JP4386789B2 - 発光ダイオード素子の製造方法 - Google Patents
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「透明基板の片面にn型半導体層及びp型半導体層をその間に発光層を挟んで積層形成するとともに前記n型半導体層に繋がるn電極及び前記p型半導体層に繋がるp電極を形成して成るフリップチップ構造の発光ダイオードチップを、シートの上面に対して、当該発光ダイオードチップにおけるn電極及びp電極が密着するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着する工程と、
次いで、前記シートを前記各発光ダイオードチップの下側にして、このシートの上面に、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂の液体を、前記各発光ダイオードチップの全体が当該光透過性合成樹脂の液体中に埋没する厚さにして充填する工程と、
次いで、前記光透過性合成樹脂の液体を硬化することにより、樹脂板を、当該樹脂板が前記シートの上面に密接した状態にして形成する工程と、
次いで、前記樹脂板のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅でダイシングする工程から成る。」
ことを特徴としている。
「前記請求項1の記載において、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で充填する工程と、これを硬化処理する工程との間に、前記螢光物質の粉末を沈殿する工程を備えている。」ことを特徴としている。
本発明の請求項3は、
「前記請求項1又は2の記載において、前記樹脂板をダイシングする工程を、前記樹脂板を前記シートからエキスパンションシートに張り替えた状態で行い、次いで、前記エキスパンションシートを縦横方向に延伸する。」
ことを特徴としている。
次いで、加熱炉に入れて加熱するか或いは紫外線を照射するというような硬化処理の工程を行うことにより、樹脂板10を、当該樹脂板10が前記シート8の上面に密接した状態にして形成する。
6,25 発光ダイオードチップにおけるn電極
7,26 発光ダイオードチップにおけるp電極
8 シート
28 第1シート
29 第2シート
10,31 樹脂板 11,32 ダイシングカッター
12,33 螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂
14,35 エキスパンションシート
13,34 発光ダイオード素子
Claims (3)
- 透明基板の片面にn型半導体層及びp型半導体層をその間に発光層を挟んで積層形成するとともに前記n型半導体層に繋がるn電極及び前記p型半導体層に繋がるp電極を形成して成るフリップチップ構造の発光ダイオードチップを、シートの上面に対して、当該発光ダイオードチップにおけるn電極及びp電極が密着するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着する工程と、
次いで、前記シートを前記各発光ダイオードチップの下側にして、このシートの上面に、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂の液体を、前記各発光ダイオードチップの全体が当該光透過性合成樹脂の液体中に埋没する厚さにして充填する工程と、
次いで、前記光透過性合成樹脂の液体を硬化することにより、樹脂板を、当該樹脂板が前記シートの上面に密接した状態にして形成する工程と、
次いで、前記樹脂板のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅でダイシングする工程から成ることを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記請求項1の記載において、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で充填する工程と、これを硬化処理する工程との間に、前記螢光物質の粉末を沈殿する工程を備えていることを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記請求項1又は2の記載において、前記樹脂板をダイシングする工程を、前記樹脂板を前記シートからエキスパンションシートに張り替えた状態で行い、次いで、前記エキスパンションシートを縦横方向に延伸することを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
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