JP2005005604A - 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 - Google Patents
白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005005604A JP2005005604A JP2003169701A JP2003169701A JP2005005604A JP 2005005604 A JP2005005604 A JP 2005005604A JP 2003169701 A JP2003169701 A JP 2003169701A JP 2003169701 A JP2003169701 A JP 2003169701A JP 2005005604 A JP2005005604 A JP 2005005604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- light
- expansion sheet
- synthetic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Abstract
【課題】各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さの増減によって、色調を変更することが容易にでき、色調を変更することに要するコストを低減する。
【解決手段】発光ダイオードチップ２の多数個を備えた発光ダイオード素材板をエキスパンションシートＢに貼付けたのち、各発光ダイオードチップごとに分割し、エキスパンションシートを延伸して各発光ダイオードチップの間隔を広げ、その間に螢光物質を含む合成樹脂層Ｃを形成し、この合成樹脂層Ｃのうち各発光ダイオードチップの間の部分を、各発光ダイオードチップの側面に合成樹脂層Ｃの一部を残してダイシングする。
【選択図】図１２
【解決手段】発光ダイオードチップ２の多数個を備えた発光ダイオード素材板をエキスパンションシートＢに貼付けたのち、各発光ダイオードチップごとに分割し、エキスパンションシートを延伸して各発光ダイオードチップの間隔を広げ、その間に螢光物質を含む合成樹脂層Ｃを形成し、この合成樹脂層Ｃのうち各発光ダイオードチップの間の部分を、各発光ダイオードチップの側面に合成樹脂層Ｃの一部を残してダイシングする。
【選択図】図１２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードチップを使用した発光ダイオード素子のうち、白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、例えば、ＩｎＧａＮ系で青色を発光する発光ダイオードチップが開発され、この青色発光の発光ダイオードチップにおいては、高い発光輝度を呈することが良く知られている。
【０００３】
そこで、この青色発光の発光ダイオードチップにおいては、その表面を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆し、前記青色発光の波長を前記被膜中の螢光物質にて一部黄色に変換し、これらの混色によって、白色に発光することが行われている。
【０００４】
このように、青色発光の発光ダイオードチップを、これを螢光物質を含む光透過性合成樹脂の被膜にて被覆することで白色発光に波長変換する場合、前記被膜の膜厚さが、例えば、厚いときには、黄緑色に波長変換される率が高くなって、黄緑色の強い色調になり、また、薄いときには、青色が波長変換される率は低くなって、青色の強い色調になるというように、前記被膜の膜厚さが波長変換に及ぼす影響は大きいから、前記被膜における膜厚さは、前記発光ダイオードチップの多数個の各々について、略等しくするように揃えるとともに、前記被膜の正面は平滑な平面にすることが必要である。
【０００５】
また、前記した構成においては、その被膜における膜厚さを増減することによって、白色発光の色調を変更することができる。
【０００６】
先行技術としての特許文献１には、前記青色発光の発光ダイオードチップを螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆するに際して、
▲１▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、前記基板の上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を、当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップを埋設するように形成し、この合成樹脂層のうち各発光ダイオードチップ間の部分を、フォトリソ法（パターン形成用マスクによる露光で焼き付けて、現像処理するという方法）にて除去する。
▲２▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、この各発光ダイオードチップに対し、螢光物質を含む光透過性合成樹脂を、マスクを使用したスクリーン印刷にて当該合成樹脂にて被覆するように塗布する。
▲３▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、前記基板の上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を、当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップを埋設するように形成したのち、前記基板及び合成樹脂層を、前記各発光ダイオードチップごとにダイシングする。
という方法が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−２０８８２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記先行技術における▲１▼及び▲２▼の方法において、目標とする白色発光の色調を得ることのために被膜の膜厚さを変更するには、フォトリソ法に使用するパターン形成用マスク、又は、スクリーン印刷に使用するマスクを、これら各マスクにおけるパターンのピッチ間隔を目標とする所定の膜厚さが得ることができるように設定したものに取り替えるようにしなければならない。
【０００９】
従って、前記フォトリソ法におけるパターン形成用マスク又はスクリーン印刷におけるマスクとしては、目標とする色調の数に応じて多数種類を用意しなければならず、これに多大な費用を必要とするから、製造コストが大幅にアップするという問題がある。
【００１０】
しかも、前記先行技術に記載されている▲１▼のフォトリソ法、及び▲２▼のスクリーン印刷による方法では、発光ダイオードチップを被覆する被膜における表面に、必然的に凹凸ができることにより、この表面を平滑な平面にすることができないから、光の色調に斑ができるという問題もあった。
【００１１】
一方、前記先行技術に記載されている▲３▼の方法においては、被膜の表面は、ダイシングにて形成されるから、この表面を、平滑な平面にすることができるものの、色調を変更することのために、前記被膜における膜厚さを変更するには、前記各発光ダイオードチップを基板に対してマウントするときにおけるピッチ間隔を変更するようにしなければならないから、色調を変更することがきわめて面倒であるばかりか、色調を変更することに多大のコストが嵩むという問題があった。
【００１２】
本発明は、これらの問題を一挙に解消した製造方法を提供することを技術的課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は、
「青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面と他端面とに分けて形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップがその上面における電極まで埋設するように形成する工程と、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の請求項２は、
「前記請求項１の記載において、前記発光ダイオード素材板を各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程が、前記各発光ダイオードチップにおける側面のうち少なくとも前記発光層と前記アノード電極又はカソード電極との間の部分に、前記アノード電極又はカソード電極に向かって内向きに傾斜する傾斜面を形成する工程である。」
ことを特徴としている。
【００１５】
更にまた、本発明の請求項３は、
「前記請求項１又は２の記載において、前記発光ダイオードチップのうち発光層より上側の部分に光反射層を備えている。」
ことを特徴としている。
【００１６】
更に、本発明の請求項４は、
「青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面に形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップが少なくとも側面まで埋設するように形成する工程と、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
【００１７】
【発明の作用・効果】
本発明によると、多数個の発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を、エキスパンションシートの上面に、当該発光ダイオード素材板の各発光ダイオードチップにおけるカソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極又は両方の電極がエキスパンションシートに密接するように貼付け、この状態で前記発光ダイオード素材板を多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングしたのち、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に延伸して、前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げることにより、各発光ダイオードチップの相互間に、当該各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔を確保することができる。
【００１８】
次いで、前記エキスパンションシートの上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を形成したのち、この合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングすることにより、前記各発光ダイオードにおける側面には、螢光物質を含む光透過性合成樹脂が残ることになるから、前記各発光ダイオードチップにおける側面、又は全体を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆することができ、且つ、この被膜における表面を、ダイシングによる平滑な平面にすることができるとともに、前記被膜の膜厚さを多数個の各発光ダイオードチップについて略同じに揃えることができる。
【００１９】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップを、前記エキスパンションシートから剥離することにより、前記各発光ダイオードチップにおけるカソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極又は両方の電極が確実に露出することになるから、このように露出した電極に対して外部からの配線パターン又は金属線等を電気的に接続することが簡単、且つ、確実にできる。
【００２０】
そして、前記エキスパンションシートを互いに直角をなす二つの方向に延伸する場合において、その二つの方向への延伸寸法を変えることで、各発光ダイオードチップの相互間における間隔を狭くしたり、或いは広くしたりするように適宜増減することにより、前記各発光ダイオードチップの側面に残る合成樹脂の厚さが増減するから、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さを任意に変更することができる。
【００２１】
或いは、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分をダイシングする場合において、前記ダイシングにおける切削幅を、広くしたり又は狭くしたりするように適宜増減することにより、前記各発光ダイオードチップの側面に残る合成樹脂の厚さが増減するから、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さを任意に変更することができる。
【００２２】
若しくは、前記した被膜における膜厚さの変更は、前記エキスパンションシートの二つの方向への延伸する場合に延伸寸法を適宜増減することと、前記合成樹脂層のうち各発光ダイオードチップ間の部分をダイシングする場合にその切削幅を適宜増減することとの両方を組み合わせることによっても行うことができる。
【００２３】
つまり、本発明によると、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さの増減によって色調を変更することが、前記先行技術による場合によりも至極簡単に容易に正確にできるとともに、色調を変更することに要するコストを大幅に低減できる。
【００２４】
特に、請求項２に記載した構成にすることにより、発光ダイオードチップにおける発光層が発光した光を、主として、発光ダイオードチップの側面に設けた傾斜面から光の減衰が少ない状態で出射することができるから、発光の輝度をより向上できる利点がある。
【００２５】
また、側面からの光量のアップは、請求項３に記載した構成にすることによっても達成できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２７】
図１〜図１３は、第１の実施の形態を示す。
【００２８】
これら各図のうち図１及び図２は、第１の実施の形態において製造した発光ダイオード素子１を示す。
【００２９】
この発光ダイオード素子１は、発光ダイオードチップ２と、この発光ダイオードチップ２における側面を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆し、発光ダイオードチップ２における一端面におけるアノード電極２ｆ及び他端面におけるカソード電極２ｂを、前記被膜３にて被覆することなく露出するという構成である。
【００３０】
前記発光ダイオードチップ２は、従来から良く知られているように、少なくとも、基板２ａの下面に前記カソード電極２ｂを形成する一方、前記基板２ａの上面にｎ型半導体層２ｃ、青色発光の発光層２ｄ、ｐ型半導体層２ｅ及び前記アノード電極２ｆを積層状に形成したものに構成されている。
【００３１】
この構成の発光ダイオード素子１は、その発光ダイオードチップ２における側面が螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆されていることにより、前記発光ダイオードチップ２における発光層２ｄでの青色発光は、前記被膜中の螢光物質にて波長が変換され、白色になって外向きに出射する。
【００３２】
この場合において、前記発光ダイオードチップ２における側面のうち少なくとも前記ｐ型半導体層２ｅの部分に、基板２ａ，カソード電極２ｂ、ｎ型半導体層２ｃ及び発光層２ｄの部分における寸法Ｄ１を大きくする一方アノード電極２ｆの部分における寸法Ｄ２を小さくして、アノード電極２ｆに向かって内向きの傾斜面２ｇを設けることにより、発光層２ｄを比較的広い面積にした上で、この発光層２ｄにおける発光する光を、内向きに傾斜する側面２ｇから光の減衰が少ない状態で出射することができるから、白色発光の発光量をアップすることができる。
【００３３】
また、前記発光ダイオードチップ２のうち発光層２ｄよりも上側の部分に、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層等の光反射層を設けることにより、当該発光ダイオードチップ２の上面から上向きに出射される光量を少なくして、側面から出射される光量を多くすることができる。
【００３４】
そして、前記した構成の発光ダイオード素子１は、以下に述べる方法にて製造される。
【００３５】
すなわち、前記した構成の発光ダイオードチップ２の多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板Ａを用意する。
【００３６】
なお、この発光ダイオード素材板Ａは、基板２ａを構成するシリコンウエハーに対して前記したカソード電極２ｂ、ｎ型半導体層２ｃ、発光層２ｄ、ｐ型半導体層２ｅ及びアノード電極２ｆを、適宜手段によって順次形成することによって製造される。
【００３７】
前記発光ダイオード素材板Ａを、図３及び図４に示すように、エキスパンションシートＢの上面に対して、当該発光ダイオード素材板Ａにおけるカソード電極２ｂがエキスパンションシートＢに密接するように貼付ける。
【００３８】
次いで、前記発光ダイオード素材板Ａのうち前記発光ダイオードチップ２間における切断線Ａ１に沿った部分を、図５及び図６に示すように、当該発光ダイオード素材板Ａを前記エキスパンションシートＢに貼付けた状態で、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ１だけダイシングすることにより、前記発光ダイオード素材板Ａを、且つ発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００３９】
このダイシングに際しては、ダイシングカッターによって、各発光ダイオードチップ２における側面に内向きの傾斜面２ｇを形成するようにする。
【００４０】
次いで、前記エキスパンションシートＢを、図７に示すように、その上面に各発光ダイオードチップ２が貼着された状態で、その表面に沿って互いに直角をなすＸ軸と、Ｙ軸との二つの方向に延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ２の相互間における間隔を、当初のダイシングしたときにおける間隔Ｗ１から間隔Ｗ２に広くする。
【００４１】
次いで、前記エキスパンションシートＢの上面に、予め螢光物質を混入した成る光透過性合成樹脂を液体の状態で供給したのち硬化するとにより、図９及び図１０に示すように、合成樹脂層Ｃを形成して、この合成樹脂層Ｃ内に前記各発光ダイオードチップ２を、その上面におけるアノード電極２ｆの部分を除いて埋設する。
【００４２】
次いで、前記合成樹脂層Ｃのうち前記発光ダイオードチップ２間における切断線Ａ１に沿った部分を、図１１及び図１２に示すように、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ３だけダイシングすることにより、前記合成樹脂層Ｃを、各発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００４３】
この合成樹脂層Ｃのダイシングに際しては、その切削幅寸法Ｗ３を、前記各発光ダイオードチップ２の相互間における間隔寸法のうち前記エキスパンションシートＢの延伸によって広げたときの間隔寸法Ｗ２よりも狭くする。
【００４４】
これにより、前記各発光ダイオードチップ２における側面には、前記合成樹脂層Ｃの一部が、前記Ｗ２からＷ３を差し引いた値の半分の膜厚さＴ（Ｔ＝（Ｗ２−Ｗ３）×１／２）として残ることになるから、前記各発光ダイオードチップ２における側面を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆することができる。
【００４５】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップ２を、前記エキスパンションシートＢから剥離することにより、前記図１及び図２に示す構成の発光ダイオード素子１を得ることができる。
【００４６】
この構成の発光ダイオード素子１は、その発光ダイオードチップ２におけるアノード電極２ｆ及びカソード電極２ｂの両方が露出していることにより、例えば、図１３に示すように、上面に一対の配線パターンＥ２，Ｅ３を形成して成る基板Ｅ１に、前記発光ダイオード素子１を、当該発光ダイオード素子１におけるカソード電極２ｂが一方の配線パターンＥ２に電気的に導通するように実装し、次いで、アノード電極２ｆと、他方の配線パターンＥ３との間を、細い金属線Ｅ４によるワイヤボンディング等にて電気的に接続することによって、発光装置Ｅを構成する（この発光装置Ｅにおいては、基板Ｅ１の上面における発光ダイオード素子１の部分を、二点鎖線で示すように、光透過性合成樹脂製のパッケージ体Ｅ５にて密封する構成にしても良い）とか、或いは、図１４に示すように、一対のリード端子Ｆ１，Ｆ２のうち一方のリード端子Ｆ１の先端に凹み形成した凹所内、前記発光ダイオード素子１を、当該発光ダイオード素子１におけるカソード電極２ｂが一方のリード端子Ｆ１に電気的に導通するように実装し、次いで、アノード電極２ｆと、他方のリード端子Ｆ２との間を、細い金属線Ｆ３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続したのち、これらの全体を光透過性合成樹脂製のレンズ体Ｆ４にて密封することによって、発光ランプ装置Ｆに構成したりすることができる。
【００４７】
なお、前記第１の実施の形態においては、発光ダイオード素材板ＡをエキスパンションシートＢに対して貼付けるに際し、発光ダイオードチップ２におけるアノード電極２ｆがエキスパンションシートＢに密接するように、前記と逆の下向きにして貼付けるようにしても良い。
【００４８】
次に、図１５〜図２１は、第２の実施の形態を示す。
【００４９】
これら各図のうち図１５及び図１６は、第２の実施の形態において製造した発光ダイオード素子１′を示す。
【００５０】
この発光ダイオード素子１′は、発光ダイオードチップとして、一端面にアノード電極２ｆ′及びカソード電極２ｂ′の両方を備えて成る構成の発光ダイオードチップ２′を使用し、この発光ダイオードチップ２′のうち前記アノード電極２ｆ′及びカソード電極２ｂ′の両方を備える一端面を除く全体を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆するという構成である。
【００５１】
前記発光ダイオードチップ２′は、従来から良くられているように、少なくとも、サファイア等の透明な基板２ａ′における一方の表面に、ｎ型半導体層２ｃ′、青色発光の発光層２ｄ′、ｐ型半導体層２ｅ′、前記ｎ型半導体層２ｃ′に対するカソード電極２ｂ′及び前記ｐ型半導体層２ｅ′に対するアノード電極２ｆ′を積層状に形成したものに構成されている。
【００５２】
この構成の発光ダイオード素子１′は、その発光ダイオードチップ２′のうち一端面を除く全体が螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆されていることにより、前記発光ダイオードチップ２′における発光層２ｄ′での青色発光は、前記被膜中の螢光物質にて波長が変換され、白色になって外向きに出射する。
【００５３】
なお、前記発光ダイオードチップ２′における基板２ａ′を、不透明に基板に構成する場合には、この基板２ａ′の裏面側にまで被膜３′を形成する必要はなく、換言すれば、前記第１の実施の形態と同様に、前記発光ダイオードチップ２′における側面のみを被膜３′にて被覆する構成にすれば良い。
【００５４】
そして、前記した構成の発光ダイオード素子１′は、前記第１の実施の形態と略同様に、以下に述べる方法にて製造される。
【００５５】
すなわち、前記した構成の発光ダイオードチップ２′の多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板Ａ′を用意し、この発光ダイオード素材板Ａ′を、図１７に示すように、エキスパンションシートＢ′の上面に対して、当該発光ダイオード素材板Ａ′におけるカソード電極２ｂ′及びアノード電極２ｆ′がエキスパンションシートＢ′に密接するように貼付ける。
【００５６】
次いで、前記発光ダイオード素材板Ａ′のうち前記発光ダイオードチップ２′間における切断線Ａ１′に沿った部分を、図１８に示すように、当該発光ダイオード素材板Ａ′を前記エキスパンションシートＢ′に貼付けた状態で、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ１′だけダイシングすることにより、前記発光ダイオード素材板Ａ′を、且つ発光ダイオードチップ２′ごとに分割する。
【００５７】
次いで、前記エキスパンションシートＢ′を、図１９に示すように、その上面に各発光ダイオードチップ２′が貼着された状態で、その表面に沿って互いに直角をなすＸ軸と、Ｙ軸との二つの方向に延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ２′の相互間における間隔を、当初のダイシングしたときにおける間隔Ｗ１′から間隔Ｗ２′に広くする。
【００５８】
次いで、前記エキスパンションシートＢ′の上面に、予め螢光物質を混入した成る光透過性合成樹脂を液体の状態で供給したのち硬化するとにより、図２０に示すように、合成樹脂層Ｃ′を形成して、この合成樹脂層Ｃ′内に前記各発光ダイオードチップ２′の全体を埋設する。
【００５９】
なお、前記各発光ダイオードチップ２′に基板２ａが不透明である場合には、この発光ダイオードチップ２′のうち、その上面におけるアノード電極２ｆの部分を除いて埋設するようにする。
【００６０】
次いで、前記合成樹脂層Ｃ′のうち前記発光ダイオードチップ２′間における切断線Ａ１′に沿った部分を、図２１に示すように、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ３′だけダイシングすることにより、前記合成樹脂層Ｃ′を、各発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００６１】
この合成樹脂層Ｃ′のダイシングに際しては、その切削幅寸法Ｗ３′を、前記各発光ダイオードチップ２′の相互間における間隔寸法のうち前記エキスパンションシートＢ′の延伸によって広げたときの間隔寸法Ｗ２′よりも狭くする。
【００６２】
これにより、前記各発光ダイオードチップ２′における側面には、前記合成樹脂層Ｃ′の一部が、前記Ｗ２′からＷ３′を差し引いた値の半分の膜厚さＴ′（Ｔ′＝（Ｗ２′−Ｗ３′）×１／２）として残ることになるから、前記各発光ダイオードチップ２′における少なくとも側面の部分を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆することができる。
【００６３】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップ２′を、前記エキスパンションシートＢ′から剥離することにより、前記図１５及び図１６に示す構成の発光ダイオード素子１′を得ることができる。
【００６４】
なお、この第２の実施の形態による発光ダイオード素子１′も、前記図１３に示す発光装置又は図１４に示す発光ラップ装置に使用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ視断面図である。
【図３】第１の実施の形態において発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態を示す斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ視拡大断面図である。
【図５】第１の実施の形態において発光ダイオード素材板を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ視拡大断面図である。
【図７】第１の実施の形態においてエキスパンションシートを延伸した状態を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ視拡大断面図である。
【図９】第１の実施の形態においてエキスパンションシートに合成樹脂層を形成した状態を示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視拡大断面図である。
【図１１】第１の実施の形態において合成樹脂層を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ −ＸＩＩ 視拡大断面図である。
【図１３】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を使用した発光装置を示す斜視図である。
【図１４】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を使用した発光ランプ装置を示す縦断正面図である。
【図１５】第２の実施の形態による発光ダイオード素子を示す斜視図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ −ＸＶＩ 視断面図である。
【図１７】第２の実施の形態において発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態を示す断面図である。
【図１８】第２の実施の形態において発光ダイオード素材板を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す断面図である。
【図１９】第２の実施の形態においてエキスパンションシートを延伸した状態を示す断面図である。
【図２０】第２の実施の形態においてエキスパンションシートに合成樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図２１】第２の実施の形態において合成樹脂層を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１，１′ 発光ダイオード素子
２，２′ 発光ダイオードチップ
２ａ，２ａ′ 発光ダイオードチップの基板
２ｄ，２ｄ′ 発光ダイオードチップの発光層
２ｂ，２ｂ′ 発光ダイオードチップのカソード電極
２ｆ，２ｆ′ 発光ダイオードチップのアノード電極
３，３′ 被膜
Ａ，Ａ′ 発光ダイオード素材板
Ａ１，Ａ１′ 切断線
Ｂ，Ｂ′ エキスパンションシート
Ｃ，Ｃ′ 合成樹脂層
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードチップを使用した発光ダイオード素子のうち、白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、例えば、ＩｎＧａＮ系で青色を発光する発光ダイオードチップが開発され、この青色発光の発光ダイオードチップにおいては、高い発光輝度を呈することが良く知られている。
【０００３】
そこで、この青色発光の発光ダイオードチップにおいては、その表面を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆し、前記青色発光の波長を前記被膜中の螢光物質にて一部黄色に変換し、これらの混色によって、白色に発光することが行われている。
【０００４】
このように、青色発光の発光ダイオードチップを、これを螢光物質を含む光透過性合成樹脂の被膜にて被覆することで白色発光に波長変換する場合、前記被膜の膜厚さが、例えば、厚いときには、黄緑色に波長変換される率が高くなって、黄緑色の強い色調になり、また、薄いときには、青色が波長変換される率は低くなって、青色の強い色調になるというように、前記被膜の膜厚さが波長変換に及ぼす影響は大きいから、前記被膜における膜厚さは、前記発光ダイオードチップの多数個の各々について、略等しくするように揃えるとともに、前記被膜の正面は平滑な平面にすることが必要である。
【０００５】
また、前記した構成においては、その被膜における膜厚さを増減することによって、白色発光の色調を変更することができる。
【０００６】
先行技術としての特許文献１には、前記青色発光の発光ダイオードチップを螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆するに際して、
▲１▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、前記基板の上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を、当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップを埋設するように形成し、この合成樹脂層のうち各発光ダイオードチップ間の部分を、フォトリソ法（パターン形成用マスクによる露光で焼き付けて、現像処理するという方法）にて除去する。
▲２▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、この各発光ダイオードチップに対し、螢光物質を含む光透過性合成樹脂を、マスクを使用したスクリーン印刷にて当該合成樹脂にて被覆するように塗布する。
▲３▼．前記発光ダイオードチップの多数個を、基板の上面に、各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔をあけて並べてマウントし、前記基板の上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を、当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップを埋設するように形成したのち、前記基板及び合成樹脂層を、前記各発光ダイオードチップごとにダイシングする。
という方法が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−２０８８２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記先行技術における▲１▼及び▲２▼の方法において、目標とする白色発光の色調を得ることのために被膜の膜厚さを変更するには、フォトリソ法に使用するパターン形成用マスク、又は、スクリーン印刷に使用するマスクを、これら各マスクにおけるパターンのピッチ間隔を目標とする所定の膜厚さが得ることができるように設定したものに取り替えるようにしなければならない。
【０００９】
従って、前記フォトリソ法におけるパターン形成用マスク又はスクリーン印刷におけるマスクとしては、目標とする色調の数に応じて多数種類を用意しなければならず、これに多大な費用を必要とするから、製造コストが大幅にアップするという問題がある。
【００１０】
しかも、前記先行技術に記載されている▲１▼のフォトリソ法、及び▲２▼のスクリーン印刷による方法では、発光ダイオードチップを被覆する被膜における表面に、必然的に凹凸ができることにより、この表面を平滑な平面にすることができないから、光の色調に斑ができるという問題もあった。
【００１１】
一方、前記先行技術に記載されている▲３▼の方法においては、被膜の表面は、ダイシングにて形成されるから、この表面を、平滑な平面にすることができるものの、色調を変更することのために、前記被膜における膜厚さを変更するには、前記各発光ダイオードチップを基板に対してマウントするときにおけるピッチ間隔を変更するようにしなければならないから、色調を変更することがきわめて面倒であるばかりか、色調を変更することに多大のコストが嵩むという問題があった。
【００１２】
本発明は、これらの問題を一挙に解消した製造方法を提供することを技術的課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は、
「青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面と他端面とに分けて形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップがその上面における電極まで埋設するように形成する工程と、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の請求項２は、
「前記請求項１の記載において、前記発光ダイオード素材板を各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程が、前記各発光ダイオードチップにおける側面のうち少なくとも前記発光層と前記アノード電極又はカソード電極との間の部分に、前記アノード電極又はカソード電極に向かって内向きに傾斜する傾斜面を形成する工程である。」
ことを特徴としている。
【００１５】
更にまた、本発明の請求項３は、
「前記請求項１又は２の記載において、前記発光ダイオードチップのうち発光層より上側の部分に光反射層を備えている。」
ことを特徴としている。
【００１６】
更に、本発明の請求項４は、
「青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面に形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップが少なくとも側面まで埋設するように形成する工程と、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る。」
ことを特徴としている。
【００１７】
【発明の作用・効果】
本発明によると、多数個の発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を、エキスパンションシートの上面に、当該発光ダイオード素材板の各発光ダイオードチップにおけるカソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極又は両方の電極がエキスパンションシートに密接するように貼付け、この状態で前記発光ダイオード素材板を多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングしたのち、前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に延伸して、前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げることにより、各発光ダイオードチップの相互間に、当該各発光ダイオードチップの側面に所定の被膜を形成できるだけのピッチ間隔を確保することができる。
【００１８】
次いで、前記エキスパンションシートの上面に、螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を形成したのち、この合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングすることにより、前記各発光ダイオードにおける側面には、螢光物質を含む光透過性合成樹脂が残ることになるから、前記各発光ダイオードチップにおける側面、又は全体を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜にて被覆することができ、且つ、この被膜における表面を、ダイシングによる平滑な平面にすることができるとともに、前記被膜の膜厚さを多数個の各発光ダイオードチップについて略同じに揃えることができる。
【００１９】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップを、前記エキスパンションシートから剥離することにより、前記各発光ダイオードチップにおけるカソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極又は両方の電極が確実に露出することになるから、このように露出した電極に対して外部からの配線パターン又は金属線等を電気的に接続することが簡単、且つ、確実にできる。
【００２０】
そして、前記エキスパンションシートを互いに直角をなす二つの方向に延伸する場合において、その二つの方向への延伸寸法を変えることで、各発光ダイオードチップの相互間における間隔を狭くしたり、或いは広くしたりするように適宜増減することにより、前記各発光ダイオードチップの側面に残る合成樹脂の厚さが増減するから、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さを任意に変更することができる。
【００２１】
或いは、前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分をダイシングする場合において、前記ダイシングにおける切削幅を、広くしたり又は狭くしたりするように適宜増減することにより、前記各発光ダイオードチップの側面に残る合成樹脂の厚さが増減するから、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さを任意に変更することができる。
【００２２】
若しくは、前記した被膜における膜厚さの変更は、前記エキスパンションシートの二つの方向への延伸する場合に延伸寸法を適宜増減することと、前記合成樹脂層のうち各発光ダイオードチップ間の部分をダイシングする場合にその切削幅を適宜増減することとの両方を組み合わせることによっても行うことができる。
【００２３】
つまり、本発明によると、前記各発光ダイオードチップに対する被膜の膜厚さの増減によって色調を変更することが、前記先行技術による場合によりも至極簡単に容易に正確にできるとともに、色調を変更することに要するコストを大幅に低減できる。
【００２４】
特に、請求項２に記載した構成にすることにより、発光ダイオードチップにおける発光層が発光した光を、主として、発光ダイオードチップの側面に設けた傾斜面から光の減衰が少ない状態で出射することができるから、発光の輝度をより向上できる利点がある。
【００２５】
また、側面からの光量のアップは、請求項３に記載した構成にすることによっても達成できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２７】
図１〜図１３は、第１の実施の形態を示す。
【００２８】
これら各図のうち図１及び図２は、第１の実施の形態において製造した発光ダイオード素子１を示す。
【００２９】
この発光ダイオード素子１は、発光ダイオードチップ２と、この発光ダイオードチップ２における側面を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆し、発光ダイオードチップ２における一端面におけるアノード電極２ｆ及び他端面におけるカソード電極２ｂを、前記被膜３にて被覆することなく露出するという構成である。
【００３０】
前記発光ダイオードチップ２は、従来から良く知られているように、少なくとも、基板２ａの下面に前記カソード電極２ｂを形成する一方、前記基板２ａの上面にｎ型半導体層２ｃ、青色発光の発光層２ｄ、ｐ型半導体層２ｅ及び前記アノード電極２ｆを積層状に形成したものに構成されている。
【００３１】
この構成の発光ダイオード素子１は、その発光ダイオードチップ２における側面が螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆されていることにより、前記発光ダイオードチップ２における発光層２ｄでの青色発光は、前記被膜中の螢光物質にて波長が変換され、白色になって外向きに出射する。
【００３２】
この場合において、前記発光ダイオードチップ２における側面のうち少なくとも前記ｐ型半導体層２ｅの部分に、基板２ａ，カソード電極２ｂ、ｎ型半導体層２ｃ及び発光層２ｄの部分における寸法Ｄ１を大きくする一方アノード電極２ｆの部分における寸法Ｄ２を小さくして、アノード電極２ｆに向かって内向きの傾斜面２ｇを設けることにより、発光層２ｄを比較的広い面積にした上で、この発光層２ｄにおける発光する光を、内向きに傾斜する側面２ｇから光の減衰が少ない状態で出射することができるから、白色発光の発光量をアップすることができる。
【００３３】
また、前記発光ダイオードチップ２のうち発光層２ｄよりも上側の部分に、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層等の光反射層を設けることにより、当該発光ダイオードチップ２の上面から上向きに出射される光量を少なくして、側面から出射される光量を多くすることができる。
【００３４】
そして、前記した構成の発光ダイオード素子１は、以下に述べる方法にて製造される。
【００３５】
すなわち、前記した構成の発光ダイオードチップ２の多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板Ａを用意する。
【００３６】
なお、この発光ダイオード素材板Ａは、基板２ａを構成するシリコンウエハーに対して前記したカソード電極２ｂ、ｎ型半導体層２ｃ、発光層２ｄ、ｐ型半導体層２ｅ及びアノード電極２ｆを、適宜手段によって順次形成することによって製造される。
【００３７】
前記発光ダイオード素材板Ａを、図３及び図４に示すように、エキスパンションシートＢの上面に対して、当該発光ダイオード素材板Ａにおけるカソード電極２ｂがエキスパンションシートＢに密接するように貼付ける。
【００３８】
次いで、前記発光ダイオード素材板Ａのうち前記発光ダイオードチップ２間における切断線Ａ１に沿った部分を、図５及び図６に示すように、当該発光ダイオード素材板Ａを前記エキスパンションシートＢに貼付けた状態で、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ１だけダイシングすることにより、前記発光ダイオード素材板Ａを、且つ発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００３９】
このダイシングに際しては、ダイシングカッターによって、各発光ダイオードチップ２における側面に内向きの傾斜面２ｇを形成するようにする。
【００４０】
次いで、前記エキスパンションシートＢを、図７に示すように、その上面に各発光ダイオードチップ２が貼着された状態で、その表面に沿って互いに直角をなすＸ軸と、Ｙ軸との二つの方向に延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ２の相互間における間隔を、当初のダイシングしたときにおける間隔Ｗ１から間隔Ｗ２に広くする。
【００４１】
次いで、前記エキスパンションシートＢの上面に、予め螢光物質を混入した成る光透過性合成樹脂を液体の状態で供給したのち硬化するとにより、図９及び図１０に示すように、合成樹脂層Ｃを形成して、この合成樹脂層Ｃ内に前記各発光ダイオードチップ２を、その上面におけるアノード電極２ｆの部分を除いて埋設する。
【００４２】
次いで、前記合成樹脂層Ｃのうち前記発光ダイオードチップ２間における切断線Ａ１に沿った部分を、図１１及び図１２に示すように、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ３だけダイシングすることにより、前記合成樹脂層Ｃを、各発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００４３】
この合成樹脂層Ｃのダイシングに際しては、その切削幅寸法Ｗ３を、前記各発光ダイオードチップ２の相互間における間隔寸法のうち前記エキスパンションシートＢの延伸によって広げたときの間隔寸法Ｗ２よりも狭くする。
【００４４】
これにより、前記各発光ダイオードチップ２における側面には、前記合成樹脂層Ｃの一部が、前記Ｗ２からＷ３を差し引いた値の半分の膜厚さＴ（Ｔ＝（Ｗ２−Ｗ３）×１／２）として残ることになるから、前記各発光ダイオードチップ２における側面を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３にて被覆することができる。
【００４５】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップ２を、前記エキスパンションシートＢから剥離することにより、前記図１及び図２に示す構成の発光ダイオード素子１を得ることができる。
【００４６】
この構成の発光ダイオード素子１は、その発光ダイオードチップ２におけるアノード電極２ｆ及びカソード電極２ｂの両方が露出していることにより、例えば、図１３に示すように、上面に一対の配線パターンＥ２，Ｅ３を形成して成る基板Ｅ１に、前記発光ダイオード素子１を、当該発光ダイオード素子１におけるカソード電極２ｂが一方の配線パターンＥ２に電気的に導通するように実装し、次いで、アノード電極２ｆと、他方の配線パターンＥ３との間を、細い金属線Ｅ４によるワイヤボンディング等にて電気的に接続することによって、発光装置Ｅを構成する（この発光装置Ｅにおいては、基板Ｅ１の上面における発光ダイオード素子１の部分を、二点鎖線で示すように、光透過性合成樹脂製のパッケージ体Ｅ５にて密封する構成にしても良い）とか、或いは、図１４に示すように、一対のリード端子Ｆ１，Ｆ２のうち一方のリード端子Ｆ１の先端に凹み形成した凹所内、前記発光ダイオード素子１を、当該発光ダイオード素子１におけるカソード電極２ｂが一方のリード端子Ｆ１に電気的に導通するように実装し、次いで、アノード電極２ｆと、他方のリード端子Ｆ２との間を、細い金属線Ｆ３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続したのち、これらの全体を光透過性合成樹脂製のレンズ体Ｆ４にて密封することによって、発光ランプ装置Ｆに構成したりすることができる。
【００４７】
なお、前記第１の実施の形態においては、発光ダイオード素材板ＡをエキスパンションシートＢに対して貼付けるに際し、発光ダイオードチップ２におけるアノード電極２ｆがエキスパンションシートＢに密接するように、前記と逆の下向きにして貼付けるようにしても良い。
【００４８】
次に、図１５〜図２１は、第２の実施の形態を示す。
【００４９】
これら各図のうち図１５及び図１６は、第２の実施の形態において製造した発光ダイオード素子１′を示す。
【００５０】
この発光ダイオード素子１′は、発光ダイオードチップとして、一端面にアノード電極２ｆ′及びカソード電極２ｂ′の両方を備えて成る構成の発光ダイオードチップ２′を使用し、この発光ダイオードチップ２′のうち前記アノード電極２ｆ′及びカソード電極２ｂ′の両方を備える一端面を除く全体を、螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆するという構成である。
【００５１】
前記発光ダイオードチップ２′は、従来から良くられているように、少なくとも、サファイア等の透明な基板２ａ′における一方の表面に、ｎ型半導体層２ｃ′、青色発光の発光層２ｄ′、ｐ型半導体層２ｅ′、前記ｎ型半導体層２ｃ′に対するカソード電極２ｂ′及び前記ｐ型半導体層２ｅ′に対するアノード電極２ｆ′を積層状に形成したものに構成されている。
【００５２】
この構成の発光ダイオード素子１′は、その発光ダイオードチップ２′のうち一端面を除く全体が螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆されていることにより、前記発光ダイオードチップ２′における発光層２ｄ′での青色発光は、前記被膜中の螢光物質にて波長が変換され、白色になって外向きに出射する。
【００５３】
なお、前記発光ダイオードチップ２′における基板２ａ′を、不透明に基板に構成する場合には、この基板２ａ′の裏面側にまで被膜３′を形成する必要はなく、換言すれば、前記第１の実施の形態と同様に、前記発光ダイオードチップ２′における側面のみを被膜３′にて被覆する構成にすれば良い。
【００５４】
そして、前記した構成の発光ダイオード素子１′は、前記第１の実施の形態と略同様に、以下に述べる方法にて製造される。
【００５５】
すなわち、前記した構成の発光ダイオードチップ２′の多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板Ａ′を用意し、この発光ダイオード素材板Ａ′を、図１７に示すように、エキスパンションシートＢ′の上面に対して、当該発光ダイオード素材板Ａ′におけるカソード電極２ｂ′及びアノード電極２ｆ′がエキスパンションシートＢ′に密接するように貼付ける。
【００５６】
次いで、前記発光ダイオード素材板Ａ′のうち前記発光ダイオードチップ２′間における切断線Ａ１′に沿った部分を、図１８に示すように、当該発光ダイオード素材板Ａ′を前記エキスパンションシートＢ′に貼付けた状態で、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ１′だけダイシングすることにより、前記発光ダイオード素材板Ａ′を、且つ発光ダイオードチップ２′ごとに分割する。
【００５７】
次いで、前記エキスパンションシートＢ′を、図１９に示すように、その上面に各発光ダイオードチップ２′が貼着された状態で、その表面に沿って互いに直角をなすＸ軸と、Ｙ軸との二つの方向に延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ２′の相互間における間隔を、当初のダイシングしたときにおける間隔Ｗ１′から間隔Ｗ２′に広くする。
【００５８】
次いで、前記エキスパンションシートＢ′の上面に、予め螢光物質を混入した成る光透過性合成樹脂を液体の状態で供給したのち硬化するとにより、図２０に示すように、合成樹脂層Ｃ′を形成して、この合成樹脂層Ｃ′内に前記各発光ダイオードチップ２′の全体を埋設する。
【００５９】
なお、前記各発光ダイオードチップ２′に基板２ａが不透明である場合には、この発光ダイオードチップ２′のうち、その上面におけるアノード電極２ｆの部分を除いて埋設するようにする。
【００６０】
次いで、前記合成樹脂層Ｃ′のうち前記発光ダイオードチップ２′間における切断線Ａ１′に沿った部分を、図２１に示すように、図示しないダイシングカッターにて切削幅寸法Ｗ３′だけダイシングすることにより、前記合成樹脂層Ｃ′を、各発光ダイオードチップ２ごとに分割する。
【００６１】
この合成樹脂層Ｃ′のダイシングに際しては、その切削幅寸法Ｗ３′を、前記各発光ダイオードチップ２′の相互間における間隔寸法のうち前記エキスパンションシートＢ′の延伸によって広げたときの間隔寸法Ｗ２′よりも狭くする。
【００６２】
これにより、前記各発光ダイオードチップ２′における側面には、前記合成樹脂層Ｃ′の一部が、前記Ｗ２′からＷ３′を差し引いた値の半分の膜厚さＴ′（Ｔ′＝（Ｗ２′−Ｗ３′）×１／２）として残ることになるから、前記各発光ダイオードチップ２′における少なくとも側面の部分を、前記螢光物質を含む光透過性合成樹脂による被膜３′にて被覆することができる。
【００６３】
次いで、最後において、前記各発光ダイオードチップ２′を、前記エキスパンションシートＢ′から剥離することにより、前記図１５及び図１６に示す構成の発光ダイオード素子１′を得ることができる。
【００６４】
なお、この第２の実施の形態による発光ダイオード素子１′も、前記図１３に示す発光装置又は図１４に示す発光ラップ装置に使用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ視断面図である。
【図３】第１の実施の形態において発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態を示す斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ視拡大断面図である。
【図５】第１の実施の形態において発光ダイオード素材板を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ視拡大断面図である。
【図７】第１の実施の形態においてエキスパンションシートを延伸した状態を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ視拡大断面図である。
【図９】第１の実施の形態においてエキスパンションシートに合成樹脂層を形成した状態を示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視拡大断面図である。
【図１１】第１の実施の形態において合成樹脂層を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ −ＸＩＩ 視拡大断面図である。
【図１３】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を使用した発光装置を示す斜視図である。
【図１４】第１の実施の形態による発光ダイオード素子を使用した発光ランプ装置を示す縦断正面図である。
【図１５】第２の実施の形態による発光ダイオード素子を示す斜視図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ −ＸＶＩ 視断面図である。
【図１７】第２の実施の形態において発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態を示す断面図である。
【図１８】第２の実施の形態において発光ダイオード素材板を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す断面図である。
【図１９】第２の実施の形態においてエキスパンションシートを延伸した状態を示す断面図である。
【図２０】第２の実施の形態においてエキスパンションシートに合成樹脂層を形成した状態を示す断面図である。
【図２１】第２の実施の形態において合成樹脂層を発光ダイオードチップごとに分割した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１，１′ 発光ダイオード素子
２，２′ 発光ダイオードチップ
２ａ，２ａ′ 発光ダイオードチップの基板
２ｄ，２ｄ′ 発光ダイオードチップの発光層
２ｂ，２ｂ′ 発光ダイオードチップのカソード電極
２ｆ，２ｆ′ 発光ダイオードチップのアノード電極
３，３′ 被膜
Ａ，Ａ′ 発光ダイオード素材板
Ａ１，Ａ１′ 切断線
Ｂ，Ｂ′ エキスパンションシート
Ｃ，Ｃ′ 合成樹脂層
Claims (4)
- 青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面と他端面とに分けて形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、
前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極のうち少なくとも一方の電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、
前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、
前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、
前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップがその上面における電極まで埋設するように形成する工程と、
前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、
前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る、
ことを特徴とする白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法。 - 前記請求項１の記載において、前記素材半導体基板を各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程が、前記各発光ダイオードチップにおける側面に、一方の電極膜から他方の電極膜に向かって内向きに傾斜する傾斜面を形成する工程であることを特徴とする白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法。
- 前記請求項１又は２の記載において、前記発光ダイオードチップのうち発光層より上側の部分に光反射層を備えていることを特徴とする白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法。
- 青色発光の発光層に対するアノード電極及びカソード電極を一端面に形成した発光ダイオードチップの多数個を一体化して成る発光ダイオード素材板を製造する工程と、
前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートの上面に前記カソード電極及びアノード電極が当該エキスパンションシートに密着するように貼付けする工程と、
前記発光ダイオード素材板をエキスパンションシートに貼付けた状態で多数個の各発光ダイオードチップごとにダイシングする工程と、
前記エキスパンションシートをその表面に沿って互いに直角をなす二つの方向に前記各発光ダイオードチップの相互間における間隔を広げるように延伸する工程と、
前記エキスパンションシートの上面に螢光物質を含む光透過性合成樹脂層を当該合成樹脂層内に前記各発光ダイオードチップが少なくとも側面まで埋設するように形成する工程と、
前記合成樹脂層のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅にしてダイシングする工程と、
前記各発光ダイオードチップを前記エキスパンションシートから剥離する工程とから成る、
ことを特徴とする白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003169701A JP3813599B2 (ja) | 2003-06-13 | 2003-06-13 | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 |
| CNB2004800165916A CN100411203C (zh) | 2003-06-13 | 2004-05-27 | 制造白色发光的发光二极管元件的方法 |
| PCT/JP2004/007261 WO2004112154A1 (ja) | 2003-06-13 | 2004-05-27 | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 |
| US10/559,497 US7759145B2 (en) | 2003-06-13 | 2004-05-27 | Process for producing light-emitting diode element emitting white light |
| EP04745367A EP1643566A4 (en) | 2003-06-13 | 2004-05-27 | PROCESS FOR PRODUCING A WHITE LIGHT EMITTING LIGHT DIODE ELEMENT |
| KR1020057019389A KR101115351B1 (ko) | 2003-06-13 | 2005-10-12 | 백색발광의 발광다이오드 소자를 제조하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003169701A JP3813599B2 (ja) | 2003-06-13 | 2003-06-13 | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005005604A true JP2005005604A (ja) | 2005-01-06 |
| JP3813599B2 JP3813599B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=33549378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003169701A Expired - Fee Related JP3813599B2 (ja) | 2003-06-13 | 2003-06-13 | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7759145B2 (ja) |
| EP (1) | EP1643566A4 (ja) |
| JP (1) | JP3813599B2 (ja) |
| KR (1) | KR101115351B1 (ja) |
| CN (1) | CN100411203C (ja) |
| WO (1) | WO2004112154A1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245020A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード素子とその製造方法 |
| JP2007109822A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子の製造方法、及びそれにより得られる半導体素子 |
| JP2009176780A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 発光装置の色度調整方法 |
| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2012138587A (ja) * | 2003-09-18 | 2012-07-19 | Cree Inc | 成形チップの製造方法および装置 |
| JP2012222320A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置 |
| JP2012222319A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| JP2015070242A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
| US9093620B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| WO2015112943A1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Glo Ab | Led device with bragg reflector and method of singulating led wafer substrates into dice with same |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2016062986A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置と半導体装置の製造方法 |
| JP2018019023A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2018050082A (ja) * | 2017-12-28 | 2018-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2020080431A (ja) * | 2016-07-29 | 2020-05-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4579654B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法、並びに半導体発光装置を備えた照明モジュール及び照明装置 |
| DE102005040558A1 (de) | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
| JP4907253B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-03-28 | シャープ株式会社 | 注入装置、製造装置、および半導体発光装置の製造方法 |
| KR101271225B1 (ko) | 2006-10-31 | 2013-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법 |
| CN101388426B (zh) * | 2007-09-10 | 2012-10-10 | 亿光电子工业股份有限公司 | 一种发光半导体晶片和发光半导体组件的制造方法 |
| CN101779303B (zh) * | 2008-05-20 | 2011-06-15 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统 |
| US7666711B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-02-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming double-sided through vias in saw streets |
| JP5471805B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-04-16 | サンケン電気株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP5390472B2 (ja) | 2010-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| CN101872832B (zh) * | 2010-06-13 | 2013-03-06 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种应用于发光二极管的封装材料及其制备方法和使用方法 |
| KR20120067153A (ko) | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법 |
| KR101244926B1 (ko) | 2011-04-28 | 2013-03-18 | 피에스아이 주식회사 | 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법 |
| KR101209449B1 (ko) | 2011-04-29 | 2012-12-07 | 피에스아이 주식회사 | 풀－칼라 ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| WO2013118072A2 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device |
| KR102335106B1 (ko) | 2015-06-19 | 2021-12-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| CN106328008B (zh) * | 2015-06-30 | 2019-03-22 | 光宝光电(常州)有限公司 | 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法 |
| KR101869659B1 (ko) | 2017-09-19 | 2018-06-20 | 티피시스템(주) | 이동형 유압 주유기, 그리고 이의 관리 시스템 |
| KR102373099B1 (ko) * | 2020-03-06 | 2022-03-14 | 웨이브로드 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574180A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting element in gallium nitride |
| JPH06103751B2 (ja) | 1988-05-18 | 1994-12-14 | 三洋電機株式会社 | 炭化ケイ素発光ダイオード装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
| JP3707279B2 (ja) | 1998-03-02 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2000208822A (ja) | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
| JP3874971B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2007-01-31 | ローム株式会社 | 発光ダイオードチップの製造方法 |
| DE10006738C2 (de) * | 2000-02-15 | 2002-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| TW451436B (en) * | 2000-02-21 | 2001-08-21 | Advanced Semiconductor Eng | Manufacturing method for wafer-scale semiconductor packaging structure |
| US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| JP4081985B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2008-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
| CN1204632C (zh) * | 2001-09-28 | 2005-06-01 | 李贞勋 | 白色发光二极管的制造方法 |
| US6818532B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-11-16 | Oriol, Inc. | Method of etching substrates |
| US6965160B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor dice packages employing at least one redistribution layer |
| KR101182041B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2012-09-11 | 크리 인코포레이티드 | 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드,및 그의 제조방법 |
-
2003
- 2003-06-13 JP JP2003169701A patent/JP3813599B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-27 WO PCT/JP2004/007261 patent/WO2004112154A1/ja active Application Filing
- 2004-05-27 CN CNB2004800165916A patent/CN100411203C/zh active Active
- 2004-05-27 EP EP04745367A patent/EP1643566A4/en not_active Withdrawn
- 2004-05-27 US US10/559,497 patent/US7759145B2/en active Active
-
2005
- 2005-10-12 KR KR1020057019389A patent/KR101115351B1/ko active IP Right Grant
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9105817B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| JP2012138587A (ja) * | 2003-09-18 | 2012-07-19 | Cree Inc | 成形チップの製造方法および装置 |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| JP2006245020A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード素子とその製造方法 |
| JP2007109822A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子の製造方法、及びそれにより得られる半導体素子 |
| JP2009176780A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 発光装置の色度調整方法 |
| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| US9412920B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-08-09 | Nitto Denko Corporation | Phosphor reflecting sheet, light emitting diode device, and producing method thereof |
| US8877528B2 (en) | 2011-04-14 | 2014-11-04 | Nitto Denko Corporation | Producing method of light emitting element transfer sheet, producing method of light emitting device, light emitting element transfer sheet, and light emitting device |
| JP2012222319A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| JP2012222320A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置 |
| JP2015070242A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
| US9093620B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| US10002993B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-06-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9705053B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-07-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| WO2015112943A1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Glo Ab | Led device with bragg reflector and method of singulating led wafer substrates into dice with same |
| US9419185B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-16 | Glo Ab | Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector |
| TWI633678B (zh) * | 2014-01-27 | 2018-08-21 | Glo公司 | 具有布拉格反射器之ｌｅｄ裝置及單分ｌｅｄ晶圓基板為具有該裝置之晶粒之方法 |
| JP2016062986A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置と半導体装置の製造方法 |
| US9735325B2 (en) | 2014-09-16 | 2017-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| KR20180013791A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107665940A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| JP2018019023A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2020080431A (ja) * | 2016-07-29 | 2020-05-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10734556B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-08-04 | Nichia Corporation | Manufacturing method for light emitting device |
| CN107665940B (zh) * | 2016-07-29 | 2021-11-05 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| KR102393760B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2022-05-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2018050082A (ja) * | 2017-12-28 | 2018-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3813599B2 (ja) | 2006-08-23 |
| CN100411203C (zh) | 2008-08-13 |
| US20060118510A1 (en) | 2006-06-08 |
| KR20060027791A (ko) | 2006-03-28 |
| US7759145B2 (en) | 2010-07-20 |
| EP1643566A4 (en) | 2011-07-06 |
| KR101115351B1 (ko) | 2012-03-08 |
| EP1643566A1 (en) | 2006-04-05 |
| CN1806346A (zh) | 2006-07-19 |
| WO2004112154A1 (ja) | 2004-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3813599B2 (ja) | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 | |
| US8384091B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| US6345903B1 (en) | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same | |
| JPWO2005106978A1 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP3640153B2 (ja) | 照明光源 | |
| KR101383357B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2002368286A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR101476771B1 (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| JP4386789B2 (ja) | 発光ダイオード素子の製造方法 | |
| KR20150107086A (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR101461154B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| JP2001177157A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR100866879B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR100748707B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP5484544B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2022180523A (ja) | 半導体装置 | |
| US9761766B2 (en) | Chip on board type LED module | |
| JP2006059851A (ja) | 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法 | |
| KR102113374B1 (ko) | 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈 | |
| JP2006196572A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR101806789B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| KR101464326B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR101461153B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR101538083B1 (ko) | 반도체 소자 구조물 | |
| KR20140127099A (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060531 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |