KR100623024B1 - 고출력 ｌｅｄ 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고출력 LED 패키지 관한 것으로, LED와 플립 칩 본딩을 형성한 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체; 상기 절연체 하부에 형성되는 방열기판; 상기 방열기판 상부에 형성되는 절연기판 및 상기 절연기판 상부에 형성되어 상기 배전금속과 연결된 금속배선을 포함한다.
LED, 플립 칩 본딩, 방열기판

Description

고출력 ＬＥＤ 패키지{High Power LED Package}
도 1은 종래 라이트용 LED 패키지의 나타낸 사시도이다.
도 2는 종래 라이트용 LED 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방열판에 직접 접속된 LED 패키지의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 두 번째 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
{도면의 주요 부호에 대한 설명}
301a, 301b : LED 302a, 302b : 실리콘 서브마운트
303a, 303b : 금속배선 304 : 방열기판
305 : 전기배선
401 : LED 402 : 실리콘 서브마운트
403 : 절연층 404a, 404b : 접착제
406a, 406b : 금속배선 407a, 407b : 절연기판
409 : 방열기판 412a, 412b : 전기배선
413 : 렌즈 414a, 414b : 솔더
415a, 415b : 솔더 댐
본 발명은 고출력 LED패키지에 관한 것으로, 특히 LED 구동시 발생하는 열을 효율적으로 방열시키기 위한 패키지 구조에 관한 것이다.
21세기 화합물 반도체가 주도하는 광반도체 시대의 차세대 광원으로 기존광원에 비하여 에너지 절감 효과가 매우 뛰어나고 반영구적으로 사용할 수 있는 LED(Light Emitting Diode)가 빛을 발하고 있다. 최근 들어 LED의 한계였던 휘도 문제가 크게 개선되면서 백라이트용, 자동차용, 전광판용, 교통신호등용, 조명용등 응용시장이 산업 전반으로 확산되고 있다.
특히, 크기가 작으면서도 고휘도라는 장점을 가진 백라이트유닛용 LED는 기존 백라이트 유닛의 광원으로 사용되어 온 CCFL램프를 대체하면서 모바일 기기의 상승곡선과 같은 궤적을 그릴 전망이다.
이러한 고출력 LED는 구동시 주입전류가 커짐에 따라 많은 열이 발생하게 되는데, 고출력 고 신뢰성의 LED 성능을 위하여 이를 효율적으로 방열시켜 주어야만 한다.
도 1은 현재 판매되고 있는 L사의 라이트용 LED 패키지의 사시도이다.
상기 실시예에서, 라이트용 LED 패키지는 LED와 실리콘 서브마운트, 알루미 늄 슬러그, 금속배선이 있는 PCB기판, 알루미늄 방열기판으로 구성된다.
이를 보다 자세히 설명하기 위하여 도 2에 단면도를 나타내었다.
도 2와 같이 평탄한 실리콘 사용하여 LED(201)와 전기적 연결을 위한 금속배선(미도시)및 LED를 플립 칩 본딩하기 위한 솔더(미도시)와 솔더댐(미도시)으로 이루어져 있는 실리콘 서브마운트(202)에 LED(201)를 플립 칩 본딩하여 미러면을 갖는 알루미늄 슬러그(204)에 접착제(203)를 사용하여 접합하였다.
플라스틱 바디(205)에 의하여 고정되는 리드(206a, 206b)를 실리콘 서브마운트(202)의 전극메탈과 전기적으로 연결하기 위하여 유도성 와이어(212a, 212b)로 접속하였다. 상기 리드(206a, 206b)는 플라스틱 바디(205)와 접착제(207a, 207b)에 의하여 접합되는 PCB기판(209,210)의 금속배선(209a, 209b)과 용접(208a, 208b)에 의하여 접합되며, 열을 방출하기 위한 알루미늄 방열기판(211)을 포함한다.
상기와 같은 구조의 LED 패키지는 LED 구동시 발생하는 열이 방열효과가 우수한 알루미늄 방열기판(211)까지 직접 전달되지 않고, 열 전달 속도가 늦은 플라스틱 바디(205) 및 PCB 기판(210)을 거쳐서 전달되므로 방열 효과가 적을 뿐만 아니라 이로 인하여 LED의 광 특성이 저하되는 단점이 있다.
특히, 고출력 LED를 이용한 LCD 백라이트 및 일반 조명용 등의 어플리케이션에 적용시에는 더욱 많은 열의 발생으로 상대적으로 방열 효과가 더욱 미비하게 되어 LED 광 특성이 더 많이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, LED가 본딩되는 실리콘 서브마운트를 방열기판과 직접 접합하여 패키지하여, LED의 방열 특성을 개선하고 LCD 백라이트 및 일반 조명용 등의 고출력 LED용 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명을 고출력용 LED 패키지뿐만 아니라, PCS 폰 등의 모바일 기기의 백라이트, 키 패드용 LED 패키지에도 적용하는데 있다.
또 다른 목적은 LED가 플립 칩 본딩되는 실리콘 서브마운트를 두 개이상 어레이로 사용하여야 할 경우의 LED 패키지를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고출력 LED 패키지는 LED와 플립 칩 본딩을 형성한 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체; 상기 절연체 하부에 형성되는 방열기판; 상기 방열기판 상부에 형성되는 절연기판 및 상기 절연기판 상부에 형성되어 상기 배전금속과 연결된 금속배선을 포함한다.
본 발명에서 다른 고출력 LED 패키지는 LED와 플립 칩 본딩을 형성한 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 부도체의 방열기판 및 상기 절연기판 상부에 형성되어 상기 배전금속과 연결된 금속배선을 포함한다.
본 발명에서 또 다른 고출력 LED 패키지는 LED와 플립 칩 본딩을 형성한 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체를 포함하는 소자부를 적어도 하나이상 포함하고 상기 소자부의 각각의 배전금속은 방열기판 상부에 형성된 절연층 상의 금속배선과 연결된다.
본 발명에서 또 다른 고출력 LED 패키지는 LED와 플립 칩 본딩을 형성한 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속을 포함하는 소자부를 적어도 하나 이상 포함하고 상기 소자부의 각각의 배전금속은 부도체의 방열기판 상부에 형성된 금속배선과 연결된다.
본 발명에서 상기 LED는 발광하는 빛의 효율을 향상하기 위해 렌즈로 덮히고, 상기 방열기판은 도체 또는 부도체인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 배전금속은 P-금속배선과 N-금속배선을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 실리콘 마운트의 상부 중 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 면은 그루브가 형성되는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 배열을 하고 있는 LED 패키지의 사시도이다.
도 3을 참조하면, LED(301a, 301b)가 플립 칩 본딩되는 실리콘 서브마운트(302a, 302b)를 각각 방열기판(304)에 직접 접합한다. 이로 인하여 LED 구동 시 발생하는 열이 열전달 속도가 늦은 PCB기판을 통하지 않고 방열기판(304)에 의하여 방열되므로 방열 특성이 우수하게 된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고출력 LED 패키지의 단면도이다.
상기 실시예에서, 고출력 LED 패키지는 LED, 실리콘 서브마운트, 절연층, 접착제, 금속배선, 절연기판, 방열기판, 전기배선, 렌즈, 솔더 및 솔더 댐을 포함한다.
상기 실시예는, 도 3의 LED를 단면으로 자른 모습을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 실리콘 서브마운트(402)는 서브 마운트 제작에 가장 많이 쓰이는 실리콘 웨이퍼를 사용하여 수산화칼륨용액으로 습식에칭 함으로서 LED(401)가 위치할 그루브(groove)를 생성한다. 상기 그루를 생성하는 방법은 상기 내용으로 한정되는 것은 아니며 당업자의 수준에 맞추어 도출 가능한 것이면 어느 것이나 가능하다.
상기 LED패키지는 상기 LED(401)와 전기적 연결을 위한 배선금속(412a, 412b)과 LED(401)에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막 금속(미도시) 및 LED(401)를 플립 칩 본딩하기 위한 솔더(414a,414b)와 솔더댐(415a,415b), 방열기판(409)과 절연을 위한 절연층(403)을 포함한다. 이러한 실리콘 서브마운트에 LED를 플립 칩 본딩 한 것은 앞에서 설명한 종래의 패키지 구조에서 그루브가 없는 평탄한 실리콘 서브마운트에 LED를 플립 칩 본딩하여 미러면을 갖는 알루미늄 슬러그에 본딩한 것과 동일한 기능을 한다.
상기의 실리콘 서브마운트(402)와 LED(401)의 P-금속 및 N-금속이 있는 면을 플립 칩 본딩(flip chip bonding)함으로서 LED(401)의 P-금속(미도시)을 고반사의 메탈로 두껍게 할 수 있으므로 전류 확장시 저항 감소와 낮은 Vf 특성을 실현 할 수 있을 뿐만 아니라, 짧은 열 방출 경로로 인하여 열 방출 특성이 우수하게 되는 장점이 있다.
또한 실리콘의 고 열전도 특성과 E-beam 증착 방법으로 증착한 골드틴(AuSn)등의 금속 솔더의 사용으로 고온 신뢰성이 향상 될 뿐만 아니라, 서브 마운트에 제너 다이오드를 결합시켜 정전방전에 의한 LED의 치명적인 손상을 방지 할 수 있다.
상기 방열기판(409)은 열 전도도 특성이 우수하고 열팽창계수가 LED의 서브마운트(402)와 비슷한 재료로서 SiC, AlN, AlOx, Al, Cu등을 사용하며 표면적을 크게 하여 LED(401) 구동 시 발생하는 열을 충분히 방열할 수 있도록 한다.
<실시예 1>
도 4는 본 발명의 첫 번째 실시예로, 고출력 LED 패키지를 위해 상기의 특성을 갖는 방열기판(409)상에 LED(401)가 플립 칩 본딩 되는 실리콘 서브마운트(402)를 직접 접합한다. 이때 접합을 위하여 사용되는 접착제(404a)는 열 전도도 특성이 우수할 뿐만 아니라 서브마운트(402)와 열팽창 계수가 비슷한 물질을 사용한다. 접착제 종류로는 알루미늄 고착제 및 은 고착제 등이 있다. 또한 이때 사용되어 지는 방열기판(409)은 도체, 부도체 모두 적용 가능하다.
또한 외부에서 LED에 전기적으로 연결하기 위하기 PCB와 같이 절연기판(407a, 407b) 상에 전도성의 금속배선(406a,406b)으로 이루지는 금속배선기판은, P-금속배선(406a)과 N-금속배선(406b)이 서로 연결되거나 겹쳐지지 않게 접합하여 전기적으로 쇼트가 발생되지 않도록 한다. 이때 접착을 위하여 사용되는 접착제(404b, 404c)는 실리콘 서브마운트(402)를 접착할 때 사용한 접착제(404a)와 동일의 접착제를 사용하여 서브마운트(402) 결합시 동시에 결합 할 수 있다.
상기 LED(401)와 플립 칩 본딩되어 전기적으로 연결되는 실리콘 서브마운트(402)와 금속배선(406a, 406b)을 Au, Al과 같은 유도성 와이어로 연결하며, 금속배선기판의 절연기판(407a, 407b) 또는 방열기판(409) 상에 LED 에서 발광하는 빛의 효율을 증가시키기 위하여 렌즈(lens)(413)를 결합한다.
<실시예 2>
도 5는 본 발명의 두 번째 실시예로, AlN, AlOx 등과 같이 절연막으로 되어 있는 부도체의 방열기판(409)상에 LED(401)가 플립 칩 본딩된 실리콘 서브마운트(402)를 직접 접합한다. 외부에서 LED에 전기적으로 연결하기 위한 금속배선은 상기의 첫 번째 실시예와 같이 PCB의 절연기판(407a, 407b)상에 전도성의 금속배선(406a,406b)으로 이루어진 것이나, 또는 절연기판(407a, 407b) 없이 전도성의 금속배선(406a,406b) 만으로 된 것을 직접 방열기판(409)에 접합한다.
접착제(404a, 404b, 404c) 및 와이어(412a, 412b), 렌즈(413)등은 상기의 첫 번째 실시예와 동일하게 적용한다.
<실시예 3>
본 발명의 세 번째 실시예는, 상기 실시예 1, 실시예 2와 같이 제작된 LED 패키지를 어레이의 형태로 배열하는 것이다.
도 3과 같이 LED(301a, 301b)가 플립 칩 본딩 되는 서브 마운트(302a, 302b)를 두 개이상 어레이(Array)로 패키지 하여야 할 경우, 각각의 서브 마운트(302a, 302b)를 방열기판(304)에 직접 접합하며, P-금속배선(303a)과 N-금속배선(303b)을 각각 한 개씩 사용하여 서로 연결되거나 겹쳐지지 않게 접합한다.
LED(301a, 301b)와 플립 칩 본딩되어 전기적으로 연결되는 실리콘 서브 마운트(302a, 302b)와 방열기판(304)에 본딩되는 P-금속배선(303a)과 N-금속배선(303b)를 각각 유도성 와이어로 연결하여 외부에서 P-금속배선(303a)과 N-금속배선(303b)에 전류를 인가하면 모든 서브 마운트의 LED(301a, 301b)에 전기적으로 연결된다. 그리고 서브마운트(302a, 302b) 및 금속배선(303a, 303b) 접합 시 사용되는 접착제 (미도시) 및 와이어(305), 렌즈(미도시)등은 상기의 첫 번째 실시예와 동일하게 적용된다.
상기 실시예 2에서 제작되는 LED 패키지를 이용하여, 실시예 3에서 사용되는 동일한 방열기판(304)과 금속배선(303a, 303b)을 이용하여 다른 어레이 형태의 LED 패키지를 구성하는 것도 가능하다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, LED가 본딩되는 실리콘 서브마운트를 방열기판에 직접 접합하므로 인하여 LED 구동시 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있고, LED 패키지 구조가 단순화되어 제조 비용을 크게 줄일 수 있다.
그리고, 본 발명은 고출력 LED를 이용한 LCD 백 라이트 및 일반 조명등의 어플리케이션에 적용할 뿐만 아니라 기존의 PCS 폰의 백 라이트, 키 패드용 LED 패키지에도 적용하여 LED의 광 특성을 향상시키는 효과가 있다.
특히, LED가 플립 칩 본딩되는 서브 마운트를 두 개이상의 어레이로 패키지 하므로 LCD 백라이트 묘듈에 적용하여 제조 비용을 크게 줄이는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트;
    상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막;
    상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체;
    상기 배전금속과 연결된 금속배선; 상기 금속배선 하부에 형성된 절연기판 및;
    상기 절연체 및 상기 절연기판에서 발산되는 열을 모두 방열하기 위하여 상기 절연체 및 상기 절연기판 하부를 모두 덮도록 형성되는 방열기판을 포함하고,
    상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  2. LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트;
    상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속;
    상기 배전금속과 연결된 금속배선;
    상기 실리콘 서브마운트 및 상기 금속배선에서 발산되는 열을 모두 방열하기 위하여 상기 실리콘 서브마운트 및 상기 금속배선 하부를 모두 덮도록 형성되는 방열기판을 포함하고,
    상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  3. LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트;
    상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막;
    상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속;
    상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체를 포함하는 소자부를 적어도 하나이상 포함하고,
    상기 소자부의 각각의 배전금속은 방열기판 상부에 형성된 절연층 상의 금속배선과 연결되며,
    상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  4. LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트;
    상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막;
    상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속을 포함하는 소자부를 적어도 하나 이상 포함하고;
    상기 소자부의 각각의 배전금속은 부도체의 방열기판 상부에 형성된 금속배선과 연결되며,
    상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED는 발광하는 빛의 효율을 향상하기 위해 렌즈로 덮히는 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배전금속은 P-금속배선과 N-금속배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지.
  7. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019212254A1 (ko) * 2018-05-02 2019-11-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294782A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Hitachi Ltd 半導体光源装置
TWI260798B (en) * 2005-05-02 2006-08-21 Ind Tech Res Inst Highly heat-dissipating light-emitting diode
KR100625600B1 (ko) * 2005-05-30 2006-09-20 엘지전자 주식회사 측면형 발광 다이오드의 패키지 구조 및 이에 대한제작방법
JP4857633B2 (ja) * 2005-07-20 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ光源
KR100629521B1 (ko) * 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
JP4940883B2 (ja) * 2005-10-31 2012-05-30 豊田合成株式会社 発光装置
KR100668648B1 (ko) 2005-11-24 2007-01-16 한국광기술원 탈부착이 가능한 발광다이오드 패키지 및 그 방열기판
JP2007194385A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US7528422B2 (en) * 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
US8044412B2 (en) * 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
KR100752009B1 (ko) * 2006-03-06 2007-08-28 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ가 구비된 백라이트유닛
US8089077B2 (en) * 2006-04-04 2012-01-03 Fuji Xerox Co., Ltd. Light-emitting element array with micro-lenses and optical writing head
JP2007281146A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Sharp Corp 半導体発光装置
TW200742113A (en) * 2006-04-20 2007-11-01 San-Bao Lin Package structure of light-emitting device
CN100418242C (zh) * 2006-05-17 2008-09-10 广州南科集成电子有限公司 Led制造方法
CN100392855C (zh) * 2006-05-19 2008-06-04 广州南科集成电子有限公司 U槽led集成芯片及制造方法
JP2008053693A (ja) * 2006-07-28 2008-03-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール、携帯機器、および半導体モジュールの製造方法
CN100456504C (zh) * 2006-08-30 2009-01-28 牟小波 一种超大功率照明级发光二极管金属封装结构
US20090086491A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ruud Lighting, Inc. Aerodynamic LED Floodlight Fixture
US7952262B2 (en) 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US7686469B2 (en) 2006-09-30 2010-03-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
KR100765240B1 (ko) * 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
KR20080057881A (ko) * 2006-12-21 2008-06-25 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
DE102007006175A1 (de) * 2007-02-07 2008-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wärmeleitfähige Schicht und Verfahren zur Herstellung einer wärmeleitfähigen Schicht
US7638814B2 (en) * 2007-06-19 2009-12-29 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Solderless integrated package connector and heat sink for LED
FR2918795B1 (fr) * 2007-07-12 2009-10-02 St Microelectronics Sa Capteur d'images a sensibilite amelioree.
US20090023234A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Hung-Tsung Hsu Method for manufacturing light emitting diode package
JP2009059745A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kyocera Corp 発光装置
CN101436632B (zh) * 2007-11-12 2010-11-03 良峰塑胶机械股份有限公司 具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法
US20090121252A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Hung-Tsung Hsu Method for manufacturing flip-chip light emitting diode package
TW200928203A (en) * 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
JP2009212501A (ja) * 2008-02-08 2009-09-17 Seiko Instruments Inc 発光デバイス及びその製造方法
US20110163348A1 (en) * 2008-03-25 2011-07-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump
US8531024B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and multilevel conductive trace
US8212279B2 (en) * 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US20110156090A1 (en) * 2008-03-25 2011-06-30 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US8269336B2 (en) * 2008-03-25 2012-09-18 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and signal post
US20090284932A1 (en) * 2008-03-25 2009-11-19 Bridge Semiconductor Corporation Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry
US8148747B2 (en) * 2008-03-25 2012-04-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/cap heat spreader
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
US8415703B2 (en) * 2008-03-25 2013-04-09 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange
US8354688B2 (en) 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
US8288792B2 (en) * 2008-03-25 2012-10-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader
US8525214B2 (en) 2008-03-25 2013-09-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
US8232576B1 (en) 2008-03-25 2012-07-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and ceramic block in post
US8324723B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
US20100072511A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-25 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader
US20100052005A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-04 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace
US8378372B2 (en) * 2008-03-25 2013-02-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and horizontal signal routing
US20110278638A1 (en) 2008-03-25 2011-11-17 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post
US8129742B2 (en) * 2008-03-25 2012-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole
US8203167B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal
US8067784B2 (en) 2008-03-25 2011-11-29 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and substrate
US8310043B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with ESD protection layer
US8329510B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-11 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with an ESD protection layer
CN101572282B (zh) * 2008-04-30 2012-05-30 深圳市九洲光电科技有限公司 一种平凸透镜封装的led及其制造方法
US7928458B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
KR101020993B1 (ko) 2009-03-10 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
EP2413392A4 (en) * 2009-03-24 2013-12-18 Kang Kim LIGHT EMITTING DIODE HOUSING
TWM366757U (en) * 2009-04-27 2009-10-11 Forward Electronics Co Ltd AC LED packaging structure
US8324653B1 (en) 2009-08-06 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate
US8210422B2 (en) * 2009-09-30 2012-07-03 Apple Inc. Solder containment brackets
US8286886B2 (en) * 2009-12-23 2012-10-16 Hynix Semiconductor Inc. LED package and RFID system including the same
KR101102722B1 (ko) * 2009-12-23 2012-01-05 주식회사 하이닉스반도체 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 포함하는 ｒｆｉｄ 시스템
CN101865396A (zh) * 2010-07-07 2010-10-20 深圳市超频三科技有限公司 Led发光模组
US8519426B2 (en) * 2010-08-09 2013-08-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
JP2012142410A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
KR101783955B1 (ko) * 2011-02-10 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
TWI451605B (zh) * 2011-03-08 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
FI20115268A0 (fi) * 2011-03-18 2011-03-18 Lumichip Ltd LED-komponentti
WO2012163086A1 (en) 2011-06-01 2012-12-06 The Hong Kong University Of Science And Technology Submount with cavities and through vias for led packaging
CN102222736A (zh) * 2011-06-14 2011-10-19 浙江东晶光电科技有限公司 一种双侧面发光的半导体发光管的封装方法
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
KR102005235B1 (ko) 2013-03-06 2019-07-30 삼성전자주식회사 플립칩 본딩 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
WO2014141691A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 パナソニック株式会社 発光モジュール
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
JP6854643B2 (ja) 2013-06-12 2021-04-07 ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー 付着された光発生源を用いたキーボードバックライティング
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
CN103972351B (zh) * 2014-05-19 2017-06-16 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其生长方法
CN104009028B (zh) * 2014-05-26 2017-06-06 上海信耀电子有限公司 陶瓷基板和散热衬底的大功率led集成封装方法及结构
US10629393B2 (en) 2016-01-15 2020-04-21 Rohinni, LLC Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus
JP6279702B2 (ja) * 2016-12-26 2018-02-14 ローム株式会社 発光素子パッケージおよび照明装置
KR102261288B1 (ko) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 자동차 외장용 발광다이오드 패키지
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
CN114966864B (zh) * 2022-06-24 2024-03-08 山东省地质矿产勘查开发局第三地质大队(山东省第三地质矿产勘查院、山东省海洋地质勘查院) 一种变质岩区晶质石墨矿找矿系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043632A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2003218397A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置
JP2003243718A (ja) 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US20030168664A1 (en) 2000-05-26 2003-09-11 Berthold Hahn Light-emitting-diode chip comprising a sequence of gan-based epitaxial layer which emit radiation, and a method for producing the same
KR20040020239A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 고출력 ｌｅｄ를 위한 역피라미드형 플립 칩
KR20050012372A (ko) * 2003-07-25 2005-02-02 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR880014692A (ko) * 1987-05-30 1988-12-24 강진구 반사경이 부착된 반도체 발광장치
JPH0548073A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Hitachi Ltd 半導体装置
US5896481A (en) * 1997-05-30 1999-04-20 The Boeing Company Optical subassembly with a groove for aligning an optical device with an optical fiber
JPH11251644A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2000106458A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Matsushita Electronics Industry Corp 画像書込み用発光装置
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US7086858B2 (en) * 1999-09-24 2006-08-08 Cao Group, Inc. Semiconductor curing light system useful for curing light activated composite materials
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
US6600231B2 (en) * 2000-05-11 2003-07-29 Mitutoyo Corporation Functional device unit and method of producing the same
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
US6634771B2 (en) * 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Semiconductor light source using a primary and secondary heat sink combination
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
JP2004200264A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US20040120151A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc. Forensic light using semiconductor light source
US7170151B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
EP1590994B1 (en) * 2003-02-07 2016-05-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
US20040184270A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Halter Michael A. LED light module with micro-reflector cavities
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
EP2270887B1 (en) * 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP5349755B2 (ja) * 2003-12-09 2013-11-20 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー 表面実装の発光チップパッケージ
TWI227570B (en) * 2003-12-11 2005-02-01 South Epitaxy Corp Light-emitting diode packaging structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030168664A1 (en) 2000-05-26 2003-09-11 Berthold Hahn Light-emitting-diode chip comprising a sequence of gan-based epitaxial layer which emit radiation, and a method for producing the same
JP2002043632A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2003218397A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置
JP2003243718A (ja) 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR20040020239A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 고출력 ｌｅｄ를 위한 역피라미드형 플립 칩
KR20050012372A (ko) * 2003-07-25 2005-02-02 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019212254A1 (ko) * 2018-05-02 2019-11-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지
US11955584B2 (en) 2018-05-02 2024-04-09 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting element package

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