JP7004948B2 - 発光モジュールの製造方法 - Google Patents

発光モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7004948B2
JP7004948B2 JP2019086910A JP2019086910A JP7004948B2 JP 7004948 B2 JP7004948 B2 JP 7004948B2 JP 2019086910 A JP2019086910 A JP 2019086910A JP 2019086910 A JP2019086910 A JP 2019086910A JP 7004948 B2 JP7004948 B2 JP 7004948B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
conductive member
forming
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019086910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020184560A (ja
Inventor
聡 酒巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2019086910A priority Critical patent/JP7004948B2/ja
Priority to US16/859,039 priority patent/US11749777B2/en
Publication of JP2020184560A publication Critical patent/JP2020184560A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7004948B2 publication Critical patent/JP7004948B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Description

本開示は、発光モジュールの製造方法に関する。
発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、液晶ディスプレイのバックライトやディスプレイ等の各種の光源として広く利用されている。このような発光装置としては、配線を有する基板の上に発光素子を載置した構造が提案されている。例えば下記の特許文献1は、基板の上面に配線を有し、その配線に発光素子の下面の電極を接続した発光装置を開示している。
特開2006-100444号公報
近年、発光装置のさらなる小型化が求められている。発光装置を小型化するためには、配線を形成する際に高精度で配置する必要がある。
本開示は、小型化が可能な発光モジュールの製造方法を提供する。
本開示の一態様の発光モジュールの製造方法は、支持部材上に、同一面側に正負一対の素子電極を備える電極形成面と、該電極形成面と反対側の発光面とを有する発光素子を、前記電極形成面を上に向けて配置する工程と、各々の前記素子電極の上に、一対の第1導電部材を形成する工程と、前記支持部材上であって、前記発光素子及び前記第1導電部材の周囲に、第1光反射性樹脂層を形成する工程と、各々の前記第1導電部材及び前記第1光反射性樹脂層の上に、前記第1導電部材よりも幅が大きい一対の第2導電層を形成する工程と、前記第1光反射性樹脂層上であって、前記第2導電部材の周囲に、第2光反射性樹脂層を形成する工程と、各々の前記第2導電部材から前記第2光反射性樹脂層の上にわたって配線電極を形成する工程と、前記支持部材を除去する工程と、を含む。
本開示の一態様に係る発光モジュールの製造方法によれば、小型化が可能な発光モジュールを実現できる。
実施形態に係る発光モジュールの概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程における発光素子と第1導電部材の一例を示す概略平面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 実施形態に係る発光モジュールの製造工程を示す概略断面図である。 他の実施形態に係る発光モジュールの概略断面図である。 他の実施形態に係る発光モジュールの概略断面図である。
以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語)を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一もしくは同等の部分又は部材を示す。
さらに以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光モジュールを例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
図1は、本実施形態に係る製造方法によって得られる発光モジュールの概略断面図である。
発光モジュールは、基板60と、基板60の上面に設けられる配線電極40と、配線電極の上面に設けられる導電部材30と、導電部材30の周囲に設けられる光反射性樹脂層50と、導電部材30の上面に載置される発光素子20とを備えている。
導電部材30は、第1導電部材31と第2導電部材32とを有している。第2導電部材32は、配線電極40の上面に設けられ、第1導電部材31は、第2導電部材32の上に設けられる。
光反射性樹脂層50は、第1光反射性樹脂層51と第2光反射性樹脂層52とを有している。第1光反射性樹脂層51は、発光素子20及び第1導電部材31の周囲に設けられ、第2光反射性樹脂層52は、第2導電部材32の周囲に設けられる。第1光反射性樹脂層51と第2光反射性樹脂層52は、一体に形成されていてもよい。
発光素子20は、同一面側に正負一対の素子電極21を備える電極形成面20aと、電極形成面20aと反対側の発光面とを有する。発光素子20は、素子電極21が導電部材30の上面に対向するように、直接又はバンプ等を介してフリップチップ実装される。
発光素子20は、正負の素子電極21を備える電極形成面20aと、電極形成面20aと反対側の発光面とを有する。発光素子20は、素子電極21が導電部材30の上面に対向するように、直接又はバンプ等を介してフリップチップ実装される。
以下、発光モジュールの製造方法について、図2~25に示す模式断面図に基づいて詳細に説明する。
(発光素子20を配置する工程)
図2に示すように、支持部材10上に、発光素子20を配置する。発光素子20は、電極形成面20aを上に向け、かつ発光面を下に向けた状態で配置する。発光モジュールにおいて、複数の発光素子20を所定の間隔を空けて配置してもよい。この場合、後述する配線電極40を形成する工程において、各発光素子20の素子電極21同士を配線電極40によって電気的に接続することができる。
支持部材10は、発光素子20を載置することが可能なものである。支持部材10の形状は、特に限定されないが、上面が平坦であることが好ましい。支持部材10と発光素子20とは、接着層13により貼り合わされている。接着層13としては、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができる。
支持部材10の上面には、剥離層11として、感光性樹脂層が形成されている。剥離層11の上面には、保護層12を介して接着層13が形成されている。剥離層11は、後に、光を照射することにより、支持部材10から発光素子20を分離するためのものである。
次に、図3に示すように、発光素子の載置領域以外の領域の接着層13をエッチングにより除去する。保護層12は、剥離層11がエッチングされるのを防ぐ役割を有している。保護層12の材料としては、金属を用いることが好ましい。保護層12の金属としては、Ti等を用いることができる。
(被覆層130を形成する工程)
次に、支持部材上であって、発光素子20の周囲に被覆層130を形成する。被覆層130は、支持部材上に被覆層130の材料を塗布して設ける。塗布方法は、スピンコータによるスピンコート法、ディスペンサによる吐出など特に限定されない。被覆層130は、有機物で構成される部材を用いることが好ましい。これにより、後述する被覆層130を除去する工程において、エッチングにより容易に除去することができる。有機物としては、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂を用いることができる。
支持部材10及び発光素子20を覆うように被覆層130を設けた後、図5に示すように、発光素子20の素子電極21が露出するまでエッチングにより被覆層130の一部を除去する。
(第1導電部材31を形成する工程)
次に、各々の発光素子20の素子電極21の上に、一対の第1導電部材31を形成する。第1導電部材31は、第1金属層31a及び第2金属層31bを積層して形成する。
第1導電部材31を形成する工程においては、まず、発光素子の素子電極21の上に第1金属層31aを形成する。図6においては、発光素子20と被覆層130上の略全面に、第1金属層31aをスパッタ等で形成する。第1金属層31aは、後工程である第2金属層31bを形成する工程において、第2金属層31bを電解めっき法で形成する際のシード層として用いられる。第1金属層31aの積層構造としては、例えば、支持部材10側からAl/Ti/Cu等が挙げられる。
次に、図7に示すように、第1金属層31aの上にレジストRを設ける。レジストRは、平面視において、素子電極21の少なくとも一部を含む開口部を有するように形成される。レジストRの開口部は、平面視において、発光素子20の外形の内側に位置することが好ましい。
次に、図8に示すように、レジストRの開口部内に、電解めっき法によって第2金属層31bを形成する。第2金属層31bは、第1金属層31aを電解めっきのシード層、すなわち電流経路として用い、レジストの開口部内でめっき成長させることで形成される。第2金属層31bとしては、例えば、Cuが挙げられる。
次に、図9に示すように、レジストを除去して、第2金属層31bを露出させる。
続いて、図10Aに示すように、エッチングにより第2金属層31bが形成されていない領域の第1金属層31aを除去する。これによって、発光素子20の上方のみに第1金属層31aと第2金属層31bが積層されてなる第1導電部材31が形成される。これにより、後述する第1光反射性樹脂層を形成する工程において、発光素子20の周囲に形成する第1光反射性樹脂層の厚みを発光素子20の厚みよりも大きく確保することができる。
また、各々の発光素子20の素子電極21の上に形成する一対の第1導電部材31は、一対の素子電極よりも広い間隔で設けることが好ましい。これにより、後述する第2導電部材を形成する工程において、一対の第2導電部材の間隔を十分に確保して形成することができるため、ショート等を抑制することができる。図10Bに示すように、発光素子が上面視において四角形状である場合、一対の第1導電部材31を、発光素子上において対角に位置するように形成することが好ましい。これにより、小型の発光素子においても、一対の第1導電部材31の間隔を大きくすることができるため、その上に形成する一対の第2導電部材の間隔も十分に確保することができる。
第1導電部材31は、発光素子20の素子電極21に対して形成するため、発光素子20を配置する工程において発光素子20の位置ズレが生じたとしても、発光素子20の素子電極21の位置に対して第1導電部材31を設ける位置を調整することができる。これにより、基板上に形成した第1導電部材に対して発光素子を配置する場合と比較して、発光素子20の素子電極21と第1導電部材31の位置ズレによる接続不良を抑制することができる。
続いて、図11に示すように、エッチングにより被覆層130を除去して発光素子20の側面を露出させる。
(第1光反射性樹脂層51を形成する工程)
次に、図12に示すように、支持基板10の上に、第1光反射性樹脂層51を形成する。第1光反射性樹脂層51としては、例えば、酸化チタンとシリコーン樹脂が混合されたものを用いることができる。第1光反射性樹脂層51は、例えばトランスファーモールド、圧縮成形、ポッティング、印刷、スプレー等の方法で形成され、発光素子20及び第1導電部材31を内部に埋設する厚さに形成される。
図13に示すように、第1光反射性樹脂層51の表面を研磨して、第1導電部材31を表面に露出させる。これにより、支持部材10上であって、発光素子20及び第1導電部材31の周囲に、第1光反射性樹脂層51が形成される。
(第2導電部材32を形成する工程)
次に、各々の第1導電部材31及び第1光反射性樹脂層51の上に、第1導電部材よりも幅が大きい一対の第2導電部材32を形成する。第2導電部材32は、第3金属層32a及び第4金属層32bを積層して形成する。
第2導電部材32を形成する工程においては、まず、第1導電部材31の上に第3金属層32aを形成する。図14においては、第1導電部材31と第1光反射性樹脂層51の上の略全面に、第3金属層32aをスパッタ等で形成する。第3金属層32aは、後工程である第4金属層32bを形成する工程において、第4金属層32bを電解めっき法で形成する際のシード層として用いられる。第3金属層32aの積層構造としては、第1金属層31aと同様の材料を用いることができ、例えば、支持部材10側からAl/Ti/Cu等が挙げられる。
次に、図15に示すように、第3金属層32aの上にレジストRを設ける。レジストRは、平面視において、第1導電部材31の少なくとも一部を含む開口部を有するように形成される。
次に、図16に示すように、レジストRの開口部内に、電解めっき法によって第4金属層32bを形成する。第4金属層32bは、第3金属層32aを電解めっきのシード層、すなわち電流経路として用い、レジストの開口部内でめっき成長させることで形成される。第4金属層32bとしては、第2金属層31bと同様の材料を用いることができ、例えば、Cuが挙げられる。
次に、図17に示すように、レジストを除去して、第4金属層32bを露出させる。さらに、エッチングにより第4金属層32bが形成されていない領域の第3金属層32aを除去する。これによって、図18に示すように、第1導電部材31から第1光反射性樹脂層51の上にわたって、第3金属層32aと第4金属層32bが積層されてなる第2導電部材32が形成される。このように第2導電部材32の幅を大きくすることにより、第2導電部材32を安定して所望の厚みに形成することができる。また、後述する配線電極を形成する工程において、配線電極を第2導電部材32に対して容易に形成することができる。
(第2光反射性樹脂層52を形成する工程)
次に、図19に示すように、第1光反射性樹脂層51の上に、第2光反射性樹脂層52を形成する。第2光反射性樹脂層52としては、例えば、酸化チタンとシリコーン樹脂が混合されたものを用いることができる。第2光反射性樹脂層52は、第1光反射性樹脂層51と同様に、例えばトランスファーモールド、圧縮成形、ポッティング、印刷、スプレー等の方法で形成され、発光素子20及び第1導電部材31を内部に埋設する厚さに形成される。その後、第2光反射性樹脂層52の表面を研磨して、第2導電部材32を表面に露出させる。
(配線電極40を形成する工程)
次に、各々の第2導電部材32及び第2光反射性樹脂層52の上に、配線電極40を形成する。配線電極40は、第5金属層40a及び第6金属層40bを積層して形成する。
配線電極40を形成する工程においては、まず、第2導電部材32の上に第5金属層40aを形成する。図20においては、第2導電部材32と第2光反射性樹脂層52の上の略全面に、第5金属層40aをスパッタ等で形成する。第5金属層40aは、後工程である第6金属層40bを形成する工程において、第6金属層40bを電解めっき法で形成する際のシード層として用いられる。第5金属層40aの材料としては、例えば、支持部材10側からTi/Cuを用いることができる。また、第5金属層40aは、第1金属層31aと同様の材料、積層構造を用いてもよい。
次に、図21に示すように、第5金属層40aの上にレジストRを設ける。レジストRは、平面視において、第2導電部材32の少なくとも一部を含む開口部を有するように形成される。
次に、図22に示すように、レジストRの開口部内に、電解めっき法によって第6金属層40bを形成する。第6金属層40bは、第5金属層40aを電解めっきのシード層、すなわち電流経路として用い、レジストの開口部内でめっき成長させることで形成される。第6金属層40bとしては、第2金属層31bと同様の材料を用いることができ、例えば、Cuが挙げられる。
次に、レジストを除去して、第6金属層40bを露出させる。さらに、エッチングにより第6金属層40bが形成されていない領域の第5金属層40aを除去する。これによって、図23に示すように、第2導電部材32から第2光反射性樹脂層52の上にわたって、第5金属層40aと第6金属層40bが積層されてなる配線電極40が形成される。
(基板60を接合する工程)
配線電極40を形成する工程の後に、図24に示すように、光反射性樹脂層50の上に別途準備した基板60を接合する工程を有していてもよい。基板60は、接着剤70を介して接合する。基板60には、ガラスやセラミック等を用いることができる。
(支持部材10を除去する工程)
次に、図25に示すように、レーザリフトオフ法を用いて支持部材を除去する。具体的には、支持部材を透過する波長のレーザを支持部材側から剥離層11に照射することによって、発光素子20と支持部材10とを分離する。
次に、ドライエッチング等を用いて、剥離層11、保護層12及び接着層13を除去することで、発光素子20及び第1光反射性樹脂層51が露出する。
このようにして、図1に示す構造の発光モジュール100を得ることができる。
以下、発光モジュールの各構成要素について説明する。
(基板60)
基板60は、上面に光反射性樹脂層50を形成することが可能なものであれば、その形状は特に限定されないが、上面が平坦であることが好ましい。基板60は、絶縁性のものを用いることができ、例えば、ガラスやセラミック等を用いることが好ましい。また、基板60として、可撓性を有するものを用いてもよい。
(第1光反射性樹脂層51、第2光反射性樹脂層52)
第1光反射性樹脂層51及び第2光反射性樹脂層52は、発光素子20の側面及び電極形成面20aを覆っている。第1光反射性樹脂層51及び第2光反射性樹脂層52を設けることで、発光素子20の側面及び電極形成面20aから出射する光を光取り出し面側へ反射させることができる。
第1光反射性樹脂層51及び第2光反射性樹脂層52は、発光素子20から出射される光に対して60%以上の反射率を有し、好ましくは90%以上の反射率を有する。第1光反射性樹脂層51及び第2光反射性樹脂層52は、白色の顔料等を含有させた樹脂であることが好ましい。特に、酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂が好ましい。これにより、基板60の一面を被覆するために比較的大量に用いられる材料として酸化チタンのような安価な原材料を多く用いることで、発光モジュールを安価にすることができる。
(第1導電部材31、第2導電部材32、配線電極40)
第1導電部材31、第2導電部材32及び配線電極40は、発光素子20の素子電極21と電気的に接続される。第1導電部材31、第2導電部材32及び配線電極40を設けることにより、例えば複数の発光素子20同士を電気的に接続することができ、ローカルディミング等に必要な回路を容易に形成することができる。
第1導電部材31、第2導電部材32及び配線電極40の材料としては、電気抵抗が低い材料が好ましく、Cu、Au及びAlよりなる群から選択される少なくとも一つを含むものが挙げられる。なかでも、Cuを用いることが好ましい。また、第1導電部材31は、基板側の表面が発光素子20からの光に対する反射率が高い材料で構成されていることが好ましく、Al、Ag、Pt、Rhよりなる群から選択される少なくとも一つを含むものが挙げられる。なかでも、発光素子20からの光に対して反射率の高いAl、Ag又はこれらの金属を含む合金が好ましい。特に、Alは、発光素子20からの光に対する反射性の他、配線回路として必要である導電性にも優れているため好ましい。
第1導電部材31の厚みは特に限定されるものではないが、上述した第1光反射性樹脂層51の表面を研磨して、第1導電部材31を表面に露出させる工程が可能な厚みであることが好ましい。第1導電部材31の厚みは、例えば、10μm~20μm程度である。第2導電部材32は、第1導電部材よりも厚くすることが好ましい。第2導電部材32の厚みは特に限定されるものではないが、例えば、10μm~100μm程度である。また、配線電極40の厚みは特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm~5μm程度である。
(発光素子20)
発光素子20は、一対の電極を同じ面側に設けている。発光素子20は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体発光素子を適用できる。また、発光素子20は、所望の発光色を得るために任意の波長のものを選択することができる。
発光素子20としては、様々な発光波長の発光ダイオードを利用することができる。また、所望の発光色を得るために、後述する蛍光体と組み合わせてもよい。特に、白色の発光を得るには、青色を発光する窒化物半導体発光素子と、青色光を吸収して黄色光や緑色光や赤色光を発する蛍光体とを組み合わせることが好ましい。
図26に示すように、発光素子20の上方に透光性部材80と、波長変換部材90とをさらに設けてもよい。
(透光性部材80)
透光性部材80は、発光素子20と後述する波長変換部材90との間に設けることが好ましい。これにより、発光素子20から出射された光を効率良く波長変換部材90に入射させることができる。透光性部材80としては、透明樹脂、ガラス等を用いることができる。透明樹脂としては、耐久性、成形のしやすさ等の観点から、シリコーン樹脂等を用いることが好ましい。
(波長変換部材90)
波長変換部材90は、透光性部材80の上面に配置されていることが好ましい。波長変換部材90は、発光素子20からの光を吸収して他の波長の光を発光することが可能な蛍光体を含む。これにより、発光モジュール200は、発光素子20からの光と波長変換部材90で波長変換された光との混色光、例えば、白色光を外部に出射することができる。発光素子20の種類及び蛍光体の種類を選択することにより、出射光の色を適宜調整することができる。
図26に示すように、発光モジュール200においては、複数の発光素子20に対して1つの透光性部材80及び波長変換部材90が設けられていてもよい。これにより、大面積の面状発光が可能な発光モジュール100を構成することができる。なお、透光性部材80及び波長変換部材90は、発光素子20毎に設けてもよい。
図27に示すように、発光モジュール300において、発光素子20から離間した領域に第2導電部材32を形成し、その第2導電部材32と配線電極40とを接続することによって、発光モジュール100の上面側に給電部を形成してもよい。
100、200、300 発光モジュール
10 支持部材
11 剥離層
12 保護層
13 接着層
20 発光素子
20a 電極形成面
21 素子電極
31 第1導電部材
31a 第1金属層
31b 第2金属層
32 第2導電部材
32a 第3金属層
32b 第4金属層
40 配線電極
40a 第5金属層
40b 第6金属層
50 光反射性樹脂層
51 第1光反射性樹脂層
52 第2光反射性樹脂層
60 基板
70 接着剤
80 透光性部材
90 波長変換部材
130 被覆層

Claims (6)

  1. 支持部材上に、同一面側に正負一対の素子電極を備える電極形成面と、該電極形成面と反対側の発光面とを有する発光素子を、前記電極形成面を上に向けて配置する工程と、
    各々の前記素子電極の上に、一対の第1導電部材を形成する工程と、
    前記支持部材上であって、前記発光素子及び前記第1導電部材の周囲に、第1光反射性樹脂層を形成する工程と、
    各々の前記第1導電部材及び前記第1光反射性樹脂層の上に、前記第1導電部材よりも幅が大きい一対の第2導電層を形成する工程と、
    前記第1光反射性樹脂層上であって、前記第2導電部材の周囲に、第2光反射性樹脂層を形成する工程と、
    各々の前記第2導電部材から前記第2光反射性樹脂層の上にわたって配線電極を形成する工程と、
    前記支持部材を除去する工程と、
    を含む発光モジュールの製造方法。
  2. 前記一対の第1導電部材を、前記一対の素子電極よりも広い間隔で設ける請求項1に記載の発光モジュールの製造方法。
  3. 前記第1導電部材を形成する工程において、
    前記支持部材の上であって前記発光素子の周囲に被覆層を形成し、
    前記第1導電部材を、前記素子電極及び前記被覆層の上に形成し、
    前記被覆層を除去する、請求項1又は2に記載の発光モジュールの製造方法。
  4. 前記第2導電部材を形成する工程において、
    上面視における前記一対の第2導電部材同士の近接する端部が前記第1導電部材の上に位置するように、第2導電部材を形成する、請求項1~3のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  5. 上面視において、前記発光素子が四角形状であり、
    前記第1導電部材を形成する工程において、
    一対の前記第1導電部材を、前記発光素子上において対角に位置するように形成する、請求項1~4のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  6. 前記発光素子を配置する工程において、前記支持部材上に複数の発光素子を所定の間隔を空けて配置し、
    前記配線電極を形成する工程において、異なる前記発光素子の素子電極同士を接続するように前記配線電極を形成する請求項1~5のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
JP2019086910A 2019-04-27 2019-04-27 発光モジュールの製造方法 Active JP7004948B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019086910A JP7004948B2 (ja) 2019-04-27 2019-04-27 発光モジュールの製造方法
US16/859,039 US11749777B2 (en) 2019-04-27 2020-04-27 Method for manufacturing light-emitting module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019086910A JP7004948B2 (ja) 2019-04-27 2019-04-27 発光モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020184560A JP2020184560A (ja) 2020-11-12
JP7004948B2 true JP7004948B2 (ja) 2022-01-21

Family

ID=72917387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019086910A Active JP7004948B2 (ja) 2019-04-27 2019-04-27 発光モジュールの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11749777B2 (ja)
JP (1) JP7004948B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI751850B (zh) * 2020-12-22 2022-01-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517289A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー インコーポレイテッド ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置
JP2015144263A (ja) 2013-12-25 2015-08-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016086111A (ja) 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20170186917A1 (en) 2014-06-10 2017-06-29 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4619080B2 (ja) 2004-09-28 2011-01-26 京セラ株式会社 発光装置
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
JP6273945B2 (ja) 2013-04-26 2018-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6398381B2 (ja) 2014-06-30 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6432280B2 (ja) 2014-10-24 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015043462A (ja) 2014-11-17 2015-03-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
KR20160141301A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
JP6649726B2 (ja) 2015-09-11 2020-02-19 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体発光装置およびその製造方法
JP6604786B2 (ja) * 2015-09-11 2019-11-13 三星電子株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6447524B2 (ja) 2016-01-18 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
JP6635007B2 (ja) 2016-11-30 2020-01-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6583247B2 (ja) 2016-12-21 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019057627A (ja) 2017-09-21 2019-04-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517289A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー インコーポレイテッド ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置
JP2015144263A (ja) 2013-12-25 2015-08-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20170186917A1 (en) 2014-06-10 2017-06-29 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element
JP2016086111A (ja) 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11749777B2 (en) 2023-09-05
US20200343408A1 (en) 2020-10-29
JP2020184560A (ja) 2020-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101885316B1 (ko) 파장 변환층을 갖는 발광 다이오드 소자
JP6413460B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US10790267B2 (en) Light emitting element for pixel and LED display module
JP2012124443A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2015144234A (ja) 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法
US9831379B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
CN110178232B (zh) 发光二极管、发光二极管模块以及具有其的显示装置
US9660150B2 (en) Semiconductor light-emitting device
JP6520663B2 (ja) 素子載置用基板及び発光装置
US11640957B2 (en) Light emitting module
US10797210B2 (en) Light emitting device having reduced thickness and increased light-reflectivity
US20190097106A1 (en) Connection Carrier, Optoelectronic Component and Method for Producing a Connection Carrier or an Optoelectronic Component
JP7004948B2 (ja) 発光モジュールの製造方法
CN212011026U (zh) 具有悬臂电极的发光元件、具有其的显示面板及显示装置
JP7273349B2 (ja) 発光モジュール
CN107086266B (zh) 半导体发光器件封装件
JP7057526B2 (ja) 発光モジュール
US11444228B2 (en) Light emitting device and display apparatus
JP7054031B2 (ja) 発光モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20191217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200821

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7004948

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150