JPH0418476B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0418476B2
JPH0418476B2 JP59132194A JP13219484A JPH0418476B2 JP H0418476 B2 JPH0418476 B2 JP H0418476B2 JP 59132194 A JP59132194 A JP 59132194A JP 13219484 A JP13219484 A JP 13219484A JP H0418476 B2 JPH0418476 B2 JP H0418476B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
quantum well
optical waveguide
layers
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59132194A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6110293A (ja
Inventor
Toshiro Hayakawa
Naohiro Suyama
Saburo Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59132194A priority Critical patent/JPS6110293A/ja
Priority to US06/746,710 priority patent/US4746181A/en
Priority to EP85304481A priority patent/EP0166593B1/en
Priority to DE3587748T priority patent/DE3587748T2/de
Publication of JPS6110293A publication Critical patent/JPS6110293A/ja
Publication of JPH0418476B2 publication Critical patent/JPH0418476B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
    • H01L29/151—Compositional structures
    • H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
    • H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は光半導体装置に関するもので、特に
MBEあるいはMO−CVD等によつて製作可能な
半導体薄膜中の量子効果を利用した量子井戸光導
波領域を含む量子井戸レーザ、量子井戸光変調
器、量子井戸光導波回路等の光半導体装置の構造
に関するものである。
＜従来技術＞ 近年、分子線エピタキシー（MBE）法あるい
は有機金属を用いた気相成長（MO−CVD）法
などの薄膜単結晶成長技術の進歩は著しく、これ
らの成長技術を用いれば10〓程度の薄いエピタキ
シヤル成長層を得ることが可能となつている。こ
のような製造技術の進歩は、半導体レーザにおい
ても従来の液相エピタキシヤル（LPE）成長法
では製作が困難であつた極めて薄い層を有する素
子構造に基く新しい効果を利用したレーザ素子の
製作を可能とした。その代表的なものは量子井戸
（Quautum Well：略してQW）レーザである。
このQWレーザは従来の二重ヘテロ接合（DH）
レーザでは数百〓以上であつた活性層厚を100〓
程度あるいはそれ以下とすることによつて、活性
層中に量子化準位が形成されることを利用してお
り、従来のDHレーザに比べて閾値電流が下が
る、温度特性が良い、あるいは過渡特性に優れて
いる等の数々の利点を有している。
（参考文献） (1) W.T.Tsang、Ahysics Letters、vol。39、
No.10pp.786（1981）。
(2) N.K.Dutta、Journal of Applied Physics、
vol.53、No.11、pp.7211（1982）。
(3) H.Iwamura、T.Saku、T.Ishibashi、K.
Otsuka、Y.Horikoshi、Electronics Letters、
vol.19、No.５、pp.180（1983）。
このように、MBEやMO−CVDなどの薄膜単
結晶成長技術を用いることにより、新しい多層構
造を有する高性能半導体レーザの実用化への道が
開かれてきた。
第２図は従来のキヤリアリザーバ層を有する単
一量子井戸レーザの積層構造を示す断面図であ
る。ｎ型GoAs基板１上にｎ型GaAsバツフア層
２（0.5μｍ）、ｎ型Ga0.5Al0.5Asクラツド層（1μ
ｍ）、ノンドープGa0.7Al0.3Asキヤリアリザーバ
層４（0.1μｍ）、ノンドープGaAs量子井戸活性層
５（0.01μｍ）、ノンドープGa0.7Al0.3Asキヤリ
アリザーバ層６（0.1μｍ）、ｐ型Ga0.5Al0.5Asク
ラツド層７（1μｍ）、ｐ型GaAsキヤツプ層８
（0.3μｍ）をMBE法により連続成長させたもので
ある。第３図は第２図に示すレーザ構造を形成す
るクラツド層３，７、キヤリアリザーバ層４，６
及び活性層５から成る積層構造のAl混晶比分布
を示したものである。レーザ発振は最もAl混晶
比の低いGaAs量子井戸活性層５で起こるが、活
性層５の厚みが0.01μｍと光の波長に比べて極め
て薄いため光学的には無視することができる。こ
のため光導波はキヤリアリザーバ層４，６とクラ
ツド層３，７で形成される光導波路により行なわ
れる。この構造では、単一量子井戸活性層５が非
常に薄くかつよりエネルギーギヤツプの大きなキ
ヤリアリザーバ層４，６にはさまれているために
生ずる量子井戸活性層５内の量子化準位を介して
レーザ発振が起こる。このような量子化準位は量
子井戸界面における急峻なエネルギーギヤツプの
変化により生ずるものであるため、活性層５界面
の組成は急峻に変化することが望ましい。しかし
ながら、第２図に示したレーザ素子構造において
は、量子井戸界面を形成するのはGaAlAs三元混
晶であるため、成長層界面に平行な方向でGaと
Alの微視的な配列の不均一あるいは配列の不規
則性が生じている。このため、エネルギーギヤツ
プの変化は界面で完全に急峻とはならずかなりの
ゆらぎをもつたものとなり、理想的な量子井戸の
特性を実現することは困難である。
量子井戸構造としては、前述した単一量子井戸
の他に第４図に示すようなAl混晶比分布を有す
る多重量子井戸も従来より多く用いられている。
この多重量子井戸構造は５つのGaAs量子井戸活
性層１２（0.01μｍ）を４つのGa0.7Al0.3Asバリ
ア層１３（0.005μｍ）で分離形成した多重量子井
戸構造をGa0.7Al0.3Asクラツド層１１ではさん
だ構造となつている。ここに示す多重量子井戸構
造では活性層１２とバリア層１３より成る量子井
戸の平均的Al混晶比は約0.086とGa0.7Al0.3Asに
比べて小さく量子井戸部の厚みが0.07μｍと比較
的厚いため、光導波路として働かせることができ
る。多重量子井戸構造においては、更に量子井戸
層１２及びバリア層１３の数を増加することによ
り量子井戸内に存在する導波光の比率を増すこと
ができる。従つて、量子井戸に特有の強いエキシ
トンの効果を利用したような、光導波路、光スイ
ツチ、光変調器の光導波デバイスに応用する際に
は単一量子井戸よりも多重量子井戸を用いる方が
効果的である。但しこの場合においても前述の単
一量子井戸の場合と同様に、バリア層１３あるい
はクラツド層１１にGaAlAsのような混晶を用い
ると、成長層面内のゆらぎの悪影響を受けること
になる。
＜発明の目的＞ 本発明は、以上のような問題点に鑑み、混晶に
起因する界面のゆらぎのない理想的な量子井戸光
導波路を有する光半導体装置を提供することを目
的とする。
＜実施例＞ 第１図は本発明の一実施例を示す量子井戸構造
半導体レーザの断面構造に対応するAl混晶比分
布図である。本実施例においてはAl混晶比０と
１すなわちGaAsとAlAsの二元系化合物のみにて
量子井戸構造を形成しており、混晶を含まない構
造となつている。素子構造は、第２図の構造と同
様に、ｎ型GaAs基板上にｎ型GaAsバツフア層
（0.5μｍ）を成長し、その上に第１図に示すよう
にｎ型GaAs（10Å）とｎ型AlAs（10Å）を交互に
それぞれ500層積層した超格子クラツド層２３、
ノンドープGaAs（25Å）（禁制体幅のより小さい
第１の二元系化合物半導体薄層）とノンドープ
AlAs（10Å）（禁制体幅のより大きい第２の二元
系化合物半導体薄層）を交互にそれぞれ30層積層
した超格子光ガイド層２４、ノンドープGaAs量
子井戸活性層（100Å）２５、ノンドープGaAs
（25Å）（禁制体幅のより小さい第１の二元系化合
物半導体薄層）とノンドープAlAs（10Å）（禁制
体幅のより大きい第２の二元系化合物半導体薄
層）を交互にそれぞれ30層積層した超格子光ガイ
ド層２６、ｐ型GaAs（10Å）とｐ型AlAs（10Å）
を交互にそれぞれ500層積層した超格子クラツド
層２７、さらにその上にｐ型GaAsキヤツプ層
（0.3μｍ）をMBE法又はMO−CVD法により連続
的に成長させることにより得られる。MBE法や
MO−CVD法を利用することにより、前述した
如く非常に薄い層を得ることができる。この構造
では超格子クラツド層２３，２７の等価的なAl
混晶比は0.5と超格子光ガイド層２４，２６の等
価的なAl混晶比約0.29に比べて大きく光導波路と
しては第３図とほぼ等価な構造となつているため
活性層２５を中心として有効に光が導波される。
また、活性層２５の量子化準位の形成に重要な影
響を及ぼす光ガイド層２４，２６に混晶を含まな
いため、混晶に起因するゆらぎもなく優れた量子
効果が得られる。活性層２５の界面では組成が急
峻な変化を呈し、エネルギーギヤツプも急峻とな
る。本実施例のようにMBE法によりAlAs層を成
長する場合、Al分子線と残留酸素等との反応に
よる結晶性の低下が懸念されるが、本実施例で示
したように単一AlAs層の厚みを10Åと薄く設定
することにより、AlAs単層の成長時間は数秒程
度と短いため、混晶として平均的にAl分子線を
飛ばしている場合と何ら変わらない結晶性の超格
子層を得ることができる。次にｎ型GaAs基板の
裏面にｎ側金属電極、ｐ型キヤツプ層上にｐ側金
属電極を蒸着形成して超格子構造のダブルヘテロ
接合型半導体レーザ素子が作製され、また必要に
応じて電流狭穿用ストライプ構造が設けられる。
ｎ側電極とｐ側電極を介して電流を注入すると
超格子構造によつて光が導波され、活性層２５に
キヤリアが閉じ込められてレーザ動作が開始され
る。光はガイド層２４，２６の領域まで導波さ
れ、共振器内で充分に増幅される。その結果、誘
導放射の条件を満たし共振端面よりレーザ光が放
射される。光ガイド層２４，２６は活性層２５で
の過度の光密度増大を緩和し、安定にレーザ発振
を持続される。放射されるレーザ光は高出力なも
のとなり量子井戸特性も良好となる。また発振閾
値電流も小さく、従つて出力動作の安定な実用価
値の高いレーザ装置として情報処理、光通信、計
測等種々の分野に利用することができる。
第５図は本発明の他の実施例を示す多重量子井
戸光導波路の電面構造に対応するAl混晶比分布
図である。超格子クラツド層３１はGaAs（25Å）
とAlAs（10Å）を交互にそれぞれ500層積層して
おり、その間に５つのGaAs量子井戸活性層３２
（100Å）をGaAs（25Å）（禁制体幅のより小さい
第１の二元系化合物半導体薄層）が２層と、
AlAs（10Å）（禁制体幅のより大きい第２の二元
系化合物半導体薄層）が３層とから成るバリア層
３３を介して配置した構造を有している。光導波
構造としては第４図の多重量子井戸光導波路とほ
ぼ等価であるが、混晶に起因するゆらぎの影響が
無いため、より強い量子効果が得られる。
以上、本発明の実施例において、GaAsとAlAs
から成る量子井戸レーザの光ガイド層及び光導波
路のバリア層といつた光導波機構について示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく２元
系化合物としてGaSb、InAs、InPその等の半導
体を用いることも可能である。
＜発明の効果＞ 以上詳説した如く本発明によれば、従来の量子
井戸半導体装置で問題となつていた混晶の同一成
長層面内での組成ゆらぎあるいは不規則性に起因
する量子効果の低下といつた悪影響を受けること
なく量子効果特性の高い量子井戸レーザ、量子井
戸光導波回路等の量子井戸半導体装置を構成する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例を説明する単一量子
井戸半導体レーザのAl混晶比分布図である。第
２図は従来の単一量子井戸半導体レーザの断面構
成図である。第３図は第２図に示すGaAlAs量子
井戸レーザのAl混晶比の分布を示す説明図であ
る。第４図は従来の多重量子井戸光導波路のAl
混晶比分布図である。第５図は本発明の他の実施
例を説明する単一井戸半導体レーザのAl混晶比
分布図である。 ２３，２７……クラツド層、２４，２６……光
ガイド層、２５……活性層、３１……クラツド
層、３２……活性層、３３……バリア層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 二元系化合物半導体からなる活性層と、該活
    性層の両面に隣接して活性層からの光に対し透明
    な超格子層とからなる積層構造を１つ以上備えた
    光導波路と、 該光導波路の両面に隣接した超格子クラツド層
    と、を備えてなり、 前記光導波路の超格子層及び超格子クラツド層
    は、それぞれ、禁制体幅のより小さい第１の二元
    系化合物半導体薄層と、禁制体幅のより大きい第
    ２の二元系化合物半導体薄層とを多層に積層した
    構造を有し、 前記光導波路の超格子層の第１の二元系化合物
    半導体薄層の膜厚は、前記活性層の膜厚より薄い
    ことを特徴とする光半導体装置。
JP59132194A 1984-06-25 1984-06-25 光半導体装置 Granted JPS6110293A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59132194A JPS6110293A (ja) 1984-06-25 1984-06-25 光半導体装置
US06/746,710 US4746181A (en) 1984-06-25 1985-06-20 Optical semiconductor device
EP85304481A EP0166593B1 (en) 1984-06-25 1985-06-24 A semiconductor laser device
DE3587748T DE3587748T2 (de) 1984-06-25 1985-06-24 Halbleiterlaseranordnung.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59132194A JPS6110293A (ja) 1984-06-25 1984-06-25 光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6110293A JPS6110293A (ja) 1986-01-17
JPH0418476B2 true JPH0418476B2 (ja) 1992-03-27

Family

ID=15075592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59132194A Granted JPS6110293A (ja) 1984-06-25 1984-06-25 光半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4746181A (ja)
EP (1) EP0166593B1 (ja)
JP (1) JPS6110293A (ja)
DE (1) DE3587748T2 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131414A (ja) * 1984-11-29 1986-06-19 Sharp Corp 半導体装置
JPS61154191A (ja) * 1984-12-27 1986-07-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ素子
JPS61244086A (ja) * 1985-04-22 1986-10-30 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPH0728022B2 (ja) * 1985-05-07 1995-03-29 株式会社日立製作所 光信号伝達系を備えた電子デバイス
FR2592739B1 (fr) * 1986-01-06 1988-03-18 Brillouet Francois Structure semi-conductrice monolithique d'un laser et d'un transistor a effet de champ et son procede de fabrication
JPS62165385A (ja) * 1986-01-14 1987-07-21 Nec Corp 半導体発光装置
FR2593966B1 (fr) * 1986-02-04 1988-09-09 Ankri David Structure semi-conductrice monolithique d'un transistor bipolaire a heterojonction et d'un laser
JPS62188295A (ja) * 1986-02-13 1987-08-17 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
FR2596529B1 (fr) * 1986-03-28 1988-05-13 Thomson Csf Guide d'onde optique en materiau semiconducteur, laser appliquant ce guide d'onde et procede de realisation
US4851886A (en) * 1986-06-11 1989-07-25 Texas Instruments Incorporated Binary superlattice tunneling device and method
US4760579A (en) * 1986-07-01 1988-07-26 Hughes Aircraft Company Quantum well laser with charge carrier density enhancement
JPS63153887A (ja) * 1986-08-08 1988-06-27 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPH0666519B2 (ja) * 1986-08-14 1994-08-24 東京工業大学長 超格子構造体
JPS6371826A (ja) * 1986-09-16 1988-04-01 Hitachi Ltd 光半導体装置
FR2607978A1 (fr) * 1986-12-09 1988-06-10 Thomson Csf Laser infrarouge a semi-conducteur accordable a double puits quantiques
JP2544378B2 (ja) * 1987-03-25 1996-10-16 株式会社日立製作所 光半導体装置
JP2558768B2 (ja) * 1987-12-29 1996-11-27 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JPH01222430A (ja) * 1988-03-01 1989-09-05 Fujitsu Ltd 歪超格子バッファ
GB2223351A (en) * 1988-09-28 1990-04-04 Philips Electronic Associated A method of manufacturing a semiconductor device having waveguide structure
JP2746326B2 (ja) * 1989-01-10 1998-05-06 株式会社日立製作所 半導体光素子
JP2719187B2 (ja) * 1989-05-08 1998-02-25 キヤノン株式会社 光導波路及びそれを用いた光アイソレータ
US5054871A (en) * 1990-07-02 1991-10-08 Bell Communications Research, Inc. Semiconductor waveguide and impedance-matched detector
US5117469A (en) * 1991-02-01 1992-05-26 Bell Communications Research, Inc. Polarization-dependent and polarization-diversified opto-electronic devices using a strained quantum well
JPH04291304A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Fujitsu Ltd 光導波路および光信号の制御方法
AU2401792A (en) * 1991-08-01 1993-03-02 Optronics Ireland A laser structure
JPH0629621A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
US5598492A (en) * 1995-10-10 1997-01-28 Hammer; Jacob M. Metal-ferromagnetic optical waveguide isolator
US6783849B2 (en) 1998-03-27 2004-08-31 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
US6316098B1 (en) 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
TWI341600B (en) * 2007-08-31 2011-05-01 Huga Optotech Inc Light optoelectronic device and forming method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152178A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light emitting device with super lattice structure

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4261771A (en) * 1979-10-31 1981-04-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152178A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light emitting device with super lattice structure

Also Published As

Publication number Publication date
DE3587748T2 (de) 1994-06-01
EP0166593A2 (en) 1986-01-02
JPS6110293A (ja) 1986-01-17
US4746181A (en) 1988-05-24
EP0166593A3 (en) 1987-08-19
DE3587748D1 (de) 1994-03-24
EP0166593B1 (en) 1994-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0418476B2 (ja)
JP3504742B2 (ja) レーザダイオード
EP0378919B1 (en) High band-gap opto-electronic device and method for making same
JPH0373154B2 (ja)
KR910003465B1 (ko) 광 반도체장치
JPH0821748B2 (ja) 半導体レ−ザ装置
US4804639A (en) Method of making a DH laser with strained layers by MBE
JP2558744B2 (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
US20210408767A1 (en) O-band silicon-based high-speed semiconductor laser diode for optical communication and its manufacturing method
JP2558768B2 (ja) 半導体レーザ装置
US4894836A (en) Semiconductor device
US4933728A (en) Semiconductor optical device
JP2969979B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品用の半導体構造
EP0188080B1 (en) Light-emitting semiconductor device having a super lattice
US4887274A (en) Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device
JP3829153B2 (ja) 光半導体装置
JPH04350988A (ja) 量子井戸構造発光素子
JPH11354884A (ja) 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
JP2966982B2 (ja) 半導体レーザ
JP2748570B2 (ja) 半導体レーザ素子
JPH1084170A (ja) 量子井戸半導体レーザ素子
KR0130066B1 (ko) 반도체 레이저 및 그 제조방법
JPH0555697A (ja) 半導体レーザ
JPH0793471B2 (ja) 半導体量子井戸レ−ザ
JP2544924B2 (ja) 半導体レ−ザ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees