JPH02174272A - 発光ダイオードアレイの製造方法 - Google Patents

発光ダイオードアレイの製造方法

Info

Publication number
JPH02174272A
JPH02174272A JP1192799A JP19279989A JPH02174272A JP H02174272 A JPH02174272 A JP H02174272A JP 1192799 A JP1192799 A JP 1192799A JP 19279989 A JP19279989 A JP 19279989A JP H02174272 A JPH02174272 A JP H02174272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
light
layer
electrode
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1192799A
Other languages
English (en)
Inventor
Ki-Joon Kim
キ―ジョーン　キム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH02174272A publication Critical patent/JPH02174272A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system characterised by the doping materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/099—LED, multicolor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は発光ダイオードアレイの製造方法に関する。
〈従来の技術と解決しようとする課題〉最近の高度情報
化時代に当り、自動化機器の情報処理能力が向上し、出
力機器としてのプリンターにも高速・高画質及び多機能
化が要求されている。そして電子写真技術を利用した光
プリンターの発光ダイオードアレイを利用した方式にも
上記要求に合わせるために高出力化、高集積化が要求さ
れている。しかし、高集積化のために発光面積を狭める
と、高出力化が難しくなるので光放出の効率をより高め
なければならない。
第３図と第４図は従来の一般的な発光ダイオードアレイ
を図示したものである。第３図においてｌはガリウム砒
素（ＧａＡｓ）の基板であり、２はＮ型のガリウム砒素
燐（ＧａＡｓＰ）の薄膜であり、３は亜鉛拡散領域であ
り、４は絶縁膜であり、５はＰ型電極であり、６はＮ型
電極である。
このように亜鉛拡散によってＰ−Ｎ接合を作る場合には
Ｐ型とＮ型とが同一物質の同種接合（Ｈｏｓ＋。
Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）になるため発光出力が低く、高速印
刷の要求には合わない。
又、高速化を実現するために研究されている構造として
第４図のような異種接合型もある。第４図（Ａ）の１１
はガリウム砒素（Ｃ，ａＡｓ）の基板であり、１２はＰ
型ガリウムアルミニウム砒素（ＧａＡｉ！、Ａｓ）の発
光層、１３はＮ型ガリウムアルミニウム砒素（ＧａＡｆ
Ａｓ）透過層、１４はＮ型キャップ層、１５はＮ型電極
であり、１６はＰ型電極、１７は内部発光領域である。
しかし、このように素子を構成した場合、素子に電圧を
印加した時、第４図（Ｂ）のように内部の光密度は高い
が、発光領域１７が電極１５の直下に形成されるので、
この電極１５の妨害によって外部に放出される時には第
４図（Ｃ）のように損失が多くなる。
したがって、本発明の目的は異種薄膜成長と、亜鉛拡散
による電流注入領域を持つように製造することにより、
異種接合によって内部で発生する光密度を高め、電極に
よる妨害なしに発生した光を効率的に外部に放出させる
ことにより高出力が可能な発光ダイオードアレイの製造
方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記のような目的を達成するために本発明は、Ｎ型半導
体基板の上部にＮ型の接合層、Ｐ型の発光層、Ｎ型の透
過層兼電流障碍層の薄膜を順次成長させる第１工程と、
電流の注入のためにＮ型の透過層兼電流障碍層を写真蝕
刻する第２工程と、Ｎ型の透過層兼電流障碍層の表面上
のＰ型電極とＰ型光光層との間を電気的に連結させて電
流注入領域を形成させる亜鉛拡散の第３工程と、各素子
を分離させるために写真蝕刻する第４工程と、素子の表
面と裏面にそれぞれ電極を形成させる第５工程を具備し
、上記工程の連続で成される発光ダイオードアレイの製
造方法としたものである。
〈実　施　例〉 以下、本発明の好適な一実施例を第１図、第２図を参照
して詳細に説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ本発明の製造方法に
よって製造されたガリウム砒素（ＧａＡＳ）系の発光ダ
イオードアレイの断面図、その内部の光密度を表す図、
そして外部に放出される光密度を表す図である。
Ｐ型の電極２８に電圧を印加すると、電極に垂直な方向
にはＰ−Ｎ−Ｐ−Ｎ接合のために電流が流れず、亜鉛拡
散によってＰ型になった亜鉛拡散領域２６を通じて電流
注入領域２５に電流が流れ、電流注入領域２５の下に発
光領域３０が形成される。従って素子内部の光密度は第
１図（Ｂ）に示されるような状態となり、内部光はＰ型
の電極２８に妨害されることなく第１図（Ｃ）のような
光密度で外部に放出される。
この時、電流障碍層の役割をしたＮ型ガリウムアルミニ
ウム砒素の透過層２４のエネルギーギャップがＰ型ガリ
ウムアルミニウム砒素の発光層２３より大きいと、Ｎ型
電流障碍層であるＮ型ガリウムアルミニウム砒素の透過
層２４は内部発生光を透過するので、光の放出効果を極
大化することができる。つまり、最上層のＮ型ガリウム
アルミニウム砒素の透過層２４は透過層兼電流障碍層の
２つの役割をすることになる。
次に第２図を参照して製造方法を説明する。
出発物質はＮ型の高濃度単結晶である「Ｎ型半導体基板
」としてのＮ型ガリウム砒素基板２１である。そして第
２図（Ａ）のように、Ｎ型ガリウム砒素基板２１の上部
に通常の液状結晶成長法を利用してＮ型ガリウムアルミ
ニウム砒素の接合層２２とＰ型ガリウムアルミニウム砒
素の発光層２３、Ｎ型ガリウムアルミニウム砒素のＮ型
電流障碍層である透過層２４を順次成長させて第１工程
を完成する。
それから、電流注入領域２５を形成するためにＮ型ガリ
ウムアルミニウム砒素のＮ型電流障碍層である透過層２
４の一部を第２図（Ｂ）のように写真蝕刻して第２工程
を完成する。
その後、通常の真空封入式の亜鉛拡散法で上記電流障碍
層である透過層２４の一部をＰ型に反転させて第２図（
Ｃ）のように亜鉛拡散領域２６を形成することにより第
３工程を完成する。この時、基板２１にも亜鉛拡散領域
２石が形成される。
そして、素子間の分離のために写真蝕刻法で素予分離領
域２７を形成し、基板２１の下部を研磨して第２図（Ｄ
）のように亜鉛拡散領域を除去して第４工程を完了した
のち、第２図（Ｅ）のように素子の上部にはＰ型の電極
２８、基板の下部にはＮ型の電極２９を形成して第５工
程を完成し、全工程を完了する。
〈発明の効果〉 上述したように本発明に係る発光ダイオードアレイの製
造方法は異種薄膜結晶成長後、亜鉛拡散により電極と異
なる位置に電流注入領域を形成したので、素子の内部で
発生した光が電極の妨害を受けずに効率的に放出され、
高出力の発光が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、各々本発明に係る発光ダイオ
ードアレイの断面図、その内部の光密度を表す図、及び
外部に放出される光密度を表す図、第２図（Ａ）〜（Ｅ
）は各々本発明に係る発光ダイオードアレイの製造方法
の各工程を順次表す断面図、 第３図は従来の一般的な同種接合の発光ダイオードアレ
イの断面図、そして 第４図（Ａ）〜（Ｃ）は、各り従来の異種接合発光ダイ
オードアレイについての第１図（Ａ）〜（Ｃ）相当の図
である。 ２１　−・　　Ｎ型ガリウム砒素基板 ２２　−・　接合層 ２３　−　　発光層 ２４　−　　透過層 ２５　　・−電流注入領域 ２６　−　　亜鉛拡散領域 ２７　−　　分離領域 ２８．２９　−　　電極 ３０　−　　発光領域

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記各工程が連続して行われる発光ダイオードアレイの
    製造方法。 Ｎ型半導体基板の上部にＮ型の接合層、Ｐ型の発光層、
    Ｎ型の透過層である電流障碍層を順次形成する第１工程 上記Ｎ型の透過層である電流障碍層を写真蝕刻する第２
    工程 電流注入領域を形成するために亜鉛拡散を行う第３工程 素子を分離するための写真蝕刻と、素子の下部を研磨す
    る第４工程 素子の上部と下部とに電極を形成する第５工程
JP1192799A 1988-12-17 1989-07-27 発光ダイオードアレイの製造方法 Pending JPH02174272A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR88-16845 1988-12-17
KR880016845 1988-12-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02174272A true JPH02174272A (ja) 1990-07-05

Family

ID=19280267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1192799A Pending JPH02174272A (ja) 1988-12-17 1989-07-27 発光ダイオードアレイの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4999310A (ja)
JP (1) JPH02174272A (ja)
DE (1) DE3926065A1 (ja)
GB (1) GB2226183B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821569A (en) * 1995-09-04 1998-10-13 Nec Corporation Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor
US5925896A (en) * 1996-03-08 1999-07-20 Nec Corporation Surface-emitting semiconductor optical device

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03237784A (ja) * 1990-02-15 1991-10-23 Omron Corp 半導体素子およびその製造方法
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
US5449926A (en) * 1994-05-09 1995-09-12 Motorola, Inc. High density LED arrays with semiconductor interconnects
GB2329756A (en) 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
US6200134B1 (en) * 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
US7320593B2 (en) 2000-03-08 2008-01-22 Tir Systems Ltd. Light emitting diode light source for curing dental composites
US6890781B2 (en) * 2002-06-25 2005-05-10 Uni Light Technology Inc. Transparent layer of a LED device and the method for growing the same
CA2493130A1 (en) 2002-07-25 2004-02-05 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes for curing
US7182597B2 (en) * 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
WO2004038759A2 (en) * 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
ATE553505T1 (de) * 2004-06-15 2012-04-15 Data Cloak Llc Elektro-optische hochleistungs-led-anordnung
US20090057697A1 (en) * 2004-10-28 2009-03-05 Henkel Corporation Led assembly with led-reflector interconnect
US8113830B2 (en) * 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
US8047686B2 (en) * 2006-09-01 2011-11-01 Dahm Jonathan S Multiple light-emitting element heat pipe assembly
TWI384650B (zh) * 2008-07-18 2013-02-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片的製造方法
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
CN101625981B (zh) * 2009-08-03 2011-01-19 南昌欣磊光电科技有限公司 一种高像素密度led显示模块及其制作方法
CN108288661B (zh) * 2017-01-10 2021-05-11 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管晶片以及显示面板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1478152A (en) * 1974-10-03 1977-06-29 Standard Telephones Cables Ltd Light emissive diode
US4032951A (en) * 1976-04-13 1977-06-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Growth of iii-v layers containing arsenic, antimony and phosphorus, and device uses
JPS533784A (en) * 1976-07-01 1978-01-13 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting diode for optical fibers and its production
JPS5448493A (en) * 1977-03-23 1979-04-17 Toshiba Corp Semiconductor optical device
US4220960A (en) * 1978-10-25 1980-09-02 International Telephone And Telegraph Corporation Light emitting diode structure
EP0011418A1 (en) * 1978-11-20 1980-05-28 THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, p.l.c. Manufacture of electroluminescent display devices
NL7811683A (nl) * 1978-11-29 1980-06-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
US4297783A (en) * 1979-01-30 1981-11-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating GaAs devices utilizing a semi-insulating layer of AlGaAs in combination with an overlying masking layer
CA1139412A (en) * 1980-09-10 1983-01-11 Northern Telecom Limited Light emitting diodes with high external quantum efficiency
WO1985002722A1 (en) * 1983-12-14 1985-06-20 Honeywell Inc. High-bandwidth, high radiance, surface emitting led, and method therefor
US4719497A (en) * 1984-06-15 1988-01-12 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
US4694311A (en) * 1985-05-22 1987-09-15 Trw Inc. Planar light-emitting diode
US4879250A (en) * 1988-09-29 1989-11-07 The Boeing Company Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821569A (en) * 1995-09-04 1998-10-13 Nec Corporation Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor
US5925896A (en) * 1996-03-08 1999-07-20 Nec Corporation Surface-emitting semiconductor optical device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2226183A (en) 1990-06-20
US4999310A (en) 1991-03-12
GB2226183B (en) 1993-02-24
DE3926065C2 (ja) 1993-06-09
GB8924721D0 (en) 1989-12-20
DE3926065A1 (de) 1990-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02174272A (ja) 発光ダイオードアレイの製造方法
US5453405A (en) Method of making light emitting diode bars and arrays
US6846686B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
JPH0997922A (ja) 発光素子
KR102034740B1 (ko) 수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법
JP2004200303A (ja) 発光ダイオード
JP3602929B2 (ja) ３族窒化物半導体発光素子
JPH0677522A (ja) 発光・受光素子及びそれらの製造方法
JPH0327577A (ja) 発光ダイオ―ドアレイ
JPH0997943A (ja) スタック型半導体レーザ
US6245588B1 (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
JPH05218498A (ja) 横方向に接合を有する発光ダイオード
JPH03268360A (ja) 半導体装置
JPH0697498A (ja) 半導体発光素子
JP3311946B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JPH02152283A (ja) 発光ダイオードアレイの製造方法
JPH11168239A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH0738153A (ja) 半導体発光素子並びに光ファイバモジュール装置および半導体発光素子ディスプレイ装置
JP3219463B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JPH07263746A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JPH03190287A (ja) 発光ダイオードアレイ
JPS63107075A (ja) 半導体発光素子
JPS5856370A (ja) モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法
JP3488783B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JPH08186286A (ja) 半導体発光素子