JPH05251742A - 発光素子 - Google Patents
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- JPH05251742A JPH05251742A JP4717092A JP4717092A JPH05251742A JP H05251742 A JPH05251742 A JP H05251742A JP 4717092 A JP4717092 A JP 4717092A JP 4717092 A JP4717092 A JP 4717092A JP H05251742 A JPH05251742 A JP H05251742A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 34
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合部を有し、該
接合部に順方向に電圧を印加することにより発光させる
発光素子において、電流の増加に対する光量の増加率が
一定になり、各種機器に使用した場合に光量を制御し易
い発光素子を提供することを目的とするものである。 【構成】 Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３にＰ型半導体
層としてのＰ型ガリウム砒素リン半導体１を形成し、さ
らに、ＰＮ接合部が表面に露出した部分を覆い、正電極
４の設置部分を除くように、Ｎ型半導体層としてのＮ型
ガリウム砒素リン半導体２を形成して、表面に露出した
ＰＮ接合部を少なくして、発光に関与しないexp(eV/2k
T) に比例する電流成分の発生を抑制する。
接合部に順方向に電圧を印加することにより発光させる
発光素子において、電流の増加に対する光量の増加率が
一定になり、各種機器に使用した場合に光量を制御し易
い発光素子を提供することを目的とするものである。 【構成】 Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３にＰ型半導体
層としてのＰ型ガリウム砒素リン半導体１を形成し、さ
らに、ＰＮ接合部が表面に露出した部分を覆い、正電極
４の設置部分を除くように、Ｎ型半導体層としてのＮ型
ガリウム砒素リン半導体２を形成して、表面に露出した
ＰＮ接合部を少なくして、発光に関与しないexp(eV/2k
T) に比例する電流成分の発生を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子に関するもの
であり、特に、ＰＮ接合部を有する表面発光型の発光素
子に関するものである。
であり、特に、ＰＮ接合部を有する表面発光型の発光素
子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、光照射によって情報を記録す
る光プリンタや光の反射強度を用いて画像やバーコード
データを読み取るイメージリーダ、光信号を利用した光
通信器において、発光素子が利用されている。
る光プリンタや光の反射強度を用いて画像やバーコード
データを読み取るイメージリーダ、光信号を利用した光
通信器において、発光素子が利用されている。
【０００３】図７、図８は従来から用いられている発光
素子の構造を示したものであり、テルルを含有するガリ
ウム砒素リン半導体３はＮ型半導体を形成し、これに亜
鉛が拡散されてＰ型半導体１が形成されている。Ｐ型半
導体１の上面には正電極４が設けられ、Ｎ型ガリウム砒
素半導体３の裏面には負電極５が形成され、これらの正
負の電極によって順方向電圧がＰ型半導体とＮ型半導体
の接合面に印加されて、Ｐ型半導体とＮ型半導体のそれ
ぞれに注入された少数キャリア同士が再結合する際に電
気エネルギーが光エネルギーに変換されて発光する。
素子の構造を示したものであり、テルルを含有するガリ
ウム砒素リン半導体３はＮ型半導体を形成し、これに亜
鉛が拡散されてＰ型半導体１が形成されている。Ｐ型半
導体１の上面には正電極４が設けられ、Ｎ型ガリウム砒
素半導体３の裏面には負電極５が形成され、これらの正
負の電極によって順方向電圧がＰ型半導体とＮ型半導体
の接合面に印加されて、Ｐ型半導体とＮ型半導体のそれ
ぞれに注入された少数キャリア同士が再結合する際に電
気エネルギーが光エネルギーに変換されて発光する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、順方向電圧を
印加することにより発光素子に流れる電流と光出力の関
係は、図９における実線に示すように、電流が小さい領
域では電流の増加に対する光量の増加率が一定になら
ず、電流の増加に伴う光出力の増加の割合が電流に強く
依存している。すなわち、ＰＮ接合面に電圧Ｖを印加し
た場合に発光素子に流れる電流は、exp(eV/kT)に比例す
る成分（これをＡ成分とする）とexp(eV/2kT) に比例す
る成分（これをＢ成分とする）に分けられる。ここで、
発光素子から射出される光量はＡ成分に比例する。電流
の大きい領域では、電流はＡ成分がほとんどを占めるの
で、電流増加に対する光出力の増加率は一定になるが、
電流の小さい領域では、電流にはＢ成分の占める割合が
比較的大きくなるため、電流増加に対する光出力の増加
率が一定にならない。
印加することにより発光素子に流れる電流と光出力の関
係は、図９における実線に示すように、電流が小さい領
域では電流の増加に対する光量の増加率が一定になら
ず、電流の増加に伴う光出力の増加の割合が電流に強く
依存している。すなわち、ＰＮ接合面に電圧Ｖを印加し
た場合に発光素子に流れる電流は、exp(eV/kT)に比例す
る成分（これをＡ成分とする）とexp(eV/2kT) に比例す
る成分（これをＢ成分とする）に分けられる。ここで、
発光素子から射出される光量はＡ成分に比例する。電流
の大きい領域では、電流はＡ成分がほとんどを占めるの
で、電流増加に対する光出力の増加率は一定になるが、
電流の小さい領域では、電流にはＢ成分の占める割合が
比較的大きくなるため、電流増加に対する光出力の増加
率が一定にならない。
【０００５】発光素子において、電流の増加に対する光
量の増加率が一定になっていない場合、制御性に問題が
あり、電子写真方式のプリンターの露光光源に用いた場
合や、イメージリーダーの光源として用いた場合に光量
を制御しにくいという問題があった。
量の増加率が一定になっていない場合、制御性に問題が
あり、電子写真方式のプリンターの露光光源に用いた場
合や、イメージリーダーの光源として用いた場合に光量
を制御しにくいという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は電流の増加に対する光量
の増加率が一定になり、各種機器に使用した場合に光量
を制御し易い発光素子を提供することを目的とするもの
である。
の増加率が一定になり、各種機器に使用した場合に光量
を制御し易い発光素子を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明における発光素子
は、第１には、Ｐ型半導体とＮ型半導体が形成するＰＮ
接合面を有し、該接合面に順方向に電圧を印加すること
により発光させる発光素子で、上記ＰＮ接合面と、発光
素子表面とほぼ平行な面とが交わってつくる曲線が、半
導体表面近傍において半導体表面から半導体中に入るに
したがって長くなるように上記ＰＮ接合面が形成されて
いることを特徴とするものであり、第２には、Ｐ型ある
いはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に他の導電
型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、表面に露
出するＰＮ接合部及び第２半導体層の上に、電極設置部
分を除き、第１半導体層と同じ導電型の半導体層を形成
したことを特徴とするものであり、第３には、Ｐ型ある
いはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に他の導電
型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、さらに、
前記第２半導体層の上に第１半導体層と同じ導電型の第
３半導体層を形成し、該第３半導体層に第２半導体層と
同じ導電型の不純物を第２半導体層に到達するまで形成
したことを特徴とするものである。
は、第１には、Ｐ型半導体とＮ型半導体が形成するＰＮ
接合面を有し、該接合面に順方向に電圧を印加すること
により発光させる発光素子で、上記ＰＮ接合面と、発光
素子表面とほぼ平行な面とが交わってつくる曲線が、半
導体表面近傍において半導体表面から半導体中に入るに
したがって長くなるように上記ＰＮ接合面が形成されて
いることを特徴とするものであり、第２には、Ｐ型ある
いはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に他の導電
型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、表面に露
出するＰＮ接合部及び第２半導体層の上に、電極設置部
分を除き、第１半導体層と同じ導電型の半導体層を形成
したことを特徴とするものであり、第３には、Ｐ型ある
いはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に他の導電
型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、さらに、
前記第２半導体層の上に第１半導体層と同じ導電型の第
３半導体層を形成し、該第３半導体層に第２半導体層と
同じ導電型の不純物を第２半導体層に到達するまで形成
したことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明における発光素子においては、ＰＮ接合
面と、発光素子表面とほぼ平行な面とが交わってつくる
曲線が、半導体表面近傍において半導体表面から半導体
中に入るにしたがって長くなるようにＰＮ接合面が形成
されているので、半導体表面に露出するＰＮ接合部を少
なくでき、よって、Ｂ成分の電流を小さくできるので、
電流の増加に対する光量の増加率を一定にすることがで
きる。
面と、発光素子表面とほぼ平行な面とが交わってつくる
曲線が、半導体表面近傍において半導体表面から半導体
中に入るにしたがって長くなるようにＰＮ接合面が形成
されているので、半導体表面に露出するＰＮ接合部を少
なくでき、よって、Ｂ成分の電流を小さくできるので、
電流の増加に対する光量の増加率を一定にすることがで
きる。
【０００９】また、第２半導体層の上に第１半導体層と
同じ導電型の半導体を形成する場合や、第２半導体層の
上に第１半導体層と同じ導電型の第３半導体を形成し、
第３半導体に第２半導体と同じ導電型の不純物を第２半
導体層に到達するまで形成する場合も、半導体表面に露
出するＰＮ接合部を少なくでき、Ｂ成分の電流を小さく
できるので、電流の増加に対する光量の増加率を一定に
することができる。
同じ導電型の半導体を形成する場合や、第２半導体層の
上に第１半導体層と同じ導電型の第３半導体を形成し、
第３半導体に第２半導体と同じ導電型の不純物を第２半
導体層に到達するまで形成する場合も、半導体表面に露
出するＰＮ接合部を少なくでき、Ｂ成分の電流を小さく
できるので、電流の増加に対する光量の増加率を一定に
することができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面を利用して説明する。
【００１１】本発明に基づく第１実施例としての発光素
子の構造は、図１、図２に示され、テルルを含有するガ
リウム砒素リン半導体３がＮ型半導体を形成する。この
Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３に亜鉛をイオン注入して
Ｐ型ガリウム砒素半導体１が形成されている。このとき
の亜鉛の濃度は、図３に示すように、発光素子表面から
一定の距離のところで最大になる。Ｐ型ガリウム砒素半
導体１の上面には正電極４が形成され、Ｎ型ガリウム砒
素リン半導体３の裏面には、図１に示すように、負電極
５が形成されている。
子の構造は、図１、図２に示され、テルルを含有するガ
リウム砒素リン半導体３がＮ型半導体を形成する。この
Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３に亜鉛をイオン注入して
Ｐ型ガリウム砒素半導体１が形成されている。このとき
の亜鉛の濃度は、図３に示すように、発光素子表面から
一定の距離のところで最大になる。Ｐ型ガリウム砒素半
導体１の上面には正電極４が形成され、Ｎ型ガリウム砒
素リン半導体３の裏面には、図１に示すように、負電極
５が形成されている。
【００１２】本発明において特徴的なことは、ＰＮ接合
面が表面に露出した部分を覆い、かつ、正電極部分を除
くような形でＮ型不純物としてのＮ型ガリウム砒素リン
半導体を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体層２を
設けたことである。Ｎ型不純物を拡散またはイオン注入
した領域の不純物濃度分布は図４に示されたようにな
る。
面が表面に露出した部分を覆い、かつ、正電極部分を除
くような形でＮ型不純物としてのＮ型ガリウム砒素リン
半導体を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体層２を
設けたことである。Ｎ型不純物を拡散またはイオン注入
した領域の不純物濃度分布は図４に示されたようにな
る。
【００１３】上記のように構成される発光素子の動作状
態について説明する。既に簡単に説明したように、上記
発光素子に順方向に電圧を印加した際に発光素子に流れ
る電流は、Ｐ型半導体とＮ型半導体が接合している面
（ＰＮ接合面）に印加される電圧をＶとすると、exp(eV
/kT)に比例する成分（これをＡ成分とする）と、exp(eV
/2kT) に比例する成分（これをＢ成分とする）とに分け
られる。発光素子から射出される光量は電流成分Ａに比
例する。
態について説明する。既に簡単に説明したように、上記
発光素子に順方向に電圧を印加した際に発光素子に流れ
る電流は、Ｐ型半導体とＮ型半導体が接合している面
（ＰＮ接合面）に印加される電圧をＶとすると、exp(eV
/kT)に比例する成分（これをＡ成分とする）と、exp(eV
/2kT) に比例する成分（これをＢ成分とする）とに分け
られる。発光素子から射出される光量は電流成分Ａに比
例する。
【００１４】ここで、電流が大きい、すなわち電圧Ｖが
大きい領域では、全電流のうちＡ成分がほとんどを占め
る。前述したように、発光素子から射出される光量は電
流成分Ａに比例することから、結果として電流と光出力
の関係は線形となり、電流値の増加に伴う光出力の増加
の割合が電流にあまり依存しない。
大きい領域では、全電流のうちＡ成分がほとんどを占め
る。前述したように、発光素子から射出される光量は電
流成分Ａに比例することから、結果として電流と光出力
の関係は線形となり、電流値の増加に伴う光出力の増加
の割合が電流にあまり依存しない。
【００１５】一方、電流値が小さい、すなわち、電圧Ｖ
が小さい領域では、全電流のうち、Ｂ成分の占める割合
が比較的大きく、Ａ成分とＢ成分の比が電圧に依存する
ので、電流の増加に対する光出力の増加率は一定になら
ない。ここで、Ｂ成分の主な成分は半導体表面に露出し
たＰＮ接合面近傍の空乏層内で起こる電子とホール（正
孔）の再結合電流である。
が小さい領域では、全電流のうち、Ｂ成分の占める割合
が比較的大きく、Ａ成分とＢ成分の比が電圧に依存する
ので、電流の増加に対する光出力の増加率は一定になら
ない。ここで、Ｂ成分の主な成分は半導体表面に露出し
たＰＮ接合面近傍の空乏層内で起こる電子とホール（正
孔）の再結合電流である。
【００１６】本実施例においては、Ｎ型半導体層２を設
け、半導体表面に露出したＰＮ接合部を従来の構造の発
光素子に比して少なくすることができるので、Ｂ成分の
電流が減少し、図５の実線に示すように、発光素子に流
れる電流値が小さい領域でも、電流の増加に対する光量
の増加率を一定にすることができる。
け、半導体表面に露出したＰＮ接合部を従来の構造の発
光素子に比して少なくすることができるので、Ｂ成分の
電流が減少し、図５の実線に示すように、発光素子に流
れる電流値が小さい領域でも、電流の増加に対する光量
の増加率を一定にすることができる。
【００１７】なお、上記実施例においては、Ｎ型半導体
中にＰ型半導体を形成し、その上に正電極を除く形でＮ
型不純物を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体を形
成したが、上記実施例には限られず、第２実施例とし
て、Ｎ型半導体中にＰ型半導体を形成し、その上全面に
Ｎ型半導体を拡散もしくはイオン注入してＮ型半導体を
形成し、さらに、正電極を形成する部分にのみＰ型不純
物を拡散もしくはイオン注入した構造の発光素子でも同
様の効果を得ることができる。以上のような構造とする
と、正電極下での不純物濃度は図６に示すとおりにな
る。
中にＰ型半導体を形成し、その上に正電極を除く形でＮ
型不純物を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体を形
成したが、上記実施例には限られず、第２実施例とし
て、Ｎ型半導体中にＰ型半導体を形成し、その上全面に
Ｎ型半導体を拡散もしくはイオン注入してＮ型半導体を
形成し、さらに、正電極を形成する部分にのみＰ型不純
物を拡散もしくはイオン注入した構造の発光素子でも同
様の効果を得ることができる。以上のような構造とする
と、正電極下での不純物濃度は図６に示すとおりにな
る。
【００１８】また、上記実施例においては、Ｎ型半導体
として、テルルを含有したガリウム砒素リン半導体で説
明したが、スズ、セレン、硫黄、ゲルマニウム、シリコ
ン等を含有するガリウム砒素リン半導体でもよい。ま
た、Ｐ型半導体として、亜鉛を含有したガリウム砒素リ
ン半導体で説明したが、マグネシウム、マンガン、カド
ニウム等を含有したガリウム砒素リン半導体でもよい。
として、テルルを含有したガリウム砒素リン半導体で説
明したが、スズ、セレン、硫黄、ゲルマニウム、シリコ
ン等を含有するガリウム砒素リン半導体でもよい。ま
た、Ｐ型半導体として、亜鉛を含有したガリウム砒素リ
ン半導体で説明したが、マグネシウム、マンガン、カド
ニウム等を含有したガリウム砒素リン半導体でもよい。
【００１９】さらに、本実施例においては、Ｎ型半導体
内にＰ型不純物を拡散してＰ型半導体を形成した場合に
ついて説明したが、逆にＰ型半導体内にＮ型半導体層を
形成するようにしてもよい。
内にＰ型不純物を拡散してＰ型半導体を形成した場合に
ついて説明したが、逆にＰ型半導体内にＮ型半導体層を
形成するようにしてもよい。
【００２０】さらに、本実施例においてはＰ型半導体及
びＮ型半導体としてガリウム砒素リンを用いたが、ガリ
ウム砒素リン、ガリウム・リン、インジュウム・ガリウ
ム・リン等の他の化合物半導体を用いることも可能であ
る。
びＮ型半導体としてガリウム砒素リンを用いたが、ガリ
ウム砒素リン、ガリウム・リン、インジュウム・ガリウ
ム・リン等の他の化合物半導体を用いることも可能であ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明に基づく発光素子によれば、電流
の増加に対する光量の増加率を一定にすることができる
ので、制御性のよい素子を作ることができる。
の増加に対する光量の増加率を一定にすることができる
ので、制御性のよい素子を作ることができる。
【００２２】よって、本発明の発光素子を電子写真方式
のプリンターの露光光源として用いた場合には、光量を
電流で制御容易な露光装置が実現できる。また、イメー
ジリーダーの光源として用いた場合にも、制御し易い装
置が可能になる。さらに、本発明に基づく発光装置を光
通信機器の光源として用いた場合にも、制御し易い装置
をつくることができる。
のプリンターの露光光源として用いた場合には、光量を
電流で制御容易な露光装置が実現できる。また、イメー
ジリーダーの光源として用いた場合にも、制御し易い装
置が可能になる。さらに、本発明に基づく発光装置を光
通信機器の光源として用いた場合にも、制御し易い装置
をつくることができる。
【図１】本発明の第１実施例における発光素子の断面模
式図である。
式図である。
【図２】本発明の第１実施例における発光素子の平面模
式図である。
式図である。
【図３】本発明の第１実施例におけるＮ型ガリウム砒素
リン半導体が形成されていない部分の不純物濃度を示す
特性図である。
リン半導体が形成されていない部分の不純物濃度を示す
特性図である。
【図４】本発明の第１実施例におけるＮ型ガリウム砒素
リン半導体が形成されている部分の不純物濃度を示す特
性図である。
リン半導体が形成されている部分の不純物濃度を示す特
性図である。
【図５】本発明における電流−光量特性を示した特性図
である。
である。
【図６】本発明の第２実施例における正電極下での不純
物濃度を示す特性図である。
物濃度を示す特性図である。
【図７】従来の発光素子の断面模式図である。
【図８】従来の発光素子の平面模式図である。
【図９】従来の発光素子における電流−光量特性を示し
た特性図である。
た特性図である。
１ Ｐ型ガリウム砒素リン半導体 ２ Ｎ型ガリウム砒素リン半導体 ３ Ｎ型ガリウム砒素リン半導体 ４ 正電極 ５ 負電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】図７、図８は従来から用いられている発光
素子の構造を示したものであり、テルルを含有するガリ
ウム砒素リン半導体はＮ型ガリウム砒素リン半導体３を
形成し、これに亜鉛が拡散されてＰ型ガリウム砒素リン
半導体１が形成されている。Ｐ型ガリウム砒素リン半導
体１の上面には正電極４が設けられ、Ｎ型ガリウム砒素
リン半導体３の裏面には負電極５が形成され、これらの
正負の電極によって順方向電圧がＰ型ガリウム砒素リン
半導体１とＮ型ガリウム砒素リン半導体３の接合面に印
加されて、Ｐ型ガリウム砒素リン半導体１とＮ型ガリウ
ム砒素リン半導体３のそれぞれに注入された少数キャリ
アが多数キャリアと再結合する際に電気エネルギーが光
エネルギーに変換されて発光する。
素子の構造を示したものであり、テルルを含有するガリ
ウム砒素リン半導体はＮ型ガリウム砒素リン半導体３を
形成し、これに亜鉛が拡散されてＰ型ガリウム砒素リン
半導体１が形成されている。Ｐ型ガリウム砒素リン半導
体１の上面には正電極４が設けられ、Ｎ型ガリウム砒素
リン半導体３の裏面には負電極５が形成され、これらの
正負の電極によって順方向電圧がＰ型ガリウム砒素リン
半導体１とＮ型ガリウム砒素リン半導体３の接合面に印
加されて、Ｐ型ガリウム砒素リン半導体１とＮ型ガリウ
ム砒素リン半導体３のそれぞれに注入された少数キャリ
アが多数キャリアと再結合する際に電気エネルギーが光
エネルギーに変換されて発光する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明に基づく第１実施例としての発光素
子の構造は、図１、図２に示され、テルルを含有するガ
リウム砒素リン半導体がＮ型ガリウム砒素リン半導体３
を形成し、このＮ型ガリウム砒素リン半導体３がＮ型半
導体を形成する。このＮ型ガリウム砒素リン半導体３に
亜鉛をイオン注入してＰ型ガリウム砒素リン半導体１が
形成されている。このときの亜鉛の濃度は、図３に示す
ように、発光素子表面から一定の距離のところで最大に
なる。Ｐ型ガリウム砒素リン半導体１の上面には正電極
４が形成され、Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３の裏面に
は、図１に示すように、負電極５が形成されている。
子の構造は、図１、図２に示され、テルルを含有するガ
リウム砒素リン半導体がＮ型ガリウム砒素リン半導体３
を形成し、このＮ型ガリウム砒素リン半導体３がＮ型半
導体を形成する。このＮ型ガリウム砒素リン半導体３に
亜鉛をイオン注入してＰ型ガリウム砒素リン半導体１が
形成されている。このときの亜鉛の濃度は、図３に示す
ように、発光素子表面から一定の距離のところで最大に
なる。Ｐ型ガリウム砒素リン半導体１の上面には正電極
４が形成され、Ｎ型ガリウム砒素リン半導体３の裏面に
は、図１に示すように、負電極５が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明において特徴的なことは、ＰＮ接合
面が表面に露出した部分を覆い、かつ、正電極部分を除
くような形でＮ型不純物としてのＮ型ガリウム砒素リン
半導体を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体層とし
てのＮ型ガリウム砒素リン半導体２を設けたことであ
る。Ｎ型不純物を拡散またはイオン注入した領域の不純
物濃度分布は図４に示されたようになる。
面が表面に露出した部分を覆い、かつ、正電極部分を除
くような形でＮ型不純物としてのＮ型ガリウム砒素リン
半導体を拡散もしくはイオン注入し、Ｎ型半導体層とし
てのＮ型ガリウム砒素リン半導体２を設けたことであ
る。Ｎ型不純物を拡散またはイオン注入した領域の不純
物濃度分布は図４に示されたようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】本実施例においては、Ｎ型半導体層として
のＮ型ガリウム砒素リン半導体２を設け、半導体表面に
露出したＰＮ接合部を従来の構造の発光素子に比して少
なくすることができるので、Ｂ成分の電流が減少し、図
５の実線に示すように、発光素子に流れる電流値が小さ
い領域でも、電流の増加に対する光量の増加率を一定に
することができる。
のＮ型ガリウム砒素リン半導体２を設け、半導体表面に
露出したＰＮ接合部を従来の構造の発光素子に比して少
なくすることができるので、Ｂ成分の電流が減少し、図
５の実線に示すように、発光素子に流れる電流値が小さ
い領域でも、電流の増加に対する光量の増加率を一定に
することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｐ型半導体とＮ型半導体が形成するＰＮ
接合面を有し、該接合面に順方向に電圧を印加すること
により発光させる発光素子において、 上記ＰＮ接合面と発光素子表面とほぼ平行な面とが交わ
ってつくる曲線が、半導体表面近傍において半導体表面
から半導体中に入るにしたがって長くなるように上記Ｐ
Ｎ接合面が形成されていることを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 Ｐ型半導体とＮ型半導体が形成するＰＮ
接合部を有し、該接合面に順方向に電圧を印加すること
により発光させる発光素子において、 Ｐ型あるいはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に
他の導電型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、
表面に露出するＰＮ接合部及び第２半導体層の上に、電
極設置部分を除いて、第１半導体層と同じ導電型の半導
体層を形成したことを特徴とする発光素子。 - 【請求項３】 Ｐ型半導体とＮ型半導体が形成するＰＮ
接合部を有し、該接合面に順方向に電圧を印加すること
により発光させる発光素子において、 Ｐ型あるいはＮ型のある一の導電型の第１半導体層中に
他の導電型不純物を拡散させて第２半導体層を形成し、
さらに、前記第２半導体層の上に第１半導体層と同じ導
電型の第３半導体層を形成し、該第３半導体層に第２半
導体層と同じ導電型の不純物を第２半導体層に到達する
ように形成したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4717092A JPH05251742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 発光素子 |
| US07/923,642 US5274252A (en) | 1992-03-04 | 1992-08-03 | Linearizing emitted light intensity from a light-emitting device |
| EP93103504A EP0559200A1 (en) | 1992-03-04 | 1993-03-04 | Linearizing emitted light intensity from a light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4717092A JPH05251742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251742A true JPH05251742A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12767596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4717092A Pending JPH05251742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274252A (ja) |
| EP (1) | EP0559200A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05251742A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2080849A6 (ja) * | 1970-02-06 | 1971-11-26 | Radiotechnique Compelec | |
| JPS62250679A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | New Japan Radio Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
| JPH03256371A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光ダイオード及びそのアレイ |
| JPH04225577A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光ダイオード |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4717092A patent/JPH05251742A/ja active Pending
- 1992-08-03 US US07/923,642 patent/US5274252A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-04 EP EP93103504A patent/EP0559200A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0559200A1 (en) | 1993-09-08 |
| US5274252A (en) | 1993-12-28 |
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