JP2015088524A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】実施形態は、蛍光体層側から半導体層側への戻り光を抑制できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層とｐ側電極とｎ側電極とｐ側配線部とｎ側配線部と樹脂層と蛍光体層とを備えている。半導体層は、第１の面と第１の面の反対側の第２の面とを持ち、発光層を有する。ｐ側電極及びｎ側電極は第２の面側において半導体層に設けられている。ｐ側配線部は第２の面側に設けられ、ｐ側電極に接続されている。ｎ側配線部は第２の面側に設けられ、ｎ側電極に接続されている。樹脂層は、ｐ側配線部とｎ側配線部との間に設けられている。蛍光体層は、第１の面側に設けられ、第１の面との間で鈍角を形成する側面を有する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップの光取り出し面（第１の面）上に、チップサイズの蛍光体層が設けられ、光取り出し面の反対側の面（第２の面）に、配線部を含むチップサイズパッケージが設けられた半導体発光装置が提案されている。このような半導体発光装置において、蛍光体層の上面や側面で全反射した光が半導体層側に戻ってしまう問題がある。
特表２０１１−５１７０９０号公報
本発明の実施形態は、蛍光体層側から半導体層側への戻り光を抑制できる半導体発光装置を提供する。
実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、ｐ側配線部と、ｎ側配線部と、樹脂層と、蛍光体層と、を備えている。前記半導体層は、第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを持ち、発光層を有する。前記ｐ側電極は、前記第２の面側において前記半導体層に設けられている。前記ｎ側電極は、前記第２の面側において前記半導体層に設けられている。前記ｐ側配線部は、前記第２の面側に設けられ、前記ｐ側電極に接続されている。前記ｎ側配線部は、前記第２の面側に設けられ、前記ｎ側電極に接続されている。前記樹脂層は、前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられている。前記蛍光体層は、前記第１の面側に設けられ、前記第１の面との間で鈍角を形成する側面を有する。前記蛍光体層は、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し、前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材とを含む。
実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の蛍光体層の模式上面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 実施形態の半導体発光装置の模式図。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
図１は、第１実施形態の半導体発光装置１の模式断面図である。
この半導体発光装置１は、発光層１３を有する半導体層１５を備えている。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面１５ｂ（図８（ａ）参照）とを有する。
半導体層１５の第２の面１５ｂは、図９（ａ）に示すように、発光層１３を含む部分（発光領域）１５ｅと、発光層１３を含まない部分（非発光領域）１５ｆとを有する。発光層１３を含む部分１５ｅは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されている部分である。発光層１３を含まない部分１５ｆは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されていない部分である。発光層１３を含む部分１５ｅは、発光層１３の発光光を外部に取り出し可能な積層構造となっている領域を示す。
第２の面側において、発光層１３を含む部分１５ｅの上にｐ側電極１６が設けられ、発光層を含まない部分１５ｆの上にｎ側電極１７が設けられている。
ｐ側電極１６とｎ側電極１７とを通じて発光層１３に電流が供給され、発光層１３は発光する。そして、発光層１３から放射される光は、第１の面１５ａ側から半導体発光装置１の外部に出射される。
半導体層１５の第２の面側には、図１に示すように支持体１００が設けられている。半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子（ＬＥＤチップ）は、第２の面側に設けられた支持体１００によって支持されている。
半導体層１５の第１の面１５ａ側には、蛍光体層３０が設けられている。蛍光体層３０は、複数の粒子状の蛍光体３１を含む。蛍光体３１は、発光層１３の放射光により励起され、その放射光とは異なる波長の光を放射する。
複数の蛍光体３１は、結合材３２により一体化されている。結合材３２は、発光層１３の放射光および蛍光体３１の放射光を透過する。ここで「透過」とは、透過率が１００％であることに限らず、光の一部を吸収する場合も含む。
半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを有する。発光層１３は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２との間に設けられている。第１の半導体層１１および第２の半導体層１２は、例えば、窒化ガリウムを含む。
第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。第２の半導体層１２は、例えば、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を含む。発光層１３の発光ピーク波長は、例えば、４３０〜４７０ｎｍである。
半導体層１５の第２の面は、凹凸形状に加工される。その凸部は、発光層１３を含む部分１５ｅであり、凹部は、発光層１３を含まない部分１５ｆである。発光層１３を含む部分１５ｅの表面は第２の半導体層１２の表面であり、第２の半導体層１２の表面にｐ側電極１６が設けられている。発光層１３を含まない部分１５ｆの表面は第１の半導体層１１の表面であり、第１の半導体層１１の表面にｎ側電極１７が設けられている。
ｐ側電極１６は第２の半導体層１２の表面に接し、ｎ側電極１７は第１の半導体層１１の表面に接している。
半導体層１５の第２の面において、発光層１３を含む部分１５ｅの面積は、発光層１３を含まない部分１５ｆの面積よりも広い。また、発光層１３を含む部分１５ｅの表面に設けられたｐ側電極１６の面積は、発光層１３を含まない部分１５ｆの表面に設けられたｎ側電極１７の面積よりも広い。これにより、広い発光面が得られ、光出力を高くできる。
半導体層１５の第２の面、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、図１に示すように、絶縁膜１８で覆われている。絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜などの無機絶縁膜である。絶縁膜１８は、発光層１３の側面及び第２の半導体層１２の側面にも設けられ、それら側面を覆っている。
また、絶縁膜１８は、半導体層１５における第１の面１５ａから続く側面（第１の半導体層１１の側面）１５ｃにも設けられ、その側面１５ｃを覆っている。
さらに、絶縁膜１８は、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域にも設けられている。側面１５ｃの周囲の領域に設けられた絶縁膜１８は、第１の面１５ａ側で、側面１５ｃから側面１５ｃの反対側に向けて延在している。
絶縁膜１８上には、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが互いに分離して設けられている。絶縁膜１８には、図１０（ｂ）に示すように、ｐ側電極１６に通じる複数の第１の開口１８ａと、ｎ側電極１７に通じる第２の開口１８ｂが形成される。なお、第１の開口１８ａは、より大きな１つの開口でも良い。
ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８上および第１の開口１８ａの内部に設けられている。ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内に設けられたビア２１ａを介してｐ側電極１６と電気的に接続されている。
ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８上および第２の開口１８ｂの内部に設けられている。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内に設けられたビア２２ａを介してｎ側電極１７と電気的に接続されている。
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２が、第２の面側の領域の大部分を占めて絶縁膜１８上に広がっている。ｐ側配線層２１は、複数のビア２１ａを介してｐ側電極１６と接続している。
また、半導体層１５の側面１５ｃを、絶縁膜１８を介して金属膜５１が覆っている。金属膜５１は側面１５ｃに接しておらず、半導体層１５に対して電気的に接続されていない。金属膜５１は、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２に対して分離している。金属膜５１は、発光層１３の放射光及び蛍光体３１の放射光に対して反射性を有する。
金属膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、共通の下地金属膜上に、例えばめっき法により同時に形成される銅膜を含む。
図１１（ａ）は、その下地金属膜６０の模式断面図である。
金属膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を構成する例えば銅膜は、絶縁膜１８上に形成された下地金属膜６０上にめっき法で形成される。あるいは、下地金属膜６０も含めて、金属膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２が構成される。
下地金属膜６０は、絶縁膜１８側から順に積層された、アルミニウム（Ａｌ）膜６１と、チタン（Ｔｉ）膜６２と、銅（Ｃｕ）膜６３とを有する。
アルミニウム膜６１は反射膜として機能し、銅膜６３はめっきのシード層として機能する。アルミニウム及び銅の両方に対するぬれ性に優れたチタン膜６２は、密着層として機能する。
例えば、下地金属膜６０の厚さは１μｍ程度であり、金属膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２のそれぞれの厚さは数μｍである。
また、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域においては下地金属膜６０上にめっき膜（銅膜）を形成せずに、金属膜５１は下地金属膜６０からなる膜であってもよい。金属膜５１は、少なくともアルミニウム膜６１を含むことで、発光層１３の放射光及び蛍光体３１の放射光に対して高い反射率を有する。
また、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２の下にもアルミニウム膜６１が残されるので、第２の面側の大部分の領域にアルミニウム膜（反射膜）６１が広がって形成されている。これにより、蛍光体層３０側に向かう光の量を増大できる。
ｐ側配線層２１における半導体層１５とは反対側の面には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３は、ｐ側配線部４１を形成している。
ｎ側配線層２２における半導体層１５とは反対側の面には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線層２２及びｎ側金属ピラー２４は、ｎ側配線部４３を形成している。
ｐ側配線部４１とｎ側配線部４３との間には、絶縁膜として樹脂層２５が設けられている。樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３の側面とｎ側金属ピラー２４の側面に接するように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に設けられている。すなわち、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に、樹脂層２５が充填されている。
また、樹脂層２５は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間、ｐ側配線層２１と金属膜５０との間、およびｎ側配線層２２と金属膜５０との間に設けられている。
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３の周囲およびｎ側金属ピラー２４の周囲に設けられ、ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面を覆っている。
また、樹脂層２５は、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域にも設けられ、金属膜５１を覆っている。
ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｎ側外部端子２４ａとして機能する。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、例えば、はんだ、または導電性の接合材を介して、実装基板のランドパターンに接合される。
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、樹脂層２５の同じ面（図１における下面）内で離間して並んで形成されている。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、絶縁膜１８上におけるｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔よりも広い。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、実装時のはんだの広がりよりも大きくする。これにより、はんだを通じた、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の短絡を防ぐことができる。
これに対し、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔は、プロセス上の限界まで狭くすることができる。このため、ｐ側配線層２１の面積、およびｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３との接触面積の拡大を図れる。これにより、発光層１３の熱の放散を促進できる。
また、複数のビア２１ａを通じてｐ側配線層２１がｐ側電極１６と接する面積は、ビア２２ａを通じてｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも広い。これにより、発光層１３に流れる電流の分布を均一化できる。
絶縁膜１８上で広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側電極１７の面積よりも広くできる。そして、ｎ側配線層２２の上に設けられるｎ側金属ピラー２４の面積（ｎ側外部端子２４ａの面積）をｎ側電極１７よりも広くできる。これにより、信頼性の高い実装に十分なｎ側外部端子２４ａの面積を確保しつつ、ｎ側電極１７の面積を小さくすることが可能となる。すなわち、半導体層１５における発光層１３を含まない部分（非発光領域）１５ｆの面積を縮小し、発光層１３を含む部分（発光領域）１５ｅの面積を広げて光出力を向上させることが可能となる。
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７及びｎ側配線層２２を介してｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６及びｐ側配線層２１を介してｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
ｐ側金属ピラー２３の厚さ（ｐ側配線層２１とｐ側外部端子２３ａとを結ぶ方向の厚さ）は、ｐ側配線層２１の厚さよりも厚い。ｎ側金属ピラー２４の厚さ（ｎ側配線層２２とｎ側外部端子２４ａとを結ぶ方向の厚さ）は、ｎ側配線層２２の厚さよりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。
金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は、１以上であっても良いし、１より小さくても良い。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズより厚くても良いし、薄くても良い。
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体１００の厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子（ＬＥＤチップ）の厚さよりも厚い。
半導体層１５は、後述するように基板上にエピタキシャル成長法により形成される。その基板は、支持体１００を形成した後に除去され、半導体層１５は第１の面１５ａ側に基板を含まない。半導体層１５は、剛直な板状の基板にではなく、金属ピラー２３、２４と樹脂層２５との複合体からなる支持体１００によって支持されている。
ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３の材料として、例えば、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えば、エポキシ樹脂を主に含む樹脂、シリコーン樹脂を主に含む樹脂、フッ素樹脂を主に含む樹脂を挙げることができる。
また、樹脂層２５におけるベースとなる樹脂に遮光材（光吸収剤、光反射剤、光散乱剤など）が含まれ、樹脂層２５は発光層１３の発光光に対して遮光性を有する。これにより、支持体１００の側面及び実装面側からの光漏れを抑制することができる。
半導体発光装置の実装時の熱サイクルにより、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａを実装基板のランドに接合させるはんだ等に起因する応力が半導体層１５に加わる。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、その応力を吸収し緩和する。特に、半導体層１５よりも柔軟な樹脂層２５を支持体１００の一部として用いることで、応力緩和効果を高めることができる。
金属膜５１は、ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３に対して分離している。このため、実装時にｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４に加わる応力は、金属膜５１には伝達されない。したがって、金属膜５１の剥離を抑制することができる。また、半導体層１５の側面１５ｃ側に加わる応力を抑制することができる。
後述するように、半導体層１５の形成に用いた基板は、半導体層１５から除去される。これにより、半導体発光装置１は低背化される。また、基板の除去により、半導体層１５の第１の面１５ａに微小凹凸を形成することができ、光取り出し効率の向上を図れる。
例えば、第１の面１５ａに対して、アルカリ系溶液を使ったウェットエッチングを行い微小凹凸を形成する。これにより、第１の面１５ａでの全反射成分を減らして、光取り出し効率を向上できる。
基板が除去された後、第１の面１５ａ上に絶縁膜１９を介して蛍光体層３０が形成される。絶縁膜１９は、半導体層１５と蛍光体層３０との密着性を高める密着層として機能し、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜である。
蛍光体層３０は、結合材３２中に複数の粒子状の蛍光体３１が分散された構造を有する。結合材３２には、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。
蛍光体層３０は、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域上にも形成される。したがって、蛍光体層３０の平面サイズは半導体層１５の平面サイズよりも大きい。半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域においては、絶縁膜１８及び絶縁膜１９上に蛍光体層３０が設けられている。
蛍光体層３０は、半導体層１５の第１の面１５ａ上、および半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域上に限定され、半導体層１５の第２の面側、金属ピラー２３、２４の周囲、および支持体１００の側面にまわりこんで形成されていない。
すなわち、実施形態の半導体発光装置１は、チップサイズパッケージ構造の非常に小型の半導体発光装置である。このため、例えば照明用灯具などへの適用に際して、灯具デザインの自由度が高まる。
また、光を外部に取り出さない実装面側には蛍光体層３０が無駄に形成されず、コスト低減が図れる。また、第１の面１５ａ側に基板がなくても、第２の面側に広がるｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２を介して発光層１３の熱を実装基板側に放散させることができ、小型でありながらも放熱性に優れている。
一般的なフリップチップ実装では、ＬＥＤチップを実装基板にバンプなどを介して実装した後に、チップ全体を覆うように蛍光体層が形成される。あるいは、バンプ間に樹脂がアンダーフィルされる。
これに対して実施形態によれば、実装前の状態で、ｐ側金属ピラー２３の周囲及びｎ側金属ピラー２４の周囲には、蛍光体層３０と異なる樹脂層２５が設けられ、実装面側に応力緩和に適した特性を与えることができる。また、実装面側にすでに樹脂層２５が設けられているため、実装後のアンダーフィルが不要となる。
第１の面１５ａ側には、光取り出し効率、色変換効率、配光特性などを優先した設計の蛍光体層３０が設けられ、実装面側には、実装時の応力緩和や、基板に代わる支持体としての特性を優先した樹脂層２５が設けられる。例えば、樹脂層２５は、ベースとなる樹脂にシリカ粒子などのフィラーが高密度充填された構造を有し、支持体として適切な硬さに調整されている。
発光層１３から第１の面１５ａ側に放射された光は蛍光体層３０に入射し、一部の光は蛍光体３１を励起し、発光層１３の光と、蛍光体３１の光との混合光として例えば白色光が得られる。
ここで、第１の面１５ａ上に基板があると、蛍光体層３０に入射せずに、基板の側面から外部に漏れる光が生じる。すなわち、基板の側面から発光層１３の光の色みの強い光が漏れ、蛍光体層３０を上面から見た場合に、外縁側に青色光のリングが見える現象など、色割れや色ムラの原因になり得る。
これに対して、実施形態によれば、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間には基板がないため、基板側面から発光層１３の光の色みが強い光が漏れることによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
さらに、実施形態によれば、半導体層１５の側面１５ｃに、絶縁膜１８を介して金属膜５１が設けられている。発光層１３から半導体層１５の側面１５ｃに向かった光は、金属膜５１で反射し、外部に漏れない。このため、基板が第１の面１５ａ側にない特徴とあいまって、半導体発光装置の側面側からの光漏れによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
金属膜５１と、半導体層１５の側面１５ｃとの間に設けられた絶縁膜１８は、金属膜５１に含まれる金属の半導体層１５への拡散を防止する。これにより、半導体層１５の例えばＧａＮの金属汚染を防ぐことができ、半導体層１５の劣化を防ぐことができる。
絶縁膜１８及び絶縁膜１９は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶縁膜である。すなわち、半導体層１５の第１の面１５ａ、第２の面、第１の半導体層１１の側面１５ｃ、第２の半導体層１２の側面、発光層１３の側面は、無機絶縁膜で覆われている。無機絶縁膜は半導体層１５を囲み、金属や水分などから半導体層１５をブロックする。
また、実施形態によれば、蛍光体層３０の側面３０ｂが、半導体層１５の第１の面１５ａおよび蛍光体層３０の上面３０ａに対して傾斜している。
蛍光体層３０の側面３０ｂは、第１の面１５ａとの間で鈍角を形成している。すなわち、第１の面１５ａと蛍光体層３０の側面３０ｂとがなす角の角度θが９０°よりも大きい。
蛍光体層３０は、第１の面１５ａ側から上面３０ａ側にかけて徐々に平面サイズが大きくなっている。蛍光体層３０の側面３０ｂは、支持体１００の側面（樹脂層２５の側面）よりも第１の面１５ａの面方向の外側に位置している。
蛍光体層３０の側面３０ｂには、光散乱効果により光取り出し効率を向上させるようなサイズ及び密度の凹凸が意図的に形成されず、蛍光体層３０の側面３０ｂは実質平坦面である。
その蛍光体層３０の側面３０ｂは第１の面１５ａに対して鈍角を形成して傾斜している。そのため、図１において模式的に破線矢印で表すように、蛍光体層３０の側面３０ｂに向かって進む光（発光層１３の放射光、蛍光体３１の放射光）の側面３０ｂに対する入射角が大きくなり、側面３０ｂと空気層との界面で上面３０ａ側へと全反射する成分が増加する。
このため、蛍光体層３０の上面３０ａから取り出される光量を増加できるとともに、半導体層１５側への戻り光が低減し、半導体層１５、金属、絶縁膜、樹脂材料における光の吸収損失を抑えることができる。したがって、実施形態によれば、チップサイズパッケージ構造という超小型構造でありながら、高効率かつ高信頼性の半導体発光装置を提供することができる。
図２は、第２実施形態の半導体発光装置２の模式断面図である。
第２実施形態の半導体発光装置２においては、第１実施形態の半導体発光装置１の構成に加えて、蛍光体層３０の上面３０ａに、断面Ｖ字形状の溝３５を形成している。その他構成は、第１実施形態と同じである。
溝３５の側面（内壁面）３６は、蛍光体層３０の上面３０ａおよび半導体層１５の第１の面１５ａに対して傾斜している。
図７（ａ）及び（ｂ）は、溝３５が形成された蛍光体層３０の模式上面図である。
図７（ａ）に示すように、溝３５はライン状に形成されている。溝３５は、蛍光体層３０の上面３０ａの外形線に沿った方向に延びている。あるいは、溝３５は、蛍光体層３０の上面３０ａの外形線に対して傾斜した方向に沿って延びていてもよい。
また、図７（ｂ）に示すように、蛍光体層３０の上面３０ａに複数本のライン状の溝３５を形成してもよい。
溝３５の深さは、蛍光体層３０に含まれる蛍光体３１のサイズよりも大きい。ここで、蛍光体３１のサイズとは、複数の蛍光体３１の平均粒径、または粒径分布におけるピーク粒径、または最大粒径を表す。溝３５の深さは、例えば数十μｍである。
なお、溝３５における２つの側面（傾斜面）３６がつながる底部が曲率を持っているような溝も、本明細書における断面Ｖ字形状の溝に含まれる。
蛍光体層３０の上面３０ａに対する入射角が大きく上面３０ａで全反射し得るような光成分も、第２実施形態によれば、図２において模式的に破線矢印で表すように、Ｖ字溝３５の側面（傾斜面）３６から蛍光体層３０の外側に取り出すことができる。
このため、蛍光体層３０の側面３０ｂでの全反射によって上面３０ａ側への光成分を増加させつつ、さらに上面３０ａに向かった光をＶ字溝３５によって効率良く外部へと取り出すことができる。
また、Ｖ字溝３５を形成する位置、数、深さ、側面（傾斜面）３６の傾斜角度の調整により、蛍光体層３０から取り出される光の広がり角度（配光特性）の調整が可能である。
したがって、チップサイズパッケージという超小型の半導体発光装置でありながら、配光特性の制御が容易である。
図３は、第３実施形態の半導体発光装置３の模式断面図である。
第３実施形態の半導体発光装置３においては、第１実施形態の半導体発光装置１の構成に加えて、蛍光体層３０の上面３０ａに凹凸を形成している。その他構成は、第１実施形態と同じである。
蛍光体層３０の上面３０ａに凹凸を形成することで、光散乱効果により、上面３０ａでの全反射成分を低減して、上面３０ａからの光取り出し効率を向上させることができる。
例えば、エッチングや研削によって、蛍光体層３０の上面３０ａに凹凸を形成することができる。
蛍光体層３０の側面３０ｂはダイシングによって多少粗くなる場合があるが、散乱効果による光取り出し効率の向上のために意図的に凹凸が形成された上面３０ａに比べて、側面３０ｂの表面粗さは小さい。蛍光体層３０の側面３０ｂは、上面３０ａに比べて平坦であり、好ましくは実質平坦面である。
第３実施形態によれば、蛍光体層３０の側面３０ｂでの全反射によって上面３０ａ側への光成分を増加させつつ、さらに上面３０ａに向かった光を凹凸での散乱効果により効率良く外部へと取り出すことができる。
図４は、第４実施形態の半導体発光装置４の模式断面図である。
第４実施形態の半導体発光装置４は、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構造を有する。
すなわち、蛍光体層３０の上面３０ａにライン状のＶ字溝３５が形成され、さらに上面３０ａにおいてＶ字溝３５が形成された領域以外の領域に凹凸が形成されている。凹凸における凹部の深さおよび凸部の高さは、Ｖ字溝３５の深さよりも小さい。
したがって、第４実施形態によれば、蛍光体層３０の側面３０ｂでの全反射によって上面３０ａ側への光成分を増加させつつ、さらに上面３０ａに向かった光を、Ｖ字溝３５および凹凸によって効率良く外部へと取り出すことができる。
図５（ａ）は、第５実施形態の半導体発光装置５の模式断面図である。
第５実施形態の半導体発光装置５では、第２実施形態の半導体発光装置２と同様に、蛍光体層３０の上面３０ａにＶ字溝３５が形成されている。なお、蛍光体層３０の側面は、第２実施形態とは異なり、傾斜していない。蛍光体層３０の側面と、支持体１００の側面（樹脂層２５の側面）とが揃っている。その他の構成は、第２実施形態と同じである。
第５実施形態によれば、蛍光体層３０の上面３０ａに対する入射角が大きく上面３０ａで全反射し得るような光成分も、Ｖ字溝３５の側面（傾斜面）３６から蛍光体層３０の外側に取り出すことができる。
また、Ｖ字溝３５を形成する位置、数、深さ、側面（傾斜面）３６の傾斜角度の調整により、蛍光体層３０から取り出される光の広がり角度（配光特性）の調整が可能である。
したがって、チップサイズパッケージという超小型の半導体発光装置でありながら、配光特性の制御が容易である。
図５（ｂ）は、第６実施形態の半導体発光装置６の模式断面図である。
第６実施形態の半導体発光装置６によれば、第５実施形態の半導体発光装置５の構成に加えて、蛍光体層３０の上面３０ａに凹凸を形成している。
すなわち、蛍光体層３０の上面３０ａにライン状のＶ字溝３５が形成され、さらに上面３０ａにおいてＶ字溝３５が形成された領域以外の領域に凹凸が形成されている。凹凸における凹部の深さおよび凸部の高さは、Ｖ字溝３５の深さよりも小さい。
したがって、第６実施形態によれば、Ｖ字溝３５および凹凸によって、蛍光体層３０の上面３０ａから効率良く外部へと光を取り出すことができる。
図６は、第７実施形態の半導体発光装置７の模式断面図である。
なお、蛍光体層３０の構成は、図１に示す蛍光体層３０を例示しているが、第７実施形態の半導体発光装置７において、蛍光体層３０としては、図１、２、３、４、５（ａ）、５（ｂ）のいずれかの蛍光体層３０を適用することができる。
この第７実施形態の半導体発光装置７によれば、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域において、金属膜５１を半導体発光装置７の外側に向かって延在させている。すなわち、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域に、第１の面１５ａ上からはみ出した蛍光体層３０に対向して金属膜５１が設けられている。
このため、半導体発光装置７の端部領域の蛍光体３１の放射光において、支持体１００側に向かう光を金属膜５１で反射させて蛍光体層３０側に戻すことができる。
したがって、半導体発光装置７の端部領域において、蛍光体３１の放射光が樹脂層２５に吸収されることによる損失を防いで、蛍光体層３０側からの光取り出し効率を高めることができる。
金属膜５１と蛍光体層３０との間に設けられた絶縁膜１８、１９は、金属膜５１と蛍光体層３０の樹脂成分との密着性を高める。
次に、図８（ａ）〜図１４（ｂ）を参照して、実施形態の半導体発光装置の製造方法について説明する。
図８（ａ）に示すように、例えば、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法により、基板１０の主面上に、第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２が順にエピタキシャル成長される。
半導体層１５において、基板１０側の面が第１の面１５ａであり、基板１０の反対側の面が第２の面１５ｂである。
基板１０は、例えばシリコン基板である。または、基板１０はサファイア基板であってもよい。半導体層１５は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む窒化物半導体層である。
第１の半導体層１１は、例えば、基板１０の主面上に設けられたバッファ層と、バッファ層上に設けられたｎ型ＧａＮ層とを有する。第２の半導体層１２は、例えば、発光層１３の上に設けられたｐ型ＡｌＧａＮ層と、その上に設けられたｐ型ＧａＮ層とを有する。発光層１３は、例えば、ＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。
図８（ｂ）は、第２の半導体層１２および発光層１３を選択的に除去した状態を表している。例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、第２の半導体層１２及び発光層１３を選択的にエッチングし、第１の半導体層１１を露出させる。
次に、図９（ａ）に示すように、第１の半導体層１１を選択的に除去し、溝９０を形成する。基板１０の主面上で、溝９０によって半導体層１５は複数に分離される。溝９０は、ウェーハ状の基板１０上に例えば格子状パターンで形成される。
溝９０は、半導体層１５を貫通し、基板１０に達する。エッチング条件によっては、基板１０の主面も少しエッチングされ、溝９０の底面が、基板１０と半導体層１５との界面よりも下方に後退する場合もある。なお、溝９０は、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を形成した後に形成してもよい。
図９（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の表面にｐ側電極１６が形成される。また、第２の半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去された領域の第１の半導体層１１の表面に、ｎ側電極１７が形成される。
発光層１３が積層された領域に形成されるｐ側電極１６は、発光層１３の放射光を反射する反射膜を含む。例えば、ｐ側電極１６は、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、反射膜の硫化、酸化防止のため、ｐ側電極１６は、金属保護膜（バリアメタル）を含む。
次に、図１０（ａ）に表すように、基板１０の上に設けられた構造体を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８は、半導体層１５の第２の面、ｐ側電極１６及びｎ側電極１７を覆う。また、絶縁膜１８は、半導体層１５の第１の面１５ａに続く側面１５ｃを覆う。さらに、絶縁膜１８は、溝９０の底面の基板１０の表面にも形成される。
絶縁膜１８は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。絶縁膜１８には、例えば、レジストマスクを用いたウェットエッチングにより、図１０（ｂ）に示すように第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂが形成される。第１の開口１８ａはｐ側電極１６に達し、第２の開口１８ｂはｎ側電極１７に達する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内壁（側壁および底面）、および第２の開口１８ｂの内壁（側壁および底面）に、下地金属膜６０を形成する。下地金属膜６０は、図１１（ａ）に示すように、アルミニウム膜６１と、チタン膜６２と、銅膜６３とを有する。下地金属膜６０は、例えば、スパッタ法により形成される。
次に、下地金属膜６０上に、図１１（ｂ）に示すレジストマスク９１を選択的に形成した後、下地金属膜６０の銅膜６３をシード層として用いた電解銅めっき法により、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２及び金属膜５１を形成する。
ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内にも形成され、ｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内にも形成され、ｎ側電極１７と電気的に接続される。
次に、レジストマスク９１を、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを使って除去した後、図１２（ａ）に示すレジストマスク９２を選択的に形成する。あるいは、レジストマスク９１を除去せずに、レジストマスク９２を形成してもよい。
レジストマスク９２を形成した後、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２をシード層として用いた電解銅めっき法により、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を形成する。
ｐ側金属ピラー２３は、ｐ側配線層２１上に形成される。ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とは同じ銅材料で一体化される。ｎ側金属ピラー２４は、ｎ側配線層２２上に形成される。ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とは同じ銅材料で一体化される。
レジストマスク９２は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを使って除去される。この時点で、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２は下地金属膜６０を介してつながっている。また、ｐ側配線層２１と金属膜５１も下地金属膜６０を介してつながり、ｎ側配線層２２と金属膜５１も下地金属膜６０を介してつながっている。
そこで、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の下地金属膜６０、ｐ側配線層２１と金属膜５１との間の下地金属膜６０、およびｎ側配線層２２と金属膜５１との間の下地金属膜６０をエッチングにより除去する。
これにより、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との電気的接続、ｐ側配線層２１と金属膜５１との電気的接続、およびｎ側配線層２２と金属膜５１との電気的接続が分断される。
半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域に形成された金属膜５１は、電気的にはフローティングであり、電極として機能せず、反射膜として機能する。金属膜５１は、少なくともアルミニウム膜６１を含めば、反射膜としての機能は確保される。
次に、図１２（ｂ）に示す構造体の上に、図１３（ａ）に示す樹脂層２５を形成する。樹脂層２５は、ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３を覆う。また、樹脂層２５は、金属膜５１を覆う。
樹脂層２５は、ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３とともに支持体１００を構成する。その支持体１００に半導体層１５が支持された状態で、基板１０が除去される。
例えば、シリコン基板である基板１０が、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去される。あるいは、基板１０がサファイア基板の場合には、レーザーリフトオフ法により除去することができる。
基板１０上にエピタキシャル成長された半導体層１５は、大きな内部応力を含む場合がある。また、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、例えばＧａＮ系材料の半導体層１５に比べて柔軟な材料である。したがって、エピタキシャル成長時の内部応力が基板１０の剥離時に一気に開放されたとしても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、その応力を吸収する。このため、基板１０を除去する過程における半導体層１５の破損を回避することができる。
基板１０の除去により、図１３（ｂ）に示すように、半導体層１５の第１の面１５ａが露出される。露出された第１の面１５ａには、微小凹凸が形成される。例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。このエッチングでは、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いが生じる。このため、第１の面１５ａに凹凸を形成することができる。第１の面１５ａに微小凹凸を形成することにより、発光層１３の放射光の取り出し効率を向上させることができる。
第１の面１５ａ上には、図１４（ａ）に示すように、絶縁膜１９を介して蛍光体層３０が形成される。蛍光体層３０は、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法により形成される。絶縁膜１９は、半導体層１５と蛍光体層３０との密着性を高める。
また、蛍光体層３０として、蛍光体を結合材を介して焼結させた焼結蛍光体を、絶縁膜１９を介して蛍光体層３０に接着してもよい。
また、蛍光体層３０は、半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域の上にも形成される。半導体層１５の側面１５ｃの周囲の領域にも樹脂層２５が設けられている。その樹脂層２５の上に、絶縁膜１８及び１９を介して、蛍光体層３０が形成される。
前述した溝３５や凹凸は、複数の半導体発光装置に個片化するダイシング前のウェーハ状態で蛍光体層３０の上面に形成される。
蛍光体層３０を形成した後、樹脂層２５の表面（図１４（ａ）における下面）が研削され、図１４（ｂ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４が樹脂層２５から露出される。ｐ側金属ピラー２３の露出面はｐ側外部端子２３ａとなり、ｎ側金属ピラー２４の露出面はｎ側外部端子２４ａとなる。
次に、複数の半導体層１５を分離した前述の溝９０が形成された領域でダイシングする。すなわち、蛍光体層３０、絶縁膜１９、絶縁膜１８、および樹脂層２５が切断される。これらは、例えば、ダイシングブレード、またはレーザ光により切断される。半導体層１５は、ダイシング領域に存在しないためダイシングによるダメージを受けない。
個片化される前の前述した各工程は、多数の半導体層１５を含むウェーハ状態で行われる。ウェーハは、少なくとも１つの半導体層１５を含む半導体発光装置として個片化される。なお、半導体発光装置は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも良いし、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であっても良い。
個片化される前の前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線層の形成、ピラーの形成、樹脂層によるパッケージング、および蛍光体層の形成を行う必要がなく、大幅なコストの低減が可能になる。
また、例えば、先端側の側面が傾斜したブレードを使ってウェーハをダイシングすることで、蛍光体層３０の側面３０ｂを図１などに示すように第１の面１５ａに対して鈍角を形成して傾斜する形状にすることができる。
以上説明した実施形態は、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すサイドビュータイプの半導体発光装置８にも適用することができる。
図１５（ａ）及び（ｂ）に示す第８実施形態の半導体発光装置８は、樹脂層２５から露出され、外部との接続を担う金属ピラー２３、２４の露出面が上記実施形態と異なり、他の構成は上記実施形態と同じである。
図１５（ａ）は、半導体発光装置８の模式斜視図である。
図１５（ｂ）は、半導体発光装置８を実装基板３１０上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａおよびその反対側の第２の面１５ｂとは異なる面方位の第３の面２５ｂで、樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板３１０に実装するためのｐ側外部端子２３ｂとして機能する。
例えば、第３の面２５ｂは、半導体層１５の第１の面１５ａおよび第２の面１５ｂに対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば、矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂである。
その同じ第３の面２５ｂにおいて、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板３１０に実装するためのｎ側外部端子２４ｂとして機能する。
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂ以外の部分は、樹脂層２５に覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂに露出しているｎ側外部端子２４ｂ以外の部分は、樹脂層２５に覆われている。
図１５（ｂ）に示すように、半導体発光装置８は、第３の面２５ｂを基板３１０の実装面３０１に向けた姿勢で実装される。第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂおよびｎ側外部端子２４ｂは、それぞれ、実装面３０１に設けられたパッド３０２に、はんだ３０３を介して接合される。基板３１０の実装面３０１には、例えば、外部回路につながる配線パターンが設けられ、パッド３０２はその配線パターンに接続されている。
第３の面２５ｂは、光の主な出射面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面２５ｂを実装面３０１側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面３０１に対して、平行な横方向または傾いた方向に向く。すなわち、サイドビュータイプの半導体発光装置は、実装面３０１に平行な横方向または斜めの方向に光を放出する。
なお、図１５（ａ）及び（ｂ）には第１実施形態の蛍光体層３０を例示しているが、サイドビュータイプの半導体発光装置８において、蛍光体層３０としては、図１、２、３、４、５（ａ）、５（ｂ）のいずれかの蛍光体層３０を適用することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１１…第１の半導体層、１２…第２の半導体層、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１５ｂ…第２の面、１５ｃ…側面、１６…ｐ側電極、１７…ｎ側電極、１８…絶縁膜、２１…ｐ側配線層、２２…ｎ側配線層、２３…ｐ側金属ピラー、２４…ｎ側金属ピラー、２５…樹脂層、３０…蛍光体層、３０ａ…蛍光体層の上面、３０ｂ…蛍光体層の側面、３５…溝、５１…金属膜、１００…支持体

Claims (14)

  1. 第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを持ち、発光層を有する半導体層と、
    前記第２の面側において前記半導体層に設けられたｐ側電極と、
    前記第２の面側において前記半導体層に設けられたｎ側電極と、
    前記第２の面側に設けられ、前記ｐ側電極に接続されたｐ側配線部と、
    前記第２の面側に設けられ、前記ｎ側電極に接続されたｎ側配線部と、
    前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられた樹脂層と、
    前記第１の面側に設けられ、前記第１の面との間で鈍角を形成する側面を有する蛍光体層であって、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し、前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材とを含む蛍光体層と、
    を備えた半導体発光装置。
  2. 前記蛍光体層の前記側面は、前記蛍光体層の上面に比べて平坦である請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 前記蛍光体層の上面に、前記上面に対して傾斜した側面を有するライン状の溝が形成されている請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記溝の断面形状は、Ｖ字形状である請求項３記載の半導体発光装置。
  5. 前記溝の深さは、前記蛍光体のサイズよりも大きい請求項３または４に記載の半導体発光装置。
  6. 第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを持ち、発光層を有する半導体層と、
    前記第２の面側において前記半導体層に設けられたｐ側電極と、
    前記第２の面側において前記半導体層に設けられたｎ側電極と、
    前記第２の面側に設けられ、前記ｐ側電極に接続されたｐ側配線部と、
    前記第２の面側に設けられ、前記ｎ側電極に接続されたｎ側配線部と、
    前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられた樹脂層と、
    前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し、前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材とを含む蛍光体層と、
    を備え、
    前記蛍光体層の上面に、前記上面に対して傾斜した側面を有するライン状の溝が形成されている半導体発光装置。
  7. 前記溝の断面形状は、Ｖ字形状である請求項６記載の半導体発光装置。
  8. 前記溝の深さは、前記蛍光体のサイズよりも大きい請求項６または７に記載の半導体発光装置。
  9. 前記蛍光体層の前記上面における前記溝が形成された領域以外の領域に凹凸が形成されている請求項６〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  10. 前記ｐ側配線部は、前記ｐ側電極に接続されたｐ側配線層と、前記ｐ側配線層に接続され、前記ｐ側配線層よりも厚いｐ側金属ピラーとを有し、
    前記ｎ側配線部は、前記ｎ側電極に接続されたｎ側配線層と、前記ｎ側配線層に接続され、前記ｎ側配線層よりも厚いｎ側金属ピラーとを有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  11. 前記ｐ側金属ピラー及び前記ｎ側金属ピラーのそれぞれは、同じ面内で並んだ外部接続可能な端部を有する請求項１０記載の半導体発光装置。
  12. 前記半導体層は前記第１の面側に基板を含まず、
    前記蛍光体層は、前記半導体層との間に基板を介することなく前記第１の面側に設けられている請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  13. 前記半導体層における前記第１の面に続く側面を覆う金属膜をさらに備えた請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  14. 前記樹脂層は、前記発光層の放射光に対して遮光性を有する請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
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