JP6086738B2

JP6086738B2 - Ｌｅｄ装置

Info

Publication number: JP6086738B2
Application number: JP2013008285A
Authority: JP
Inventors: 吉正高山
Original assignee: Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 2013-01-21
Filing date: 2013-01-21
Publication date: 2017-03-01
Anticipated expiration: 2033-01-21
Also published as: JP2014139979A

Description

本発明は、一個のパッケージ中に複数個のＬＥＤダイを含むＬＥＤ装置に関する。

高輝度化にともないベアチップであるＬＥＤダイも大型化し、１ｍｍ×（０．５〜１）ｍｍ程度のものが入手できるようになってきた。この大きさは抵抗等の他のチップ部品と同程度になるため、ＬＥＤダイを樹脂等でパッケージ化したＬＥＤ装置の平面サイズをＬＥＤダイと同程度にすることがある。このパッケージはＬＥＤダイのサイズを直接的に反映するためチップサイズパッケージ（以下ＣＳＰと呼ぶ）と呼ばれる。ＣＳＰは実装面積が小さくて済むことやパッケージ用部材が少なくて良いということばかりでなく、必要な輝度に応じてマザー基板に搭載する個数を簡単に変えられることから照明装置等の設計の自由度を増すという特徴がある。

ＣＳＰの究極的なものとしてＬＥＤダイのチップサイズとパッケージの外形とが一致するＬＥＤ装置が知られている（例えば特許文献１の図６）。そこで特許文献１の図６（ａ）を図９に再掲しこのＬＥＤ装置について説明する。図９は、第１の従来例として示すＣＳＰ化した発光装置６（ＬＥＤ装置）の断面図である。なお一部符号を変更している。積層体１２ｃ（半導体層）の上面には蛍光体層３０とレンズ３２が積層している。積層体１２ｃの下部には電解メッキ時の共通電極がエッチングされずに残ったシード金属２２ａ，２２ｂ、銅配線層２４ａ，２４ｂ、電解メッキで形成した柱状の銅ピラー２６ａ，２６ｂがある。

積層体１２ｃはｐ型クラッド層１２ａ、発光層１２ｅ、ｎ型クラッド層１２ｂを備えている。積層体１２ｃの下面は一部が開口した絶縁層２０で覆われている。銅ピラー２６ａ，２６ｂの下部には半田ボール３６ａ，３６ｂが付着している。また銅ピラー２６ａ，２６ｂの間に補強樹脂２８が充填されている。

図９に示したＬＥＤ装置６の平面サイズは積層体１２ｃの平面サイズと一致する。このＬＥＤ装置６は、ＬＥＤ装置６が配列して連結したウェハーを個片化して得られ、ＣＳＰで区分される製品群のなかで最も小型化しているためＷＬＰ（ウェハーレベルパッケージ）と呼ばれることもある。このＬＥＤ装置６は積層体１２ｃ上にもともとあった透明絶縁基板（特許文献１の段落００２１、図２参照。）を極薄くまで削っているため発光層１２ｅからの光が上方（図中矢印で示した）にのみ出射する。このためＬＥＤ装置６の上部にのみ蛍光体層３０を設ければ良い。

図９に示したＬＥＤ装置６は、前述のように透明絶縁基板を極薄くまで削っているため、製造装置が大掛かりになったり製造工程が長くなったりする。またＬＥＤ装置６は、ウェハーレベルで蛍光体層３０を形成しているため、ウェハー上の個別のＬＥＤダイが有する発光特性のばらつきに対応することができない。この結果、発光色の管理が難しくなるという課題がある。そこで本願の発明者は、小型でありながら作り易く発光色の管理が容易なＬＥＤ装置として、透明絶縁基板を残し、その下面に形成された半導体層の側面とともに透明絶縁基板の側面を白色反射部材で被覆し、透明絶縁基板及び白色反射部材の上面を蛍光体シートで被覆したフリップチップ実装用のＬＥＤ装置を製作した（特許文献２の図１）。

特許文献２の図１に示されたＬＥＤ装置を図１０に再掲示しその構造を説明する。図１０は第２の従来例として示すＬＥＤ装置１０ｂの断面図である。なお図１０では符号を変
更している。ＬＥＤ装置１０ｂは、サファイヤ基板１４ｂ（透明絶縁基板）とその下面に形成された半導体層１５ｂとを有するＬＥＤダイ１６ｂを含み、側面に白色反射部材１７ｂを備え、ＬＥＤダイ１６ｂ及び白色反射部材１７ｂの上面に出射光を波長変換する蛍光体シート１１ｂを備えている。蛍光体シート１１ｂとサファイヤ基板１４ｂの間には接着層１３ｂがあり、蛍光体シート１１ｂとサファイヤ基板１４ｂとが接着している。またＬＥＤダイ１６ｂの半導体層１５ｂと接続する突起電極１８ｂ，１９ｂは、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための外部接続電極となっている。なお、マザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにＬＥＤ装置１０ｂを実装する基板である。また、白色反射部材１７ｂは厚さが１００μｍ以下でも充分に機能するのでＬＥＤ装置１０ｂを小型化できる。さらにＬＥＤ装置１０ｂは、多数のＬＥＤ装置を連結した状態で加工し、最後にこの連結体を個片化して所望のＬＥＤ装置を得るという、いわゆる集合工法が適用できるため製造し易い。

特開２０１０−１４１１７６号公報（図６（ａ））特開２０１２−２２７４７０号公報（図１）

本願の発明者は、上記ＬＥＤ装置１０ｂを高輝度ランプの光源に適用してみた。この高輝度ランプの光源は、表面反射率と放熱効率が良好な基板に多数のＬＥＤ装置１０ｂを配列させて実装する。しかしながらＬＥＤ装置１０ｂが多数であるため実装に掛かる工数が大きくなるという課題に直面した。

そこで本発明は、この課題に鑑みて為されたものであり、製造し易いという特徴を維持したまま効率的に実装できるＬＥＤ装置を提供することを目的とする。

以上の目的を達成するため本発明のＬＥＤ装置は、一個のパッケージ中に複数個のＬＥＤダイを含むＬＥＤ装置において、半導体層と透明絶縁基板が積層し、前記半導体層側にアノード及びカソード用の外部接続電極をそれぞれ一個ずつ有する複数のＬＥＤダイと、下面に前記透明絶縁基板を貼りつけるようにして前記複数のＬＥＤダイを配列させる透光性シートと、前記透光性シートの下面で隣接する前記ＬＥＤダイ同士の間隙に充填される充填部材と、一の前記ＬＥＤダイと他の前記ＬＥＤダイの外部接続電極同士を接続する配線とを備え、前記配線は、底面において露出していることを特徴とする。

本発明のＬＥＤ装置は、透光性シートと、外部接続電極を備えたＬＥＤダイと、ＬＥＤダイ同士の間隙に存在し平板形状を維持する充填部材からなり、構成部材が少なく単純な構造であるため製造し易い。

また本発明のＬＥＤ装置に含まれるＬＥＤダイは、半導体層と透明絶縁基板が積層したものであり、透光性シートの下面に透明絶縁基板を貼りつけるようにして配列している。ＬＥＤダイの半導体層側にはアノードとカソード用の外部接続電極がそれぞれ一個ずつ設けられている。この外部接続電極は２個に集約しているため比較的大きなサイズを確保できる。このためＬＥＤダイを透光性シートに配列させたとき、各外部接続電極は、前述のように実装し易い大きさであるうえ、さらに比較的大きなピッチで配列することになるのでマザー基板等に実装させ易くなる。このような電極構成を有する本発明のＬＥＤ装置は、多数のＬＥＤダイを一回的にマザー基板等に実装できるため効率的に実装できる。

前記充填部材が白色反射部材であっても良い。

前記充填部材が前記外部接続電極を除き前記ＬＥＤダイの底面を被覆していても良い。

前記充填部材が透光性部材と白色反射部材とを含み、前記ＬＥＤダイの側面を前記透光性部材が被覆し、前記透光性部材の外周を前記白色反射部材が被覆しても良い。

底面に二つの前記ＬＥＤダイの外部接続電極同士を接続する配線を備えていても良い。

前記透光性シートは蛍光体シートであっても良い。

以上のように本発明のＬＥＤ装置は、透光性シートの下面に透明絶縁基板が貼りつくようにしてＬＥＤダイが一体的に配列し、各ＬＥＤダイ間に充填部材を備えただけの単純な構造であるため製造し易い。さらに本発明のＬＥＤ装置は、ＬＥＤダイの各外部接続電極が実装し易い大きさであるうえ、比較的大きな配列ピッチになっているため実装しやすく、一回的に多数のＬＥＤダイをマザー基板等に実装できるため実装に掛かる工数が少なくなり、効率的な実装が達成される。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の平面図。図１に示すＬＥＤ装置の正面図。図１に示すＬＥＤ装置の底面図。図１に示すＬＥＤ装置の断面図。本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図。図５に示すＬＥＤ装置の断面図。本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図。図７に示すＬＥＤ装置の断面図。第１の従来例におけるＬＥＤ装置の断面図。第２の従来例におけるＬＥＤ装置の断面図。

以下、添付図１〜８を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。

（第１実施形態）
添付図１〜４を参照して本発明の第１実施形態として示すＬＥＤ装置１０を詳細に説明する。まず図１〜３によりＬＥＤ装置１０の外観を説明する。図１はＬＥＤ装置１０の平面図、図２が正面図、図３が底面図である。図１に示すようにＬＥＤ装置１０を上部から眺めると、長方形の蛍光体シート１１（透光性シート）が見える。図２に示すようにＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、蛍光体シート１１の下側に白色反射部材１２（充填部材）が見え、さらに白色反射部材１２の下に２個の外部接続電極１５が見える。図３に示すようにＬＥＤ装置１０を下から眺めると、長方形の白色反射部材１２と、その内側に５行５列で配列したＬＥＤダイ１６（図４参照）の半導体層１４が見える。各半導体層１４の内側には２個ずつ外部接続電極１５がある。

次に図４によりＬＥＤ装置１０の内部構造を説明する。図４は、図１のＡＡ線に沿って
描いたＬＥＤ装置１０の断面図である。ＬＥＤ装置１０では、蛍光体シート１１の下面にＬＥＤダイ１６が接着層（図示せず）を介して貼りついており、各ＬＥＤダイ１６の間隙及びＬＥＤ装置１０の外周部に白色反射部材１２が存在する。ＬＥＤダイ１６は、サファイヤ基板１３（透明絶縁基板）と半導体層１４を含み、サファイヤ基板１３の下面側に半導体層１４が形成され、半導体層１４に２個の外部接続電極１５が接続している。

蛍光体シート１１は、蛍光体微粒子を混練したシリコーン樹脂をシート状にして硬化させた透光性シートであり、厚さが１００〜３００μｍ程度である。濃度消光による損失を軽減したい場合は蛍光体シート１１を厚めに設定する。白色反射部材１２はシリコーン樹脂に酸化チタンやアルミナなどの反射性微粒子を混練し熱硬化させたものである。この結果、例えば平面サイズが０．８ｍｍ×０．３ｍｍのＬＥＤダイ１６の場合、ＬＥＤダイ１６の配列ピッチとして長手方向を１．０ｍｍ、短手方向を０．５ｍｍとすることができる。このとき外部接続電極１５のサイズは０．３ｍｍ×０．２ｍｍ程度になり、マザー基板等への接続にハンダリフローが適用可能となる。

ＬＥＤダイ１６に含まれるサファイヤ基板１３は厚さが８０〜１５０μｍ程度である。サファイヤ基板１３の下面に形成された半導体層１４は、厚みが１０μｍ程度で、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を含み、その境界面が発光層となる。半導体層１４の下部には層間絶縁膜や保護膜が存在し、保護膜上に外部接続電極１５が形成される。二つの外部接続電極１５はアノード及びカソードであり、それぞれ層間絶縁膜上の配線を介してｐ型半導体層及びｎ型半導体層と接続している。また外部接続電極１５は、抵抗やコンデンサなど他の電子部品が実装されたマザー基板と接続するための電極であり、厚さが数１００ｎｍから数１０μｍであり、半田付けのため表面に金層又は錫層を備えている。

次にＬＥＤ装置１０の製造方法を説明する。本製造工程は、いわゆる集合工法と呼ばれるもので、支持用の大判蛍光体シート上に多数のＬＥＤダイ１６を所定のピッチで配列し、この集合体に対して様々な加工を施し、最後にこの集合体を個片化して個別のＬＥＤ装置１０を得るものである。なお大判蛍光体シートには数１００から数１０００個のＬＥＤダイ１６を配列させる。

先ず、大判蛍光体シート上に多数のＬＥＤダイ１６を配列する。このときＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５を上にして、サファイヤ基板１３を大判蛍光体シート上に貼りつける。ＬＥＤダイ１６はピッカー等で一個ずつ大判蛍光体シート上に配置しても良い。また、いったん他の粘着シートに複数のＬＥＤダイ１６を配列させておき、この複数のＬＥＤダイ１６を一括して大判蛍光体シートに貼り付けることもできる。なお予め大判蛍光体シートには接着材を印刷しておく。

次にディペンサーによりＬＥＤダイ１６間に硬化前の白色反射部材１２を充填する。このとき予め大判蛍光体シートの外周にはダム材を設けておく。充填が完了したら加熱して白色反射部材１２を硬化させる。最後に白色反射部材１２とともに大判蛍光体シートを切断し、個片化されたＬＥＤ装置１０を得る。切断にはダイサーやワイヤを使う。なお白色反射部材１２は完成時に厚さが３０〜５０μｍあれば充分に遮光できる。

本実施形態のＬＥＤ装置１０は長方形の領域にＬＥＤダイ１６を配列させていた（図３参照）。しかしながら配列させる領域は長方形に限られない。例えば円形の領域にＬＥＤダイ１６を配列させても良い。さらに蛍光体シートも円形に切り抜き平面形状が円形のＬＥＤ装置を得ることもできる。またＬＥＤダイ１６は放射状に配列させても良い。ＬＥＤ装置の発光領域が円形であると、レンズにより配光分布を調整し易くなる。またＬＥＤダイ１６の発光を波長変換する必要がなければ、蛍光体シート１１は透明な透光性シートに置き換えることができる。

（第２実施形態）
図１〜４で示したＬＥＤ装置１０ではＬＥＤダイ１６の間隙に白色反射部材１２を充填していた。しかしながら機械的な強度を確保するためだけならＬＥＤダイ１６間に充填する部材は白色反射部材に限られず、例えば透光性の部材であっても良い。さらに後述するようにＬＥＤダイ１６の側面を透光性の部材で被覆した方が発光効率が向上する。またＬＥＤ装置１０の底面では外部接続電極１５と半導体層１４が露出していたが、外部接続電極１５だけ露出させても良い。またＬＥＤ装置１０では各ＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５は分離していたが、底面において配線を付加し、異なるＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５同士を接続するようにしても良い。

そこで図５，６により、第２実施形態として、充填部材が透光性部材と白色反射部材を含み、底面が外部接続電極を除き白色反射部材で被覆され、外部接続電極間を接続する配線を備えるＬＥＤ装置５０について説明する。

図５はＬＥＤ装置５０の底面図である。なお平面図は第１実施形態の図１と等しいので図示していない。正面図は底面の外部接続電極１５（図６参照）部近傍を除き第１実施形態の図２と等しく、断面図（図６）があるので図示していない。図５においてＬＥＤ装置５０を下から眺めると、白色反射部材５２上に配線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄが見える。配線５１ａ及び配線５１ｄは、電力供給用の電極であり、図の左上隅及び右下隅のＬＥＤダイ１６の１個の外部接続電極１５（図６参照）と接続している。配線５１ｂは図の長手方向（左右方向）に隣接するＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５同士を接続している。配線５１ｃは図の短手方向（上下方向）に隣接するＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５同士を接続している。このようにしてＬＥＤ装置５０では、２５個のＬＥＤダイ１６が直列接続している。なお図中、白色反射部材５２で被覆されたＬＥＤダイ１６を点線で示している。

次に図６によりＬＥＤ装置５０の内部構造を説明する。図６は、図５のＢＢ線に沿って描いたＬＥＤ装置５０の断面図である。ＬＥＤ装置５０では蛍光体シート１１の下面にＬＥＤダイ１６が接着層（図示せず）を介して貼りついている。各ＬＥＤダイ１６の側面は蛍光樹脂５３（透光性部材）で被覆されており、蛍光樹脂５３の間隙及びＬＥＤ装置５０の外周部並びにＬＥＤダイ１６の底面部に白色反射部材５２が存在する。ＬＥＤダイ１６は、図４で示したＬＥＤ装置１０のＬＥＤダイ１６と同じものである。各ＬＥＤダイ１６の外部接続電極１５は白色反射部材５２から露出しており、外部接続電極１５には配線５１ａ，５１ｂ，５１ｃが接続している。蛍光樹脂５３はシリコーン樹脂に蛍光体微粒子を混練し硬化させたもので、厚さは５０μｍ程度である。

前述したようにＬＥＤ装置５０はＬＥＤダイ１６の側面と白色反射部材５２との間に蛍光樹脂５３が存在する。ＬＥＤ装置５０は、大判蛍光体シート（第１実施形態のＬＥＤ装置１０に対する製造方法を参照）にＬＥＤダイ１６を配列させたら、蛍光樹脂５３をＬＥＤダイ１６の間隙等に充填し硬化させ、次にＬＥＤダイ１６の側部に蛍光樹脂５３が残るように蛍光樹脂５３を削って溝を形成し、続いてこの溝に硬化前の白色反射部材５２を充填し硬化させ、最後に個片化して製造する。

図４等で示した第１実施形態のＬＥＤ装置１０ではＬＥＤダイ１６の側面と白色反射部材１２とが直接的に接触しているため、サファイヤ基板１３の側面から出射しようとする光がサファイヤ基板１３内に戻されてしまう。この光は迷光になったり、反射や半導体層１４による再吸収で減衰したりする。つまりＬＥＤ装置１０は構造上このような損失を内包している。これに対し本実施形態のＬＥＤ装置５０のようにＬＥＤダイ１６の側面と白色反射部材５２との間に蛍光樹脂５３が存在すると、ＬＥＤダイ１６の側面から出射し、
蛍光樹脂５３をとおり白色反射部材１２で反射した光は、その一部が再びサファイヤ基板１３内に入り込むとしても、大部分は蛍光樹脂５３内を伝播してＬＥＤ装置５０から出射するので、前述の損失が少なくなり出射効率が向上する。

またＬＥＤ装置５０は白色反射部材５２が外部接続電極１５を除いてＬＥＤダイ１６の底面（半導体層１４）を被覆している。ＬＥＤ装置５０は、硬化前の白色反射部材５２を充填するとき、白色反射部材５２を多めに充填し、白色反射部材５２の硬化後、白色反射部材５２を研磨して外部接続電極１５を露出させることにより製造できる。この際、白色反射部材５２の充填にスキージが使える。ＬＥＤダイ１６の底面に白色反射部材５２が存在すると、底面の汚染から半導体層１４を保護することができ、さらにＬＥＤ装置５０の底面において半導体層１４の底面から漏れ出そうとする光を遮光できる。

底部に形成した配線５１ａ〜ｄは、印刷法又はホトリソグラフィと組み合わせたメッキ法で形成する。このとき配線５１ａ〜ｄには、ＬＥＤ装置５０をマザー基板等に実装するときのリフロー温度で融解しない材料を選択する。ＬＥＤ装置５０は、マザー基板の電極と配線５１ａ，５１ｄだけが電気的に接続していれば良いので、第１実施形態のＬＥＤ装置１０に比べ大幅に実装が簡単化する。

ＬＥＤ装置５０では充填部材が蛍光樹脂５３と白色反射部材５２からなっていた。しかしながら充填部材を、蛍光樹脂５３又は透明樹脂等の透光性部材だけにしても良い。この場合、前述のようにＬＥＤダイ１６の側部から出射した光は、多くの成分がＬＥＤダイ１６内に戻らないため発光効率が向上する。また底面を蛍光樹脂５３又は透明樹脂等の透光性部材で被覆すると、ＬＥＤダイ１６の底面から漏れ出す光は遮光できないとしても、半導体層１４の汚染は防止できる。またＬＥＤ装置５０では白色反射部材５２が平面的にみると網目状になっていた。これに対し白色反射部材がＬＥＤ装置５０の外周部だけを枠上に囲むようにしても良い。このようにすると透光性部材を削って溝を形成する工程が簡単になる。

（第３実施形態）
第１及び第２実施形態で示したＬＥＤ装置１０，５０に含まれるＬＥＤダイ１６は、一個ずつ分離していた。しかしながら本発明のＬＥＤ装置ではＬＥＤダイ１６を連結した状態で配列させるほうがよい場合がある。そこで図７と図８により第３実施形態として、ＬＥＤダイ１６を２個連結した素子を蛍光体シート上に配列させたＬＥＤ装置７０を説明する。

図７はＬＥＤ装置７０の底面図である。なお平面図は長方形の蛍光体シートが見えるだけであり、正面図は断面図から容易に類推できるので、それぞれ図示していない。図７においてＬＥＤ装置７０を下から眺めると、白色反射部材７２の内側にＬＥＤダイ１６の半導体層１４が見える。ここでＬＥＤダイ１６は図４等で示したＬＥＤダイ１６と同じものであるが、２個連結した状態でウェハーから切り出したものである。このようにすると、ウェハーのダイシングや大判蛍光体シート（第１実施形態のＬＥＤ装置１０に対する製造方法を参照）への配列に掛かる工数を削減できる。各ＬＥＤダイ１６には２個の外部接続電極１５がある。なお本実施形態で蛍光体シート７１（図８参照）に配列したＬＥＤダイは２個のＬＥＤダイ１６を連結した状態でウェハーから切り出した素子であり、分離していないが、説明の便宜上、図７ではＬＥＤダイ１６間の線を書き加えている（図８も同様）。

次に図８によりＬＥＤ装置７０の内部構造を説明する。図８は、図７のＣＣ線に沿って描いたＬＥＤ装置７０の断面図である。ＬＥＤ装置７０の断面と図４で示したＬＥＤ装置１０の断面は略等しく、ＬＥＤ装置７０の断面においてＬＥＤダイ１６が連結していると
ころが異なる。なお作図上の理由で図４と図８の断面図中に含まれるＬＥＤダイ１６の個数は異なっている。図４の蛍光体シート１１及び白色反射部材１２と図８の蛍光体シート７１及び白色反射部材７２はそれぞれ同じ材料からなる。

ＬＥＤ装置７０は管状照明装置等で使われるライン光源である。このためＬＥＤダイ１６を長手方向に２個連結した。また第２実施形態のＬＥＤ装置５０のように、ＬＥＤダイ１６の底面を白色反射部材７２で被覆したり、充填部材を透光性部材と白色反射部材７２からなるようにしたり、底部に配線を形成したりしても良い。

１０，５０，７０…ＬＥＤ装置、
１１，７１…蛍光体シート（透光性シート）、
１２，５２，７２…白色反射部材、
１３…サファイヤ基板（透明絶縁基板）、
１４…半導体層、
１５…外部接続電極、
１６…ＬＥＤダイ、
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ…配線。

Claims

一個のパッケージ中に複数個のＬＥＤダイを含むＬＥＤ装置において、
半導体層と透明絶縁基板が積層し、前記半導体層側にアノード及びカソード用の外部接続電極をそれぞれ一個ずつ有する複数のＬＥＤダイと、
下面に前記透明絶縁基板を貼りつけるようにして前記複数のＬＥＤダイを配列させる透光性シートと、
前記透光性シートの下面で隣接する前記ＬＥＤダイ同士の間隙に充填される充填部材と、
一の前記ＬＥＤダイと他の前記ＬＥＤダイの外部接続電極同士を接続する配線とを備え、
前記配線は、底面において露出している
ことを特徴とするＬＥＤ装置。
前記充填部材は、白色反射部材であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
前記充填部材は、前記外部接続電極を除き前記ＬＥＤダイの底面を被覆していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ装置。
前記充填部材は、透光性部材と白色反射部材とを含み、前記透光性部材は、前記ＬＥＤダイの側面を被覆し、前記白色反射部材は、前記透光性部材の外周を被覆していることを特徴とする請求項１又は３に記載のＬＥＤ装置。
前記透光性シートは、蛍光体シートであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置。