JP2969979B2 - オプトエレクトロニクス部品用の半導体構造 - Google Patents
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Description
体レーザの多層構造に関する。より一般的には、この発
明の応用はオプトエレクトロニクスであり、更に光及び
超小形電子技術のモノリシックまで広範囲に関する。
は現在最も広く使用されている半導体材料である。シリ
コンを用いた超小形電子技術においては非常に大規模な
集積が確立されているが、オプトエレクトロニクスを形
成しているヘテロ構造のレーザは、GaAs基板の上の
GaAs/GaAlAs及びInP基板上のGaInA
s/AlInPまたはGaInAs/InPのようにメ
ンデレーエフ分類表のIII族及びV族の半導体材料に
よっている。例えばIII族、V族及びシリコンのよう
な種々の材料から製造されるコンプリメント機能を有し
たオプトエレクトロニクス及び超小形電子技術デバイス
の同一基板上への集積が特に興味のある分野であり、近
年し烈な研究作業となりつつある。
性、完全性、高熱伝導率、低価格等.シリコン上へのI
II−V族化合物の堆積をメインとする研究が主になさ
れている。この種のエピタキシアル成長について多くの
進歩が得られ、その進歩により次の障害の一部分を解決
できる:III−V族半導体のような有極材料をシリコ
ンのような無極材料の上に堆積させる難かしさ、及びそ
れらの間の格子変数の差、(例えばシリコン上のGaA
sでは4%)に起因する問題。
エピタキシアル堆積材料の中に非常に多量の転位(disl
ocation,例えば結晶欠陥)があることを示している。
これらの転位の原因はエピタキシアル成長が行われる表
面の状態と、エピタキシアル半導体の結晶が時間により
劣化することの両方または一方であるとすることができ
る。それらの原因がどうであれ、これらの転位により局
部的な不均一が生じ大きくなる。
結晶格子変数より低いならば、1番目の層は張力を受け
やすく、しかもその層の境界面で転位が生ずる。1番目
の層が活性層のレーザ素子ならば、そのレーザ素子の性
能は存在している転位の数にかなり左右される。こうし
た欠陥により少数キャリアがこの素子の電流のスレショ
ルドに影響を与えることは勿論であるが、更にそのエー
ジングにも影響を与える。素子が動作するとき、電界更
に高密度の光子とキャリアがあることにより、新たな欠
陥を生ずる転位が更に促進されしかも新しい欠陥の発生
が助長される。
いて、オプトエレクトロニクス成分はGaAs基板上に
GaAs/GaAlAsのように、またInP基板上の
GaInAs/AlInAsのような、III−V族半
導体のヘテロ構造から構成されている。これらの構造が
従来の技術により成長する間得られる転位の割合は、有
機金属化合物から生ずるエピタキシイ分子線及び気相成
長法のように約104/cm2 である。その割合は商業
的大規模な使用により証明されているように、波長が
0.85μmのGaAs/GaAlAsレーザダイオー
ドのようなオプトエレクトロニクス素子の特有な働きに
対し矛盾していない;しかしある場合には、素子が動作
している間転位の変位と増殖が観測され、それらはこれ
らの成分の寿命と関係がある。転位に関係のある問題
は、この場合は潜在的であるが使用材料に欠陥が多い場
合には厳しい問題となる。
せる場合、構造内では出来るだけ低い転位率で捜すこと
が基本である。材料の表面層の転位率はcm2 当たりの
転位が約106 から107 である。転位の数は堆積の
厚さと共に減少するが、堆積は材料に対し4ないし5ミ
クロンを越えることがない。シリコンとIII−V族の
材料の膨張係数が大きく異ることにより、約500℃か
ら600℃の成長温度が室温まで低下した時、多数のク
ラックの組成物がエピタキシャル層内に残る。転位の数
を減少する試みの失敗は全てシリコン基板上に作られた
レーザ成分の安定性に関係がある。
Si上のGaAs基板の場合を検討するが、それについ
ては最も一生懸命に研究されている。室温での連続放射
によるダブルヘテロ構造のレーザは素子がレーザのスレ
ッシュホールド以下では劣化するので現在のところ観測
されていない。他方、パルスモードと約1分の短期間連
続モードにおける常温での動作が、量子井戸レーザすな
わち傾斜率により分離された閉じ込めを有する構造に観
測される。活性層の寸法を小さくすると、オプトエレク
トロニクス素子の動作に有利なことは明らかである。こ
のことはいくつかの有利な因子となる。分離された閉じ
込めの考えを使用することにより、素子のスレショルド
電流を下げることができ、それ故素子の安定性を増加で
きる。更に、2種類のキャリアが同時に存在する構造の
活性層の寸法を小さくすることができる:再結合の前に
キャリアの拡散がある平面で生ずるが、転位は活性層を
交差するラインの一部分を除いてキャリア捕獲内にもは
や生じない。しかし、これらの量子井戸構造を用いたと
しても得られた成分は十分には安定しておらず、寿命に
関係した問題がある。
作られたレーザのようなオプトエレクトロニクス素子が
動作するとき、転位の影響を少なくすることである。
構造が与えられ、その材料内で層の1つには半導体材料
の中に3次元含有物があり、その半導体材料の禁制帯
(バンドギャップ)は前記材料の層の禁制帯より狭い。
プトエレクトロニクス素子の活性層がある。含有物によ
りキャリアに対する補促機能が確実となり、それにより
転位の核の方向及び関連した非放射性中心の方向に対す
るキャリアの拡散を避けることができる。含有物はレー
ザ利得を生ずる電子と捕促ホールの間の放射性再結合の
位置にある。
することにより挿入されるが、その核モードはIII−
V族の材料のエピタキシイにより使用されている基板の
不整合の高いことが観測される。従って、この発明の実
施態様である多層構造を作る方法は、前記層の1つを構
成する材料が成長する間、次の2つの連続した段階をと
る:−少なくとも一度前記成長を中断すること、−3次
元含有物を構成する前記層の材料の禁制帯より狭い禁制
帯を有する半導体材料の薄い層を堆積すること。
の発明による半導体レーザの構造は周知の半導体レーザ
構造と類似のものである。周知の構造には半導体基板1
と、基板1の主となる側に置かれた半導体材料2、3、
4、5の3層ないし4層の積層がある。
の4層にはダブルヘテロ構造が与えられしかも構成して
いる。2から4までの層は半導体材料であり、それによ
り価電子帯BVと導電帯BCの間に狭い禁制帯(バンド
ギャップ)BIがあり、しかも屈折率が高い;層2と4
の半導体材料はGaAsとすることができる。他の2つ
の層3と5は禁制帯L3とL5を有した半導体材料であ
り、L3とL5の禁制帯の幅は図2と図3に示すように
層4の禁制帯L4より大きく屈折率が低い。層2と4の
禁制帯の狭さはここでは層3と5の禁制帯の大きさとの
関係で決められている。これらの条件では周知のよう
に、層3と5により層3と5の間の中間にある活性層4
内を伝播するレーザビームが閉じ込められる。
積層により、シリコンSiの基板上に形成されるダブル
ヘテロ構造のGaAs/GaAlAsが構成される。
基板1の前記の主となる側に直接エピタキシイとして堆
積され、しかもGaAsの中にある。層2にあるバッフ
ァ層は出来るだけ転位しないようにされており、その唯
一の目的は層3、4、5により構成されたレーザ構造と
整合性のある格子である媒体を提供することである。あ
る実施例によれば、層2は取り除くことができる。
5の厚い層の間に差し込まれており、それらより厚い。
性層4より屈折率が小さい3種類の合金GaAlAsの
中にある。層3と5は導電性でそれぞれ種類がnとpの
反対の不純物が注入されている。注入された電子とホー
ルはこのように閉じ込められ、光波を確実に閉じ込める
活性層4の中で再結合する。レーザの活性領域を作る層
4の中でエネルギはキャリアの再結合により電磁波に変
換される。
調器や光スイッチのようなオプトエレクトロニクスの素
子として半導体材料のあらゆる種類の既知の構造に適応
できることを知る必要がある。とりわけ、閉じ込めを行
う層3と5は、それぞれ濃度の異る注入の材料が同じい
くつかの層により構成され、上側の層5は種類と導電率
の両方または一方が異る半導体材料の他の層で覆われて
いる場合があり、或いはSiO2またはSi3N4のよ
うな絶縁層で覆われている場合がある。電極を形成する
2つの薄い金属層6、7は積層の両側に与えられること
は勿論である。
導体レーザ構造には基板1aと、重畳された層2a、3
a、4a、5aがあり、同様に図1に示す既知の構造の
基板1と、2から5の層、電極6と7と同じ方法で他に
対して配置された電極6a、7aがある。層4aを除い
た他の全ての層は既知の構造の対応する層に等しい。
4と比較するとインジウムヒ素InAsのような半導体
材料の中にある点状の含有物8により修飾されており、
このInAsには図6に示すようにガリウムヒ素GaA
sのような活性層4aの半導体材料の禁制帯L4より幅
の小さい禁制帯L8がある。図5により詳細にしかも模
型的に示すように、InAsの含有物8により半球状の
帽子の形をした島が作られており、その島は層4aの上
に広がっており、密度がほぼ一定であり、閉じ込めの層
3aと5aに平行ないくつかの平面内にある。図5への
過剰な記載を避けるため、含有物8の3つの平面P1、
P2、PNのみが図示されている。
製造は、活性層4aを構成する段階を除くと従来の技術
と同じ種類のレーザの製造と類似している。レーザ構造
は全て、例えば分子ビームエピタキシイMBEのような
同じ成長技術により、または他の実施態様による気相成
長法により作られる。
エピタキシイによる成長は閉じ込め層3aの端から始ま
る。この層4aの厚さが平面P1からPNのそれぞれに
到達すると、その成長は平面P2に対する図8に示すよ
うに、構造内のその点で中断される。InAsの薄い層
は活性層4aに4a1 、4a2 、…のように形成され
た副層の表面に堆積する。InAsの様な材料にある格
子はGaAsとの不整合が約7%と大きく、InAs成
長モードに強い影響を与える。実際には、厚さがほぼ
0.3nmである1番目のInAsの分子層P1はこの格
子変数の違いを弾力的に調整する。しかし、平面P2に
対応した2番目の単層から、3次元成長モードへの移行
が観測されるのは500℃から550℃の通常の成長温
度である。インジウムヒ素InAsの島8はその表面に
作られる。走査形伝送電子顕微鏡(STEM)でこれら
の島を観察してみると、InAsの島の大きさはかなり
均一に見え、島の分布状態は図9の2番目の活性副層4
a2 のレベルに示すようにサンプルの表面の上で比較
的に一様である。実際には、含有物のそれぞれは大きさ
がほぼ5×5×2nm3 の小さな敷物の中に彫られてお
り、その含有物は図5に示す平面P1、P2及びPNの
ように1つのまたは多数の平面の上に広がっている。平
面内の含有物がそれぞれ堆積した後、GaAsのエピタ
キシャル成長は再び他の活性層を形成するように行われ
る。GaAs格子内に閉じ込められるので、含有物には
いかなる転位も含まれていない。
InAsの禁制帯エネルギ(バンドギャップエネルギ)
はガリウムヒ素GaAsの禁制帯エネルギより小さい。
含有物8はそれ故、電子とホールに対しより魅力的であ
る。GaAsのInAs構造に対する光ルミネセンスの
研究により示されているのは、含有物によりキャリアを
非常に効率よく補促することが行なわれるのは、含有物
による非常に強いルミネセンスと共に非常に小さな役割
をするGaAs格子によってであり、更にこれらの構造
の光学的品質が非常に良いということである。これらの
構造の透過についての研究により示されているのは、こ
のルミネセンスが固有的である、すなわちルミネセンス
エネルギと結合する高密度の状態に連結されているとい
うことである。最終的に含有物の大きさと、従って関係
したルミネセンスラインの位置を左右するのは3次元成
長モードに変換された後に堆積するInAsの品質であ
る。
As含有物8の密度は非常に高くほぼ1012/cm2
であり、特にSi上にある周知のGaAs構造の転位の
数、典型的には約106 /cm2 と比較すると高い。転
位の近くにある含有物8はそれ故集団の小さな一部分で
あることを示している。注入キャリアがそれ故有する補
促の可能性は転位によるよりも含有物によっており、し
かも転位の近くで撹乱された含有物によるよりも元のま
まの含有物によっている。最終的に、InAs含有物の
回りにかなり束縛された領域があることにより転位の伝
播を阻止することができる。活性層4aの中にある光波
の一部として決められる閉じ込め係数Γはこの発明によ
る実施態様の構造では低いが、図1に示すダブルヘテロ
構造の場合は1に近い。含有物の平面P1からPNに対
して、閉じ込め係数は0.6nmの幅の量子単井戸構造の
閉じ込め係数に近い。他方、活性媒体gv の単位体積
当たりの利得は量子箱のあるレーザのようなものに対し
ては非常に意味のある増加をする。空洞内で光波に対し
同じ増幅を得るには、モード利得Γ・gv は構造の2
倍と同じにする必要がある。光閉じ込め係数を増加させ
るためには、構造内の含有物平面を増やす必要がある。
この要求は厚さが200nmのGaAsの空洞にInAs
含有物8のN=10から40の平面P1からPNを形成
することにより満たされる。
る上述の事を通して、本発明により他の周知のヘテロ構
造の活性層に含有物を導入することができる。III−
V族化合物の半導体合金ヘテロ構造では、不整合の大き
いSiまたはGaAs基板上にレーザ構造(InGa)
As/(InAl)Asまたは(InGa)As/In
Pを作ることが言える。InAs含有物はこの発明の実
施態様の方法により製造することができる。2元合金ま
たは3元合金の代りにGaInAsPまたはInGaA
lAsのような4元合金を与えることができる。商業的
に使用できる基板が不十分な品質である時、すなわち転
位率が高い時は、本発明は整合構造でも実施することが
できる。
斜率により分離した閉じ込めを有するヘテロ構造のよう
に、光閉じ込め係数とキャリアの収集を最適にするため
通常使用されているレーザ構造にも適用される。
観測される他の成長技術の構成にも適用することができ
る。GaAsレーザ構造をInAs含有物のあるSiの
上に作ることが、例えば有機金属化合物から生ずる気相
成長の中にあることもありうる。
レクトロニクス素子の性能の劣化を少くすることができ
るのは、それが数の増加か或いは伝播の問題であるかに
拘らず、この劣化が転位により生ずる時であり、その理
由は転位の影響が減少するからである。この状況はレー
ザの出力を応用する場合に重要である。
面図
厚さ−量子エネルギを示す図
−屈折率を示す図
導体材料の多層構造の概略を示す横断面図
造の厚さ−量子エネルギ図
す構造の厚さ−量子エネルギ図
の含有物の堆積の前後と、含有物の上に活性層の副層が
堆積した後の図5の活性層の位置の説明図
の含有物の堆積の前後と、含有物の上に活性層の副層が
堆積した後の図5の活性層の位置の説明図
での含有物の堆積の前後と、含有物の上に活性層の副層
が堆積した後の図5の活性層の位置の説明図
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体材料(1a、5a)の間に複数の
層を有する半導体構造において、 前記複数の層の中のひとつの層(4a)はオプトエレク
トロニクス部品用の活性層を形成し、当該層(4a)の
材料の禁制帯(L4)よりも狭い禁制帯(L8)をもつ
半導体材料の3次元含有物(8)を有し、該含有物は点
状で、活性層の転位に比べて高い密度を示すことを特徴
とする半導体構造。 - 【請求項2】 前記活性層の中の前記含有物(8)は数
個のほぼ平行な面(P1−PN)にわたって分布する、
請求項1記載の半導体構造。 - 【請求項3】 前記活性層の中の各含有物の大きさが約
50nm3である請求項1又は2に記載の半導体構造。 - 【請求項4】 含有物(8)がインジウムヒ素(InA
s)である、請求項1−3のひとつに記載の半導体構
造。 - 【請求項5】 前記含有物(8)を有する前記活性層
(4a)はInGaAs、GaAs、GaInAsP、
InGaAlAsから選択されるひとつの半導体により
構成される、請求項1−4のひとつに記載の半導体構
造。 - 【請求項6】 請求項1−5のひとつに記載の半導体構
造の製造方法において、前記活性層(4a)を構成する
材料の成長の間に、前記成長が少なくとも2回中断され
て、前記層(4a)の材料の禁制帯より狭い禁制帯をも
ち前記含有物を構成する半導体材料の薄層(P1−P
N)を堆積する製造方法。 - 【請求項7】 前記成長は有機金属化合物の分子線エピ
タキシイ又は気相エピタキシイにより行われる請求項6
記載の製造方法。
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