SE509809C2 - Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område - Google Patents

Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område

Info

Publication number
SE509809C2
SE509809C2 SE9503879A SE9503879A SE509809C2 SE 509809 C2 SE509809 C2 SE 509809C2 SE 9503879 A SE9503879 A SE 9503879A SE 9503879 A SE9503879 A SE 9503879A SE 509809 C2 SE509809 C2 SE 509809C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
light
sub
implanted
emitting
layer
Prior art date
Application number
SE9503879A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9503879D0 (sv
SE9503879L (sv
Inventor
Hans Nettelbladt
Michael Widman
Original Assignee
Mitel Semiconductor Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitel Semiconductor Ab filed Critical Mitel Semiconductor Ab
Priority to SE9503879A priority Critical patent/SE509809C2/sv
Publication of SE9503879D0 publication Critical patent/SE9503879D0/sv
Priority to US08/875,362 priority patent/US6215132B1/en
Priority to DE69618341T priority patent/DE69618341T2/de
Priority to EP96937624A priority patent/EP0801818B1/en
Priority to CA002212624A priority patent/CA2212624A1/en
Priority to PCT/SE1996/001392 priority patent/WO1997016855A1/en
Publication of SE9503879L publication Critical patent/SE9503879L/sv
Publication of SE509809C2 publication Critical patent/SE509809C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/202—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping characterised by the semiconductor materials
    • H10P30/206—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping characterised by the semiconductor materials into Group III-V semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/8215—Bodies characterised by crystalline imperfections, e.g. dislocations; characterised by the distribution of dopants, e.g. delta-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/208—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically inactive species

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Description

25 30 1509 809 2 För mycket vitala ftmktioner kan redundans skapas genom att samtidigt använda minst två parallellkopplade lysdioder. Ofta är dock utrymmet för begränsat för att kunna använda flera dioder, till exempel vid ljusinmatning in i optiska fibrer där typiska tvärsnitt är 20-100 milcrometer. ' REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN Uppfinningens grundidé är att dela upp det ljusernitterande området i minst två del- områden genom zoner av halvledarmaterial som ej tillåter dislokationer att breda ut sig mellan områden. Ihöjdled avgränsas de ljusernitterande delområdena genom skikt av material med högre energigap än det ljusemitterande materialet både över och under det ljusemitterande slciktet. På grund av det högre energigapet i dessa skikt är dessa transparenta för det alstrade ljuset och därför kan dislokationer som alstras av absorberat ljus ej breda ut sig in i dessa skikt. I sidled sker avgränsningen med jonimplanterat material som alstras genom jonbombardemang. Genom denna behandling ökar motståndslcraften mot mekanisk deformation och dänned även mot utbredning av dislokationer.
Nedsättriingen av ljusemissionsfönnågan begränsas på detta sätt till ett delområde och den av hela dioden emitterande ljusmängden minskar bara i proportion till del- områdets andel av hela det ljusernitterande området. För till exempel en lysdiod med fyra lika stora ljusemitterande delområden och en sannolikhet P för degradering av ett sådant område efter en viss brinntid betyder det att ljusstyrkan sjunker till 75% av ursprungsvärdet med sannolikheten P, till 50% av ursprungsvärdet med sannolik- heten P2, till 25% av ursprungsvärdet med sarmolikheten P3 och först efter bortfallet av alla fyra delområdena med sannolikheten P4 slocknar hela lysdioden. Detta inne- bär mycket små sannolikheter för bortfall av mer än ett delområde och därmed en mycket stor driftsäkerhet om anordningen som lysdioden används i tolererar en minskning av ljusstyrkan. 10 20 25 30 509 809 RITNINGSFÖRTECKNING Fig. 1 visar en ljusdiod enligt uppfinningen med fyra ljusemitterande delområden sett fiån ovan Fig, 2 visar samma ljusdiod som i Pig 1 i genomskämíng.
BESKRIVNING AV UTFÖRINGSFORMEN En utföringsform av uppfinningen med en uppdelning av det ljusemitterande områ- det i fyra sektorfonnade delområden visas i Pig. 1 och Fig. 2. En lysdiod enligt uppfinningen i denna utföringsform består av ett övre ledande kontaktskikt 1, ett undre ledande kontalctslcikt 2 med fönster för ljusutsläpp 3, ett ljusemitterande halvledande skikt 4 omgivet av ett undre och ett övre skikt av halvledande material 5 med större energigap än det ljusemitterande materialet i skikt 4 och protonirnplante- rade barriärer 6 som utsträcker sig i höjdled igenom det undre halvledande sldktet, det ljusemitterande slciktet och nedre delen av det övre halvledande skiktet och är fonngivet i sidled på ett sådant sätt att fyra sektorfonnade ljusemitterande områden avgränsas från varandra Dislokationer som uppstår i någon av dessa sektorer kan inte utbreda sig igenom de protonimplanterade barriärema eller slcikten med högre energigap till de andra sek- torerna Skadan begränsas alltså till den sektor, där dislokationer har startat.

Claims (1)

1. 0 15 20 25 30 5o9 809 4 PATENTKRAV Anordning for ljusalstring med hjälp av halvledande material bestående av två elektriskt ledande kontaktslcikt (1, 2) och minst ett däremellan anordnat skikt av halvledande material, k ä n n e t e c k n a d a v, att det ljusemitterande halv- ledande skiktet (4) är uppdelat i minst två ständigt parallellkopplade delområ- den, avgränsade av halvledande material (5) med högre energigap än det ljus- emitterande skiktet eller avgränsade av jonimplanterat halvledande material (6), där det avgränsande materialet skall hindra utbredningen av dislokationer mel- lan delområdena Anordning enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d av, att det ljusernitteran- de skiktet är uppdelat i minst två delområden avgränsade av halvledande mate- rial med högre energigap. Anordning enligt patentlcrav 1, k ä n n e t e c k n a d av, att det ljusemitteran- de skiktet är uppdelat i minst två delområden avgränsade av jonimplanterad halvledande material och halvledande material med högre energigap. Anordning enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d av, att det jonimplante- rade materialet är protonimplanterat. Anordning enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d av. att det jonimplante- rade materialet är protonimplanterat.
SE9503879A 1995-11-03 1995-11-03 Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område SE509809C2 (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9503879A SE509809C2 (sv) 1995-11-03 1995-11-03 Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område
US08/875,362 US6215132B1 (en) 1995-11-03 1996-10-30 Light-emitting diode with divided light-emitting region
DE69618341T DE69618341T2 (de) 1995-11-03 1996-10-30 Leuchtdiode mit getrennten Licht emittierenden Zonen
EP96937624A EP0801818B1 (en) 1995-11-03 1996-10-30 Light-emitting diode with divided light-emitting regions
CA002212624A CA2212624A1 (en) 1995-11-03 1996-10-30 Light-emitting diode with divided light-emitting region
PCT/SE1996/001392 WO1997016855A1 (en) 1995-11-03 1996-10-30 Light-emitting diode with divided light-emitting region

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9503879A SE509809C2 (sv) 1995-11-03 1995-11-03 Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9503879D0 SE9503879D0 (sv) 1995-11-03
SE9503879L SE9503879L (sv) 1997-05-04
SE509809C2 true SE509809C2 (sv) 1999-03-08

Family

ID=20400065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9503879A SE509809C2 (sv) 1995-11-03 1995-11-03 Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6215132B1 (sv)
EP (1) EP0801818B1 (sv)
CA (1) CA2212624A1 (sv)
DE (1) DE69618341T2 (sv)
SE (1) SE509809C2 (sv)
WO (1) WO1997016855A1 (sv)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768753B2 (en) * 2002-05-22 2004-07-27 Spectra Physics Reliable diode laser stack
US20070012240A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Sia Chin H Light emitting diode with at least two light emitting zones and method for manufacture
WO2009020432A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 Agency For Science, Technology And Research An electro-optic device and a method for manufacturing the same
DE102017126446A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2079612A5 (sv) * 1970-02-06 1971-11-12 Radiotechnique Compelec
US4080617A (en) * 1976-06-09 1978-03-21 Northern Telecom Limited Optoelectronic devices with control of light propagation
FR2573897B1 (fr) * 1984-11-23 1987-03-20 Radiotechnique Compelec Matrice de diodes electroluminescentes et son procede de fabrication
US4956683A (en) * 1988-03-14 1990-09-11 Polaroid Corporation Isolation of p-n junctions
FR2649537B1 (fr) * 1989-07-04 1991-10-11 Philips Electronique Lab Dispositif optoelectronique integre incluant une diode photoluminescente
US4979002A (en) * 1989-09-08 1990-12-18 University Of Colorado Foundation, Inc. Optical photodiode switch array with zener diode
FR2656955B1 (fr) * 1990-01-10 1996-12-13 France Etat Structure a semiconducteurs pour composant optoelectronique.
US5216263A (en) * 1990-11-29 1993-06-01 Xerox Corporation High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays
JPH04225577A (ja) * 1990-12-27 1992-08-14 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオード
SE468410B (sv) 1991-05-08 1993-01-11 Asea Brown Boveri Ytlysande lysdiod
SE501635C2 (sv) 1993-08-20 1995-04-03 Asea Brown Boveri Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla
US5804461A (en) * 1994-12-22 1998-09-08 Polaroid Corporation Laser diode with an ion-implant region

Also Published As

Publication number Publication date
WO1997016855A1 (en) 1997-05-09
SE9503879D0 (sv) 1995-11-03
EP0801818B1 (en) 2002-01-02
EP0801818A1 (en) 1997-10-22
US6215132B1 (en) 2001-04-10
DE69618341T2 (de) 2002-08-22
DE69618341D1 (de) 2002-02-07
SE9503879L (sv) 1997-05-04
CA2212624A1 (en) 1997-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6911676B2 (en) Semiconductor LED device and method for manufacturing the same
US7619284B2 (en) Over charge protection device
JP6772109B2 (ja) 発光ダイオード装置
ATE2984T1 (de) Solarzellen-anordnung.
CA1267716C (en) Edge-emitting light emitting diode
TW350145B (en) Semiconductor light emitting device with high light emission efficiency
TW200725952A (en) AC light emitting diode having improved transparent electrode structure
EP0201930A3 (en) Light emitting semiconductor device
SE509809C2 (sv) Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område
EP0100136B1 (en) Thyristor with a self-protection function for breakover turn-on-failure
RU2137255C1 (ru) Высоковольтный опрокидывающий диод
KR102639883B1 (ko) Oled 디바이스의 제조 방법
KR900702752A (ko) 엘렉트로루미네센트 램프 및 그의 제조 방법
SE501723C2 (sv) Optisk förstärkningsanordning samt användning av anordningen
EP0369755A3 (en) Thin film electroluminescent edge emitter structure on a silicon substrate
Woo et al. Kim
US10573683B2 (en) Light-emitting diode chip
RU2811447C1 (ru) Антивандальный осветительный прибор аварийного освещения
JP2006324306A (ja) 半導体装置
US12009812B2 (en) Optically switched IGBT
GB1306189A (sv)
NO763249L (no) Du/dt - beskyttelsesanordning samt fremgangsm}te for fremstilling av anordningen.
JPH05102602A (ja) 半導体レーザ装置
ES2155490T3 (es) Caracteristicas estratificadas para integracion de modulo copirolizado.
JPH05218595A (ja) 半導体レーザ・アレイ

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed