JP5619680B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、底面に接続用電極を有し、上面及び側面に蛍光体層等の樹脂を被覆した半導体発光素子の製造方法に関し、さらに詳しくは側面を被覆する樹脂が側面から下方に延びている半導体発光素子の製造方法に関する。

これまで半導体発光素子（以下とくに断らない限りＬＥＤ素子と呼ぶ）は、ダイサイズが小さかったため、ＬＥＤ素子とマザー基板との間の電極間ピッチの違いを補正する回路基板（インターポーザともいう）上に実装されることが多かった。この回路基板は、セラミックや金属、樹脂などからなる板材に電極を形成したものである。

最近では高輝度化にともないＬＥＤ素子も大型化し、１ｍｍ×（０．５〜１）ｍｍ程度のものも入手できるようになってきた。このサイズになるとＬＥＤ素子底面にマザー基板と同じピッチの接続電極が形成できるようになるのでインターポーザ用の回路基板が不要になる。

このようなＬＥＤ素子の好ましい一形態として、ＬＥＤ素子の上面及び側面を蛍光体層等の樹脂層で被覆し、底面に突起した接続電極（以下突起電極と呼ぶ）を有するものがある。この樹脂層は、ＬＥＤ素子に含まれる透明絶縁基板と空気との間の屈折率の変化を緩和し発光効率を改善させたり、蛍光体を含有させＬＥＤ素子の発光色を白くしたりしている。また側面を被覆する樹脂が側面より下方に延びていると、ＬＥＤ素子下面から漏れ出す光をこの樹脂の延出部で遮ることができるためより好ましい。なお突起電極はマザー基板に実装するとき、ごみ等の異物やバリ等の加工上の不要物に対する実装時の制約を緩和する。

周囲を樹脂で被覆し、底面に突起電極を有するＬＥＤ素子の製造方法として、ＬＥＤダイ（以下上面又は側面を蛍光体等の樹脂で被覆していない状態の半導体発光素子をＬＥＤダイと呼び、上面及び側面を蛍光体層等の樹脂で被覆した状態の半導体発光素子をＬＥＤ素子と呼んで区別する）と粘着シートを準備し、このＬＥＤダイの電極面が粘着シートと接続するようにして粘着シート上に複数のＬＥＤダイを配列し、このＬＥＤダイの上面と側面を蛍光体層や反射部材等の樹脂で被覆してから、最後に個片化してＬＥＤ素子を得る製造方法が知られている。

例えば特許文献１の図１２から図１５には転写用の耐熱シート４２（粘着シート）上にバンプ８（突起電極）を有する発光素子４（ＬＥＤダイ）を配列させ、この発光素子４を封止部材６（樹脂等）が入ったトレー４４に沈め、発光素子４を封止部材６で封止し、最後に封止部材６を備えた発光装置２に個片化する工程が示されている。なお発光装置２は図１９，２０に示されるように基板３（インターポーザ用の回路基板）にフリップチップ実装される。

特許文献２の図２には、両面粘着材フィルム２４（粘着シート）上に受光又は発光素子１（ＬＥＤダイ）を配列し、ＬＥＤダイに硬化前の樹脂封止層３ｂを塗布し、発光素子１を封止する工程が示されている。なお特許文献２では図３，４で示すように、その後、両面粘着材フィルム２４を剥がし、電極面側にインターポーザ層５を形成し、最後に個片化している。

特許文献１，２で示したＬＥＤ素子の製造方法は、個片化したＬＥＤダイを粘着シート
に配列させたものであったが、ウェハーから直接的にＬＥＤ素子を製作する方法もある。例えば特許文献３の図１には、ＬＥＤチップ（ＬＥＤダイ）が連結して配列したウェハーに対しＬＥＤチップの境界部に溝１２を形成し、スキージでＬＥＤチップの光出射面と側面を蛍光体層１３で被覆してから、ダイシングシート２４（粘着シート）上にウェハー１１を貼り付け、最後に溝１２を薄い切断具２５で切断し被覆層を備えた発光素子（ＬＥＤ素子）に個片化する工程が示されている。なお突起したｐ電極７及びｎ電極８は予めウェハー状態で形成しておく。

特開２００２−２６１３２５号公報 （図１２〜図１５） 特開２００４−３６３２７９号公報 （図２〜図４） 特許３９７８５１４号公報 （図１）

特許文献３のようにウェハーを直接的に加工してＬＥＤ素子を得る方法は、ＬＥＤダイが密集しているため加工効率が良く、ＬＥＤダイの並べ替えもないのでパッケージの外形精度も高い。しかしながらＬＥＤダイの側面まで被覆しようとするとＬＥＤダイ間の溝を太くせざるを得ず、例えば特許文献３のように被覆材である蛍光体が十分に機能するためには幅が３００〜５００μｍ程度必要になる。このように発光に関わらない太い領域があると、削り量が多くなるばかりでなく、ＬＥＤダイの取り個数が減り好ましくない。さらに不良品のＬＥＤダイも最後まで加工することになったり、ＬＥＤダイごとの発光特性の違いを補正できなくなったりもする。以上のようにウェハーから直接的にＬＥＤ素子を得る方法は加工上のメリットが小さくなる。

特許文献２のように個片化したＬＥＤダイを粘着シートに貼り付け直した後、封止・個片化を行なう場合、ウェハーに対し通常のダイシング条件以外の制限がないためウェハーの削り量が少なく取り個数も減らない。また不良品のＬＥＤダイはダイシング直後廃棄可能であり、粘着シートに特性のそろったＬＥＤダイを選別して配列させることも可能になる。しかしながら特許文献２に示したＬＥＤダイは底面積が小さいものを想定しているため追加工によりインターポーザ層を形成していた。この結果、ダイ側面を封止（被覆）した後の工程が長くなっていた。

これに対しウェハー段階で突起電極を形成しておけば、ＬＥＤダイが高精度・高密度で配列しているうえ、ウェハー自体が硬質であることから電極形成に対する効率が良い。しかしながら特許文献１に示されるような封止工程では、ＬＥＤダイの厚さが変動したり、ＬＥＤダイの底面積が変動したりすると、バンプ上面から液面までの高さ一定にならず、突起電極の突起量が一定しないという課題がある。

そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子を簡便に効率よく製造する半導体発光素子の製造方法を提供することである。

本発明の半導体発光素子の製造方法は、上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子の製造方法において、
ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、
前記ウェハーを前記ダイに個片化する第１個片化工程と、
前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
前記粘着シートを剥がし、前記ダイの前記突起電極を形成した面から前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第２個片化工程と
を備えることを特徴とする。

前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記被覆工程において、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆しても良い。

前記樹脂層が反射材を含有する第１の樹脂層と蛍光体を含有する第２の樹脂層からなり、前記被覆工程において、前記第１の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第２の樹脂層で前記ダイの上面を被覆しても良い。

前記樹脂層が蛍光体を含有する第３の樹脂層と反射材を含有する第４の樹脂層からなり、前記第１個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第３の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第３の樹脂層の側面を前記第４の樹脂層で被覆しても良い。

前記被覆工程において金型を使って前記樹脂層を形成しても良い。

本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、まずダイが連結して配列したウェハーに対する処理として、ウェハー上に突起電極を形成し、その突起電極をレジスト材で覆い、ウェハーを個片化して個々のダイを得る。次にこのダイを粘着シートに再度配列させる。このときダイ同士に所定の隙間を持たせる。配列が完了したら、少なくともこの間隙に樹脂を充填しダイの側面を被覆する。

このようにするとダイ側面から粘着層上面までの間に樹脂層の延出部が形成される。いっぽうダイの底面にはレジスト材があるため樹脂層が存在しない。被覆後、レジスト材を除去してやると、半導体素子の底面の周辺部には樹脂層の延出部が形成され、底面においてはゴミ等に対し充分な突起電極の突起量が確保される。

以上のように本発明の半導体発光装置の製造方法は、レジスト材の塗布及び除去により、上面と側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延びる部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子を簡便で効率良く製造できる。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ素子の外観を示す図。 図１に示すＬＥＤ素子の断面図。 図１に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 図１に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 図１に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ素子の外観を示す図。 図６に示すＬＥＤ素子の断面図。 図６に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ素子の外観を示す図。 図９に示すＬＥＤ素子の断面図。 図９に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 図９に示すＬＥＤ素子の製造工程の説明図。

以下、添付図１〜１２を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）

以下、添付図１〜５を参照しながら本発明の第１実施形態について詳細に説明する。まず図１と図２により本実施形態で製造するＬＥＤ素子１０の構造を説明する。図１はＬＥＤ素子１０の外観を示す図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が底面図である。ＬＥＤ素子１０を上面から眺めると、長方形の蛍光体層１１（樹脂層）だけが見える（ａ）。ＬＥＤ素子１０を正面から眺めると、（ａ）と同様に蛍光体層１１だけがが見える（ｂ）。ＬＥＤ素子１０を下から眺めると、蛍光体層１１に囲まれた半導体層１４が見え、さらに半導体層１４の内側に突起電極１２，１３が見える（ｃ）。ＬＥＤダイ１６の底面は１．０ｍｍ×０．５ｍｍであり、蛍光体層１１の幅は０．２ｍｍである。この結果、ＬＥＤ素子１０は１．４ｍｍ×０．９ｍｍとなり、サーフェースマウンタ（表面実装機）で扱いやすい大きさになっている。

次に図２によりＬＥＤ素子１０の内部構造を説明する。図２は図１のＡＡ線に沿ったＬＥＤ素子１０の断面図である。ＬＥＤ素子１０において、ＬＥＤダイ１６はサファイア基板１５と半導体層１４、保護膜１７、突起電極１２，１３からなり、ＬＥＤダイ１６の上面と側面は蛍光体層１１で覆われている。さらに蛍光体層１１にはＬＥＤダイ１１の側面から下方に向かって延出する部分がある。一方、ＬＥＤダイ１６の底面には蛍光体層１１が存在しない。なおＬＥＤダイ１６はサファイアを透明絶縁基板としたウェハーから切り出されたものであり、突起電極１２，１３は既にウェハー状態で形成されたものである。

サファイア基板１５は、厚さが７０〜１５０μｍ程度でＬＥＤダイ１６の平面的な外形を決める。サファイア基板１５の下面に形成された半導体層１４は、ｐ型半導体層１４ｃ上に発光層１４ｂ、ｎ型半導体層１４ａが積層した積層体である。さらにｐ型半導体層１４ｃは複数の金属からなる金属層とｐ型ＧａＮの積層体であり、厚さが１μｍ程度である。この金属層は反射層を含み、発光層１４ｂから下向きに出射する光線を上側に向ける。発光層１４ｂは厚さが１００ｎｍ程度であり青色光を出射する。ｎ型半導体層１４ａは、ｎ型ＧａＮ層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが５μｍ程度である。保護膜１７は半導体層１４を覆い、ｐ型半導体層１４ｃの占める領域及びｎ型半導体層１４ａの露出した領域に開口部を備えている。それぞれの開口部においてｐ型半導体層１４ｃと突起電極１２、並びにｎ型半導体層１４ａと突起電極１３が接続する。突起電極１２，１３は銅メッキで形成したメッキバンプであり、厚さが１０〜３０μｍで、表面に錫層を備えている。

なお突起電極１３は、ｎ型半導体層１４ａの露出部が小さいため、一部が保護膜１７を介してｐ型半導体層１４ｃと積層している。突起電極１２，１３は、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための接続電極となっている。ここでマザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにＬＥＤ素子１０を実装する基板である。

蛍光体層１１は蛍光体を含有するシリコーン樹脂であり、ＬＥＤダイ１６から出射してくる青色光の一部を蛍光体層１１中の蛍光体が波長変換する。この波長変換した光と青色光の残りが混色してＬＥＤ素子１０の発光色が白色化する。ＬＥＤダイ１６の側面から下方に延出する蛍光体層１１の延出部は、ＬＥＤダイの底面においてｐ型半導体層１４ｃ及び突起電極１３のない領域から洩れ出す青色発光を遮る（又は白色化する）よう機能する
。

次に図３〜５によりＬＥＤ素子１０の製造方法を説明する。図３〜５はＬＥＤ素子１０の製造工程の説明図である。図３はＬＥＤダイ１６が連結した状態で配列するウェハーに対する加工工程を示し、図４と図５は個片化したＬＥＤダイに対する加工工程を示している。

図３によりウェハー３０に対する加工工程を説明する。まず（ａ）で示す準備工程において、ＬＥＤダイ１６（図２参照）が配列して連結するウェハー３０を準備する。ウェハー３０はサファイア基板１５上に複数の半導体層１４が形成されている。なおウェハー３０上には数千から数万個の半導体層１４が形成されるが、本図では説明のため３個だけ示している。また本図では半導体層１４がウェハー３０上で分離しているが、他の例として半導体層に含まれるｎ型半導体層がウェハー全面に形成され、ｐ型半導体層だけが分離していることもある。

次に（ｂ）に示す突起電極形成工程において、ウェハー３０に突起電電極１２，１３を形成する。突起電極１２，１３の形成方法としては、最初にウェハー３０の上面全体にスパッタ法でメッキ用共通電極膜を形成する。続いてホトリソグラフィ法で突起電極１２，１３を設ける領域に開口を有するレジスト膜を形成し、電解メッキ法で突起電極１２，１３を成長させる。その後レジスト膜を除去し、最後にメッキ電極１２，１３をマスクとしてメッキ用共通極膜の露出部を除去する。

次に（ｃ）に示すレジスト材塗布工程において、突起電極１２，１３をレジスト材３１で覆う。レジスト材３１は透明な感光性樹脂であり、スピンコータやロールコータでウェハー３０上に塗布され、その後硬化する。その後、表面を研磨し突起電極１２，１３の表面を露出させておくと良い。このときレジスト材３１の上面はできるかぎり平坦化させておくことが好ましい。レジスト材３１はウェハー３０の上面と突起電極１２，１３の間隙を覆うことを目的としているので、感光性樹脂に限らず熱で硬化する樹脂であっても良い。

最後に（ｄ）に示す第１個片化工程において、ウェハー３０をＬＥＤダイ１６ａに個片化する。まずダイシングシート（図示せず）上にレジスト材３１を塗布したウェハー３０を貼り付け、続いてダイサーでウェハー３０だけを切断し、最後に個片化したＬＥＤダイ１６ａを得る。またＬＥＤダイ１６ａはスクライブ・ブレーク法で個片化しても良い。以上でウェハー３０に対する加工が終了する。なおＬＥＤダイ１６ａは、図２で示したＬＥＤダイ１６に対し、レジスト材３１が付着しているのでサフックスａを追加して区別している。ＬＥＤダイ１６ａは図２よりも簡略化して描いているため、例えば保護膜１７（図２参照）は図示していない。

図４と図５により個片化したＬＥＤダイ１６ａに対する加工工程を説明する。なお図３に対し、図４及び図５ではＬＥＤダイ１６ａを上下反転させている。

まず（ｅ）及び（ｆ）で示した配列工程においてＬＥＤダイ１６ａを粘着シート３２上に配列する。本工程では最初に粘着シート３２と突起電極１２，１３の間隙がレジスト材３１で覆われたＬＥＤダイ１６ａを準備する（ｅ）。その後、支持台（図示せず）の上に載置された粘着シート３２上に隙間を開けてＬＥＤダイ１６ａを配置する（ｆ）。粘着シート３２は大判であり、実際には多数のＬＥＤダイ１６ａが搭載されるが、説明のため粘着シート３２に搭載するＬＥＤダイ１６ａを２個で示している（以下同様）。粘着シート３２は厚さが数１０μｍの樹脂シート上に、厚さが２０〜１００μｍの粘着層を積層したものである。ＬＥＤダイ１６ａは、ピッカー（又はソーター）で一個ずつ粘着シート３２
上に配置していく。また、いったん他の粘着シート（図示せず）に複数のＬＥＤダイ１６ａを配列させておき、この複数のＬＥＤダイ１６ａを一括して粘着シート３２に貼り付け（転写し）ても良い。

次に（ｇ）〜（ｉ）で示す被覆工程において、粘着シート３２とともにＬＥＤダイ１６ａを蛍光体層１１で覆う。まず粘着シート３２を金型３４の下蓋３４ｂ上にのせ、上蓋３４ａで粘着シート３２を密封する（ｇ）。続いて硬化前の蛍光体樹脂を金型内に注入し蛍光体層１１を形成する（ｈ）。最後に金型３４から粘着シート３２を取り出す（ｉ）。なお（ｇ）及び（ｈ）はトランスファー成型をイメージして図示し説明してきたが、コンプレッション成型でも良い。金型３４による蛍光体層１１の形成手法は蛍光体層の厚さを高精度に管理できることや短時間に大量処理できる特徴があるが、蛍光体層１１を形成する手法は金型３４に限定されず、塗布法やスキージであっても良い。これらの場合、蛍光体層１１を硬化させたら所望の厚さにするため蛍光体層１１を研磨することが好ましい。

次に（ｊ）及び（ｋ）で示すレジスト材除去工程において、粘着シート３２を剥がし、レジスト材３１を除去する。本工程では、まず粘着シート３２を剥がす直前（又は直後）に、蛍光体層１１上にダイシングシート３５を貼り付ける（ｊ）。続いてレジスト材３１を溶剤で溶かし除去する（ｋ）。なおこの溶剤は、レジスト材３１は溶かすが蛍光体層１１は溶かさないものから選択する。

最後に（ｌ）〜（ｍ）に示す第２個片化工程において、蛍光体層１１を切断し、個片化したＬＥＤ素子１０を得る。本工程では、まずダイシングシート３５を残すようにしてＬＥＤダイ１６の間の蛍光体層１１を切断する（ｌ）。その後、ダイシングシート３５から個別のＬＥＤ素子１０を取り外す（ｍ）。なおダイシングシート３５にＬＥＤダイ１６が配列した状態｛（ｋ）又は（ｌ）｝で電気特性や光学特性の検査を行ってしまえば、（ｍ）の工程の終了と同時にＬＥＤ素子１０を搬送テープに収納できる。
（第２実施形態）

第１実施形態ではＬＥＤダイ１６の上面及び側面を被覆する樹脂が蛍光体体層１１であった。しかしながら被覆用の樹脂は蛍光体層１１に限られない。前述したように樹脂層は、ＬＥＤ素子に含まれる透明絶縁基板と空気との間の屈折率の変化を緩和し発光効率を改善させる他、樹脂に蛍光体を含有させればＬＥＤ素子の発光色を白くできる。例えば樹脂に反射性微粒子を含有させれば反射部材としても機能する。つまりＬＥＤダイ１６の上面を蛍光体層で被覆し、側面を反射性の樹脂層（以下反射層と呼ぶ）で被覆しても良い。このようなＬＥＤ素子の簡便で効率的な製造方法を実施形態２，３で説明する。以下、添付図６〜８を参照しながら本発明の第２実施形態について詳細に説明する。

まず図６と図７により本実施形態で製造するＬＥＤ素子４０の構造を説明する。図６はＬＥＤ素子４０の外観を示す図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が底面図である。ＬＥＤ素子４０を上面から眺めると、長方形の蛍光体層４１（第２の樹脂層）だけが見える（ａ）。ＬＥＤ素子４０を正面から眺めると、蛍光体層４１の下に反射層４２（第１の樹脂層）が見える（ｂ）。ＬＥＤ素子４０を下から眺めると、反射層４２に囲まれた半導体層１４が見え、さらに半導体層１４の内側に突起電極１２，１３が見える（ｃ）。なおＬＥＤダイ１６は図２で示した第１実施形態におけるＬＥＤダイ１６と同じものである。

次に図７によりＬＥＤ素子４０の内部構造を説明する。図７は図６のＢＢ線に沿ったＬＥＤ素子４０の断面図である。ＬＥＤダイ１６の側面には反射層４２が付着しており、この側面から下方に向かって反射層４２の延出部がある。蛍光体層４１はＬＥＤダイ１６の上面と反射層４２の上部を覆っている。蛍光体層４１は図１，２で示したＬＥＤ素子１０
の蛍光体層１１と同様にシリコーン樹脂である。反射層４２は酸化チタン等の反射性微粒子を混練したシリコーン樹脂（以下反射性樹脂と呼ぶ）である。ＬＥＤ素子４０の側方及び下方に向う光線は、反射層４２とｐ型半導体層１４ｃに含まれる金属反射層により反射しＬＥＤ素子４０の上方に向う。このようにＬＥＤ素子４０は側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層４２の延出部はＬＥＤダイ１６の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。

次に図８によりＬＥＤ素子４０の製造方法を説明する。図３及び図４の（ａ）〜（ｆ）で示した準備工程、突起電極形成工程、レジスト塗布工程、第１個片化工程、及び配列工程は本実施例と共通である。このため、共通部分の最後の工程として図８において配列工程（ｆ）を示した。

（ｆ）で示すようにＬＥＤダイ１６ａを粘着シート３２上に配列したら、（ｇ−２）及び（ｈ−２）で示す被覆工程においてＬＥＤダイ１６ａの上面と側面をそれぞれ蛍光体層４１と反射層４２で被覆する。（ｇ−２）ではＬＥＤダイ１６ａの間隙に反射層４２を充填する工程を示している。このとき適量の反射性樹脂（硬化前）をディスペンサーにより間隙に充填しても良いが、ＬＥＤダイ１６ａのサファイア基板上面が隠れるくらいまで反射性樹脂を塗布し硬化させ、反射層４２を形成してから、サファイア基板上面が露出するまで反射層４２を研磨する方が効率的である。次に（ｈ−２）に示すようにＬＥＤダイ１６ａ及び反射層４２の上部に蛍光体層４１を形成する。このときＬＥＤダイ１６ａ及び反射層４２の上部の蛍光体層４１は塗布で形成しても良いし、蛍光体を含有する蛍光体シートを貼り付けても良い。

次に（ｋ−２）に示すレジスト材除去工程において、図５（ｊ）及び（ｋ）で示した第１実施形態のレジスト材除去工程と同様に、粘着シート３２を剥がし、レジスト材３１を除去する。なお本図ではダイシングシート及びダイシングシートを貼り付ける工程について図示を省略した（以下同様）。

最後に（ｍ−２）に示す第２個片化工程において、図５（ｌ）及び（ｍ）で示した第２個片化工程と同様に、蛍光体層４１と反射層４２を切断し、個片化したＬＥＤ素子４０を得る。
（第３実施形態）

以下、添付図９〜１２を参照しながら本発明の第３実施形態について詳細に説明する。まず図９と図１０により本実施形態で製造するＬＥＤ素子６０の構造を説明する。図９はＬＥＤ素子６０の外観を示す図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が底面図である。ＬＥＤ素子６０を上面から眺めると、外周部に存在する反射層６２とその内側にある長方形の蛍光体層６１が見える（ａ）。ＬＥＤ素子６０を正面から眺めると、反射層６２だけが見える（ｂ）。ＬＥＤ素子６０を下から眺めると、反射層６２に囲まれた半導体層１４が見え、さらに半導体層１４の内側に突起電極１２，１３が見える（ｃ）。なお半導体層１４及び突起電極１２，１３が含まれるＬＥＤダイ１６（図１０参照）は図２で示した第１実施形態におけるＬＥＤダイ１６と同じものである。

次に図１０によりＬＥＤ素子６０の内部構造を説明する。図１０は図９のＣＣ線に沿ったＬＥＤ素子６０の断面図である。ＬＥＤ素子６０において、ＬＥＤダイ１６の上面に蛍光体層６１があり、ＬＥＤダイ１６及び蛍光体層６１の側面に反射層６２が付着している。さらに反射層６２にはこれらの側面から下方に向かって延びる延出部がある。蛍光体層６１は図１，２で示したＬＥＤ素子１０の蛍光体層１１と同様に蛍光体を含有したシリコーン樹脂である。反射層６２は、図６，７で示した反射層４２と同様に、酸化チタン等の反射性微粒子を含有したシリコーン樹脂からなる。ＬＥＤ素子４０の側方及び下方に向う
光線は、反射層６２とｐ型半導体層１４ｃに含まれる金属反射層により反射しＬＥＤ素子６０の上方に向う。このようにＬＥＤ素子６０もＬＥＤ素子４０と同様に側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層６２の延出部はＬＥＤダイ１６の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。

次に図１１及び図１２によりＬＥＤ素子６０の製造方法を説明する。図１１はウェハー３０に対する工程を示し、図１２はＬＥＤダイ１６ｂに対する工程を示している。図１１において（ａ）〜（ｃ）で示す準備工程、レジスト材塗布工程は、図３の（ａ）〜（ｃ）に示した第１実施形態の準備工程、レジスト材塗布工程と共通である。

図１１において（ｃ）のレジスト塗布工程のあとに、（ｃ−３）で示すようにレジスト材３１とは反対側（図の下側）のサファイア基板１５面に蛍光体層６１を形成する。蛍光体層６１は硬化前の蛍光樹脂を塗布し硬化させたものである。最後に（ｄ−３）で示す第１個片化工程において、蛍光体層６１及びレジスト材３１ごとウェハー３０を切断し個片化したＬＥＤダイ１６ｂを得る。なおＬＥＤダイ１６ｂは蛍光体層６１及びレジスト材３１を備えているので、図２で示したＬＥＤダイ１６と区別するためサフィックスｂをつけた。

次に図１２によりＬＥＤダイ１６ｂに対する加工を説明する。（ｆ−３）に示す配列工程において、図４（ｅ）〜（ｆ）に示した配列工程と同様に、ＬＥＤダイ１６ｂを粘着シート３２上に配列する。

次に（ｇ−３）で示す被覆工程においてＬＥＤダイ１６ｂ及び蛍光体層６１の側面を反射層６２で被覆する。このとき適量の反射性樹脂（硬化前）をディスペンサーにより間隙に充填しても良い。またＬＥＤダイ１６ｂの蛍光体層６１の上面が隠れるくらいまで反射性樹脂を塗布し、硬化させ反射層６２を形成してから、蛍光体層６１の上面が露出するまで反射部材６２を研磨しても良い。

次に（ｋ−３）に示すレジスト材除去工程において、図５（ｊ）及び（ｋ）で示した第１実施形態のレジスト材除去工程と同様に、粘着シート３２を剥がし、レジスト材３１を除去する。なお本図ではダイシングシート及びダイシングシートを貼り付ける工程について図示を省略した。

最後に（ｍ−３）に示す第２個片化工程において、図５（ｌ）及び（ｍ）で示した第２個片化工程と同様に、反射部材６２を切断し、個片化したＬＥＤ素子６０を得る。

１０，４０，６０…ＬＥＤ素子（半導体発光素子）、
１１…蛍光体層（樹脂層）、
１２，１３…突起電極、
１４…半導体層、
１４ａ…ｎ型半導体層、
１４ｂ…発光層、
１４ｃ…ｐ型半導体層、
１５…サファイア基板、
１６，１６ａ、１６ｂ…ＬＥＤダイ（ダイ）、
１７…保護膜、
３０…ウェハー、
３１…レジスト材、
３２…粘着シート、
３４…金型、
３４ａ…上蓋、
３４ｂ…下蓋、
３５…ダイシングシート、
４１…蛍光体層（第２の樹脂層）、
４２…反射層（第１の樹脂層）
６１…蛍光体層（第３の樹脂層）、
６２…反射層（第４の樹脂層）。

Claims (5)

1. 上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子の製造方法において、
   ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
   前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
   前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、
   前記ウェハーを前記ダイに個片化する第１個片化工程と、
   前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
   前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
   前記粘着シートを剥がし、前記ダイの前記突起電極を形成した面から前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
   前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第２個片化工程と
   を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
   
2. 前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記被覆工程において、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
3. 前記樹脂層が反射材を含有する第１の樹脂層と蛍光体を含有する第２の樹脂層からなり、前記被覆工程において、前記第１の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第２の樹脂層で前記ダイの上面を被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
4. 前記樹脂層が蛍光体を含有する第３の樹脂層と反射材を含有する第４の樹脂層からなり、前記第１個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第３の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第３の樹脂層の側面を前記第４の樹脂層で被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
5. 前記被覆工程において金型を使って前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。

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