JPH04350988A - 量子井戸構造発光素子 - Google Patents
量子井戸構造発光素子Info
- Publication number
- JPH04350988A JPH04350988A JP3124238A JP12423891A JPH04350988A JP H04350988 A JPH04350988 A JP H04350988A JP 3124238 A JP3124238 A JP 3124238A JP 12423891 A JP12423891 A JP 12423891A JP H04350988 A JPH04350988 A JP H04350988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- barrier layer
- well structure
- layer
- quantum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子，特にＭ
ＯＶＰＥ法，ＭＢＥ法など気相成長法を用いて形成され
る量子井戸構造発光素子に関する。
ＯＶＰＥ法，ＭＢＥ法など気相成長法を用いて形成され
る量子井戸構造発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機金属気相エピタキシー（ＭＯ
ＶＰＥ）法，分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法などの薄
膜結晶成長技術の急速な進展にともない、単原子層の厚
さの精度で急峻な組成変化を持った良質な半導体ヘテロ
接合界面が製作されるようになった。これらヘテロ接合
によって形成されるポテンシャル井戸構造，超格子構造
では電子の波動性に起因する特異な光学特性，電気特性
を有しておりデバイス応用への研究が活発化している。
ＶＰＥ）法，分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法などの薄
膜結晶成長技術の急速な進展にともない、単原子層の厚
さの精度で急峻な組成変化を持った良質な半導体ヘテロ
接合界面が製作されるようになった。これらヘテロ接合
によって形成されるポテンシャル井戸構造，超格子構造
では電子の波動性に起因する特異な光学特性，電気特性
を有しておりデバイス応用への研究が活発化している。
【０００３】量子井戸層を活性層とした量子井戸構造半
導体レーザは前述のような量子サイズ効果によって生じ
る高い状態密度を持つ量子準位間の電子遷移を利用した
もので、従来のダブルヘテロ接合半導体レーザに比べ（
１） 低発振しきい電流，（２） 温度安定性，（３）
高い発光効率，（４） 緩和振動周波数の増大，（５
） スペクトル線幅，チャーピングの低減など、多くの
特徴を有していることが報告されている。これらの優れ
た特性は２次元平面内に電子および正孔を局在させたた
めに生じた量子力学的効果によるものである。さらに近
年、上述の量子サイズ効果に加え量子井戸構造が光学的
に低損失であることを利用した、大出力半導体レーザの
開発が進められている。例えば、浅野等が１９９０年，
電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−１４９に報告してい
るように、数層の量子井戸を有する量子井戸構造を活性
層とし、素子長を通常の半導体レーザより長くした１．
４８μｍ帯の量子井戸構造半導体レーザにおいて、室温
ＣＷ（連続Ｄ．Ｃ．発振）動作で１７０ｍＷを越える大
出力が得られている。 この半導体レーザの活性層は、ＩｎＧａＡｓ（禁制帯幅
Ｅｇ＝０．７５ｅＶ）を量子井戸層，１．１５μｍ組成
ＩｎＧａＡｓＰ（Ｅｇ＝１．０８ｅＶ）を障壁層とした
量子井戸構造から構成されている。
導体レーザは前述のような量子サイズ効果によって生じ
る高い状態密度を持つ量子準位間の電子遷移を利用した
もので、従来のダブルヘテロ接合半導体レーザに比べ（
１） 低発振しきい電流，（２） 温度安定性，（３）
高い発光効率，（４） 緩和振動周波数の増大，（５
） スペクトル線幅，チャーピングの低減など、多くの
特徴を有していることが報告されている。これらの優れ
た特性は２次元平面内に電子および正孔を局在させたた
めに生じた量子力学的効果によるものである。さらに近
年、上述の量子サイズ効果に加え量子井戸構造が光学的
に低損失であることを利用した、大出力半導体レーザの
開発が進められている。例えば、浅野等が１９９０年，
電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−１４９に報告してい
るように、数層の量子井戸を有する量子井戸構造を活性
層とし、素子長を通常の半導体レーザより長くした１．
４８μｍ帯の量子井戸構造半導体レーザにおいて、室温
ＣＷ（連続Ｄ．Ｃ．発振）動作で１７０ｍＷを越える大
出力が得られている。 この半導体レーザの活性層は、ＩｎＧａＡｓ（禁制帯幅
Ｅｇ＝０．７５ｅＶ）を量子井戸層，１．１５μｍ組成
ＩｎＧａＡｓＰ（Ｅｇ＝１．０８ｅＶ）を障壁層とした
量子井戸構造から構成されている。
【０００４】また、Ｐ．Ｊ．Ａ．タイス（Ｐ．Ｊ．Ａ．
Ｔｈｉｊｓ）等は１９９０年１月米国にて開催された国
際会議（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｆｉｂｅｒ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ：ＯＦＣ
’９０）ＷＪ２において、ＩｎＧａＡｓ（Ｅｇ＝０．６
０ｅＶ）を量子井戸層，１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ
（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）を障壁層とした歪量子井戸構造
を活性層に用い、室温ＣＷ条件で２００ｍＷを越える１
．５５μｍ帯半導体レーザの大出力動作を報告している
。
Ｔｈｉｊｓ）等は１９９０年１月米国にて開催された国
際会議（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｆｉｂｅｒ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ：ＯＦＣ
’９０）ＷＪ２において、ＩｎＧａＡｓ（Ｅｇ＝０．６
０ｅＶ）を量子井戸層，１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ
（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）を障壁層とした歪量子井戸構造
を活性層に用い、室温ＣＷ条件で２００ｍＷを越える１
．５５μｍ帯半導体レーザの大出力動作を報告している
。
【０００５】また、植之原等は超格子における電子反射
を応用し、キャリアオーバーフローを抑制する多重量子
障壁（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｂａｒｒｉｅｒ
：ＭＱＢ）をクラッド層に用いることを提案している（
電子情報通信学会論文誌Ｃ Ｖｏｌ． Ｊ７０−Ｃ，Ｎ
ｏ． ６，ＰＰ． ８５１〜８５７，１９８７）。
を応用し、キャリアオーバーフローを抑制する多重量子
障壁（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｂａｒｒｉｅｒ
：ＭＱＢ）をクラッド層に用いることを提案している（
電子情報通信学会論文誌Ｃ Ｖｏｌ． Ｊ７０−Ｃ，Ｎ
ｏ． ６，ＰＰ． ８５１〜８５７，１９８７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の１．５μ
ｍ帯量子井戸構造半導体レーザと異なり、１．３μｍ帯
に代表されるようなより短波長の量子井戸構造半導体レ
ーザでは、量子準位のエネルギーが大きくなるため、キ
ャリアのオーバーフローの制御が難しく、大出力動作・
高温動作等の点において難があった。
ｍ帯量子井戸構造半導体レーザと異なり、１．３μｍ帯
に代表されるようなより短波長の量子井戸構造半導体レ
ーザでは、量子準位のエネルギーが大きくなるため、キ
ャリアのオーバーフローの制御が難しく、大出力動作・
高温動作等の点において難があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は、量子井戸構造の障壁層中
にキャリアオーバーフローを抑制するための第二の障壁
層を用いることである。
めに本発明が提供する手段は、量子井戸構造の障壁層中
にキャリアオーバーフローを抑制するための第二の障壁
層を用いることである。
【０００８】
【作用】本発明では、量子井戸構造の障壁層中にこの障
壁層よりも禁制帯の大きい，あるいは超格子構造の第二
の障壁層を形成することによってクラッド層へのキャリ
アオーバーフローを抑制している。以下にこの原理につ
いて図を参照して説明する。
壁層よりも禁制帯の大きい，あるいは超格子構造の第二
の障壁層を形成することによってクラッド層へのキャリ
アオーバーフローを抑制している。以下にこの原理につ
いて図を参照して説明する。
【０００９】一般にキャリアのオーバーフローの程度は
、活性層厚や量子準位と障壁層およびクラッド層とのエ
ネルギー差，閾電流密度等に依存する。図５（ａ），（
ｂ）および（ｃ）は各々従来の量子井戸構造のエネルギ
ー図である。図５（ａ）は障壁層とクラッド層が同一組
成，すなわち同一の禁制帯幅を有する場合であり、同図
（ｂ）は閾電流密度を低減するために光閉じ込め係数を
増大させた光−キャリア分離閉じ込め（Ｓｅｐａｒａｔ
ｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｔ ）構造，同図（ｃ）はさら
に光閉じ込め係数を増大するために階段形屈折率（Ｇｒ
ａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ：ＧＲＩＮ）構造とした場合であ
る。
、活性層厚や量子準位と障壁層およびクラッド層とのエ
ネルギー差，閾電流密度等に依存する。図５（ａ），（
ｂ）および（ｃ）は各々従来の量子井戸構造のエネルギ
ー図である。図５（ａ）は障壁層とクラッド層が同一組
成，すなわち同一の禁制帯幅を有する場合であり、同図
（ｂ）は閾電流密度を低減するために光閉じ込め係数を
増大させた光−キャリア分離閉じ込め（Ｓｅｐａｒａｔ
ｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｔ ）構造，同図（ｃ）はさら
に光閉じ込め係数を増大するために階段形屈折率（Ｇｒ
ａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ：ＧＲＩＮ）構造とした場合であ
る。
【００１０】本発明では、禁制帯幅，屈折率のことなる
複数障壁層を用いているため、光閉じ込め係数を減少さ
せることなく障壁層と量子準位とのエネルギー差を大き
くとることが可能であり、キャリアオーバーフローを効
果的に抑制できる。
複数障壁層を用いているため、光閉じ込め係数を減少さ
せることなく障壁層と量子準位とのエネルギー差を大き
くとることが可能であり、キャリアオーバーフローを効
果的に抑制できる。
【００１１】
【実施例】本発明による第一の実施例を図１，図２を参
照して詳細に説明する。量子井戸構造の成長法としては
有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた。
照して詳細に説明する。量子井戸構造の成長法としては
有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた。
【００１２】図１のエネルギーバンド図に示すように量
子井戸活性層４０は、６層の１．４μｍ組成ＩｎＧａＡ
ｓＰ井戸層５０（厚さ６０オングストローム）、１．１
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ障壁層５０（厚さ１２０オング
ストローム）およびこの障壁層中に１．０μｍ組成Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（厚さ１００オングストローム）からなる第
二の障壁層６５を有する構成となっている。本量子井戸
構造では、伝導帯，価電子帯の量子準位５１，５２にお
けるエネルギーギャップは０．９５ｅＶ（λ＝１．３１
μｍ）である。また、伝導帯において井戸の底と第一の
障壁層のエネルギー差は９８ｍｅＶであり、量子準位５
１は第一の障壁層より約４８ｍｅＶ低エネルギーの一に
形成されている。２０，７０はそれぞれｎ−ＩｎＰクラ
ッド層およびｐ−ＩｎＰクラッド層である。
子井戸活性層４０は、６層の１．４μｍ組成ＩｎＧａＡ
ｓＰ井戸層５０（厚さ６０オングストローム）、１．１
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ障壁層５０（厚さ１２０オング
ストローム）およびこの障壁層中に１．０μｍ組成Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（厚さ１００オングストローム）からなる第
二の障壁層６５を有する構成となっている。本量子井戸
構造では、伝導帯，価電子帯の量子準位５１，５２にお
けるエネルギーギャップは０．９５ｅＶ（λ＝１．３１
μｍ）である。また、伝導帯において井戸の底と第一の
障壁層のエネルギー差は９８ｍｅＶであり、量子準位５
１は第一の障壁層より約４８ｍｅＶ低エネルギーの一に
形成されている。２０，７０はそれぞれｎ−ＩｎＰクラ
ッド層およびｐ−ＩｎＰクラッド層である。
【００１３】図２は上記の構造を用いた量子井戸レーザ
の断面図である。ｎ−ＩｎＰ半導体基板１０上にｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層２０，量子井戸活性層４０，ｐ−ＩｎＰ
クラッド層７０を成長後、ＬＰＥ法を用い活性層幅が約
１．５μｍの二重チャネルプレーナ埋め込み構造（Ｄｏ
ｕｂｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎｅｒ Ｂｕｒｉｅ
ｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：ＤＣ−ＰＢＨ）
を形成した。
の断面図である。ｎ−ＩｎＰ半導体基板１０上にｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層２０，量子井戸活性層４０，ｐ−ＩｎＰ
クラッド層７０を成長後、ＬＰＥ法を用い活性層幅が約
１．５μｍの二重チャネルプレーナ埋め込み構造（Ｄｏ
ｕｂｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎｅｒ Ｂｕｒｉｅ
ｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：ＤＣ−ＰＢＨ）
を形成した。
【００１４】共振器長を６００μｍとし、劈開して素子
特性を評価したところ、発振閾電流として２０〜３０ｍ
Ａ，室温ＣＷ駆動で最大光出力１５０ｍＷが得られた。 また、特性温度も高温（５０〜９０℃）において７０Ｋ
と極めて良好な特性が得られた。
特性を評価したところ、発振閾電流として２０〜３０ｍ
Ａ，室温ＣＷ駆動で最大光出力１５０ｍＷが得られた。 また、特性温度も高温（５０〜９０℃）において７０Ｋ
と極めて良好な特性が得られた。
【００１５】
【実施例２】本発明による第二の実施例を図３を参照し
て説明する。図３は本発明による量子井戸構造のエネル
ギーバンド図である。第一の実施例と本実施例との違い
は、エネルギーレベル段差を有する障壁層６６，６７か
らなる第二の障壁層６５がさらに禁制帯幅のことなる薄
膜から構成されている点にあり、キャリアオーバーフロ
ーをより効果的に抑制し、量子準位への電子の注入効率
を高めている点である。
て説明する。図３は本発明による量子井戸構造のエネル
ギーバンド図である。第一の実施例と本実施例との違い
は、エネルギーレベル段差を有する障壁層６６，６７か
らなる第二の障壁層６５がさらに禁制帯幅のことなる薄
膜から構成されている点にあり、キャリアオーバーフロ
ーをより効果的に抑制し、量子準位への電子の注入効率
を高めている点である。
【００１６】
【実施例３】本発明による第三の実施例を図４を参照し
て説明する。図４は、本発明による量子井戸構造のエネ
ルギーバンド図である。第一，第二の実施例と本実施例
との違いは、第二の障壁層が超格子を用いた多重量子障
壁（ＭＱＢ）層構成されている点にある。多重量子障壁
（ＭＱＢ）層を用いた場合では前述の植之原等の論文で
述べられているように、電子に対する実効的な障壁高さ
が高くなる一方、正孔については電子に対するほど障壁
高さは高くならないため、正孔の量子井戸への注入を大
きく妨げることなく電子のオーバーフローを効果的に抑
制することができる。
て説明する。図４は、本発明による量子井戸構造のエネ
ルギーバンド図である。第一，第二の実施例と本実施例
との違いは、第二の障壁層が超格子を用いた多重量子障
壁（ＭＱＢ）層構成されている点にある。多重量子障壁
（ＭＱＢ）層を用いた場合では前述の植之原等の論文で
述べられているように、電子に対する実効的な障壁高さ
が高くなる一方、正孔については電子に対するほど障壁
高さは高くならないため、正孔の量子井戸への注入を大
きく妨げることなく電子のオーバーフローを効果的に抑
制することができる。
【００１７】上記実施例では、ファブリーペロー形量子
井戸レーザを例に説明したが、分布帰還形量子井戸レー
ザ等に用いても有効である。
井戸レーザを例に説明したが、分布帰還形量子井戸レー
ザ等に用いても有効である。
【００１８】また以上の実施例はＩｎＰ系の量子井戸構
造を例に説明したが、ＧａＡｓ系など一般の半導体量子
井戸構造においても有効である。また半導体レーザに限
らず発光ダイオード等にも適用できる。
造を例に説明したが、ＧａＡｓ系など一般の半導体量子
井戸構造においても有効である。また半導体レーザに限
らず発光ダイオード等にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
量子井戸構造の障壁層中に第二の障壁層を形成し、クラ
ッド層へのキャリアオーバーフローを抑制することによ
って、大出力動作・高温動作に優れた量子井戸構造発光
素子を得ることかできる。
量子井戸構造の障壁層中に第二の障壁層を形成し、クラ
ッド層へのキャリアオーバーフローを抑制することによ
って、大出力動作・高温動作に優れた量子井戸構造発光
素子を得ることかできる。
【図１】 本発明の実施例のエネルギーバンド図
【図
２】 本発明の実施例の斜視図
２】 本発明の実施例の斜視図
【図３】 本発明の他の実施例のエネルギーバンド図
【図４】 本発明の他の実施例のエネルギーバンド図
【図５】（ａ）〜（ｃ）従来例のエネルギーバンド図
１０ ｎ−ＩｎＰ半導体基板
２０ ｎ−ＩｎＰクラッド層
４０ 量子井戸活性層
５０ 量子井戸層
５１ 量子準位（伝導帯）
５２ 量子準位（価電子帯）
６０ 障壁層
６５ 第二の障壁層
７０ ｐ−ＩｎＰクラッド層
１１０，１３０ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層１２０ ｎ
−ＩｎＰ埋め込み層 １４０ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１８０
ＳｉＯ２ 電流狭窄膜 １９０ ｐ側電極 １９５ ｎ側電極
−ＩｎＰ埋め込み層 １４０ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１８０
ＳｉＯ２ 電流狭窄膜 １９０ ｐ側電極 １９５ ｎ側電極
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に量子井戸活性層を含む半導
体薄膜を積層してなる量子井戸構造発光素子において、
前記量子井戸構造の障壁層中に第二の障壁層を有するこ
とを特徴とする量子井戸構造発光素子。 - 【請求項２】半導体基板がＩｎＰ，量子井戸構造の障壁
層がＩｎＧａＡｓＰ，第二の障壁層が前記障壁層よりも
禁制帯の大きいＩｎＧａＡｓＰ層からなることを特徴と
する請求項１記載の量子井戸構造発光素子。 - 【請求項３】半導体基板がＩｎＰ，量子井戸構造の障壁
層がＩｎＧａＡｓＰ，第二の障壁層が前記障壁層よりも
禁制帯の大きい、複数のＩｎＧａＡｓＰ層からなること
を特徴とする請求項１記載の量子井戸構造発光素子。 - 【請求項４】第二の障壁層が超格子構造からなることを
特徴とする請求項１記載の量子井戸構造発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124238A JPH04350988A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 量子井戸構造発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124238A JPH04350988A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 量子井戸構造発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350988A true JPH04350988A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14880390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124238A Pending JPH04350988A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 量子井戸構造発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04350988A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0625812A2 (en) * | 1993-05-19 | 1994-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Quantum well type semiconductor laser device |
| EP0660473A1 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Nec Corporation | Quantum-well type semiconductor laser device having multi-layered quantum-well layer |
| JPH07202328A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH08274404A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Nec Corp | 多重量子井戸レーザダイオード |
| EP0908988A3 (en) * | 1997-10-06 | 2001-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| JP2018516466A (ja) * | 2015-06-05 | 2018-06-21 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 多重活性層へのキャリア注入を選定した発光構造 |
| JP2022071179A (ja) * | 2015-10-08 | 2022-05-13 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 琥珀色～赤色の発光を有するｉｉｉ族窒化物半導体発光ｌｅｄ |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3124238A patent/JPH04350988A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0625812A2 (en) * | 1993-05-19 | 1994-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Quantum well type semiconductor laser device |
| EP0625812A3 (en) * | 1993-05-19 | 1995-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device of the quantum well type. |
| US5528614A (en) * | 1993-05-19 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Quantum well semiconductor laser device structure |
| JPH07202328A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0660473A1 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Nec Corporation | Quantum-well type semiconductor laser device having multi-layered quantum-well layer |
| US5642372A (en) * | 1993-12-27 | 1997-06-24 | Nec Corporation | Quantum-well type semiconductor laser device having multi-layered quantum-well layer |
| JPH08274404A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Nec Corp | 多重量子井戸レーザダイオード |
| US6111904A (en) * | 1995-03-30 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Laser diode with an improved multiple quantum well structure adopted for reduction in wavelength chirping |
| EP0908988A3 (en) * | 1997-10-06 | 2001-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| JP2018516466A (ja) * | 2015-06-05 | 2018-06-21 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 多重活性層へのキャリア注入を選定した発光構造 |
| JP2022071179A (ja) * | 2015-10-08 | 2022-05-13 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 琥珀色～赤色の発光を有するｉｉｉ族窒化物半導体発光ｌｅｄ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4750183A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5680411A (en) | Integrated monolithic laser-modulator component with multiple quantum well structure | |
| JPH07235732A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0418476B2 (ja) | ||
| JP3052552B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JP3189791B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| US4982408A (en) | Variable oscillation wavelength semiconduction laser device | |
| US5914496A (en) | Radiation emitting semiconductor diode of buried hetero type having confinement region of limited Al content between active layer and at least one inp cladding layer, and method of manufacturing same | |
| US5737353A (en) | Multiquantum-well semiconductor laser | |
| JPH04350988A (ja) | 量子井戸構造発光素子 | |
| JP5381692B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004253802A (ja) | 改善された温度特性を有するＧａＡｓＳｂ／ＧａＡｓ素子 | |
| JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| EP0528439B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2723924B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04174585A (ja) | 量子井戸構造光素子 | |
| US5170404A (en) | Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive | |
| JPH1084170A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JP2682474B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2748570B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3223969B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| US5309472A (en) | Semiconductor device and a method for producing the same | |
| JP3309394B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2007005642A (ja) | 半導体発光素子 |