SE501635C2 - Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla - Google Patents
Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskällaInfo
- Publication number
- SE501635C2 SE501635C2 SE9302691A SE9302691A SE501635C2 SE 501635 C2 SE501635 C2 SE 501635C2 SE 9302691 A SE9302691 A SE 9302691A SE 9302691 A SE9302691 A SE 9302691A SE 501635 C2 SE501635 C2 SE 501635C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- microcavity
- diode
- emitting
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
- H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
10
15
20
25
30
35
5_Û1 635 z
av tvä tjockare skikt, s k barriärskikt,
halvledarmaterial med ett större bandgap än det aktiva skiktet.
av ett annat
Det är tidigare känt att om en DH-struktur placeras i en
mikrokavitet kan det emitterade ljuset riktas. En mikrokavitet
innefattar tvä speglar och mikrokavitetens resonansväglängd
bestäms av avständet mellan speglarna. Detta innebär att när den
emitterade väglängden är exakt lika med mikrokavitetens
resonansväglängd kommer ljuset i huvudsak att riktas vinkelrät
mot halvledarens yta och därmed släppas ut frän halvledaren.
Endast en liten del av ljuset reflekteras i halvledarens yta.
Som speglar i mikrokaviteten kan Braggspeglar användas, vilka
bestär av ett stort antal skikt av halvledarmaterial med
omväxlande högt och lagt brytningsindex. Mikrokaviteten kan
exciteras med yttre strälning (fotoluminescens) eller med ström
(elektroluminescens).
Om det ljusemitterande skiktet görs tillräckligt tunt bildas en
kvantbrunn och den emitterade väglängden kan paverkas med ett
yttre elektriskt fält, s k Stark-effekt.
När kvantbrunnen emitterar ljus med samma väglängd som
mikrokavitetens resonansväglängd riktas ljuset och radiansen
ökar. När kvantbrunnen emitterar ljus vars väglängd avviker frän
mikrokavitetens resonansväglängd minskar radiansen. Pä sä sätt
är det möjligt att modulera radiansen genom att variera det
elektriska fältet över mikrokaviteten. Det elektriska fältet kan
moduleras med mycket högre frekvens än vad
laddningsbärartätheten i halvledaren kan moduleras.
Om kvantbrunnen exciteras genom att ström injiceras via tvä
elektroder pä var sida om mikrokaviteten kan det elektriska
fältet över kvantbrunnen inte varieras oberoende av strömmen,
och radiansen kan därmed inte moduleras.
I EP-patentansökan 473 983 A2 har detta problem lösts genom att,
förutom de tva elektroderna pä var sida om mikrokaviteten,
anordnas en gemensam elektrod pä det skikt som innehaller
10
15
20
25
30
35
s 501 635
kvantbrunnen. Detta innebär att kvantbrunnen exciteras av den
ström som flyter mellan den första elektroden och den gemensamma
elektroden. Det elektriska fältet över kvantbrunnen varieras med
den gemensamma elektroden och den tredje elektroden. Radiansen
kan därmed moduleras.
Det finns flera nackdelar med detta sätt att lösa problemet.
Strömmen måste flyta genom en Braggspegel, vilken har en mycket
hög resistans på grund av de många övergångarna mellan material
med olika bandgap. Det år också svårigheter med att anordna den
gemensamma elektroden på det skikt som utgör kvantbrunnen
eftersom det är mycket tunt (lOOÅ).
För att erhålla snabbast möjliga modulation måste omslagstiden
göras så kort som möjligt. Omslagstiden är proportionell mot
kapacitansen i mikrokaviteten som i sin tur är proportionell mot
kvantbrunnens area. Med ovanstående lösning bestämms
kvantbrunnens area av storleken på kontakten till den gemensamma
elektroden. Detta sätter en undre gräns för omslagstiden.
Ovanstående nackdelar kan elimineras genom att kvantbrunnen
istället exciteras med ljus (fotoluminicens). Vid användning av
en yttre strålningskålla uppstår istället problem med dålig
verkningsgraden. Dels är det svårt att få ut strålningen
effektivt ur strålningskällan och dels år det svårt att få in
strålning i mikrokaviteten. På grund av halvledarmaterialens
höga brytningsindex blir verkningsgraden från en yttre ljuskälla
endast ca 2%.
Ett ändamål med uppfinningen år att anvisa ett förfarande och en
anordning för utsåndande av ljus som på ett effektivt sätt
använder ljus för att excitera en kvantbrunn vilket medför att
radiansen kan moduleras med en mycket hög frekvens.
REDoGöRsLsE FÖR UPPFINNINGEN, FÖRDELAR
Uppfinningen innebär ett förfarande för att sända ut ljus där
ljusets radians kan styras genom att ett elektriskt fält över
10
l5
20
25
30
35
5,01 635 4
ett ljusutsändande organ varieras. Det ljusutsändande organet
exciteras av ljus utsänt frän en ljusemitterande PN-diod vilken
är anordnad i samma halvledarkropp som det ljusutsändande
organet.
En anordning för utsändande av ljus enligt uppfinningen
innefattar en ljusemitterande PN-diod och ett ljusutsändande
organ vars radians kan styras med ett elektriskt fält. Det
ljusutsändande organet och PN-dioden är anordnade i samma
halvledarkropp pä sä sätt att ljus frän PN-dioden exciterar det
ljusutsändande organet sä att det sänder ut ljus.
Det ljusutsändande organet innefattar
- en kvantbrunn som kan sända ut ljus med en optisk väglängd,
vilken vid fränvaro av yttre elektriskt fält har en
grundväglängd,
- en mikrokavitet innefattande tvä reflektorer som omger
kvantbrunnen och där mikrokaviteten har en resonansváglängd som
nära överensstämmer med kvantbrunnens grundväglängd,
- medel för att pälägga ett elektriskt fält över mikrokaviteten
för att förändra den optiska väglängden och därigenom styra
mikrokavitetens radians.
PN-dioden har ätminstone en elektrod som är skild frän det
ljusutsändande organets elektroder. PN-dioden och det
ljusutsändande organet är elektriskt separerade frän varandra pä
sä sätt att det elektriska fältet över mikrokaviteten är helt
oberoende av strömmen genom PN-dioden.
När strälningskällan och mikrokaviteten utförs i samma
halvledarkropp erhälls en hög verkningsgrad för den exciterande
ljuskällan. Eftersom ljuset aldrig behöver lämna halvledaren har
förlusterna pä grund av reflektion i halvledarytorna
eliminerats.
Eftersom ingen ström ska ga genom reflektorerna är det tillätet
att de är däliga ledare.
10
15
20
25
30
35
5 501 655
Kvantbrunnens area kan vara liten och därför blir
mikrokavitetens kapacitans ocksa liten. Pa sà sätt kan
omslagstiden minskas och modulationsfrekvensen blir stor.
FIGURBESKRIVNING
Figur l visar en schematisk bild av en första utföringsform av
uppfinningen.
Figur 2 visar en schematisk bild av ett snitt A-A genom den
första utföringsformen av uppfinningen.
Figur 3 visar ett energibanddiagram för den första
utföringsformen av uppfinningen.
Figur 4 visar en schematisk bild av en andra utföringsform av
uppfinningen.
BESKRIVNING AV UTFÖRINGSFORMER
I figur l och figur 2 visas en första utföringsform av
uppfinningen. Ljus sänds ut genom ett fönster 1, vilket omges av
en cirkulär elektrod 2 som hör till mikrokaviteten, och en
elektrod 3 som hör till PN-dioden.
Uppfinningen utförs pà ett halvledarsubstrat 4, vilket i denna
utföringsform bestár av N-dopad GaAs. Pa halvledarsubstratet
utformas en kvantbrunn som bestàr av ett ljusemitterande aktivt
skikt 5 av odopad GaAs och som är beläget mellan tva
barriärskikt 6,7. Barriárskikten bestá av odopad eller svagt N-
dopad AlxGaAs med en làg halt av aluminium ( x = 0.2).
En mikrokavitet anordnas genom att en övre braggspegel 8 och en
undre braggspegel 9 placeras pà var sida om barriàrskikten och
kvantbrunnen. Den övre braggspegeln bestár av 15 skikt som
omväxlande utgörs av p-ledande AlAS och p-ledande AlxGaAs med en
mycket lag aluminium halt (x = 0.05). Den undre braggspegeln
bestár av 30 skikt som omväxlande utgörs av n-ledande AlAS och
10
15
20
25
30
35
5.01 635 6
n-ledande AlXGaAs ( x = 0.05). Det första skiktet, dvs det skikt
utgörs av AlAs i bäda
braggspeglarna. Närmast halvledarkroppens yta och direkt
som gränsar mot barriärskikten,
gränsande mot den övre braggspegeln 8 anordnas lämpligen ett
avslutningsskikt 10 av ett optiskt transparent material, t ex p-
ledande AlGaAs.
Ett energibanddiagram för den första utföringsformen äterges i
figur 3. Kvantbrunnen som bestär av GaAs har ett mindre bandgap
än barriärskikten som bestàr av AlGaAs och braggspeglarna som
bestär av AlAs och AlGaAs.
Kvantbrunnens grundväglängd bestäms av materialets energibandgap
och kvantbrunnens tjocklek. Mikrokavitetens resonansväglängd
bestäms av dubbla avständet mellan braggspeglarna och väljs
lämpligen ca 1% större än kvantbrunnens grundväglängd. Den
sammanlagda tjockleken av de bäda barriärskikten och det aktiva
skiktet ska dä vara lika med halva resonansväglängden. I denna
utföringsform har det aktiva skiktet en tjocklek av 10 nm, och
barriärskikten har en tjocklek pä 112 nm vardera.
Braggspeglarna är utförda av skikt vars tjocklek är en fjärdedel
av resonansväglängden, dvs ÄR /4. Avslutningsskiktet 10 har en
optisk tjocklek = ÄR /2. Den optiska tjockleken är den verkliga
tjockleken multiplicerat med brytningsindex ( OL = L x n ).
I samma halvledarsubstrat har anordnats en ljusemitterande PN-
diod vilken har ett ljusemitterande skikt ll. Ovanför PN-dioden
har en del av den övre braggspegeln avlägsnats frän
halvledarkroppens yta, men minst ett av de skikt som finns
närmast barriärskiktet har lämnas kvar. Detta skikt 12 utgör
kontaktskikt för PN-diodens elektrod 3. Mikrokaviteten och PN-
dioden har en gemensam elektrod 13. PN-dioden drivs
kontinuerligt genom att ström päförs genom elektroderna 3 och 13
i PN-diodens framriktning.
Radiansen frän mikrokaviteten kan styras genom att en spänning
frän en yttre spänningskälla päläggs mellan mikrokavitetens
10
15
20
25
30
35
v 501 635
elektroder 2 och 13. Radiansen ut frän fönstret l är större när
kvantbrunnen emitterar ljus med samma väglängd som
mikrokavitetens resonansväglängd, än vad den är när kvantbrunnen
emitterar ljus vars väglängd avviker frän resonansväglängden.
Det är alltsä möjligt att variera radiansen genom att spänningen
över mikrokaviteten varieras.
Ett omräde 14 mellan mikrokaviteten och PN-dioden har gjorts
elektriskt isolerande med protonbombardemang som penetrerat
halvledarkroppen ätminstone in i den undre braggspegeln 9.
Omrädet blir dä elektriskt och optiskt isolerande. Efter
värmebehandling övergär omradet l4 till att vara optiskt
transparent igen, samtidigt som den elektriska isoleringen
bihehälls.
I en alternativ utföringsform kan det isolerande omradet sträcka
sig genom hela halvledarkroppen. Dä kan elektroden 13 ersättas
med tva elektroder, där den ena elektroden ansluter till
mikrokaviteten och den andra till PN-dioden.
I en variant pä den första utföringsformen bestär kvantbrunnen
av odopad InGaAs som är gittermissanpassad i förhällande till
GaAs. En fördel med att använda odopad InGaAs i kvantbrunnen är
att den emitterar ljus med en väglängd för vilken
halvledarsubstratet GaAs är transparent. Detta bidrar till att
ytterligare minska strälningsförlusterna frän PN-dioden.
Barriärskikten (6,7) bestàr av odopad eller svagt N-dopad GaAs.
Braggspeglarna bestär av skikt som omväxlande utgörs av p-
ledande AlAS och p-ledande AlxGaAs där aluminiumhalten kan
variera frän noll och uppät (x >= 0). Det skiktet som gränsar
mot barriärskiktet utgörs av AlAs.
I figur 4 visas en andra utföringsform av uppfinningen. Denna
utforingsform skiljer sig frän den första utföringsformen genom
att PN-dioden är anordnad under mikrokaviteten och belyser
kvantbrunnen underifrän. PN-dioden och kvantbrunnen har inte
längre samma aktiva skikt, vilket ger en möjlighet att päverka
PN-diodens väglängd genom valet av material i PN-diodens aktiva
10
15
20
25
30
35
501 ess 8
skikt. PN-diodens väglängd mäste dock väljas sä att den tillhör
ett omräde där Braggspegeln är optiskt transparent och kortare
än kvantbrunnens grundväglängd.
Pä samma sätt som i den första utföringsformen har en kvantbrunn
5 av odopad GaAs anordnats mellan tvä barriärskikt 6,7 av odopad
AlAs. En mikrokavitet anordnas genom att en övre braggspegel 8
och en undre braggspegel 9 placeras pä var sida om
barriärskikten och kvantbrunnen. Braggspegeln 8 och 9 bestär av
skikt som omväxlande utgörs av AlAS och AlGaAs. Det första
skiktet i braggspeglarna, dvs det skiktet som är närmast
barriärskiktet, bestär av AlGaAs. Närmast halvledarkroppens yta
och direkt gränsande mot den övre braggspegeln 8 anordnas
lämpligen ett avslutningsskikt 10 av ett optiskt transparent
material, t ex p-ledande AlGaAs.
En PN-diod har anordnats sä att mikrokaviteten befinner sig
mellan PN-dioden och det fönster l där ljus sänds ut. PN-diodens
aktiva skikt ll bestär av AlGaAs och har ett större bandgap än
kvantbrunnens aktiva skikt. Detta innebär att ljus frän PN-
dioden kan excitera kvantbrunnen. Ljuset frän PN-dioden har en
väglängd för vilken den undre braggspegeln 9 är transparent. PN-
dioden har tvä barriärskikt 20, 21 av AlGaAs, där halten
aluminium ska vara sä hög att barriärskiktet har ett bandgap som
är större än det aktiva skiktet. Bäde det aktiva skiktet och det
undre barriärskiktet 21 är p-ledande. Skiktet 20 mellan
mikrokaviteten och PN-dioden bestär av n-ledande AlGaAs vars
halt av AlAs är större än 35% och utgör en gemensam jord.
Mikrokaviteten har en elektrod 2, och PN-dioden har en elektrod
3. Mikrokaviteten och PN-dioden har en gemensam elektrod l3. När
elektroderna 3 och 13 spänningssätts, sä att PN-dioden blir
framspänd, emitterar PN-dioden ljus med en väglängd som är
tillräckligt kort för att kunna excitera kvantbrunnen. Tack vare
halvledarmaterialets höga brytningsindex kommer merparten av
ljuset frän PN-dioden att bibehällas i halvledarkroppen. Därmed
blir belysningen av kvantbrunnen effektiv. Radiansen frän
mikrokaviteten kan styras genom att en spänning frän en yttre
Claims (11)
1. Ett förfarande för utsändande av ljus frän en halvledarkropp där ljusets radians kan styras genom att ett elektriskt fält över ett ljusutsändande organ varieras k ä n n e t e c k n a t a v, att det ljusutsändande organet exciteras av ljus utsänt frän en ljusemitterande PN-diod i samma halvledarkropp.
2. En anordning för utsändande av ljus innefattande ett ljusutsändande organ anordnat i en halvledarkropp, där det ljusutsändande organets radians kan styras med ett yttre elektriskt fält k ä n n e t e c k n a d a v, att en ljusemitterande PN-diod är anordnad i samma halvledarkropp som det ljusutsändande organet pä sä sätt att ljus frän PN-dioden exciterar det ljusutsändande organet.
3. En anordning för utsändande av ljus enligt patentkrav 2 k ä n n e t e c k n a d a v, att det ljusutsändande organet innefattar - ett ljusemitterande aktivt lager (5), anordnat att sända ut ljus som vid fränvaro av yttre elektriskt fält har en grundväglängd, - reflektorer (8,9) som omger det aktiva lagret och bildar en mikrokavitet med en resonansváglängd som bestäms av avständet mellan reflektorerna, 10 15 20 25 30 35 501 655 10 - medel (2,l3) för att àstadkomma ett variabelt elektriskt fält över det aktiva lagret.
4. En anordning för utsändande av ljus enligt patentkrav 3 k a n n e t e c k n a d lagret (5) a v, att det ljusemitterande aktiva är en kvantbrunn.
5. En anordning för utsàndande av ljus enligt patentkrav 3 k a n n e t e c k n a d a v, att reflektorerna (8,9) utgörs av Braggspeglar.
6. En anordning för utsándande av ljus enligt patentkrav 3 k a n n e t e c k n a d dielektrisk. a v, att minst en av Braggspeglarna är
7. En anordning för utsändande av ljus enligt patentkrav 3 k à n n e t e c k n a d att atminstone en av reflektorerna (8,9) âV, utgörs av en metallspegel.
8. En anordning för utsàndande av ljus enligt patentkrav 3 k à n n e t e c k n a d a v, att mikrokaviteten har en resonansvaglàngd som nära överensstämmer med det aktiva lagrets grundvaglangd.
9. En anordning för utsándande av ljus enligt patentkrav 3 k à n n e t e c k n a d a v, att elektroder anordnats för astadkommande av det variabela elektriska fältet.
10. En anordning för utsàndande av ljus enligt patentkrav 3 k a n n e t e c k n a d a v, att PN-dioden och det ljusutsándande organet är elektriskt separerade frán varandra.
ll. En anordning för utsàndande av ljus enligt patentkrav 3 k ä n n e t e c k n a d a v, att PN-dioden och det ljusutsändande organet har en gemensam elektrod.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9302691A SE501635C2 (sv) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla |
US08/274,419 US5543638A (en) | 1993-08-20 | 1994-07-13 | Semiconductor light emitting device |
JP19548794A JPH07170027A (ja) | 1993-08-20 | 1994-08-19 | 集積化発光装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9302691A SE501635C2 (sv) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9302691D0 SE9302691D0 (sv) | 1993-08-20 |
SE9302691L SE9302691L (sv) | 1995-02-21 |
SE501635C2 true SE501635C2 (sv) | 1995-04-03 |
Family
ID=20390839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9302691A SE501635C2 (sv) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5543638A (sv) |
JP (1) | JPH07170027A (sv) |
SE (1) | SE501635C2 (sv) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE509809C2 (sv) | 1995-11-03 | 1999-03-08 | Mitel Semiconductor Ab | Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område |
EP0784363B1 (en) * | 1995-12-26 | 2000-10-11 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting laser and method for manufacturing the same |
DE19645035C1 (de) * | 1996-10-31 | 1998-04-30 | Siemens Ag | Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung |
US6040590A (en) * | 1996-12-12 | 2000-03-21 | California Institute Of Technology | Semiconductor device with electrostatic control |
WO2000045443A1 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | Nova Crystals, Inc. | High performance light emitting diodes |
DE10026734A1 (de) * | 2000-05-30 | 2001-12-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
US6255129B1 (en) * | 2000-09-07 | 2001-07-03 | Highlink Technology Corporation | Light-emitting diode device and method of manufacturing the same |
JP2002305354A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
EP1536486A4 (en) * | 2002-07-16 | 2006-11-08 | Nitride Semiconductors Co Ltd | COMPOSITE SEMICONDUCTOR ELEMENT ON GALLIUM NITRID BASE |
CN100461561C (zh) | 2004-01-07 | 2009-02-11 | 浜松光子学株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
JP4116587B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2008-07-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US7538357B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
KR100590775B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-19 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 발광 소자 |
US8188501B2 (en) * | 2010-07-19 | 2012-05-29 | Li-Lin Chen | Optical device to emit polarized light |
JP6208051B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-10-04 | 大同特殊鋼株式会社 | 点光源発光ダイオード |
CN114383740A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-22 | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 | 一种芯片化波长标准获取装置及波长测量装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5289018A (en) * | 1990-08-14 | 1994-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device utilizing cavity quantum electrodynamics |
US5237581A (en) * | 1990-11-14 | 1993-08-17 | Nec Corporation | Semiconductor multilayer reflector and light emitting device with the same |
US5208820A (en) * | 1991-01-08 | 1993-05-04 | Nec Corporation | Optical device with low-resistive multi-level reflecting structure |
JPH04252083A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
EP0531542B1 (en) * | 1991-03-28 | 1996-01-10 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting type semiconductor laser and its fabrication method |
US5136603A (en) * | 1991-04-29 | 1992-08-04 | At&T Bell Laboratories | Self-monitoring semiconductor laser device |
US5206872A (en) * | 1991-11-01 | 1993-04-27 | At&T Bell Laboratories | Surface emitting laser |
US5404373A (en) * | 1991-11-08 | 1995-04-04 | University Of New Mexico | Electro-optical device |
JP3244529B2 (ja) * | 1992-04-16 | 2002-01-07 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 面発光型第2高調波生成素子 |
US5351256A (en) * | 1993-04-28 | 1994-09-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electrically injected visible vertical cavity surface emitting laser diodes |
US5390210A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal |
-
1993
- 1993-08-20 SE SE9302691A patent/SE501635C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-07-13 US US08/274,419 patent/US5543638A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-19 JP JP19548794A patent/JPH07170027A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5543638A (en) | 1996-08-06 |
JPH07170027A (ja) | 1995-07-04 |
SE9302691L (sv) | 1995-02-21 |
SE9302691D0 (sv) | 1993-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE501635C2 (sv) | Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla | |
US6040590A (en) | Semiconductor device with electrostatic control | |
US5555255A (en) | Surface-emitting laser diode | |
USRE41738E1 (en) | Red light laser | |
US5362977A (en) | Single mirror light-emitting diodes with enhanced intensity | |
US6771680B2 (en) | Electrically-pumped, multiple active region vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) | |
KR100254302B1 (ko) | 발광다이오드 | |
US5568504A (en) | Surface-emitting laser diode | |
US7715892B2 (en) | Tunable, superconducting, surface-emitting teraherz source | |
KR100234340B1 (ko) | 광출력장치 | |
US8604511B2 (en) | Photon source | |
KR101333978B1 (ko) | 고상 발광 소자용 픽셀 구조 | |
JPH11243257A (ja) | 個々の光学および電流ガイドを持つ垂直空胴表面発光レーザ | |
US5753941A (en) | Vertical cavity surface emitting laser | |
JPH10190050A (ja) | 発光ダイオード | |
KR20050056875A (ko) | 전계발광 디바이스 | |
CN116868458A (zh) | 激光元件、激光元件阵列以及激光元件的制造方法 | |
JPH03134992A (ja) | エレクトロルミネセンス装置 | |
US7122813B2 (en) | Device for generating THz radiation | |
EP0785601A1 (en) | Visible VCSEL with hybrid mirrors | |
EP0724300B1 (en) | Semiconductor device having reflecting layer | |
JPH05211346A (ja) | 面形発光素子 | |
CN114649744A (zh) | 谐振腔、激光单元、激光器以及激光雷达 | |
TWI832622B (zh) | 半導體雷射元件 | |
KR100238309B1 (ko) | 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 9302691-2 Format of ref document f/p: F |