JPH11220161A - 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法Info
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- JPH11220161A JPH11220161A JP1998998A JP1998998A JPH11220161A JP H11220161 A JPH11220161 A JP H11220161A JP 1998998 A JP1998998 A JP 1998998A JP 1998998 A JP1998998 A JP 1998998A JP H11220161 A JPH11220161 A JP H11220161A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】
【解決手段】 発光ダイオードは、裏面全体にｎ側電極
２６が設けられると共に表面側に絶縁膜１６が付けられ
たｎ型半導体１２を備えている（図２（Ａ））。絶縁膜
１６に、予め定められた複数位置各々に、各々予め定め
られた面積の２つの拡散窓２０Ａ、２０Ｂを形成し（図
２（Ｂ））、拡散窓２０Ａ、２０Ｂ位置のｎ型半導体１
２内に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより薄
い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bを有する２つのｐ型半導体３０
Ａ、３０Ｂを、第２の部分同士Ｒ2a、Ｒ2bが接続される
ように、形成する（図２（Ｃ））。そして、拡散窓２０
Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部に、ｐ側電極２
４を配置する（図２（Ｄ））。
２６が設けられると共に表面側に絶縁膜１６が付けられ
たｎ型半導体１２を備えている（図２（Ａ））。絶縁膜
１６に、予め定められた複数位置各々に、各々予め定め
られた面積の２つの拡散窓２０Ａ、２０Ｂを形成し（図
２（Ｂ））、拡散窓２０Ａ、２０Ｂ位置のｎ型半導体１
２内に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより薄
い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bを有する２つのｐ型半導体３０
Ａ、３０Ｂを、第２の部分同士Ｒ2a、Ｒ2bが接続される
ように、形成する（図２（Ｃ））。そして、拡散窓２０
Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部に、ｐ側電極２
４を配置する（図２（Ｄ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード及
び発光ダイオードの製造方法に係り、より詳しくは、ｐ
型半導体及びｎ型半導体の一方の半導体の表面側に他方
の半導体が接合されて形成された発光ダイオード及び発
光ダイオードの製造方法に関する。
び発光ダイオードの製造方法に係り、より詳しくは、ｐ
型半導体及びｎ型半導体の一方の半導体の表面側に他方
の半導体が接合されて形成された発光ダイオード及び発
光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プレーナ型発光ダイオード
（ＬＥＤ）をアレイ状に配置した発光ダイオードアレイ
は、ＬＥＤプリンタ等に用いられている。発光ダイオー
ドアレイは、図７に示すように、ｎ型半導体１２表面に
絶縁膜１６を付け、その一部をエッチング処理して複数
の拡散窓２０を形成し、各拡散窓２０を介してｎ型半導
体１２の表面側に不純物（Ｚｎ）拡散させてｐ型半導体
２８（図８も参照）を接合している。なお、隣り合うｐ
型半導体２８同士は素子分離している。
（ＬＥＤ）をアレイ状に配置した発光ダイオードアレイ
は、ＬＥＤプリンタ等に用いられている。発光ダイオー
ドアレイは、図７に示すように、ｎ型半導体１２表面に
絶縁膜１６を付け、その一部をエッチング処理して複数
の拡散窓２０を形成し、各拡散窓２０を介してｎ型半導
体１２の表面側に不純物（Ｚｎ）拡散させてｐ型半導体
２８（図８も参照）を接合している。なお、隣り合うｐ
型半導体２８同士は素子分離している。
【０００３】ところで、ｎ型半導体１２に不純物拡散さ
せてｐ型半導体２８を接合しているため、ｐ型半導体２
８は、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示すように、厚さＬ1
の第１の部分Ｒ1 と、第１の部分Ｒ1 の周辺に配置さ
れ、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程厚さが薄くなりかつ
幅Ｌ2 の第２の部分Ｒ2 と、を有する。
せてｐ型半導体２８を接合しているため、ｐ型半導体２
８は、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示すように、厚さＬ1
の第１の部分Ｒ1 と、第１の部分Ｒ1 の周辺に配置さ
れ、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程厚さが薄くなりかつ
幅Ｌ2 の第２の部分Ｒ2 と、を有する。
【０００４】なお、ｎ型半導体１２裏面にはｎ側電極２
６を配置すると共に拡散窓２０にはｐ側電極２４を配置
している。
６を配置すると共に拡散窓２０にはｐ側電極２４を配置
している。
【０００５】そして、ｎ側電極２６及びｐ側電極２４間
に電圧を印加して電流を流すと、図８に示すように、接
合面３０において、高いエネルギーの電子が低いエネル
ギーの正孔と再結晶（再結合）することにより発光し、
拡散窓２０を介して光Ｂが射出される。
に電圧を印加して電流を流すと、図８に示すように、接
合面３０において、高いエネルギーの電子が低いエネル
ギーの正孔と再結晶（再結合）することにより発光し、
拡散窓２０を介して光Ｂが射出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、第１の部分Ｒ
1 における接合面３０から発光した光Ｂ1 は、厚さＬ1
のｐ型半導体２８に所定量吸収される。よって、ｐ型半
導体２８から射出した光出力は、図８（Ｃ）に示すよう
に、Ｉ0 となる。
1 における接合面３０から発光した光Ｂ1 は、厚さＬ1
のｐ型半導体２８に所定量吸収される。よって、ｐ型半
導体２８から射出した光出力は、図８（Ｃ）に示すよう
に、Ｉ0 となる。
【０００７】一方、前述したように、第２の部分Ｒ
2 は、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程厚さが薄くなるの
で、第２の部分Ｒ2 における接合面３０から発光した光
Ｂ2 のｐ型半導体２８に吸収される量は、第１の部分Ｒ
1 より遠ざかる程減少する。このため、第２の部分Ｒ2
におけるｐ型半導体２８から射出する光出力は、第１の
部分Ｒ1 より遠ざかる程大きくなり、最遠点Ｒ20におい
て最大Ｉ0 ＋ｉとなる。
2 は、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程厚さが薄くなるの
で、第２の部分Ｒ2 における接合面３０から発光した光
Ｂ2 のｐ型半導体２８に吸収される量は、第１の部分Ｒ
1 より遠ざかる程減少する。このため、第２の部分Ｒ2
におけるｐ型半導体２８から射出する光出力は、第１の
部分Ｒ1 より遠ざかる程大きくなり、最遠点Ｒ20におい
て最大Ｉ0 ＋ｉとなる。
【０００８】このように、第１の部分Ｒ1 における接合
面３０から発光した光Ｂ1 は、厚さＬ1 のｐ型半導体２
８に所定量吸収される。このため、ｐ型半導体２８から
射出した全光出力は小さくなる。よって、所望の光出力
を得るためには、ｎ側電極２６及びｐ側電極２４間に印
加する電圧を大きくしなければならず、エネルギー消費
が多い。
面３０から発光した光Ｂ1 は、厚さＬ1 のｐ型半導体２
８に所定量吸収される。このため、ｐ型半導体２８から
射出した全光出力は小さくなる。よって、所望の光出力
を得るためには、ｎ側電極２６及びｐ側電極２４間に印
加する電圧を大きくしなければならず、エネルギー消費
が多い。
【０００９】本発明は、上記事実に鑑み成されたもの
で、光出力を向上させた発光ダイオード及びこの発光ダ
イオードの製造方法を提供することを目的とする。
で、光出力を向上させた発光ダイオード及びこの発光ダ
イオードの製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本発
明は、ｐ型半導体及びｎ型半導体の一方の半導体の表面
側に他方の半導体が接合されて形成された発光ダイオー
ドにおいて、前記他方の半導体は、前記表面側周辺部以
外の部分に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さよ
り薄い第２の部分とを有するようにしている。
明は、ｐ型半導体及びｎ型半導体の一方の半導体の表面
側に他方の半導体が接合されて形成された発光ダイオー
ドにおいて、前記他方の半導体は、前記表面側周辺部以
外の部分に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さよ
り薄い第２の部分とを有するようにしている。
【００１１】即ち、本発明は、ｐ型半導体及びｎ型半導
体の一方の半導体の表面側に他方の半導体が接合されて
形成されているため、一方の半導体と他方の半導体との
間に電流を供給すると、一方の半導体と他方の半導体と
の接合面で発光する。なお、一方の半導体の表面側に不
純物拡散させて他方の半導体を接合する。
体の一方の半導体の表面側に他方の半導体が接合されて
形成されているため、一方の半導体と他方の半導体との
間に電流を供給すると、一方の半導体と他方の半導体と
の接合面で発光する。なお、一方の半導体の表面側に不
純物拡散させて他方の半導体を接合する。
【００１２】ここで、一方の半導体と他方の半導体との
接合面で発光した光は、他方の半導体の厚さに応じた量
吸収され、残りが射出する。他方の半導体の一方の半導
体の表面側周辺部は、厚さが徐々に薄くなり、他方の半
導体に吸収される量も徐々に少なくなる。
接合面で発光した光は、他方の半導体の厚さに応じた量
吸収され、残りが射出する。他方の半導体の一方の半導
体の表面側周辺部は、厚さが徐々に薄くなり、他方の半
導体に吸収される量も徐々に少なくなる。
【００１３】この場合、他方の半導体の、上記表面側周
辺部以外の部分も従来と同様の厚さであると、前述した
ように、発光ダイオード全体の光出力は少なくなる。し
かし、本発明の他方の半導体は、上記表面側周辺部以外
の部分に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより
薄い第２の部分とを有するようにしている。なお、他方
の半導体は、第１の部分及び第２の部分を有しかつ該第
２の部分同士が接続されると共に他方の半導体と同質の
複数の半導体により構成するようにしてもよい。
辺部以外の部分も従来と同様の厚さであると、前述した
ように、発光ダイオード全体の光出力は少なくなる。し
かし、本発明の他方の半導体は、上記表面側周辺部以外
の部分に、所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより
薄い第２の部分とを有するようにしている。なお、他方
の半導体は、第１の部分及び第２の部分を有しかつ該第
２の部分同士が接続されると共に他方の半導体と同質の
複数の半導体により構成するようにしてもよい。
【００１４】このとき、第２の部分の厚さは第１の部分
の厚さより薄く、第２の部分の他方の半導体に吸収され
る量は第１の部分より少ないため、第２の部分における
他方の半導体から射出する光出力は、第１の部分の光出
力より大きい。よって、一方の半導体と他方の半導体と
の間に供給する電流を従来と同じとしても、発光ダイオ
ード全体の光出力を向上させることができる。
の厚さより薄く、第２の部分の他方の半導体に吸収され
る量は第１の部分より少ないため、第２の部分における
他方の半導体から射出する光出力は、第１の部分の光出
力より大きい。よって、一方の半導体と他方の半導体と
の間に供給する電流を従来と同じとしても、発光ダイオ
ード全体の光出力を向上させることができる。
【００１５】なお、上記発光ダイオードは、ｐ型半導体
及びｎ型半導体の一方の半導体の表面側に、他方の半導
体を、該表面側周辺部以外の部分に所定の厚さの第１の
部分と該所定の厚さより薄い第２の部分とを有するよう
に、接合して形成する。即ち、第１の部分及び第２の部
分を有しかつ他方の半導体と同質の複数の半導体を、該
第２の部分同士が接続されるように、一方の半導体の表
面側に接合して、発光ダイオードを製造する。
及びｎ型半導体の一方の半導体の表面側に、他方の半導
体を、該表面側周辺部以外の部分に所定の厚さの第１の
部分と該所定の厚さより薄い第２の部分とを有するよう
に、接合して形成する。即ち、第１の部分及び第２の部
分を有しかつ他方の半導体と同質の複数の半導体を、該
第２の部分同士が接続されるように、一方の半導体の表
面側に接合して、発光ダイオードを製造する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１に示すように、本実施の形態に係るプ
レーナ型発光ダイオードを含む発光ダイオードアレイ
は、裏面全体にｎ側電極２６が設けられると共に表面側
に絶縁膜１６が付けられたｎ型半導体１２を備えてい
る。
レーナ型発光ダイオードを含む発光ダイオードアレイ
は、裏面全体にｎ側電極２６が設けられると共に表面側
に絶縁膜１６が付けられたｎ型半導体１２を備えてい
る。
【００１８】絶縁膜１６には、予め定められた複数位置
各々に、各々予め定められた面積の２つの拡散窓２０
Ａ、２０Ｂが形成されている。拡散窓２０Ａ、２０Ｂ位
置のｎ型半導体１２内には、２つのｐ型半導体３０Ａ、
３０Ｂ（図２（Ｃ）も参照）が形成されている。そし
て、拡散窓２０Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部
には、ｐ側電極２４が配置されている。
各々に、各々予め定められた面積の２つの拡散窓２０
Ａ、２０Ｂが形成されている。拡散窓２０Ａ、２０Ｂ位
置のｎ型半導体１２内には、２つのｐ型半導体３０Ａ、
３０Ｂ（図２（Ｃ）も参照）が形成されている。そし
て、拡散窓２０Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部
には、ｐ側電極２４が配置されている。
【００１９】次に、発光ダイオードアレイの製造方法を
説明する。図２（Ａ）に示すように、ｎ型半導体１２に
絶縁膜１６を付ける。次に、図２（Ｂ）に示すように、
絶縁膜１６の予め定められた複数の位置各々に、ホトリ
ソ・エッチング処理によって、各々予め定められた面積
の拡散窓２０Ａ、２０Ｂを形成する。次に、図２（Ｃ）
に示すように、各拡散窓２０Ａ、２０Ｂを介してｎ型半
導体１２に不純物（Ｚｎ）拡散させて、ｐ型半導体３０
Ａ、３０Ｂを接合させる。
説明する。図２（Ａ）に示すように、ｎ型半導体１２に
絶縁膜１６を付ける。次に、図２（Ｂ）に示すように、
絶縁膜１６の予め定められた複数の位置各々に、ホトリ
ソ・エッチング処理によって、各々予め定められた面積
の拡散窓２０Ａ、２０Ｂを形成する。次に、図２（Ｃ）
に示すように、各拡散窓２０Ａ、２０Ｂを介してｎ型半
導体１２に不純物（Ｚｎ）拡散させて、ｐ型半導体３０
Ａ、３０Ｂを接合させる。
【００２０】ここで、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂ各々
は、図３に示すように、厚さＬ1 の第１の部分Ｒ1 と、
第１の部分Ｒ1 の周辺に配置され、第１の部分Ｒ1 より
遠ざかる程厚さが薄くなる幅Ｌ2 の第２の部分Ｒ2a、Ｒ
2bと、を有し、ｐ型半導体３０Ａのｐ型半導体３０Ｂに
近い側の第２の部分Ｒ2aとｐ型半導体３０Ｂのｐ型半導
体３０Ａに近い側の第２の部分Ｒ2bとが接続されてい
る。よって、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂにより１つのｐ
型半導体が形成される。即ち、ｐ型半導体３０Ａ、３０
Ｂにより形成されるｐ型半導体は、ｎ型半導体１２の表
面側周辺部以外の部分に、厚さＬ1 の第１の部分Ｒ1 と
該厚さＬ1 より薄い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bとを有するよ
うにしている。なお、厚さＬ1 、幅Ｌ2 は、不純物拡散
の物質、拡散温度等を調整することにより一義的に定め
ることができる。
は、図３に示すように、厚さＬ1 の第１の部分Ｒ1 と、
第１の部分Ｒ1 の周辺に配置され、第１の部分Ｒ1 より
遠ざかる程厚さが薄くなる幅Ｌ2 の第２の部分Ｒ2a、Ｒ
2bと、を有し、ｐ型半導体３０Ａのｐ型半導体３０Ｂに
近い側の第２の部分Ｒ2aとｐ型半導体３０Ｂのｐ型半導
体３０Ａに近い側の第２の部分Ｒ2bとが接続されてい
る。よって、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂにより１つのｐ
型半導体が形成される。即ち、ｐ型半導体３０Ａ、３０
Ｂにより形成されるｐ型半導体は、ｎ型半導体１２の表
面側周辺部以外の部分に、厚さＬ1 の第１の部分Ｒ1 と
該厚さＬ1 より薄い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bとを有するよ
うにしている。なお、厚さＬ1 、幅Ｌ2 は、不純物拡散
の物質、拡散温度等を調整することにより一義的に定め
ることができる。
【００２１】そして、図２（Ｄ）に示すように、ｎ型半
導体１２の裏面全体にｎ側電極２６を配置すると共に拡
散窓２０Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部に、ｐ
側電極２４を配置する。なお、拡散窓２０Ａ、２０Ｂ各
々の一部にｐ側電極２４が配置するようにしてもよい。
また、ｎ側電極２６は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）の各ス
テップ時の何れにおいて配置してもよい。
導体１２の裏面全体にｎ側電極２６を配置すると共に拡
散窓２０Ａ、２０Ｂの一方の拡散窓２０Ｂの一部に、ｐ
側電極２４を配置する。なお、拡散窓２０Ａ、２０Ｂ各
々の一部にｐ側電極２４が配置するようにしてもよい。
また、ｎ側電極２６は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）の各ス
テップ時の何れにおいて配置してもよい。
【００２２】ここで、図４（Ｂ）に示す本実施の形態に
係る発光ダイオードの拡散窓２０Ａ、２０Ｂの合計面積
は、図４（Ａ）に示す従来技術に係る発光ダイオードの
拡散窓２０の面積より小さいが、本実施の形態に係る発
光ダイオードのｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの表面側合計
面積は、従来技術に係る発光ダイオードのｐ型半導体３
０の表面側面積と等しい。なお、上記合計面積は、この
大きさに限定されるものでない。
係る発光ダイオードの拡散窓２０Ａ、２０Ｂの合計面積
は、図４（Ａ）に示す従来技術に係る発光ダイオードの
拡散窓２０の面積より小さいが、本実施の形態に係る発
光ダイオードのｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの表面側合計
面積は、従来技術に係る発光ダイオードのｐ型半導体３
０の表面側面積と等しい。なお、上記合計面積は、この
大きさに限定されるものでない。
【００２３】ところで、前述したように、ｎ側電極２６
及びｐ側電極２４間に電圧を印加して電流を供給する
と、図３に示すように、接合面３０において、高いエネ
ルギーの電子が低いエネルギーの正孔と再結晶すること
により、発光し、光Ｂが射出される。
及びｐ側電極２４間に電圧を印加して電流を供給する
と、図３に示すように、接合面３０において、高いエネ
ルギーの電子が低いエネルギーの正孔と再結晶すること
により、発光し、光Ｂが射出される。
【００２４】ここで、前述したように、ｐ型半導体３０
Ａ、３０Ｂにより形成されるｐ型半導体は、ｎ型半導体
１２の表面側周辺部以外の部分に、厚さＬ1 の第１の部
分Ｒ 1 と該厚さＬ1 より薄い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bとを
有している。この第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bに吸収される光
量は、第１の部分Ｒ1 に吸収される光量より少ない。よ
って、この第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bから射出される光出力
は、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）に示すように、光出力Ｉ0
より大きくなる。即ち、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの第
２の部分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点Ｒ2A、Ｒ2B（図３参照）の
光出力は、接続部（Ｘ−Ｙ方向）に渡って、図５（Ｂ）
に示すように、最大値Ｉ0 ＋ｉとなる。また、ｐ型半導
体３０Ａ、３０Ｂの第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点
Ｒ2A、Ｒ2Bを挟む方向にわたる光出力は、図５（Ｃ）に
示すように、第１の部分Ｒ1 においてはＩ0 であり、第
２の部分Ｒ2a、Ｒ2bではＩ0 より大きくなり、第２の部
分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点Ｒ2A、Ｒ2Bで最大値Ｉ0 ＋ｉとな
る。このように、第２の部分Ｒ 2a、Ｒ2bの光出力を大き
くすることができるので、発光ダイオード全体の光出力
を向上させることができる。
Ａ、３０Ｂにより形成されるｐ型半導体は、ｎ型半導体
１２の表面側周辺部以外の部分に、厚さＬ1 の第１の部
分Ｒ 1 と該厚さＬ1 より薄い第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bとを
有している。この第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bに吸収される光
量は、第１の部分Ｒ1 に吸収される光量より少ない。よ
って、この第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bから射出される光出力
は、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）に示すように、光出力Ｉ0
より大きくなる。即ち、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの第
２の部分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点Ｒ2A、Ｒ2B（図３参照）の
光出力は、接続部（Ｘ−Ｙ方向）に渡って、図５（Ｂ）
に示すように、最大値Ｉ0 ＋ｉとなる。また、ｐ型半導
体３０Ａ、３０Ｂの第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点
Ｒ2A、Ｒ2Bを挟む方向にわたる光出力は、図５（Ｃ）に
示すように、第１の部分Ｒ1 においてはＩ0 であり、第
２の部分Ｒ2a、Ｒ2bではＩ0 より大きくなり、第２の部
分Ｒ2a、Ｒ2bの接続点Ｒ2A、Ｒ2Bで最大値Ｉ0 ＋ｉとな
る。このように、第２の部分Ｒ 2a、Ｒ2bの光出力を大き
くすることができるので、発光ダイオード全体の光出力
を向上させることができる。
【００２５】以上説明した実施の形態では、ｐ型半導体
３０Ａ、３０Ｂ各々を、第１の部分Ｒ1 と、第１の部分
Ｒ1 の周辺に配置され、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程
厚さが薄くなる第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bと、を有し、ｐ型
半導体３０Ａのｐ型半導体３０Ｂに近い側の第２の部分
Ｒ2aとｐ型半導体３０Ｂのｐ型半導体３０Ａに近い側の
第２の部分Ｒ2bとを接続しているが、本発明はこれに限
定されない。即ち、図６（Ａ）に示すように、第１の部
分及び第２の部分を有する２より大きい複数（例えば、
３つ）のｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを、前述し
たように接続して、備えてもよく、図６（Ｂ）に示すよ
うに、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの間に、ｐ型半導体３
０Ａ、３０Ｂの第１の部分Ｒ1 の厚さＬ1 より薄い厚さ
Ｌ3 （＜Ｌ1 ）のｐ型半導体３０Ｄを、前述したように
接続して、備えるようにしてもよい。更に、第１の部分
及び第２の部分を備えたｐ型半導体を、複数マトリクス
状でかつ前述したように接続して、備えてもよい。な
お、１つのｐ型半導体を構成するために接続するｐ型半
導体（３０Ａ、３０Ｂ）の個数を多くすればする程、発
光ダイオード全体の光出力を、より向上させることがで
きる。
３０Ａ、３０Ｂ各々を、第１の部分Ｒ1 と、第１の部分
Ｒ1 の周辺に配置され、第１の部分Ｒ1 より遠ざかる程
厚さが薄くなる第２の部分Ｒ2a、Ｒ2bと、を有し、ｐ型
半導体３０Ａのｐ型半導体３０Ｂに近い側の第２の部分
Ｒ2aとｐ型半導体３０Ｂのｐ型半導体３０Ａに近い側の
第２の部分Ｒ2bとを接続しているが、本発明はこれに限
定されない。即ち、図６（Ａ）に示すように、第１の部
分及び第２の部分を有する２より大きい複数（例えば、
３つ）のｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを、前述し
たように接続して、備えてもよく、図６（Ｂ）に示すよ
うに、ｐ型半導体３０Ａ、３０Ｂの間に、ｐ型半導体３
０Ａ、３０Ｂの第１の部分Ｒ1 の厚さＬ1 より薄い厚さ
Ｌ3 （＜Ｌ1 ）のｐ型半導体３０Ｄを、前述したように
接続して、備えるようにしてもよい。更に、第１の部分
及び第２の部分を備えたｐ型半導体を、複数マトリクス
状でかつ前述したように接続して、備えてもよい。な
お、１つのｐ型半導体を構成するために接続するｐ型半
導体（３０Ａ、３０Ｂ）の個数を多くすればする程、発
光ダイオード全体の光出力を、より向上させることがで
きる。
【００２６】なお、上記例において、ｎ型半導体とｐ型
半導体とを入れ換えた構成としてもよい。
半導体とを入れ換えた構成としてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光ダイ
オード全体の光出力を向上させることができるため、エ
ネルギー消費を抑えることができる、という効果を有す
る。
オード全体の光出力を向上させることができるため、エ
ネルギー消費を抑えることができる、という効果を有す
る。
【図１】本実施の形態の発光ダイオードアレイの斜視図
である。
である。
【図２】本実施の形態の発光ダイオードアレイの製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図３】１つの発光ダイオード内の２つのｐ型半導体の
接続部の様子を示す図である。
接続部の様子を示す図である。
【図４】本実施の形態の発光ダイオードの拡散窓の大き
さ及びｐ型半導体の面積と従来技術の発光ダイオードの
拡散窓の大きさ及びｐ型半導体の面積とを比較した図で
ある。
さ及びｐ型半導体の面積と従来技術の発光ダイオードの
拡散窓の大きさ及びｐ型半導体の面積とを比較した図で
ある。
【図５】本実施の形態の発光ダイオードの光出力の分布
を示す図である。
を示す図である。
【図６】変形例を示す断面図である。
【図７】従来技術の発光ダイオードアレイの斜視図であ
る。
る。
【図８】従来技術の発光ダイオードアレイの光出力の分
布を示す図である。
布を示す図である。
１０ 発光ダイオード １２ ｎ型半導体 ３０Ａ、３０Ｂ ｐ型半導体 Ｒ1 第１の部分 Ｒ2a、Ｒ2b 第２の部分
Claims (4)
- 【請求項１】 ｐ型半導体及びｎ型半導体の一方の半導
体の表面側に他方の半導体が接合されて形成された発光
ダイオードにおいて、 前記他方の半導体は、前記表面側周辺部以外の部分に、
所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより薄い第２の
部分とを有する、ことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記他方の半導体は、前記第１の部分及
び前記第２の部分を有しかつ該第２の部分同士が接続さ
れると共に前記他方の半導体と同質の複数の半導体によ
り構成された請求項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 ｐ型半導体及びｎ型半導体の一方の半導
体の表面側に、他方の半導体を、該表面側周辺部以外の
部分に所定の厚さの第１の部分と該所定の厚さより薄い
第２の部分とを有するように接合して、発光ダイオード
を製造する、発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の部分及び前記第２の部分を有
しかつ前記他方の半導体と同質の複数の半導体を、該第
２の部分同士が接続されるように、前記一方の半導体の
表面側に接合して、発光ダイオードを製造する請求項３
記載の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1998998A JPH11220161A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
| US09/241,151 US6420734B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-02-01 | Light emitting diode and a method manufacturing the same |
| US10/137,432 US6596556B2 (en) | 1998-01-30 | 2002-05-03 | Light emitting diode and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1998998A JPH11220161A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220161A true JPH11220161A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12014595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1998998A Pending JPH11220161A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6420734B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11220161A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864118B2 (en) * | 2002-01-28 | 2005-03-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic devices containing organic semiconductor materials |
| US20070012240A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Sia Chin H | Light emitting diode with at least two light emitting zones and method for manufacture |
| US8183575B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-05-22 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3806777A (en) * | 1972-07-03 | 1974-04-23 | Ibm | Visual optimization of light emitting diodes |
| US3806770A (en) | 1973-02-21 | 1974-04-23 | Mallory & Co Inc P R | Electrical capacitor with non-inductive leads |
| NL7811683A (nl) * | 1978-11-29 | 1980-06-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| US4634474A (en) * | 1984-10-09 | 1987-01-06 | At&T Bell Laboratories | Coating of III-V and II-VI compound semiconductors |
| JPH06310755A (ja) | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 |
| US5600157A (en) * | 1993-04-28 | 1997-02-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-emitting and light-sensing diode array device, and light-emitting and light-sensing diode with improved sensitivity |
| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
| JP4221818B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2009-02-12 | 沖電気工業株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1998998A patent/JPH11220161A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-01 US US09/241,151 patent/US6420734B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-03 US US10/137,432 patent/US6596556B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6596556B2 (en) | 2003-07-22 |
| US6420734B1 (en) | 2002-07-16 |
| US20020123165A1 (en) | 2002-09-05 |
| US20020053675A1 (en) | 2002-05-09 |
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