JP2012142410A - 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 - Google Patents
発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012142410A JP2012142410A JP2010293739A JP2010293739A JP2012142410A JP 2012142410 A JP2012142410 A JP 2012142410A JP 2010293739 A JP2010293739 A JP 2010293739A JP 2010293739 A JP2010293739 A JP 2010293739A JP 2012142410 A JP2012142410 A JP 2012142410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- light
- element unit
- bottom wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
【解決手段】表面4、裏面5(光取出し面)および側面6を有するLEDチップ2を、底壁9および側壁10によって区画された凹部11が形成され、底面12に対して角度θで傾斜し、光反射膜17が形成された傾斜面14を有するSiサブマウント3に対して、裏面5を上方に向けたフェイスダウン姿勢で搭載する。
【選択図】図2
Description
発光素子の周面とマウント部の側壁との距離は、本来、発光素子から出た光の反射だけを考慮すれば短くて済むものであるが、マウント部の側壁の位置の制約により、必要以上に長くなっている。そのため、発光素子から出た光が、マウント部の側壁に到達するまでに減衰するので、反射光を取り出すまでのロスが多いという不具合がある。
この構成によれば、光反射膜が、半導体発光素子を取り囲む傾斜面の周方向に沿って形成されている。そのため、半導体発光素子の側面から出る光を満遍なく取り出すことができる。その結果、半導体発光素子の輝度を一層向上させることができる。
さらに、アノード側反射膜は、第1反射部と一体的にアノード接続部を有するとともに、第1反射部を利用してサブマウントの側壁の頂部まで引き出されている。また、カソード側反射膜は、第2反射部と一体的にカソード接続部を有するとともに、第2反射部を利用してサブマウントの側壁の頂部まで引き出されている。これにより、半導体発光素子のアノードおよびカソードに電力を供給するワイヤ等をサブマウントの頂部において接続することができる。そのため、半導体発光素子の側面からの光が傾斜面(光反射膜)に到達するまでに、ワイヤ等の障害物に衝突することを防止することができる。その結果、障害物への衝突によるロスを低減することができるので、半導体発光素子の側面からの光を一層効率よく取り出すことができる。
また、前記凹部には、樹脂蛍光体が充填されていてもよい(請求項12)。すなわち、本発明の発光素子ユニットによれば、凹部に樹脂蛍光体が充填されており、当該樹脂蛍光体により若干の光の減衰が懸念される場合でも、サブマウントの傾斜面に形成された光反射膜の反射効果により、光の取出し量の低下を抑えることができる。
また、前記光反射膜は、銀(Ag)、白金族金属および銅(Cu)を含む合金からなっていてもよい(請求項14)。その場合、前記白金族金属は、白金(Pt)またはパラジウム(Pd)であることが好ましい(請求項15および16)。
前記半導体発光素子は、前記裏面が光取出し面であり、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記サブマウントに支持されていてもよい(請求項17)。また、前記半導体発光素子は、前記表面が光取出し面であり、当該表面を上方に向けたフェイスアップ姿勢で前記サブマウントに支持されていてもよい(請求項18)。
この構成によれば、本発明の発光素子ユニットが用いられており、半導体発光素子からの光の取出し効率が高いので、高輝度の発光素子パッケージを提供することができる。
この構成によれば、本発明の発光素子ユニットが用いられており、半導体発光素子からの光の取出し効率が高いので、高輝度の照明装置を提供することができる。
また、上記目的を達成するための本発明の発光素子ユニットの製造方法は、表面および裏面を有するSi基板を当該表面側から選択的にウエットエッチングすることにより凹部を形成し、同時に、当該凹部を前記裏面側から区画する底壁に対して所定の角度で傾斜した傾斜面を、当該凹部を横側から区画する側壁における当該凹部側に形成する工程と、前記傾斜面に光反射膜を形成する工程と、表面、裏面および側面を有し、当該表面または当該裏面が内部で発生する光が出射される光取り出し面である半導体発光素子を、前記光取出し面が上方に向くように、かつ、前記側面が前記傾斜面に面するように、前記Si基板の前記底壁に設置する工程とを含んでいる(請求項21)。
また、前記凹部を形成する工程は、前記Si基板の周縁部に沿って、前記表面に平面視環状の第1マスクを形成する工程と、前記第1マスクから露出する前記Si基板の前記表面からウエットエッチングすることにより、前記側壁が前記底壁を取り囲む平面視環状に形成されるように、前記Si基板を器状に加工する工程とを含んでいてもよい(請求項22)。
また、前記Si基板が平面視四角形状の場合、前記凹部を形成する工程は、前記Si基板の互いに対向する周縁部に沿って、前記表面に第2マスクを形成する工程と、前記第2マスクから露出する前記Si基板の前記表面からウエットエッチングすることにより、前記側壁が前記底壁を挟んで互いに対向するように、前記Si基板を側面視凹状の半筒状に加工する工程とを含んでいてもよい(請求項23)
また、前記光反射膜を形成する工程は、光を反射し得る導電材料を、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨るように形成する工程と、前記Si基板上の前記導電材料をパターニングすることにより、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨る第1反射膜を形成し、同時に、当該第1反射膜から分離され、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨る第2反射膜を形成する工程とを含んでいてもよい(請求項24)。
この方法によれば、アノード配線(たとえば、第1配線)およびカソード配線(たとえば、第2配線)を光反射膜とは別に有する上記発光素子ユニットを製造することができる。さらに、第1配線および第2配線が同時に形成されるので、製造工程を簡略化することができる。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係るLED素子ユニットの模式的な平面図である。図2は、図1に示すLED素子ユニットの断面図であって、図1の切断線A−Aでの切断面を示す。
LEDチップ2は、表面4、裏面5および側面6を有する多面体形状(図1および図2では、直方体形状)に形成されており、たとえば、透明基板としてのサファイア基板の表面側にIII族窒化物半導体層からなる発光ダイオード構造を形成したものである。LEDチップ2の内部で発生した光は、裏面5を形成するサファイア基板を透過して出射される。つまり、このLEDチップ2では、裏面5が光取出し面である。
Siサブマウント3の表面には、SiO2からなる絶縁膜16(酸化膜)が形成されている。絶縁膜16は、Siサブマウント3の底面12および傾斜面14の全域を一体的に覆うように、底面12、傾斜面14および側壁10の頂面13に跨って形成されている。
なお、光反射膜17、アノードパッド18およびカソードパッド19は、銀(Ag)と白金(Pt)族金属と銅(Cu)とを含む合金からなっていてもよい。当該白金族金属として、白金(Pt)やパラジウム(Pd)を用いることができる。各金属の配合比率は、Agが98%程度であり、白金族金属およびCuのそれぞれが1%程度である。
アノードパッド18上には、アノード接合層21が形成され、カソードパッド19上には、カソード接合層22が形成されている。アノード接合層21およびカソード接合層22は、底面12側から順に積層されたTi層およびAu層の2層構造(Ti/Au)を有している。平面視において、アノード接合層21は、たとえば、アノード電極7よりもSiサブマウント3の長手方向に沿って幅広な略E字形状であり、カソード接合層22は、たとえば、カソード電極8よりもSiサブマウント3の長手方向に沿って幅広な略I字形状である。
図1に示すLED素子ユニット1を製造するには、たとえば、まず、図3Aに示すように、表面27((100)面)および裏面28を有するウエハ状態のSi基板29(たとえば、400μm厚)が用意される。
次に、図3Eに示すように、たとえば、熱酸化法により、Siサブマウント3の表面全域に絶縁膜16が形成される。
次に、図3Fに示すように、たとえば、スパッタ法により、光を反射し得る導電材料としてのAl堆積層31が、絶縁膜16の全域を覆うように形成される。
次に、図3Hに示すように、Siサブマウント3の表面全域にネガ型のフォトレジスト(図示せず)が塗布され、当該ネガ型のフォトレジストが、アノード接合層21およびカソード接合層22を形成すべき領域に開口を有するようにパターニングされる。そして、たとえば、スパッタ法により、ネガ型のフォトレジスト上からTi層およびAu層が順に堆積される。その後、ネガ型のフォトレジストとともに、Ti層およびAu層の不要部分がリフトオフされる。これにより、アノード接合層21およびカソード接合層22が形成される。
次に、図3Jに示すように、個片化された各Siサブマウント3のアノード接合層21およびカソード接合層22に対して、LEDチップ2のアノード電極7およびカソード電極8が1対1で接合される。この後、Siサブマウント3の凹部11に樹脂蛍光体26が充填される。
以上のように、このLED素子ユニット1によれば、Siサブマウント3の凹部11において、LEDチップ2の側面6に面し、光反射膜17が形成された傾斜面14が形成されている。この傾斜面14(光反射膜17)により、LEDチップ2の側面6から出た光を、光取出し面(LEDチップ2の裏面5)からの光の出射方向と同じ方向へ反射させることができる。その結果、反射光を、LEDチップ2の輝度に寄与する光として取り出すことができる。
また、光反射膜17が、LEDチップ2を取り囲む傾斜面14の周方向に沿って形成されている。そのため、LEDチップ2の側面6から出る光を満遍なく取り出すことができる。その結果、LEDチップ2の輝度を一層向上させることができる。
また、アノードパッド18およびカソードパッド19が光反射膜17と同一の材料からなるので、LED素子ユニット1の製造工程において、フォトリソグラフィ技術等の公知の半導体装置製造技術の利用することにより、光反射膜17と、アノードパッド18およびカソードパッド19とを同時に簡単に作製することができる(図3Gの工程)。
そして、第1実施形態のLED素子ユニット1は、各種LEDパッケージに利用することができる。
LEDパッケージ32は、たとえば、信号機、電光掲示板、液晶ディスプレイのバックライト、自動車および自転車のランプ等の各種照明、電子写真式プリンタの感光用光源等に用いられる。
ベース基板33は、端部に凸条35を有する絶縁性基板36の凸条35に対して、凹条37,38が形成された金属製のアノード端子39およびカソード端子40を嵌合させることにより、全体として長方形板状に形成したものである。アノード端子39およびカソード端子40はそれぞれ、ベース基板33の長手方向の各端部を形成している。
そして、樹脂ケース34に取り囲まれたベース基板33の中央部に、上記したLED素子ユニット1が搭載されている。LED素子ユニット1のアノード引出し部23とアノード端子39とは、ボンディングワイヤ41で接続され、LED素子ユニット1のカソード引出し部24とカソード端子40とは、ボンディングワイヤ42で接続される。
このLEDパッケージ32によれば、前述のLED素子ユニット1が用いられており、LEDチップ2からの光の取出し効率が高いので、高輝度のLEDパッケージ32を提供することができる。
図5は、図1に示すLED素子ユニットを備えるLEDバーライトの模式的な斜視図である。
アノード配線46は、支持バー45の一端からアノード端子48として露出している。また、カソード配線47は、支持バー45の他端(アノード端子48の反対側の端部)からカソード端子49として露出している。
<第2実施形態>
図6は、本発明の第2実施形態に係るLED素子ユニットの模式的な平面図である。図7は、図6に示すLED素子ユニットの断面図であって、図6の切断線B−Bでの切断面を示す。図6および図7において、図1および図2に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図6および図7に示す構造について、図1および図2に示す構造との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。
また、光反射膜62上には、SiO2からなる第2絶縁膜63(酸化膜)が形成されている。第2絶縁膜63は、光反射膜62の全域を一体的に覆うように、Siサブマウント3の底面12、傾斜面14および側壁10の頂面13に跨って形成されている。
アノード配線64は、Siサブマウント3の長手方向に沿って、底面12から側壁10の一対の短辺を形成する一方の頂面13まで傾斜面14に沿って引き出されており、底面12、傾斜面14および頂面13に跨って形成されている。
すなわち、アノード配線64およびカソード配線65は、Siサブマウント3の長手方向に沿って全体として直線状に配列されており、第2絶縁膜63における底壁9上の部分において互いに分離されている。
図7に示すLED素子ユニット61を製造するには、たとえば、図3A〜図3Fに示す工程が行われて、凹部11が形成されたSiサブマウント3が形成され、このSiサブマウント3に絶縁膜16およびAl堆積層31(光反射膜62)が順に形成される。
次に、図8Bに示すように、Siサブマウント3の表面全域にネガ型のフォトレジスト(図示せず)が塗布され、当該ネガ型のフォトレジストが、アノード配線64およびカソード配線65を形成すべき領域に開口を有するようにパターニングされる。そして、たとえば、スパッタ法により、ネガ型のフォトレジスト上からAl層が堆積される。その後、ネガ型のフォトレジストとともに、Al層の不要部分がリフトオフされる。これにより、第1配線としてのアノード配線64および第2配線としてのカソード配線65が同時に形成される。
次に、図8Dに示すように、アノード端子層67、カソード端子層69、アノード配線64、カソード配線65、第2絶縁膜63、光反射膜62および絶縁膜16におけるSiサブマウント3の頂面13に設定されたダイシングライン上の部分が、選択的に除去される。その後、当該ダイシングライン上でSiサブマウント3が切断される。これにより、ウエハが各Siサブマウント3に個片化される。
以上の工程を経ることにより、図7に示すLED素子ユニット61が得られる。
さらに、このLED素子ユニット61によれば、アノード配線64およびカソード配線65が、光を反射し得る導電材料を用いて傾斜面14に沿って敷設され、Siサブマウント3の側壁10の頂面13まで引き出されている。これにより、LEDチップ2のアノードおよびカソードに電力を供給するボンディングワイヤ25をSiサブマウント3の頂面13(アノード端子層67およびカソード端子層69)において接続することができる。そのため、LEDチップ2の側面6からの光が傾斜面14(光反射膜62、アノード配線64およびカソード配線65)に到達するまでに、ワイヤ等の障害物に衝突することを防止することができる。その結果、障害物への衝突によるロスを低減することができるので、LEDチップ2の側面6からの光を一層効率よく取り出すことができる。
<第3実施形態>
図9は、本発明の第3実施形態に係るLED素子ユニットの模式的な平面図である。図10は、図9に示すLED素子ユニットの側面図であって、図9の方向Cへ観察したときの側面を示す。図9および図10において、図1および図2に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図9および図10に示す構造について、図1および図2に示す構造との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。
各傾斜面77,78は、Siサブマウント3の底面75に対して、角度θで傾斜している。角度θは、たとえば、30°〜80°であり、好ましくは、40°〜70°であり、さらに好ましくは、45°〜65°であり、とりわけ好ましくは、50°〜60°であり、最も好ましくは、53°〜57°である。
この絶縁膜79上には、光反射膜80が形成されている。光反射膜80は、前述の光反射膜17と同一の材料(たとえば、Al)からなる。
アノード側反射膜81は、第1反射部83と、アノード接続部84とを一体的に有している。
第1反射部83は、Siサブマウントの長手方向一端から他端に至るまで、Siサブマウントの底面75と第1傾斜面77とが交わって形成された第1交差部85、第1傾斜面77および側壁73の頂面76に跨って形成されている。
カソード側反射膜82は、第2反射部86と、カソード接続部87とを一体的に有している。
第2反射部86は、Siサブマウントの長手方向一端から他端に至るまで、Siサブマウントの底面75と第2傾斜面78とが交わって形成された第2交差部88、第2傾斜面78および側壁73の頂面76に跨って形成されている。
図10に示すLED素子ユニット71を製造するには、たとえば、まず、図11Aに示すように、表面94((100)面)および裏面95を有するウエハ状態のSi基板96(たとえば、400μm厚)が用意される。
次に、図11Eに示すように、たとえば、熱酸化法により、Siサブマウント3の表面全域に絶縁膜79が形成される。
次に、図11Fに示すように、たとえば、スパッタ法により、光を反射し得る導電材料としてのAl堆積層98が、絶縁膜79の全域を覆うように形成される。
次に、図11Hに示すように、Siサブマウント3の表面全域にネガ型のフォトレジスト(図示せず)が塗布され、当該ネガ型のフォトレジストが、アノード接合層90、アノード端子層92、カソード接合層91およびカソード端子層93を形成すべき領域に開口を有するようにパターニングされる。そして、たとえば、スパッタ法により、ネガ型のフォトレジスト上からTi層およびAu層が順に堆積される。その後、ネガ型のフォトレジストとともに、Ti層およびAu層の不要部分がリフトオフされる。これにより、アノード接合層90、アノード端子層92、カソード接合層91およびカソード端子層93が同時に形成される。
次に、図11Jに示すように、個片化された各Siサブマウント3のアノード接合層90およびカソード接合層91に対して、LEDチップ2のアノード電極7およびカソード電極8が1対1で接合される。この後、Siサブマウント3の凹部74に樹脂蛍光体26が充填される。
第3実施形態のLED素子ユニット71によっても、第1実施形態のLED素子ユニット1と同様の作用効果を発現することができる。
さらに、このLED素子ユニット71によれば、アノード側反射膜81の第1反射部83およびカソード側反射膜82の第2反射部86が傾斜面77,78に沿って露出しているので、LEDチップ2の側面6からの光を、これらの反射膜81,82に直接当てることができる。そのため、光の反射率を向上させることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、LEDチップ2は、表面4が光取出し面とされ、当該表面4(光取出し面)を上方に向けたフェイスアップ姿勢でSiサブマウント3支持されるものであってもよい。
2 LEDチップ
3 Siサブマウント
4 (LEDチップの)表面
5 (LEDチップの)裏面
6 (LEDチップの)側面
7 アノード電極
8 カソード電極
9 (Siサブマウントの)底壁
10 (Siサブマウントの)側壁
11 凹部
12 (Siサブマウントの)底面
13 (Siサブマウントの)頂面
14 (Siサブマウントの)傾斜面
16 絶縁膜
17 光反射膜
18 アノードパッド
19 カソードパッド
26 樹脂蛍光体
27 (Si基板の)表面
28 (Si基板の)裏面
29 Si基板
30 酸化膜
31 Al堆積層
32 LEDパッケージ
33 ベース基板
34 樹脂ケース
44 LEDバーライト
45 支持バー
61 LED素子ユニット
62 光反射膜
63 第2絶縁膜
64 アノード配線
65 カソード配線
71 LED素子ユニット
72 (Siサブマウントの)底壁
73 (Siサブマウントの)側壁
74 凹部
75 (Siサブマウントの)底面
76 (Siサブマウントの)頂面
77 (Siサブマウントの)第1傾斜面
78 (Siサブマウントの)第2傾斜面
79 絶縁膜
80 光反射膜
81 アノード側反射膜
82 カソード側反射膜
83 第1反射部
84 アノード接続部
86 第2反射部
87 カソード接続部
94 (Si基板の)表面
95 (Si基板の)裏面
96 Si基板
97 酸化膜
98 Al堆積層
Claims (26)
- 表面、裏面および側面を有し、当該表面または当該裏面が内部で発生する光が出射される光取り出し面である半導体発光素子と、
底壁および側壁を有し、当該底壁および当該側壁によって区画された凹部が形成され、当該凹部において前記光取出し面を上方に向けた姿勢で前記底壁により前記半導体発光素子を支持しており、前記側壁が前記底壁に対して所定の角度で傾斜した傾斜面を前記半導体発光素子の前記側面に面して有しているサブマウントと、
前記サブマウントの前記傾斜面に形成された光反射膜とを含む、発光素子ユニット。 - 前記サブマウントは、前記側壁が前記底壁を取り囲む平面視環状に形成された器状に形成されており、
前記傾斜面は、前記半導体発光素子を取り囲むように形成されており、
前記光反射膜は、前記傾斜面の周方向に沿って形成されている、請求項1に記載の発光素子ユニット。 - 前記光反射膜上に形成された絶縁膜と、
光を反射し得る導電材料からなり、前記サブマウントの前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨るように前記絶縁膜上に形成され、前記底壁上の部分が前記半導体発光素子のアノードおよびカソードにそれぞれ電気的に接続されたアノード配線およびカソード配線とをさらに含む、請求項1または2に記載の発光素子ユニット。 - 前記光反射膜が前記凹部内に露出しており、
前記光反射膜と同一材料からなり、露出した前記光反射膜から分離されて前記サブマントの前記底壁に形成され、前記半導体発光素子のアノードおよびカソードにそれぞれ電気的に接続されたアノードパッドおよびカソードパッドをさらに含む、請求項1または2に記載の発光素子ユニット。 - 前記サブマウントは、前記側壁が前記底壁を挟んで互いに対向する側面視凹状に形成された半筒状に形成されており、
前記傾斜面は、前記半導体発光素子を介して互いに対向する一対の第1傾斜面および第2傾斜面を含み、
前記光反射膜は、
前記サブマウントの前記底壁、前記第1傾斜面および前記側壁の頂部に跨って前記凹部内に露出するように形成され、前記第1傾斜面上に形成された第1反射部と、前記底壁上に形成され、前記半導体発光素子のアノードに電気的に接続されたアノード接続部とを一体的に有するアノード側反射膜と、
前記サブマウントの前記底壁、前記第2傾斜面および前記側壁の頂部に跨って前記凹部内に露出するように形成され、前記第2傾斜面上に形成された第2反射部と、前記底壁上に形成され、前記半導体発光素子のカソードに電気的に接続されたカソード接続部とを一体的に有し、前記アノード側反射膜から分離されたカソード側反射膜とを含む、請求項1に記載の発光素子ユニット。 - 前記半導体発光素子が平面視長方形状に形成されており、
前記アノードおよび前記カソードは、前記半導体発光素子の長手方向に沿って互いに隣接して前記半導体発光素子に形成されており、
前記アノード接続部および前記カソード接続部は、半筒状の前記サブマウントの軸方向に沿って互いに間隔を空けて隣接して形成されている、請求項5に記載の発光素子ユニット。 - 前記傾斜面が、前記底壁に対して30°〜80°の角度で傾斜している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記傾斜面が、前記底壁に対して40°〜70°の角度で傾斜している、請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記傾斜面が、前記底壁に対して45°〜65°の角度で傾斜している、請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記傾斜面が、前記底壁に対して50°〜60°の角度で傾斜している、請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記傾斜面が、前記底壁に対して53°〜57°の角度で傾斜している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記凹部に充填された樹脂蛍光体をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記光反射膜が、アルミニウムからなる、請求項1〜12のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記光反射膜が、銀、白金族金属および銅を含む合金からなる、請求項1〜12のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記白金族金属は、白金である、請求項14に記載の発光素子ユニット。
- 前記白金族金属は、パラジウムである、請求項14に記載の発光素子ユニット。
- 前記半導体発光素子は、前記裏面が光取出し面であり、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記サブマウントに支持されている、請求項1〜16のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 前記半導体発光素子は、前記表面が光取出し面であり、当該表面を上方に向けたフェイスアップ姿勢で前記サブマウントに支持されている、請求項1〜16のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
- 請求項1〜18のいずれか一項に記載の発光素子ユニットと、
前記発光素子ユニットを支持するベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、前記発光素子ユニットを取り囲む樹脂ケースとを含む、発光素子パッケージ。 - 細長い支持バーと、
前記支持バーの長手方向に沿って配列された請求項1〜18のいずれか一項に記載の発光素子ユニットとを含む、照明装置。 - 表面および裏面を有するSi基板を当該表面側から選択的にウエットエッチングすることにより凹部を形成し、同時に、当該凹部を前記裏面側から区画する底壁に対して所定の角度で傾斜した傾斜面を、当該凹部を横側から区画する側壁における当該凹部側に形成する工程と、
前記傾斜面に光反射膜を形成する工程と、
表面、裏面および側面を有し、当該表面または当該裏面が内部で発生する光が出射される光取り出し面である半導体発光素子を、前記光取出し面が上方に向くように、かつ、前記側面が前記傾斜面に面するように、前記Si基板の前記底壁に設置する工程とを含む、発光素子ユニットの製造方法。 - 前記凹部を形成する工程は、
前記Si基板の周縁部に沿って、前記表面に平面視環状の第1マスクを形成する工程と、
前記第1マスクから露出する前記Si基板の前記表面からウエットエッチングすることにより、前記側壁が前記底壁を取り囲む平面視環状に形成されるように、前記Si基板を器状に加工する工程とを含む、請求項21に記載の発光素子ユニットの製造方法。 - 前記Si基板が平面視四角形状であり、
前記凹部を形成する工程は、
前記Si基板の互いに対向する周縁部に沿って、前記表面に第2マスクを形成する工程と、
前記第2マスクから露出する前記Si基板の前記表面からウエットエッチングすることにより、前記側壁が前記底壁を挟んで互いに対向するように、前記Si基板を側面視凹状の半筒状に加工する工程とを含む、請求項21に記載の発光素子ユニットの製造方法。 - 前記光反射膜を形成する工程は、
光を反射し得る導電材料を、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨るように形成する工程と、
前記Si基板上の前記導電材料をパターニングすることにより、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨る第1反射膜を形成し、同時に、当該第1反射膜から分離され、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨る第2反射膜を形成する工程とを含む、請求項21〜23のいずれか一項に記載の発光素子ユニットの製造方法。 - 前記光反射膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨るように、光を反射し得る導電材料を前記絶縁膜上に形成することにより、互いに分離された第1配線および第2配線を同時に形成する工程とをさらに含む、請求項21〜23のいずれか一項に記載の発光素子ユニットの製造方法。 - 前記光反射膜を形成する工程は、
光を反射し得る導電材料を、前記Si基板の前記底壁、前記傾斜面および前記側壁の頂部に跨るように形成する工程と、
前記Si基板上の前記導電材料をパターニングすることにより、前記傾斜面上に前記光反射膜を形成し、同時に、前記Si基板の前記底壁上に当該光反射膜から分離され、かつ互いに分離された第1パッドおよび第2パッドを形成する工程とを含む、請求項21〜23のいずれか一項に記載の発光素子ユニットの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293739A JP2012142410A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 |
US13/339,060 US9082945B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device |
US14/730,796 US9997682B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-04 | Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293739A JP2012142410A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015079531A Division JP2015159311A (ja) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012142410A true JP2012142410A (ja) | 2012-07-26 |
Family
ID=46316559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293739A Pending JP2012142410A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9082945B2 (ja) |
JP (1) | JP2012142410A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140036727A (ko) * | 2012-09-18 | 2014-03-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20140049350A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20140090805A (ko) * | 2013-01-10 | 2014-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20150031006A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 |
JP2015181155A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-10-15 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016518713A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-06-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | トップエミッション型半導体発光デバイス |
JP2016152342A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | ローム株式会社 | 電子装置 |
US9425373B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting module |
JP2017135153A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | スタンレー電気株式会社 | 車両灯具用ledモジュール |
JP2017212309A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | シチズン電子株式会社 | Led照明装置 |
JP2019046938A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP2019121703A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
KR20220141262A (ko) * | 2014-10-08 | 2022-10-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014082453A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
RU2663814C2 (ru) * | 2013-02-28 | 2018-08-10 | Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. | Простой светодиодный модуль, пригодный для емкостного возбуждения |
JP2015088524A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP6229479B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-11-15 | 豊田合成株式会社 | 面状光源および発光素子の製造方法 |
JP6582382B2 (ja) | 2014-09-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20160190406A1 (en) | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP6595840B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2019-10-23 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20170059116A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-02 | Osram Sylvania Inc. | Led array within asymmetric cavity having reflective and non-reflective regions |
US20170059115A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-02 | Osram Sylvania Inc. | Led array on partially reflective substrate within dam having reflective and non-reflective regions |
JP6628031B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2020-01-08 | ローム株式会社 | 電子部品 |
DE112017005116T5 (de) * | 2016-10-07 | 2019-06-13 | Grote Industries, Llc | Dünnschicht mit Stromleitungen, Lichtern und Sensoren |
CN106647031B (zh) * | 2016-12-27 | 2023-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光模块、显示装置及发光模块的制作方法 |
KR102477357B1 (ko) | 2017-12-14 | 2022-12-15 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN108305926B (zh) * | 2018-02-08 | 2020-02-07 | 开发晶照明(厦门)有限公司 | Led支架、led模组、以及led支架的制造方法 |
WO2019163987A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
CN109061527B (zh) * | 2018-08-03 | 2020-10-30 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种预测led灯珠光衰的方法 |
KR102617962B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2023-12-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US11282984B2 (en) * | 2018-10-05 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62108585A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド灯具 |
JPH0529650A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 光学装置 |
JPH05316296A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 光源および光源装置 |
JPH0616979U (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | エーシック株式会社 | 表示器 |
JP2003008078A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Sanken Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
JP2005057265A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光デバイス用の実装 |
JP2006041133A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006237156A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
JP2008034530A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Stanley Electric Co Ltd | Ledパッケージ、それを用いた発光装置およびledパッケージの製造方法 |
JP2008135588A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用の支持体及びそれを用いた発光装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62124780A (ja) | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Hitachi Ltd | 光半導体モジユ−ル |
GB2266310A (en) | 1992-04-21 | 1993-10-27 | Ici Plc | Aqueous non-blocking tinter |
JP3985332B2 (ja) | 1998-04-02 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
JP4153935B2 (ja) | 2001-07-02 | 2008-09-24 | 森山産業株式会社 | 表示・照明装置 |
US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
JP4572312B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-11-04 | スタンレー電気株式会社 | Led及びその製造方法 |
KR100623024B1 (ko) | 2004-06-10 | 2006-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 led 패키지 |
US20060034084A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Kyocera Corporation | Light-emitting apparatus and illuminating apparatus |
JP2006019666A (ja) | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Phenitec Semiconductor Corp | 発光器及び発光装置 |
JP2006108333A (ja) | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | ランプ |
KR101154801B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2012-07-03 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지 |
US7868349B2 (en) * | 2005-02-17 | 2011-01-11 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
JP2006310771A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光装置 |
JP2007005091A (ja) | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 線状発光素子アレイ |
KR100665216B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 |
JP4575248B2 (ja) | 2005-07-20 | 2010-11-04 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
RU2303833C2 (ru) | 2005-07-26 | 2007-07-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Осветительное устройство |
JP2007157805A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | Ledパッケージ、発光装置及びledパッケージの製造方法 |
JP5038631B2 (ja) | 2006-02-03 | 2012-10-03 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置 |
KR100819883B1 (ko) | 2006-02-17 | 2008-04-07 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US20070228386A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-04 | Jin-Shown Shie | Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode |
KR100799864B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2008-01-31 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
JP2008135694A (ja) | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ledモジュール |
JP4935394B2 (ja) | 2007-02-07 | 2012-05-23 | 大日本印刷株式会社 | インクリボンの処理装置 |
JP5218741B2 (ja) | 2008-03-04 | 2013-06-26 | スタンレー電気株式会社 | Ledパッケージ |
JP2009212394A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Oki Data Corp | 半導体装置、ledヘッド及び画像形成装置 |
JP2010010655A (ja) | 2008-05-29 | 2010-01-14 | Rohm Co Ltd | Ledランプ |
WO2009145247A1 (ja) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | ローム株式会社 | Ledランプ |
JP5236366B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-07-17 | ミネベア株式会社 | 線状光源装置、および面状照明装置 |
JP2010027449A (ja) | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Asagi Create:Kk | 照明装置及び照明器具 |
JP5276959B2 (ja) | 2008-11-19 | 2013-08-28 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ |
JP4808244B2 (ja) | 2008-12-09 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010293739A patent/JP2012142410A/ja active Pending
-
2011
- 2011-12-28 US US13/339,060 patent/US9082945B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-04 US US14/730,796 patent/US9997682B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62108585A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド灯具 |
JPH0529650A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 光学装置 |
JPH05316296A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 光源および光源装置 |
JPH0616979U (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | エーシック株式会社 | 表示器 |
JP2003008078A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Sanken Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
JP2005057265A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光デバイス用の実装 |
JP2006041133A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006237156A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
JP2008034530A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Stanley Electric Co Ltd | Ledパッケージ、それを用いた発光装置およびledパッケージの製造方法 |
JP2008135588A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用の支持体及びそれを用いた発光装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140036727A (ko) * | 2012-09-18 | 2014-03-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101944410B1 (ko) | 2012-09-18 | 2019-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20140049350A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101944411B1 (ko) * | 2012-10-17 | 2019-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20140090805A (ko) * | 2013-01-10 | 2014-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR102034710B1 (ko) * | 2013-01-10 | 2019-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JPWO2014141691A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール |
US9425373B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting module |
JP2016518713A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-06-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | トップエミッション型半導体発光デバイス |
KR102135626B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2020-07-21 | 서울반도체 주식회사 | 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 |
KR20150031006A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 |
JP2015181155A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-10-15 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10297468B2 (en) | 2014-03-06 | 2019-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with recess and method of making |
KR102648863B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2024-03-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR20220141262A (ko) * | 2014-10-08 | 2022-10-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2016152342A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | ローム株式会社 | 電子装置 |
JP2017135153A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | スタンレー電気株式会社 | 車両灯具用ledモジュール |
JP2017212309A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | シチズン電子株式会社 | Led照明装置 |
JP7116881B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP2019046938A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP7092506B2 (ja) | 2018-01-09 | 2022-06-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2019121703A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9997682B2 (en) | 2018-06-12 |
US20120162984A1 (en) | 2012-06-28 |
US9082945B2 (en) | 2015-07-14 |
US20150270461A1 (en) | 2015-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012142410A (ja) | 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置 | |
US20210257528A1 (en) | Light emitting diode | |
US11282892B2 (en) | Light-emitting element including intermediate connection and branches | |
JP5060172B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
TWI641162B (zh) | 發光二極體及發光裝置 | |
KR20160025456A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2016058689A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR101824034B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20120136814A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101707532B1 (ko) | 발광 소자 | |
JP6279702B2 (ja) | 発光素子パッケージおよび照明装置 | |
CN105322082B (zh) | 发光二极管芯片及发光装置 | |
JP2010040937A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置 | |
JP2015159311A (ja) | 半導体装置 | |
KR102424364B1 (ko) | 발광소자 | |
KR20140134425A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR101740539B1 (ko) | 발광소자 | |
CN220358112U (zh) | 微型发光二极管显示芯片 | |
KR20120088985A (ko) | 발광소자 | |
CN110176438B (zh) | 发光二极管 | |
CN102468394A (zh) | 发光二极管元件及其制造方法 | |
KR20160109892A (ko) | 발광 다이오드 | |
KR20120130853A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
KR20210009642A (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
KR20160139182A (ko) | 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140728 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150108 |