JP2012253223A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】突起電極12,13ごとウェハー30上を覆うようにレジスト材31を塗布してからLEDダイ16aを得る。LEDダイ16aを粘着シート32に配置し、粘着シート32とともにLEDダイ16aを蛍光体層で覆ってからレジスト材31を除去し、最後に蛍光体層11を切断し個片化したLED素子10を得る。
【選択図】図3
Description
に配列させたものであったが、ウェハーから直接的にLED素子を製作する方法もある。例えば特許文献3の図1には、LEDチップ(LEDダイ)が連結して配列したウェハーに対しLEDチップの境界部に溝12を形成し、スキージでLEDチップの光出射面と側面を蛍光体層13で被覆してから、ダイシングシート24(粘着シート)上にウェハー11を貼り付け、最後に溝12を薄い切断具25で切断し被覆層を備えた発光素子(LED素子)に個片化する工程が示されている。なお突起したp電極7及びn電極8は予めウェハー状態で形成しておく。
ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、
前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、
前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
前記粘着シートを剥がし、前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程と
を備えることを特徴とする。
(第1実施形態)
。
上に配置していく。また、いったん他の粘着シート(図示せず)に複数のLEDダイ16aを配列させておき、この複数のLEDダイ16aを一括して粘着シート32に貼り付け(転写し)ても良い。
(第2実施形態)
の蛍光体層11と同様にシリコーン樹脂である。反射層42は酸化チタン等の反射性微粒子を混練したシリコーン樹脂(以下反射性樹脂と呼ぶ)である。LED素子40の側方及び下方に向う光線は、反射層42とp型半導体層14cに含まれる金属反射層により反射しLED素子40の上方に向う。このようにLED素子40は側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層42の延出部はLEDダイ16の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。
(第3実施形態)
光線は、反射層62とp型半導体層14cに含まれる金属反射層により反射しLED素子60の上方に向う。このようにLED素子60もLED素子40と同様に側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層62の延出部はLEDダイ16の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。
11…蛍光体層(樹脂層)、
12,13…突起電極、
14…半導体層、
14a…n型半導体層、
14b…発光層、
14c…p型半導体層、
15…サファイア基板、
16,16a、16b…LEDダイ(ダイ)、
17…保護膜、
30…ウェハー、
31…レジスト材、
32…粘着シート、
34…金型、
34a…上蓋、
34b…下蓋、
35…ダイシングシート、
41…蛍光体層(第2の樹脂層)、
42…反射層(第1の樹脂層)
61…蛍光体層(第3の樹脂層)、
62…反射層(第4の樹脂層)。
Claims (5)
- 上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子の製造方法において、
ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、
前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、
前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、
前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、
前記粘着シートを剥がし、前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、
前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程と
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記被覆工程において、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記樹脂層が反射材を含有する第1の樹脂層と蛍光体を含有する第2の樹脂層からなり、前記被覆工程において、前記第1の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第2の樹脂層で前記ダイの上面を被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記樹脂層が蛍光体を含有する第3の樹脂層と反射材を含有する第4の樹脂層からなり、前記第1個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第3の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第3の樹脂層の側面を前記第4の樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記被覆工程において金型を使って前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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