NL7811683A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. Download PDFInfo
- Publication number
- NL7811683A NL7811683A NL7811683A NL7811683A NL7811683A NL 7811683 A NL7811683 A NL 7811683A NL 7811683 A NL7811683 A NL 7811683A NL 7811683 A NL7811683 A NL 7811683A NL 7811683 A NL7811683 A NL 7811683A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- region
- zinc
- cadmium
- diffusion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 42
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 28
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical group [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
- H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
«·; * PHN 9294
N.V. PHILIPS· GLOEILAMPENFABRIEKEN te EINDHOVEN
"Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin-richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze".
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende een lichaam dat bestaat uit halfgeleidermateri-aal van het III-V-verbindingstype en wordt gevormd door 5 een n-type substraat en een aan het substraat grenzend gebied met van het substraat verschillende geleidingseigen-schappen, waarbij zink of cadmium althans over een deel van een oppervlak van het gebied in het gebied wordt geïntroduceerd en naar het substraat gediffundeerd en op een 10 halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze .
Onder halfgeleidermateriaal van het III-V-verbindingstype wordt hier verstaan materiaal bestaande uit verbindingen van een of meer elementen behorende tot 15 groep IIIB met een of meer elementen van groep VB van het periodiek systeem der elementen.
Het zij opgemerkt dat het gebied een andere chemische samenstelling kan hebben als het substraat en uit verscheidene lagen kan bestaan en dat het substraat 20 zelve kan bestaan uit een uitgangslichaam waarop epitaxia-le lagen zijn gegroeid.
Het verschil in geleidingseigenschappen tussen het gebied en het substraat kan bestaan in verschil in elektrisch geleidend vermogen en/of verschil in geleidings-25 type.
Introductie van cadmium of zink kan plaats vinden bijvoorbeeld door afzetting en diffusie vanuit een 78 1 1 6 8 3 r. 2 PHN 9294 aangrenzende fase of door ionenimplantatie.
Een werkwijze van de in de aanhef vermelde soort is bijvoorbeeld bekend uit het Britse octrooischrift 1503678.
5 Hierin is het.gebied een heteroepitaktische laag met een grotere verboden bandbreedte dan die van het substraat en van hetzelfde geleidingstype als het substraat. Door diffusie van zink tot in het substraat wordt een licht-emitterende diode verkregen met een in het substraat gele-10 gen pn-overgang teneinde rekombinatie van ladingsdragers zoveel mogelijk in het omgedoteerde deel van het substraat te doen plaatsvinden.
Bij de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met pn-overgangen in III-V materialen moet vaak gelijktij-15 dig aan verschillende eisen worden voldaan, bijvoorbeeld dat de pn-overgang abrupt moet zijn, dat de positie van de pn-overgang nauwkeurig bepaald moet zijn, bijvoorbeeld moet samenvallen met een heteroovergang zoals bij een pn-laser en dat de pn-overgang lokaal moet zijn.
20 Het is in de praktijk bijzonder moeilijk om aan al deze eisen gelijktijdig te voldoen.
Zo kan men een abrupte en nauwkeurig gepositioneerde pn-overgang krijgen door tijdens epitaktische groei snel over te schakelen van donor- naar acceptorinbouw. La-25 teraal begrensde inbouw van een verontreiniging is bij e-pitaxie echter niet mogelijk.
Inbouw van acceptoren door diffusie kan wel leiden tot piaatselijk doteren, maar meestal niet tot abrupte en nauwkeurig gepositioneerde pn-overgangen.
30 Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de be zwaren van de beschreven werkwijzen althans in belangrijke mate te vermijden. Zij berust onder meer op het inzicht dat daartoe diffusie toegepast kan worden mits gebruik wordt gemaakt van het anomale karakter van de diffusie van 35 zink en cadmium in III-V-materialen.
78 1 1 6 8 3 3 * <·* PHN 929^
De in de aanhef vermelde werkwijze is volgens de uitvinding derhalve daardoor gekenmerkt, dat de netto-donorconcentratie in het substraat bij de overgang van het gebied naar het substraat zo hoog wordt gekozen dat de 5 diffusie van zink of cadmium bij de overgang van het gebied naar het substraat wordt afgeremd.
Vrijwel alle in een III-V-lichaam gebrachte zink- of cadmiumatomen bevinden zich als immobiele accep-toren op substitutionele roosterplaten Mg (M = zink of 10 cadmium), terwijl de diffusie vrijwel uitslditend plaatsvindt via geringe aantallen interstitiële zink- of cadmium- donoren M?.
x
Tussen genoemde interstitiële donoren en substitutionele acceptoren stelt zich lokaal snel een even-15 wicht in volgens Μί + 0 + VII ƒ=* *s * h waarin e een elektron, h een gat en een vakature van het IIIB-element voorstelt.
20 Zink of cadmium dat via interstitiële plaat sen naar het n-type substraat diffundeert wordt aldaar met een hoge elektronenconcentratie gekonfronteerd en op substitutionele plaatsen geïmmobiliseerd.
Bijzonder duidelijk is de abruptheid van de 25 overgang indien aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner . is dan het tienvoudige, in het bijzonder kleiner dan het drievoudige, van de netto-donorconcèntratié in het substraat bij de overgang van het gebied naar het substraat.
30 Zeer goed gepositioneerd is de overgang en wel aan de overgang van het gebied naar het substraat, indien aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner is dan de netto-donorconcentratie in het substraat bij de overgang 35 van het gebied naar het substraat.
78 1 1 6 8 3 f 4 PHN 9294
Het zal uit het bovenstaande duidelijk zijn dat de geleidingseigenschappen van het gebied zodanig moeten zijn dat diffusie via het gebied manifest is. Dit betekent dat indien het gebied oorspronkelijk van het p-geleidings-5 type is, de oorspronkelijke netto - zink-of cadmiumconcen-tratie van het gebied kleiner moet zijn dan de netto-donor-concentratie van het substraat. Ook kan het gebied intrinsiek zijn. Is het gebied van het n-geleidingstype dan moet de concentratie van het diffunderende zink of cadmium dui-10 delijk groter zijn dan de netto-donorconcentratie in het gebied.
Dit kan als volgt verduidelijkt worden. Het νβΓτ loop van de concentratie in het' gebied van het zink of cadmium als funktie van de afstand tot het oppervlak van 15 waaraf wordt gediffundeerd vertoont globaal gesproken een negatieve kromming, m.a.v. is konkaaf ten opzichte van de afstandsas. Daarmee samenhangend is het concentratiever-loop aan het diffusiefront steiler dan aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd. Diffusie van zink of cad-20 mium in een gebied van het n-geleidingstype wordt niet merkbaar belemmerd door substitutionele immobilisatie zolang de concentratie van het zink of cadmium duidelijk groter , bijvoorbeeld het tienvoudige is van de netto-donorconcentratie in het gebied.
25 Bij voorkeur is aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium groter dan het tienvoudige van de netto-donorconcentratie in het gebied en is de netto-donorconcentratie in het gebied kleiner dan het tiende deel van de netto-donorconcentratie 30 in het substraat bij de overgang van het gebied naar het substraat.
Bij voorkeur wordt het gebied verkregen door epi-taktische groei van een laag op het substraat, omdat hierbij door verschil van dotering tussen het gebied en het 35 substraat een abrupte en nauwkeurig gelokaliseerde overgang kan worden verkregen.
78 1 1 6 8 3
. V
5 ' > PHN 9294
Bij diffusie van zink of cadmium in een n-type laag ter verkrijging van het gebied wordt automatisch een isolerende pn-overgang tussen het gebied en de rest van de epitaktische laag verkregen en een pn-overgang tussen 5 het gebied en het substraat.
Bij voorkeur wordt na het genoemde diffunderen van zink of cadmium een tweede ondiepe diffusie van zink of cadmium uitgevoerd ter verkrijging van een laagohmige kontakteringszone in het gebied.
10 De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van bijgaande tekening.
In de tekening stelt de figuur schematisch een doorsnede voor van een deel van een halfgeleiderinrichting in een stadium van vervaardiging met behulp van de werk-15 wijze volgens de uitvinding.
Het voorbeeld beschrijft de vervaardiging van een laserinrichting bevattende een lichaam 1,2,3,^,5>6 dat bestaat uit halfgeleidermateriaal van het III-V-ver-bindingstype en wordt gevormd door een n-type substraat 20 1,2,3,^ en een aan het substraat grenzend gebied 5,6 met van het substraat verschillende geleidingseigenschappen.
Bij de vervaardiging wordt zink of cadmium althans over een deel 13 van een oppervlak 14 van het gebied 5,6 in het gebied geïntroduceerd en naar het substraat 1, 25 2,3»^ gediffundeerd.
Volgens de uitvinding wordt de netto-donorconcen-tratie in het substraat 1,2,3»^· 20 boog gekozen dat de diffusie van zink of cadmium bij de overgang 10 van het gebied 5,6 naar het substraat 1,2,3,^ wordt afgeremd.
30 Bij voorkeur is aan het oppervlak ik van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner dan het tienvoudige, bijvoorbeeld kleiner dan het drievoudige, van of zelfs kleiner dan de netto-donor-concentratie in het substraat bij de overgang van het ge-35 bied naar het substraat.
7811S 83 r 6 PHN 9294
Is het gebied 5>ó bij het oppervlak 14 van waaraf wordt gediffundeerd van het n-type dan is de concentratie van het zink of cadmium bij voorkeur groter dan het tienvoudige van de netto-donorconcentratie in het ge-5 bied.
Het substraat 1,2,3>4 wordt bijvoorbeeld verkregen door uit te gaan van een galliumarsenidelichaam 1 18 3 dat door dotering met 2.10 siliciumatomen per cnr het n-geleidingstype heeft verkregen.
10 Op het lichaam 1 worden op een gebruikelijke wijze met behulp van bijvoorbeeld gasfaseepitaxie een 0,5 /um dikke n-type galliumarsenidelaag 2, gedoteerd met 18' 3 10 seleenatomen per cm , een 1 ^um dikke n-type alumi-niumgalliumarsenidelaag 3 (Aln „Gan _As), gedoteerd met | ry oUjJU,/ 15 5*10 ' seleenatomen per cm , en een 0,16 /um dikke n-type 18' galliumarsenidelaag 4, gedoteerd met 10 seleenatomen 3 per cm' , gegroexd.
Op laag b van het substraat 1,2,3,4 wordt vervolgens het gebied 5>6 gevormd bestaande uit niet-op-20 zettelijk gedoteerde, zwak p-type lagen met hoge elektrische weerstand. Hiertoe wordt achtereenvolgens met behulp van gasfaseepitaxie een 1 yum dikke aluminiumgalliumarsenide-laag 5 (AIq 2&aQ yAs) en een 0,5 ^um dikke galliumarsenidelaag 6 gegroeid.
25 Laag 4 is de aktieve laag van de laserinrich- ting en vormt heteroovergangen 9 en 10 met respectievelijk de lagen 3 en 5·
Vervolgens wordt het oppervlak 14 voorzien van een siliciumnitridelaag 7 als diffusieraasker voor zink.
30 In laag 7 wordt een venster 8 aangebracht waardoor het deel 13 van het oppervlak 14 wordt blootgelegd. Via het oppervlaktedeel 13 wordt zink op een gebruikelijke wijze in de laag 6 geïntroduceerd, zodanig dat aan het opper- 17 vlak 14 de concentratie van zink in laag 6 5·10 ' atomen 3 35 per cm bedraagt. Door diffusie van zink naar het substraat 781 1S 8 3 ? 7 ' Ί» ΡΗΝ 929h ontstaat een p-type gebied 15 begrensd door de overgang 12 naar aangrenzende delen van het gebied 5» 6 en door de pn-overgang 11 naar het substraat 1,2,3,4. De pn-overgang 11 valt samen met een deel van de heteroovergang 10.
5 Na de beschreven diffusie van. zink kan een tweede ondiepe diffusie van zink worden uitgevoerd ter verkrijging van een laagohmige kontakteringszone 16 in het gebied 5,6. De zinkconcentratie aan het oppervlak 14 20 3 in de zone 16 bedraagt bijvoorbeeld 10. atomen per cm .
10 Uitgegaan kan worden van een uitgangslichaam waarin een groot aantal p-type gebieden 15 wordt gevormd, waardoor aktieve gebieden in de laag 4 worden bepaald.
Op een gebruikelijke wijze wordt een dergelijk geheel verwerkt tot laserinrichtingen.
15 De laserinrichtingen vervaardigd met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding munten uit door de nauwkeurigheid en reproduceerbaarheid van hun laterale begrenzing en van hun aktieve gebieddikte.
De uitvinding is niet beperkt tot het gegeven 20 voorbeeld. Binnen het raam van de uitvindingsgedachte zijn vele variaties mogelijk.
Behalve laserinrichtingen kunnen lichtemitte-rende diodes worden vervaardigd met abrupte pn-homoover-gangen ter verbetering van eenzijdige injektie of inrich-25 tingen met heterostruktuur waarin elektro-absorptie-effek-ten een rol spelen.
Het gebied waardoor wordt gediffundeerd hoeft niet zoals in het voorbeeld p-type te zijn. Zink diffundeert bijvoorbeeld snel door een galliumfosfidegebied met 17 3 30 een netto-donorconcentratie van 10 atomen per cm wanneer de zinkconcentratie aan het oppervlak van dit gebied 1 δ 3 4.10 atomen per cnr bedraagt, maar diffundeert met deze oppervlakteconcentratie niet merkbaar in een galliumfosfide- 19 substraat met een netto-donorconcentratie van 10 atomen nr. 3 35 per cm .
Zink kan ook via het oppervlaktedeel 13 °P een 781 1 6 8 3
Claims (7)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een half-geleiderinrichting bevattende een lichaam dat bestaat uit 5 halfgeleidermateriaal van het III-V-verbindingstype en wordt gevormd door een n-type substraat en een aan het substraat grenzend gebied met van het substraat verschillende geleidingseigenschappen waarbij zink of cadmium althans over een deel van een oppervlak van het gebied in 10 het gebied wordt geïntroduceerd en naar het substraat gediffundeerd, met het kenmerk, dat de netto-donorconcentra-tie in het substraat bij de overgang van het gebied naar het substraat zo hoog wordt gekozen dat de diffusie van zink of cadmium bij de overgang van het gebied naar het 15 substraat wordt afgeremd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner is dan het tienvoudige van de netto-donorconcentratie in het substraat 20 bij de overgang van het gebied naar het substraat.
3· Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner is dan het drievoudige van de netto-donorconcentratie in het substraat 25 bij de overgang van het gebied naar het substraat. h. Werkwijze volgens conclusie 3» met het kenmerk, dat aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium kleiner is dan de netto-donorconcentratie in het substraat bij de overgang 30 van het gebied naar het substraat.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat aan het oppervlak van waaraf wordt gediffundeerd de concentratie van het zink of cadmium groter is dan het tienvoudige van de netto-donorconcentratie in het gebied 35 en is de netto-donorconcentratie in het gebied kleiner dan 781. i 83 PHN 9294 het tiende deel van de netto-donorconcentratie in het substraat bij de overgang van het gebied naar het substraat.
6. Werkwijze volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het gebied is verkregen door epitaktische groei van een laag op het substraat.
7. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat na het genoemde diffunderen van zink of cadmium een tweede ondiepe diffusie van zink of cadmium wordt uitgevoerd ter verkrijging van een laag-ohmige kontakteringszone in het gebied.
8. Halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies. 78 1 1 6 8 3
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7811683A NL7811683A (nl) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| US06/091,428 US4280858A (en) | 1978-11-29 | 1979-11-05 | Method of manufacturing a semiconductor device by retarding the diffusion of zinc or cadmium into a device region |
| DE7979200684T DE2961365D1 (en) | 1978-11-29 | 1979-11-21 | Method of manufacturing a semiconductor device |
| EP79200684A EP0011898B1 (en) | 1978-11-29 | 1979-11-21 | Method of manufacturing a semiconductor device |
| CA340,410A CA1134062A (en) | 1978-11-29 | 1979-11-22 | Semiconductor device by diffusion of zinc or cadmium |
| JP54152154A JPS6043655B2 (ja) | 1978-11-29 | 1979-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7811683A NL7811683A (nl) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| NL7811683 | 1978-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7811683A true NL7811683A (nl) | 1980-06-02 |
Family
ID=19831962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7811683A NL7811683A (nl) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4280858A (nl) |
| EP (1) | EP0011898B1 (nl) |
| JP (1) | JPS6043655B2 (nl) |
| CA (1) | CA1134062A (nl) |
| DE (1) | DE2961365D1 (nl) |
| NL (1) | NL7811683A (nl) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4377865A (en) * | 1979-12-20 | 1983-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| US4719497A (en) * | 1984-06-15 | 1988-01-12 | Hewlett-Packard Company | High efficiency light-emitting diode |
| JPS61224387A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-06 | Rikagaku Kenkyusho | 半導体装置 |
| US4755485A (en) * | 1986-05-27 | 1988-07-05 | Hewlett-Packard Company | Method of making light-emitting diodes |
| NL8801631A (nl) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een optoelektronische inrichting. |
| JPH02174272A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-05 | Samsung Electron Co Ltd | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
| JPH0582463A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐ形不純物の拡散方法及び半導体レーザ |
| US5422872A (en) * | 1993-03-08 | 1995-06-06 | Maxoptix Corporation | Telecentric rotary actuator in an optical recording system |
| JPH11220161A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
| JP4022997B2 (ja) | 1998-07-29 | 2007-12-19 | 住友電気工業株式会社 | ３−５族化合物半導体結晶へのＺｎ拡散方法及び拡散装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1112411A (en) * | 1965-01-21 | 1968-05-08 | Mullard Ltd | Improvements in and relating to semiconductor devices |
| GB1145121A (en) * | 1965-07-30 | 1969-03-12 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to transistors |
| US3920491A (en) * | 1973-11-08 | 1975-11-18 | Nippon Electric Co | Method of fabricating a double heterostructure injection laser utilizing a stripe-shaped region |
| JPS5751276B2 (nl) * | 1973-10-23 | 1982-11-01 | ||
| US3959808A (en) * | 1974-09-19 | 1976-05-25 | Northern Electric Company Limited | Variable stripe width semiconductor laser |
| US4154630A (en) * | 1975-01-07 | 1979-05-15 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having isoelectronically built-in nitrogen and having the p-n junction formed subsequent to the deposition process |
| GB1531238A (en) * | 1975-01-09 | 1978-11-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
| US4055443A (en) * | 1975-06-19 | 1977-10-25 | Jury Stepanovich Akimov | Method for producing semiconductor matrix of light-emitting elements utilizing ion implantation and diffusion heating |
| US4132960A (en) * | 1977-03-28 | 1979-01-02 | Xerox Corporation | Single longitudinal mode gaas/gaalas double heterostructure laser |
| GB1558642A (en) * | 1977-04-01 | 1980-01-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
| US4183038A (en) * | 1978-03-29 | 1980-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1978
- 1978-11-29 NL NL7811683A patent/NL7811683A/nl not_active Application Discontinuation
-
1979
- 1979-11-05 US US06/091,428 patent/US4280858A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-11-21 DE DE7979200684T patent/DE2961365D1/de not_active Expired
- 1979-11-21 EP EP79200684A patent/EP0011898B1/en not_active Expired
- 1979-11-22 CA CA340,410A patent/CA1134062A/en not_active Expired
- 1979-11-26 JP JP54152154A patent/JPS6043655B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0011898A1 (en) | 1980-06-11 |
| CA1134062A (en) | 1982-10-19 |
| EP0011898B1 (en) | 1981-11-18 |
| DE2961365D1 (en) | 1982-01-21 |
| JPS6043655B2 (ja) | 1985-09-30 |
| JPS5575218A (en) | 1980-06-06 |
| US4280858A (en) | 1981-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4966862A (en) | Method of production of light emitting diodes | |
| US4707216A (en) | Semiconductor deposition method and device | |
| US4949144A (en) | Semiconductor photo-detector having a two-stepped impurity profile | |
| EP0068652B1 (en) | Photo diodes | |
| CA1098608A (en) | Semiconductor device having a passivating layer | |
| NL7811683A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| US4035205A (en) | Amphoteric heterojunction | |
| FR2481518A1 (fr) | Procede de realisation d'un dispositif semiconducteur comportant des transistors a effet de champ complementaires | |
| US4757369A (en) | Group III-V semiconductor electrical contact | |
| EP0052033B1 (fr) | Phototransistor à hétérojonction en technologie planar, et procédé de fabrication d'un tel phototransistor | |
| US5162891A (en) | Group III-V heterostructure devices having self-aligned graded contact diffusion regions and method for fabricating same | |
| US5158896A (en) | Method for fabricating group III-V heterostructure devices having self-aligned graded contact diffusion regions | |
| US5063174A (en) | Si/Au/Ni alloyed ohmic contact to n-GaAs and fabricating process therefor | |
| US5198370A (en) | Method for producing an infrared detector | |
| US8101940B2 (en) | Photodetector and method for manufacturing photodetector | |
| WO1999012188A3 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with a schottky junction | |
| JP3164478B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5004698A (en) | Method of making photodetector with P layer covered by N layer | |
| JP2929632B2 (ja) | 光素子の製造方法 | |
| GB2293485A (en) | Semiconductor device | |
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JP2001274451A (ja) | 半導体撮像素子およびその製造方法 | |
| US3828232A (en) | Semiconductor target | |
| JPS60173882A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0249624A1 (en) | Photodetectors and methods for making such detectors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |