JP5611122B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
ハー状態で形成しておく。
ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極を第1のレジスト材で覆う第1レジスト材塗布工程と、
前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、
前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
前記ダイに形成された前記第1のレジスト材と略等しい厚さで前記ダイの間に第2のレジスト材を塗布する第2レジスト塗布工程と、
前記第2のレジスト材とともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
前記粘着シートを剥がし、前記第1及び第2のレジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程と
を備えることを特徴とする。
した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
(第1実施形態)
ー30はサファイア基板15上に複数の半導体層14が形成されている。なおウェハー30上には数千から数万個の半導体層14が形成されるが、本図では説明のため3個だけ示している。また本図では半導体層14がウェハー30上で分離しているが、他の例として半導体層に含まれるn型半導体層がウェハー全面に形成され、p型半導体層が分離していることもある。
(第2実施形態)
側方に向う光線がないので扱い易い。
(第3実施形態)
30に対する工程を示し、図12はLEDダイ16bに対する工程を示している。図11において(a)〜(c)で示す準備工程、第1レジスト材塗布工程は、図3の(a)〜(c)に示した第1実施形態の準備工程、第1レジスト材塗布工程と共通である。
11…蛍光体層(樹脂層)、
12,13…突起電極、
14…半導体層、
14a…n型半導体層、
14b…発光層、
14c…p型半導体層、
15…サファイア基板、
16,16a、16b…LEDダイ(ダイ)、
17…保護膜、
30…ウェハー、
31…レジスト材(第1のレジスト材)、
32…粘着シート、
33…レジスト材(第2のレジスト材)、
34…金型、
34a…上蓋、
34b…下蓋、
35…ダイシングシート、
41…蛍光体層(第2の樹脂層)、
42…反射層(第1の樹脂層)
61…蛍光体層(第3の樹脂層)、
62…反射層(第4の樹脂層)。
Claims (5)
- 上面及び側面を樹脂層で被覆し、底面に突起電極を有する半導体発光素子の製造方法において、
ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極を第1のレジスト材で覆う第1レジスト材塗布工程と、
前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、
前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
前記ダイに形成された前記第1のレジスト材と略等しい厚さで前記ダイの間に第2のレジスト材を塗布する第2レジスト塗布工程と、
前記第2のレジスト材とともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
前記粘着シートを剥がし、前記第1及び第2のレジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程と
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記被覆工程において、前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記被覆工程において、前記樹脂層が反射材を含有する第1の樹脂層と蛍光体を含有する第2の樹脂層からなり、前記第1の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第2の樹脂層で前記ダイの上面を被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記樹脂層が蛍光体を含有する第3の樹脂層と反射材を含有する第4の樹脂層からなり、前記第1個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第3の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第3の樹脂層の側面を前記第4の樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記被覆工程において金型を使って蛍光体層を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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