JP6361647B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6361647B2 JP6361647B2 JP2015255733A JP2015255733A JP6361647B2 JP 6361647 B2 JP6361647 B2 JP 6361647B2 JP 2015255733 A JP2015255733 A JP 2015255733A JP 2015255733 A JP2015255733 A JP 2015255733A JP 6361647 B2 JP6361647 B2 JP 6361647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light emitting
- phosphor layer
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 171
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 89
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 89
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 13
- -1 rare earth nitride Chemical class 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 6
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)Cl.P Chemical compound O[Si](O)(O)Cl.P RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQDQNSCVHDYULB-UHFFFAOYSA-N [Eu+4] Chemical compound [Eu+4] RQDQNSCVHDYULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) Chemical compound [Cr+3] BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
蛍光体層の部分であって発光素子の上面を覆っている部分に反射層が形成されると、発光装置の光束および光質に影響を及ぼすため、発光装置の発光効率が低下するおよび所望の特性を有する発光を得ることができないという問題を生ずる。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある点も留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
図1(a)は本発明の実施形態に係る発光装置100の模式平面図であり、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線断面を示す模式断面図ある。発光装置100は、基板(樹脂パッケージ)8と、基板8上に配置された発光素子2と、発光素子2の側面および上面に配置された蛍光体層3と、蛍光体層3を介して発光素子2の側面および上面に配置された光透過層4と、蛍光体層3および光透過層4を介して発光素子2の上面を露出するように発光素子2の側面を被覆する反射層5とを有する。
発光素子2は、少なくとも1つの金属ワイヤ6を介して、基板の上に設けた配線と電気的に接続されてよい。図1(a)、(b)に示す実施形態では、リード1A、1Bが基板(樹脂パッケージ)8に設けた配線として機能し、2つの金属ワイヤ6により発光素子2の正極および負極とリード(配線)1A、1Bとが接続されている。また、金属ワイヤ6を用いずに、例えばフリップチップ実装により発光素子2と基板の上に設けた配線とを電気的に接続してよい。
反射層5は、光透過層延在部4Aの少なくとも一部に延在している(形成されている)反射層延在部5Aを有してよい。図1(b)に示す実施形態では、反射層延在部5Aは樹脂パッケージ8の凹部11に形成されている。反射層延在部5Aを有するように反射層5を形成することで、凹部11の底面(または光透過層延在部4A)に向かって進む光を反射できることから、発光装置100の発光効率をより高くすることができる。なお、図1(b)に示す実施形態では、反射層5と反射層延在部5Aとは、同時に、一体として形成しているが、これに限定されない。つまり、反射層5と反射層延在部5Aは別々の工程で形成してもよい。
光透過層4の蛍光体層3と反対側の表面の表面粗さは、好ましくは8μm以下である。
(1)発光素子
発光素子2は、任意の発光素子でよく、発光ダイオードであってよい。発光素子2は、半導体積層体を備えてよく、窒化物半導体積層体を備えることが好ましい。半導体積層体(好ましくは窒化物半導体積層体)は、順に、第1半導体層(例えば、n型半導体層)、発光層および第2半導体層(例えば、p型半導体層)を有してよい。
また、半導体積層体の同一面側(例えば、第2半導体層側の面)に、第1半導体層に電気的に接続された電極と、第2半導体層に電気的に接続された電極との双方を有することが好ましい。
蛍光体層3は、樹脂と蛍光体を含む。詳細を後述するように、間欠的にスプレー塗布する方法を含むスプレー法を用いて蛍光体層3を形成する場合、蛍光体として、以下に示す蛍光体から選択する1種以上を用いてよい。また、樹脂として以下に示す樹脂を用いてよい。なお、蛍光体層3の好ましい厚さとして20μm〜100μmを挙げることができる。とりわけ、蛍光体層3を間欠的にスプレー塗布して形成する等により、厚さが比較的均一な蛍光体層3を得ることができる場合、厚さを20μm〜100μmとすることが好ましい。また、蛍光体層3に含まれる蛍光体の平均粒径は3μm〜30μmであることが好ましい。蛍光体の平均粒径はFisher Sub Sieve Sizer‘s No(フィッシャー、サブ、シーブ、サイザーズ、ナンバー)と呼ばれる空気透過法により求めることができる。
(i)アルミニウムガーネット系等のガーネット系蛍光体(例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体等)
(ii)ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)系蛍光体
(iii)ユウロピウムで賦活されたシリケート系((Sr,Ba)2SiO4)蛍光体
(iv)β−SiAlON系蛍光体
(v)CASN(CaAlSiN3:Eu)系又はSCASN系等の窒化物系蛍光体
(vi)LnSi3N11系、LnSiAlON系等の希土類窒化物系蛍光体(Lnは希土類元素)
(vii)BaSi2O2N2:Eu系、Ba3Si6O12N2:Eu系等の酸窒化物系蛍光体
(viii)マンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体(例えば、KSF系(K2SiF6:Mn)蛍光体)
(ix)CaS系(CaS:Eu)、SrGa2S4系(SrGa2S4:Eu)、SrAl2O4系、ZnS系等の硫化物系蛍光体
(x)クロロシリケート系蛍光体
(xi)半導体材料、例えば、II−VI族、III−V族、IV−VI族半導体、具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSxSe1−x/ZnS、GaP等のナノサイズの高分散粒子であるいわゆるナノクリスタル、量子ドット(Q−Dots)と称される発光物質などを、単独又は組み合わせて用いてよい。
なお、量子ドット蛍光体は、不安定であるため、PMMA(ポリメタクリル酸メチル)、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、これらのハイブリッド樹脂などで粒子の表面が被覆又は安定化されたものでもよい。
蛍光体層3に用いる樹脂は、透光性であるものが好ましく、例えば、発光素子から出射される光の60%以上を透過させ、90%以上を透過させるものがより好ましい。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物(シリコーン変性エポキシ樹脂等)、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物(エポキシ変性シリコーン樹脂等)、ハイブリッドシリコーン樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂、ユリア樹脂、BTレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。
蛍光体層3は、必要に応じて、充填、光拡散、着色等の機能を有する添加物を含んでよい。添加物として、ガラスファイバー、ワラストナイト等の繊維状フィラー、窒化アルミニウム、カーボン等の無機フィラー、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。
光透過層4は例えば、樹脂を用いて形成してよく、光透過層4を構成する樹脂として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物(シリコーン変性エポキシ樹脂等)、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物(エポキシ変性シリコーン樹脂等)、ハイブリッドシリコーン樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂、ユリア樹脂、BTレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。
反射層5を形成する材料は、特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラスまたはこれらの複合材料等を含む任意の材料であってよい。これらの中でも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。
反射層5は、発光素子2が出射した光に対する反射率が60%以上であり、好ましくは90%以上である。
反射層5は、入射した光を反射するように、樹脂等の上述した材料に、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、および各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)等のような光反射材、光散乱材または着色材等を含有させてよい。
封止部材7を設ける場合、封止部材7を樹脂により構成してよく、封止部材7を構成する樹脂は、任意の樹脂を用いてよい。例えば、光透過層4を構成する樹脂として例示した樹脂の中から選択した樹脂を用いてよい。封止部材7に用いる樹脂と光透過層4に用いる樹脂は同じ種類の樹脂であってもよく、また異なる種類の樹脂であってよい。
以下に発光装置100の製造方法を例示する。
図2(a)、(b)および図3(a)〜(c)は発光装置100の製造方法を例示する模式断面図である。
(1)基板への発光素子の配置
基板(樹脂パッケージ)8に発光素子2を配置する。例えば、リード1A、1Bを配置した、金型内に溶融樹脂を注入し、樹脂を硬化させることにより、樹脂パッケージ8を得る。次いで、樹脂パッケージ8の凹部11の底面から露出しているリード1Aの所定の位置にダイボンディング等の任意の方法を用いて、発光素子2を配置する。発光素子2を配置後、ワイヤボンディングにより発光素子2の電極とリード1Aおよびリード1Bとは金属ワイヤ6により電気的に接続される。
蛍光体層3を発光素子2の上面と発光素子2の側面とに形成する。蛍光体層3は、蛍光体層延在部3Aを有するように形成されてよく、また、金属ワイヤ6の上に第2蛍光体層13が形成されてよい。
蛍光体層3は、任意の方法で形成してよい。蛍光体層3を形成する方法として、1)蛍光体および樹脂を含むスラリーを噴霧して蛍光体層を形成するスプレー法、2)蛍光体を含む水溶性樹脂の中に被覆形成対象物(発光素子2)を入れ、水溶性樹脂と被覆形成対象物との間に電圧を印加する電気沈着法(電着塗装法)、および3)帯電させた粉体状の樹脂および蛍光体を用い、これらの粉体を吹き出すスプレーガンと蛍光体層を形成しようとする被覆形成対象物(発光素子2)との間に電圧を印加する静電塗装法を例示できる。
これにより、図2(b)に示すように、蛍光体層延在部3Aを含む蛍光体層3および第2蛍光体層13を形成できる。
次に、図3(a)に示すように、発光素子2の側面の少なくとも一部および発光素子2の上面の少なくとも一部に蛍光体層3を介して光透過層4を形成する。好ましくは、蛍光体層3と反対側の表面の表面粗さが、蛍光体層3の光透過層4側の表面の表面粗さよりも小さくなるように光透過層4を形成する。より好ましくは、光透過層4の蛍光体層3と反対側の表面の表面粗さが、蛍光体層3の光透過層4側の表面の表面粗さの半分以下となるように光透過層4を形成する。例えば、蛍光体層3と反対側の表面の表面粗さが3μm〜8μmとなるように光透過層4を形成する。
また、スラリー23の粘度を高くしたい場合、または得られる光透過層4の光拡散性を向上させたい場合、スラリー23を樹脂と、溶剤と、フィラーとにより形成してよい。例えば、質量比で、樹脂:溶剤:フィラーを10:25:1としてよい。
次に、図3(b)に示すように、蛍光体層3および光透過層4を介して、発光素子2の上面の少なくとも一部を露出するように発光素子2の側面の少なくとも一部に反射層5を形成する。反射層5は、反射層延在部5Aを有するように形成してよい。
反射層5は、任意の方法で形成してよい。反射層5は、例えばポッディング法により形成することができる。ポッティング法を用いることにより、発光素子2の上面を除いて発光素子2の周辺に容易に反射層5を形成することができる。
必要に応じて、図3(c)に示すように、封止部材7を形成してよい。
封止部材7は、任意の方法で形成してよい。封止部材7は、例えばポッディング法により形成してよい。
2 発光素子
3 蛍光体層
3A 蛍光体層延在部
4 光透過層
4A 光透過層延在部
5 反射層
6 金属ワイヤ
7 封止部材
8 樹脂パッケージ
11 凹部
13 第2蛍光体層
14 第2光透過層
20 スプレーノズル
21 保護膜
23 スラリー
100 発光装置
Claims (15)
- 配線を有する基板上に配置された発光素子と、
前記基板上の配線と前記発光素子とを電気的に接続する少なくとも1つの金属ワイヤと、
前記発光素子の側面および上面に配置された蛍光体層と、
前記蛍光体層を介して、前記発光素子の側面および上面に配置された光透過層と、
前記蛍光体層および前記光透過層を介して、少なくとも前記発光素子の上面を露出するように前記発光素子の側面を被覆する反射層と、を含み、
前記金属ワイヤは、前記反射層を貫通して前記配線と接続しており、
前記金属ワイヤの上面の少なくとも一部に第2蛍光体層が配置され、
前記第2蛍光体層の上の少なくとも一部に第2光透過層が配置され、
前記金属ワイヤの下面の少なくとも一部に前記第2蛍光体層が形成されていない、発光装置。 - 前記蛍光体層の前記光透過層側の表面の表面粗さが、前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の粗さより大きい請求項1に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の前記光透過層側の表面の表面粗さが、前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さの2倍以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板が凹部を含み、該凹部に前記発光素子が配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層が前記基板上に延在した蛍光体層延在部を有し、
前記光透過層が該蛍光体層延在部の少なくとも一部に延在した光透過層延在部を有し、
前記反射層が、前記光透過層延在部の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記金属ワイヤが、前記蛍光体層延在部、前記光透過層延在部および前記反射層を貫通していることを特徴とする請求項5を引用する請求項1に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層延在部と前記光透過層延在部と前記反射層とが、前記基板の前記凹部に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記光透過層の少なくとも一部および前記反射層の少なくとも一部を覆う封止部材を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 基板上の配線と発光素子を少なくとも1つの金属ワイヤで電気的に接続する工程と、
スプレー法によって、前記発光素子の上面の少なくとも一部、前記発光素子の側面の少なくとも一部、および前記金属ワイヤの上面の少なくとも一部に蛍光体層を形成する工程と、
スプレー法によって、前記発光素子の側面の少なくとも一部、前記発光素子の上面の少なくとも一部、および前記金属ワイヤの上面の少なくとも一部に前記蛍光体層を介して光透過層を形成する工程と、
ポッティングによって、前記蛍光体層および前記光透過層を介して、前記発光素子の上面の少なくとも一部を露出するように前記発光素子の側面の少なくとも一部に反射層を形成する工程と、を含み、
前記反射層を形成する工程において、前記反射層は、前記金属ワイヤが前記反射層を貫通するように形成される、発光装置の製造方法。 - 前記光透過層を形成する工程において、
前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さが、前記蛍光体層の該光透過層側の表面の表面粗さよりも小さい請求項9に記載の発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層の前記光透過層側の表面の表面粗さが、前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さの2倍以上であることを特徴とする請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さが3μm〜8μmであることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の発光装置の製造方法。
- 基板上の配線と発光素子を少なくとも1つの金属ワイヤで電気的に接続する工程と、
前記発光素子の上面の少なくとも一部、前記発光素子の側面の少なくとも一部、および前記金属ワイヤの上面の少なくとも一部に蛍光体層を形成する工程と、
前記発光素子の側面の少なくとも一部、前記発光素子の上面の少なくとも一部、および前記金属ワイヤの上面の少なくとも一部に前記蛍光体層を介して光透過層を形成する工程であって、前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さが前記蛍光体層の該光透過層側の表面の表面粗さよりも小さい光透過層を形成する工程と、
前記蛍光体層および前記光透過層を介して、前記発光素子の上面の少なくとも一部を露出するように前記発光素子の側面の少なくとも一部に反射層を形成する工程と、
を含み、
前記反射層を形成する工程において、前記反射層は、前記金属ワイヤが前記反射層を貫通するように形成される、発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層の前記光透過層側の表面の表面粗さが、前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さの2倍以上であることを特徴とする請求項13に記載の発光装置の製造方法。
- 前記光透過層の前記蛍光体層と反対側の表面の表面粗さが3μm〜8μmであることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255733A JP6361647B2 (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 発光装置およびその製造方法 |
US15/391,017 US10038125B2 (en) | 2015-12-28 | 2016-12-27 | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255733A JP6361647B2 (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017120802A JP2017120802A (ja) | 2017-07-06 |
JP6361647B2 true JP6361647B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=59087244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015255733A Active JP6361647B2 (ja) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10038125B2 (ja) |
JP (1) | JP6361647B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI648878B (zh) * | 2018-05-15 | 2019-01-21 | 東貝光電科技股份有限公司 | Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器 |
JP7436828B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2024-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3969660B2 (ja) | 2003-08-05 | 2007-09-05 | スタンレー電気株式会社 | 白色ledランプ |
JP2007067183A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子を有するledパッケージ |
JP4835333B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の形成方法 |
US8552444B2 (en) | 2007-11-19 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
US20100276712A1 (en) * | 2009-11-03 | 2010-11-04 | Alexander Shaikevitch | Light emitting diode with thin multilayer phosphor film |
JP5568418B2 (ja) | 2010-09-03 | 2014-08-06 | パナソニック株式会社 | 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置 |
KR101923588B1 (ko) | 2011-01-21 | 2018-11-29 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치 |
JP5543386B2 (ja) | 2011-01-21 | 2014-07-09 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その製造方法及び照明装置 |
JP2014130871A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Konica Minolta Inc | 発光装置 |
JP2014158011A (ja) | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Konica Minolta Inc | Led装置の製造方法 |
JP6102273B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015088524A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP6221696B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US9461214B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-10-04 | Nichia Corporation | Light emitting device with phosphor layer |
-
2015
- 2015-12-28 JP JP2015255733A patent/JP6361647B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-27 US US15/391,017 patent/US10038125B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017120802A (ja) | 2017-07-06 |
US20170186924A1 (en) | 2017-06-29 |
US10038125B2 (en) | 2018-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6303805B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US10714663B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
US9954153B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing same | |
US10825695B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP6492961B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US9497824B2 (en) | Light-emitting device | |
JP6327220B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6428106B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6337859B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6079209B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6693044B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6492492B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6361647B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2019041094A (ja) | 発光装置 | |
JP7007606B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
US11521956B2 (en) | Method of manufacturing light-emitting device | |
JP2019050391A (ja) | 発光装置 | |
JP2018088554A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6361647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |