JP6633111B2 - 発光ユニット及び半導体発光装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 159
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 82
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Description
図2(a)は、実施形態の実装基板70の模式平面図である。
図2(b)は、実施形態の半導体発光装置1の模式平面図である。
図3は、実施形態の半導体発光装置1の模式断面図である。
図1は、図2(b)に示す半導体発光装置1の実装面を、図2(a)に示す実装基板70のパッド81〜83に向けて、半導体発光装置1が実装基板70に実装された状態を表す。図1は、半導体発光装置1が実装基板70に実装された状態で半導体発光装置1の上面側(実装面の反対側)から見た模式平面図である。
図8(a)は、他の実施形態の実装基板70の模式平面図である。
図8(b)は、他の実施形態の半導体発光装置1の模式平面図である。
図10(a)は、さらに他の実施形態の実装基板70の模式平面図である。
図10(b)は、さらに他の実施形態の半導体発光装置1の模式平面図である。
図12は、半導体発光装置2の模式平面図である。図12は、半導体発光装置2の実装面を表し、図11に示す半導体発光装置2の下面図に対応する。
Claims (13)
- 第1パッドと、第2パッドと、前記第1パッドと前記第2パッドとの間に設けられた第3パッドと、を有する実装基板と、
第1の発光素子と、第2の発光素子と、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子を支持する支持体と、蛍光体層と、を有する半導体発光装置と、
を備え、
前記支持体は、前記第1の発光素子と前記第1パッドとを接続する第1の外部端子と、前記第1の発光素子と前記第3パッドとを接続する第2の外部端子と、前記第2の発光素子と前記第3パッドとを接続する第3の外部端子と、前記第2の発光素子と前記第2パッドとを接続する第4の外部端子と、を有し、
前記支持体は、前記第1の外部端子と前記第2の外部端子との間、前記第2の外部端子と前記第3の外部端子との間、前記第3の外部端子と前記第4の外部端子との間、および前記第1の発光素子と前記第2の発光素子との間に設けられ、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子が発光する光に対する遮光性を有する樹脂層をさらに有し、
前記第1パッド、前記第2パッド、および前記第3パッドのそれぞれは金属で形成され、
前記第3パッドの前記金属の表面の面積は、前記第1パッドの前記金属の表面の面積よりも大きく、且つ、前記第2パッドの前記金属の表面の面積よりも大きく、
前記第1パッド、前記第2パッド、および前記第3パッドは、第1方向に並び、
前記第3パッドを前記第1方向に2等分する中心線に対して、前記第1パッドと前記第2パッドは対称配置されている発光ユニット。 - 前記蛍光体層は、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子にまたがって設けられている請求項1記載の発光ユニット。
- 前記第1の発光素子および前記第2の発光素子は、前記支持体と前記蛍光体層との間に設けられている請求項1または2に記載の発光ユニット。
- 前記第2の外部端子と前記第3の外部端子は、前記第1の外部端子と前記第4の外部端子との間に設けられている請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光ユニット。
- 前記第1の発光素子と前記第2の発光素子は、前記第1方向に並び、
前記第1方向に並んだ前記第1の発光素子および前記第2の発光素子を含む発光素子のグループが、前記第1方向に直交する第2方向に並んでいる請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光ユニット。 - 前記第1パッドと前記第2パッドとの間に、2つの前記第3パッドが設けられ、
前記半導体発光装置は、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子との間に設けられた第3の発光素子をさらに有し、
前記支持体は、2つの前記第3パッドのうちの一方と前記第3の発光素子とを接続する第5の外部端子と、2つの前記第3パッドのうちの他方と前記第3の発光素子とを接続する第6の外部端子と、を有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光ユニット。 - 前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、および前記第3の発光素子は、前記第1方向に並び、
前記第1方向に並んだ前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、および前記第3の発光素子を含む発光素子のグループが、前記第1方向に直交する第2方向に並んでいる請求項6記載の発光ユニット。 - 第1の発光素子と、
第2の発光素子と、
前記第1の発光素子および前記第2の発光素子を支持する支持体と、
蛍光体層と、
パッケージ内配線層と、
を備え、
前記支持体は、前記第1の発光素子と接続された第1の外部端子と、前記第2の発光素子と接続された第2の外部端子と、前記第1の外部端子と前記第2の外部端子との間に設けられ、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子と接続された第3の外部端子と、を有し、
前記パッケージ内配線層は、前記第1の発光素子と前記第1の外部端子との間、前記第1の発光素子と前記第3の外部端子との間、前記第2の発光素子と前記第2の外部端子との間、および前記第2の発光素子と前記第3の外部端子との間を接続し、
前記第3の外部端子は、前記パッケージ内配線層を介して、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子とを電気的に接続し、
前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、および前記第3の外部端子は、前記パッケージ内配線層よりも厚い金属ピラーであり、
前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、および前記第3の外部端子のそれぞれは、実装基板に接合される端面をもち、
前記第3の外部端子の前記端面は、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子との間で連続している半導体発光装置。 - 前記第3の外部端子の前記端面の面積は、前記第1の外部端子の前記端面の面積よりも大きく、且つ、前記第2の外部端子の前記端面の面積よりも大きい請求項8記載の半導体発光装置。
- 前記支持体は、前記第1の外部端子と前記第3の外部端子との間、および前記第2の外部端子と前記第3の外部端子との間に設けられた樹脂層をさらに有する請求項8または9に記載の半導体発光装置。
- 前記蛍光体層は、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子にまたがって設けられている請求項8〜10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の発光素子および前記第2の発光素子は、前記支持体と前記蛍光体層との間に設けられている請求項8〜11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1パッドと、第2パッドと、前記第1パッドと前記第2パッドとの間に設けられた第3パッドと、を有する実装基板と、
請求項8〜12のいずれか1つに記載の半導体発光装置と、
を備え、
前記第1の外部端子は前記第1パッドに接合され、前記第2の外部端子は前記第2パッドに接合され、前記第3の外部端子は前記第3パッドに接合されている発光ユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018026889A JP6633111B2 (ja) | 2018-02-19 | 2018-02-19 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018026889A JP6633111B2 (ja) | 2018-02-19 | 2018-02-19 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014187250A Division JP6295171B2 (ja) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018110253A JP2018110253A (ja) | 2018-07-12 |
JP6633111B2 true JP6633111B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=62845155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018026889A Active JP6633111B2 (ja) | 2018-02-19 | 2018-02-19 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6633111B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118137A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子チップとそのバンプ形成方法及びその半導体発光素子チップを用いたディスプレイとセグメント表示部 |
ATE524839T1 (de) * | 2004-06-30 | 2011-09-15 | Cree Inc | Verfahren zum kapseln eines lichtemittierenden bauelements und gekapselte lichtemittierende bauelemente im chip-massstab |
JP5322801B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2013-10-23 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011199193A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
US9070851B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
JP5770006B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-08-26 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2014139999A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP6086738B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2017-03-01 | シチズン時計株式会社 | Led装置 |
-
2018
- 2018-02-19 JP JP2018026889A patent/JP6633111B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018110253A (ja) | 2018-07-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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