JPH04225577A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH04225577A JPH04225577A JP2408357A JP40835790A JPH04225577A JP H04225577 A JPH04225577 A JP H04225577A JP 2408357 A JP2408357 A JP 2408357A JP 40835790 A JP40835790 A JP 40835790A JP H04225577 A JPH04225577 A JP H04225577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting diode
- region
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード、特に表
面発光型の発光ダイオードに関するものである。
面発光型の発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】複数のＰＮ接合発光ダイオードを基板上
に配設されて成る発光ダイオードアレイは各発光ダイオ
ードを電気的に制御することにより比較的容易に画像情
報などを処理する利点を有しており、このためその改良
と共に種々の応用が考えられている。
に配設されて成る発光ダイオードアレイは各発光ダイオ
ードを電気的に制御することにより比較的容易に画像情
報などを処理する利点を有しており、このためその改良
と共に種々の応用が考えられている。
【０００３】例えば、情報の出力機器としてのプリンタ
においては、より高速化高密度化が要求されており、こ
の要求を満足すべく発光ダイオードアレイを光源として
用いることが考えられている。
においては、より高速化高密度化が要求されており、こ
の要求を満足すべく発光ダイオードアレイを光源として
用いることが考えられている。
【０００４】すなわち、ノンインパクトな光学プリンタ
としては光源にレーザを用いたレーザプリンタ及び光源
に発光ダイオードアレイを用いたＬＥＤプリンタが知ら
れているが、レーザプリンタではレーザビームの走査に
回動可能なポリゴンミラーなどの機構とこれに対応した
複雑な光学系を必須とするのに対し、ＬＥＤプリンタで
は複数の発光ダイオードから成る発光ダイオードアレイ
の各発光ダイオードを電気的にオンオフ制御して駆動す
れば良く、このためレーザプリンタに比べて小型、高速
化かつ高信頼化が可能となっている。
としては光源にレーザを用いたレーザプリンタ及び光源
に発光ダイオードアレイを用いたＬＥＤプリンタが知ら
れているが、レーザプリンタではレーザビームの走査に
回動可能なポリゴンミラーなどの機構とこれに対応した
複雑な光学系を必須とするのに対し、ＬＥＤプリンタで
は複数の発光ダイオードから成る発光ダイオードアレイ
の各発光ダイオードを電気的にオンオフ制御して駆動す
れば良く、このためレーザプリンタに比べて小型、高速
化かつ高信頼化が可能となっている。
【０００５】図５に従来のＬＥＤプリンタ等に用いられ
る発光ダイオードの断面図を示す。図において、発光ダ
イオードはｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓＰ層９
をＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）法により積層し、さらにＳｉＮ膜５をマスクとして
Ｚｎ拡散を行い島状のＺｎ拡散領域８を形成することに
より構成され、ｎ−ＧａＡｓＰ層９とこのＺｎ拡散領域
８との界面がＰＮ接合面を形成して発光領域となる。
る発光ダイオードの断面図を示す。図において、発光ダ
イオードはｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓＰ層９
をＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）法により積層し、さらにＳｉＮ膜５をマスクとして
Ｚｎ拡散を行い島状のＺｎ拡散領域８を形成することに
より構成され、ｎ−ＧａＡｓＰ層９とこのＺｎ拡散領域
８との界面がＰＮ接合面を形成して発光領域となる。
【０００６】そして、ｐ−電極６及びｎ−電極７をそれ
ぞれ形成し、両電極間に所定の電圧を印加することによ
りＰＮ接合面からの光が表面から出射される構成である
。
ぞれ形成し、両電極間に所定の電圧を印加することによ
りＰＮ接合面からの光が表面から出射される構成である
。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな表面発光型発光ダイオードにおいては、ｐ−電極６
の下部は電流密度が一番高いため発光が最も多く生じて
いる場所であるが、ここから発した光はｐ−電極６によ
り反射されてしまうため外部に取り出されず、発光効率
が大きく低下してしまう問題があった。
うな表面発光型発光ダイオードにおいては、ｐ−電極６
の下部は電流密度が一番高いため発光が最も多く生じて
いる場所であるが、ここから発した光はｐ−電極６によ
り反射されてしまうため外部に取り出されず、発光効率
が大きく低下してしまう問題があった。
【０００８】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は表面発光型発光ダイオードにおい
て、電極下部における発光を抑制し、外部への発光に有
効な領域のみに電流を注入することにより極めて高い発
光効率を有する発光ダイオードを提供することにある。
のであり、その目的は表面発光型発光ダイオードにおい
て、電極下部における発光を抑制し、外部への発光に有
効な領域のみに電流を注入することにより極めて高い発
光効率を有する発光ダイオードを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る発光ダイオードは基板上に形成される
Ｐ型あるいはＮ型半導体層と、この半導体層に形成され
る拡散領域と、前記拡散領域上に形成される電極と、を
有する発光ダイオードにおいて、前記電極下部に電流阻
止領域を有することを特徴とする。
に、本発明に係る発光ダイオードは基板上に形成される
Ｐ型あるいはＮ型半導体層と、この半導体層に形成され
る拡散領域と、前記拡散領域上に形成される電極と、を
有する発光ダイオードにおいて、前記電極下部に電流阻
止領域を有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の発光ダイオードはこのような構成を有
しており、電極下部に形成された電流阻止領域により電
極下部における発光を防止し、発光に有効な拡散領域の
みに電流を注入して発光させることにより、電極での反
射を少なくし、発光効率の向上を図るものである。
しており、電極下部に形成された電流阻止領域により電
極下部における発光を防止し、発光に有効な拡散領域の
みに電流を注入して発光させることにより、電極での反
射を少なくし、発光効率の向上を図るものである。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いながら本発明に係る発光ダ
イオードの好適な実施例を説明する。
イオードの好適な実施例を説明する。
【００１２】図１には第１実施例の発光ダイオードの断
面図が示されており、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３及びｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層４が順次ＭＢＥ法などにより積層される。次に、
ＳｉＮ膜５をマスクとしてＺｎ拡散を行い島状の拡散領
域８ａが分離形成され、さらに、再びＺｎ拡散を行い両
拡散領域８ａがＺｎ領域で接続される。なお、拡散領域
８ａはその深さがｐ−ＡｌＧａＡｓ層３に達するように
設定され、接続領域８ｂはその深さがａ−ＡｌＧａＡｓ
層４の層厚よりも小さく設定される。Ｚｎ拡散を行うに
は、ＳｉＮ膜５上に拡散源Ｚｎを含むＺｎ０膜等をスパ
ッターリング法等により形成し、６５０℃〜８００℃の
高温中に数時間放置してＺｎを熱拡散すれば良い。
面図が示されており、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３及びｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層４が順次ＭＢＥ法などにより積層される。次に、
ＳｉＮ膜５をマスクとしてＺｎ拡散を行い島状の拡散領
域８ａが分離形成され、さらに、再びＺｎ拡散を行い両
拡散領域８ａがＺｎ領域で接続される。なお、拡散領域
８ａはその深さがｐ−ＡｌＧａＡｓ層３に達するように
設定され、接続領域８ｂはその深さがａ−ＡｌＧａＡｓ
層４の層厚よりも小さく設定される。Ｚｎ拡散を行うに
は、ＳｉＮ膜５上に拡散源Ｚｎを含むＺｎ０膜等をスパ
ッターリング法等により形成し、６５０℃〜８００℃の
高温中に数時間放置してＺｎを熱拡散すれば良い。
【００１３】そして、ｐ＋コンタクト層が拡散領域８ａ
、接続領域８ｂ上に積層された後ｐ−電極６が形成され
、さらにｎ−ＧａＡｓ基板１の下部にｎ−電極７が形成
され、本実施例の発光ダイオードが構成される。
、接続領域８ｂ上に積層された後ｐ−電極６が形成され
、さらにｎ−ＧａＡｓ基板１の下部にｎ−電極７が形成
され、本実施例の発光ダイオードが構成される。
【００１４】ここで、ｐ−電極６とｎ−電極７間に電圧
を印加すると、ｐ−電極６の下部においては基板表面か
ら順にｐ＋ 、ｎ、ｐ、ｎ、ｎ型となり、逆バイアス構
造となるため電流が注入されずこの部分における発光を
抑えることができる。
を印加すると、ｐ−電極６の下部においては基板表面か
ら順にｐ＋ 、ｎ、ｐ、ｎ、ｎ型となり、逆バイアス構
造となるため電流が注入されずこの部分における発光を
抑えることができる。
【００１５】一方、このｐ−電極６の下部以外の拡散領
域８ａにおいては、基板表面から順にｐ＋ 、ｐ、ｎ、
ｎ型となり、電流が基板表面のｐ＋ 層を通して拡散領
域８ａ全面に注入されるため、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２と
ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３との界面に形成されたＰＮ接合面
において発光し、この光はｐ−電極６で反射されること
なく外部に取り出される。
域８ａにおいては、基板表面から順にｐ＋ 、ｐ、ｎ、
ｎ型となり、電流が基板表面のｐ＋ 層を通して拡散領
域８ａ全面に注入されるため、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２と
ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３との界面に形成されたＰＮ接合面
において発光し、この光はｐ−電極６で反射されること
なく外部に取り出される。
【００１６】このように、本第１実施例においてはｐ−
電極６の下部に逆バイアス構造を有する電流阻止領域を
形成することにより、電極下部からの発光を抑え、かつ
この電極下部以外の拡散領域から効率的に発光を行わせ
ることにより極めて発光効率の高い発光ダイオードを得
ることができる。
電極６の下部に逆バイアス構造を有する電流阻止領域を
形成することにより、電極下部からの発光を抑え、かつ
この電極下部以外の拡散領域から効率的に発光を行わせ
ることにより極めて発光効率の高い発光ダイオードを得
ることができる。
【００１７】なお、本第１実施例においてｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
４のＡｌ、Ｇａ、Ａｓの組成比を適当に選ぶことにより
（ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３のＡｌの組成比を少なくする）
、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層４のバンドギャップをｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ３のバンドギャップよりも小さく設定することが
でき、このときＰＮ接合面において発した光はｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ層４にて吸収されないため、外部発光効率をさ
らに高くすることができる。
Ａｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
４のＡｌ、Ｇａ、Ａｓの組成比を適当に選ぶことにより
（ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３のＡｌの組成比を少なくする）
、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層４のバンドギャップをｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ３のバンドギャップよりも小さく設定することが
でき、このときＰＮ接合面において発した光はｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ層４にて吸収されないため、外部発光効率をさ
らに高くすることができる。
【００１８】図２に本発明の第２実施例に係る発光ダイ
オードの断面図を示す。本第２実施例においては上記第
１実施例において示したように発光が起こるＰＮ接合面
が結晶成長により形成されるのではなく、熱拡散により
形成されるものである。すなわち、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上にｎ−ＡｌＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３、ｎ
−ＡｌＧａＡｓ層４が順次積層され、ＳｉＮ膜５をマス
クとしてＺｎ拡散領域８ａがｎ−ＡｌＧａＡｓ層２に達
するまで形成される。その後、上記第１実施例と同様に
して接続領域８ｂが拡散により形成され、この接続領域
８ｂ上にｐ＋ コンタクト層を介してｐ−電極６及びｎ
−ＧａＡｓ基板１下部にｎ−電極７が形成される。
オードの断面図を示す。本第２実施例においては上記第
１実施例において示したように発光が起こるＰＮ接合面
が結晶成長により形成されるのではなく、熱拡散により
形成されるものである。すなわち、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上にｎ−ＡｌＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３、ｎ
−ＡｌＧａＡｓ層４が順次積層され、ＳｉＮ膜５をマス
クとしてＺｎ拡散領域８ａがｎ−ＡｌＧａＡｓ層２に達
するまで形成される。その後、上記第１実施例と同様に
して接続領域８ｂが拡散により形成され、この接続領域
８ｂ上にｐ＋ コンタクト層を介してｐ−電極６及びｎ
−ＧａＡｓ基板１下部にｎ−電極７が形成される。
【００１９】本第２実施例においても、上記第１実施例
と同様にｐ−電極６下部にはｐ＋ 、ｎ、ｐ、ｎ、ｎ型
の逆バイアス構造を有する電流阻止領域が形成されてい
るためこの領域からは発光せず、拡散領域８ａとｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層２との界面に生じるじるＰＮ接合面にて発
光が行われ、ｐ−電極６にて反射されることなく外部に
取り出される。
と同様にｐ−電極６下部にはｐ＋ 、ｎ、ｐ、ｎ、ｎ型
の逆バイアス構造を有する電流阻止領域が形成されてい
るためこの領域からは発光せず、拡散領域８ａとｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層２との界面に生じるじるＰＮ接合面にて発
光が行われ、ｐ−電極６にて反射されることなく外部に
取り出される。
【００２０】なお、本第２実施例においても上記第１実
施例と同様にｎ−ＡｌＧａＡｓ層４のバンドギャップを
小さく設定することにより光の吸収を抑えてより発光効
率を向上させることもできる。
施例と同様にｎ−ＡｌＧａＡｓ層４のバンドギャップを
小さく設定することにより光の吸収を抑えてより発光効
率を向上させることもできる。
【００２１】図３及び図４には本発明の第３実施例が示
されており、本第３実施例においては発光領域の外周に
電極を配置し、この発光領域に形成された拡散領域に電
極から電流を供給するものである。
されており、本第３実施例においては発光領域の外周に
電極を配置し、この発光領域に形成された拡散領域に電
極から電流を供給するものである。
【００２２】すなわち、図４に示されるように、ｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１上にｎ−ＡｌＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ層３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層４が順次積層され、Ｓｉ
Ｎ膜をマスクとして発光を得たい領域にＺｎ拡散領域８
ａを形成する。このとき、拡散領域８はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層３に達するまで拡散される。そして、ＳｉＮ膜を除
去して接続領域８ｂを熱拡散により形成し、その後拡散
領域８ａを囲むようにｐ−電極６を形成する。
ａＡｓ基板１上にｎ−ＡｌＧａＡｓ層２、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ層３、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層４が順次積層され、Ｓｉ
Ｎ膜をマスクとして発光を得たい領域にＺｎ拡散領域８
ａを形成する。このとき、拡散領域８はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層３に達するまで拡散される。そして、ＳｉＮ膜を除
去して接続領域８ｂを熱拡散により形成し、その後拡散
領域８ａを囲むようにｐ−電極６を形成する。
【００２３】そして、ｐ−電極６とｎ−電極７間に電圧
を印加すると、ｐ−電極６下部においては上記第１、第
２実施例と同様にして逆バイアス構造の電流阻止領域が
あるため発光は行われず、一方拡散領域８ａでは順バイ
アス構成でその全面に電流が注入されるため連続的な発
光パターンを得ることができる。
を印加すると、ｐ−電極６下部においては上記第１、第
２実施例と同様にして逆バイアス構造の電流阻止領域が
あるため発光は行われず、一方拡散領域８ａでは順バイ
アス構成でその全面に電流が注入されるため連続的な発
光パターンを得ることができる。
【００２４】なお、本第３実施例においてはｐ−電極６
と基板表面との接触面積を大きくとることができるため
、発光ダイオードのシリーズ抵抗を低下させることも可
能となっている。
と基板表面との接触面積を大きくとることができるため
、発光ダイオードのシリーズ抵抗を低下させることも可
能となっている。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
ダイオードによれば、表面からの発光に有効な領域のみ
に電流を注入することが可能となり、極めて高い発光効
率を得ることができる。
ダイオードによれば、表面からの発光に有効な領域のみ
に電流を注入することが可能となり、極めて高い発光効
率を得ることができる。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの第１実施例の断
面図。
面図。
【図２】本発明に係る発光ダイオードの第２実施例の断
面図。
面図。
【図３】本発明に係る発光ダイオードの第３実施例の平
面図。
面図。
【図４】本発明に係る発光ダイオードの第３実施例の断
面図。
面図。
【図５】従来の発光ダイオードの断面図。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２ ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
３ ｐ−ＡｌＧａＡｓ層
４ ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
５ ＳｉＮ膜
６ ｐ−電極
７ ｎ−電極
８ａ 拡散領域
８ｂ 接続領域
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されるＰ型あるいはＮ型
半導体層と、この半導体層に形成される拡散領域と、前
記拡散領域上に形成される電極と、を有する発光ダイオ
ードにおいて、前記電極下部に電流阻止領域を有するこ
とを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408357A JPH04225577A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 発光ダイオード |
| US07/809,892 US5189496A (en) | 1990-12-27 | 1991-12-18 | Light-emitting diode with current-blocking |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408357A JPH04225577A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225577A true JPH04225577A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408357A Pending JPH04225577A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 発光ダイオード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5189496A (ja) |
| JP (1) | JPH04225577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135793A (ja) * | 2008-02-28 | 2008-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及びｌｅｄアレイ |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251742A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光素子 |
| US5600157A (en) * | 1993-04-28 | 1997-02-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-emitting and light-sensing diode array device, and light-emitting and light-sensing diode with improved sensitivity |
| SE509809C2 (sv) * | 1995-11-03 | 1999-03-08 | Mitel Semiconductor Ab | Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område |
| JP3813010B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2006-08-23 | 沖電気工業株式会社 | 発光ダイオード素子及び発光ダイオード素子アレイ |
| JP3717284B2 (ja) * | 1997-09-22 | 2005-11-16 | 沖電気工業株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ及び発光素子の製造方法 |
| JP2000022206A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP3986169B2 (ja) * | 1998-07-09 | 2007-10-03 | 沖電気工業株式会社 | 半導体発光装置 |
| US6653662B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same, and method for driving the same |
| JP2003188411A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Oki Degital Imaging:Kk | 発光半導体装置及びその製造方法 |
| DE102004037868A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder -empfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur strukturierten Aufbringung eines Kontakts auf einen Halbleiterkörper |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148383A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Nec Corp | Semiconductor light-emitting element |
| US4477824A (en) * | 1982-03-04 | 1984-10-16 | At&T Bell Laboratories | Light emitting device for optical switching |
| US4719497A (en) * | 1984-06-15 | 1988-01-12 | Hewlett-Packard Company | High efficiency light-emitting diode |
| JPS61220484A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH01137679A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408357A patent/JPH04225577A/ja active Pending
-
1991
- 1991-12-18 US US07/809,892 patent/US5189496A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135793A (ja) * | 2008-02-28 | 2008-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及びｌｅｄアレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5189496A (en) | 1993-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5132751A (en) | Light-emitting diode array with projections | |
| US4971928A (en) | Method of making a light emitting semiconductor having a rear reflecting surface | |
| US4990970A (en) | Light emitting semiconductor having a rear reflecting surface | |
| KR100208108B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP4054631B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置 | |
| US5216263A (en) | High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays | |
| US5260588A (en) | Light-emitting diode array | |
| JPH04294591A (ja) | 高密度、個別アドレス可能型表面発光半導体レーザー／発光ダイオードアレイ | |
| US5055893A (en) | Light-emitting diode array with reflective layer | |
| JPH04264781A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH07221409A (ja) | Ｐ型及びｎ型の不純物誘起層無秩序化材料を組み込んだ半導体デバイス | |
| JPH05267716A (ja) | 温度安定化発光ダイオード構造 | |
| JP3323324B2 (ja) | 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ | |
| JPH02174272A (ja) | 発光ダイオードアレイの製造方法 | |
| JPH04225577A (ja) | 発光ダイオード | |
| EP0486052A1 (en) | Light-emitting diode for concurrently emitting lights having different wavelengths | |
| US6222208B1 (en) | Light-emitting diode and light-emitting diode array | |
| EP0772248B1 (en) | Microactivity LED with photon recycling | |
| JP3813010B2 (ja) | 発光ダイオード素子及び発光ダイオード素子アレイ | |
| US5105236A (en) | Heterojunction light-emitting diode array | |
| JPH0497575A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| US20040113225A1 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JP2000261029A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH05218498A (ja) | 横方向に接合を有する発光ダイオード | |
| US5006907A (en) | Crosstalk preventing laser diode array |