流ブロック層
   を該保護膜をマスクとしてAlInAsクラッド層が露出する
   までエッチングする工程と、 該保護膜を除去し、全面にAlInAs埋め込み層を堆積する
   工程とを含む半導体レーザの製造方法。
9. 【請求項９】InP基板上にAlInGaAsP光導波路層、活性
   層、AlInGaAsP光導波路層、AlInAsクラッド層、InGaAsP
   エッチングストッパ層、InP電流ブロック層を連続して
   堆積する工程と、 該InP電流ブロック層表面に保護膜を堆積し、該保護膜
   の一部をストライプ状にエッチングする形成する工程
   と、 該保護膜の形成されていない領域のInP電流ブロック層
   を該保護膜をマスクとしてInGaAsPエッチングストッパ
   層が露出するまでエッチングする工程と、 該保護膜を除去し、全面にAlInAs埋め込み層を堆積する
   工程とを含む半導体レーザの製造方法。