KR101020993B1 - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판; 상기 기판 상부 및 하부에 형성된 제1 방열부재 및 제2 방열부재; 상기 기판에 주입되어 상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재와 각각 전기적으로 연결되는 제2 도전형의 불순물 영역; 상기 기판 상에 형성되어 상기 제1 방열부재와 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 상기 기판 상에 형성되어 상기 제2 방열부재와 전기적으로 연결되는 제2 전극층; 및 상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함한다.
발광소자 패키지
Description
본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자로써 발광 다이오드가 많이 사용되고 있다.
발광 다이오드는 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층이 적층되어 인가되는 전원에 따라 상기 활성층에서 빛이 발생되어 외부로 방출된다.
발광소자 패키지는 실리콘(Si) 기판 상에 발광소자를 설치하는 형태로 제작될 수 있는데, 실리콘 기판은 열저항이 크기 때문에 열 방출 특성이 좋지 못하여 발광소자의 발광특성이 열화되는 문제가 있다.
또한, 발광소자 패키지는 발광소자에 인가되는 역방향 ESD(Electro Static Discharge)에 의해 손상이 될 수 있는 문제가 있다.
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 열 방출 특성이 향상된 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 ESD에 의한 손상을 방지할 수 있는 제너 다이오드가 형성된 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판; 상기 기판 상부 및 하부에 형성된 제1 방열부재 및 제2 방열부재; 상기 기판에 주입되어 상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재와 각각 전기적으로 연결되는 제2 도전형의 불순물 영역; 상기 기판 상에 형성되어 상기 제1 방열부재와 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 상기 기판 상에 형성되어 상기 제2 방열부재와 전기적으로 연결되는 제2 전극층; 및 상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판이 준비되는 단계; 상기 기판을 식각하여 상기 기판의 상면에 제2 캐비티 및 상기 기판의 하면에 제3 캐비티를 형성하는 단계; 상기 기판에 제2 도전형의 불순물을 주입하여 상기 제2 캐비티 및 제3 캐비티가 형성된 부분에 제2 도전형의 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 제2 캐비티 및 제3 캐비티 내에 도전성의 제1 방열 부재 및 제2 방열부재를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 방열부재와 전기적으로 연결된 제1 전극층 및 상기 제1 전극층과 전기적으로 분리되고 상기 제2 방열부재와 전기적으로 연결된 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 발광소자를 설치하고 상기 발광소자와 상기 제1 전극층 및 제2 전극층을 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 열 방출 특성이 향상된 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 ESD에 의한 손상을 방지할 수 있는 제너 다이오드가 형성된 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위/상(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위/상(on)"와 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위/상 또는 아래/하에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.
먼저, 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1 도전형의 불순물을 포함하는 기판(10)과, 상기 기판(10)의 두 부분에 형성된 제2 도전형의 불순물 영역(14)과, 상기 기판(10)의 표면에 형성된 절연층(20)과, 상기 기판(10)의 상부에 형성된 제1 방열부재(31) 및 상기 기판(10)의 하부에 형성된 제2 방열부재(32)와, 상기 기판(10) 상에 형성되어 서로 전기적으로 분리된 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)과, 상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)과 전기적으로 연결된 발광소자(50)를 포함한다.
상기 기판(10)은 실리콘(Si) 재질의 기판으로 형성될 수 있으며, 제1 도전형의 불순물이 포함된다. 그리고, 상기 기판(10)의 상부 및 하부에는 제2 도전형의 불순물이 주입된 제2 도전형의 불순물 영역(14)이 형성된다. 상기 기판(10)과 상기 제2 도전형의 불순물 영역(14)은 p-n-p 접합 또는 n-p-n 접합을 갖는 제너 다이오드를 형성한다.
상기 기판(10)의 표면에는 누설 전류를 방지하기 위해 실리콘 산화막으로 형성된 절연층(20)이 형성될 수 있다. 상기 절연층(20)은 상기 제2 도전형의 불순물 영역(14)이 전기적 연결을 위해 외부로 노출될 수 있도록 상기 기판(10)의 표면에 선택적으로 형성된다.
상기 기판(10)의 상면에는 제1 캐비티(cavity)(11)가 형성되고, 상기 제1 캐비티(11) 내에는 제2 캐비티(도 1의 12)가 형성되어 상기 제2 캐비티(12) 내에 상기 제1 방열부재(31)가 적어도 일부분 매립된다.
그리고, 상기 기판(10)의 하면에는 제3 캐비티(도 1의 13)가 형성되어 상기 제3 캐비티(13) 내에 상기 제2 방열부재(32)가 적어도 일부분 매립된다.
상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)는 도전성 금속으로 열 전도율이 좋은 구리(Cu) 재질로 형성될 수 있으며, 상기 제1 방열부재(31)와 제2 방열부재(32)가 서로 대응되는 위치에 형성되도록 함으로써, 즉, 상기 제1 방열부재(31)와 제2 방열부재(32)가 수직 방향에서 오버랩되도록 함으로써, 상기 제1 방열부재(31)로부터 상기 제2 방열부재(32)로 열 전달이 효과적으로 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)는 각각 상기 제2 도전형의 불순물 영역(14)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)은 상기 기판(10)의 하면으로부터 상기 기판(10)의 상면으로 연장되어 형성된다.
상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)은 상기 절연층(20) 상에 형성될 수 있으며, 상기 제1 전극층(41)의 일부는 상기 제1 방열부재(31)까지 연장되어 형성되고, 상기 제2 전극층(42)의 일부는 상기 제2 방열부재(32)까지 연장되어 형성된다.
따라서, 상기 제1 전극층(41)은 상기 제1 방열부재(31)와 접하는 제2 도전형의 불순물 영역(14)과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극층(42)은 상기 제2 방열부재(32)와 접하는 제2 도전형의 분순물 영역(14)과 전기적으로 연결된다.
상기 발광소자(50)는 발광 다이오드가 될 수 있다. 상기 발광 다이오드는 수직형 발광 다이오드 또는 수평형 발광 다이오드 등 다양한 구조를 갖도록 설계될 수 있다.
상기 발광소자(50)는 와이어(51)를 통해 상기 제1 전극층(41) 및/또는 제2 전극층(42)과 전기적으로 연결되며, 실시예에서는 상기 발광소자(50)의 일측이 상기 제1 전극층(41)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결되고 상기 와이어(51)를 통해 상기 제2 전극층(42)가 전기적으로 연결된 것이 개시되어 있다.
상기 발광소자(50)와 상기 제너 다이오드는 서로 병렬로 연결된 회로 구성을 갖는다.
따라서, 상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)을 통해 정방향 전압이 인가되면 상기 발광소자(50)에서 빛이 방출되나, 상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)에 역방향 ESD 전압이 인가되면 상기 제너 다이오드를 통해 전류가 흐르게 되어 상기 발광 소자(50)를 ESD로부터 보호할 수 있다.
한편, 비록 도시되지는 않았지만, 상기 제1 캐비티(11)에는 형광체를 포함하는 몰딩부재(미도시)가 충진될 수도 있다.
다음, 도 1 내지 도 6을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판(10)이 준비되고, 상기 기판(1)의 상면 및 하면을 식각하여 제1 캐비티(11), 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13)를 형성한다.
도 2를 참조하면, 상기 기판(10)의 표면에 절연층(20)이 형성된다. 상기 절연층(20)은 실리콘 재질로 형성된 기판(10)을 산화시킨 실리콘 산화막으로 형성될 수 있다.
상기 절연층(20)은 상기 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13)를 제외한 영역에만 선택적으로 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13)가 형성된 부분의 기판(10) 내에 제2 도전형의 불순물을 주입하여 제2 도전형의 불순물 영역(14)을 형성한다.
한편, 상기 제2 도전형의 불순물 영역(14)을 형성하는 공정과 상기 절연층(20)을 형성하는 공정은 순서가 서로 뒤바뀔 수도 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13) 내에 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)를 형성한다.
상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)는 상기 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13) 내에 씨드층을 형성한 후 상기 씨드층 상에 도금을 수행하여 형성될 수도 있다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(10) 상에 서로 전기적으로 분리된 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)을 형성한다.
상기 제1 전극층(41) 및 제2 전극층(42)은 상기 기판(10)의 하면으로부터 상면까지 연장되도록 함으로써, 상기 발광소자 패키지를 표면 실장 방식으로 용이하게 설치할 수 있다.
상기 제1 전극층(41)은 상기 제1 방열부재(31)와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극층(42)은 상기 제2 방열부재(32)와 전기적으로 연결된다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 전극(41) 상에 발광소자(50)를 설치한다. 그리고, 상기 발광소자(50)와 제2 전극층(42)을 와이어(51)를 통해 전기적으로 연결한다.
상술한 바와 같이, 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법은 기판(10)에 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13)를 형성하여, 금속 재질의 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)를 형성함으로써 상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)를 이용하여 발광소자(50)에서 방출된 열을 신속히 외부로 배출할 수 있다.
그리고, 상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)를 각각 상기 기판(10)의 상하에 배치되도록 하고, 수직 방향으로 오버랩되도록 함으로써, 상기 제1 방열부재(31)와 제2 방열부재(32) 사이의 열 전달이 효과적으로 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법은 상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32)를 상기 제2 도전형의 불순물 영역(14)과 전기적으로 으로 연결함으로써 방열 효과 뿐만 아니라 제너 다이오드를 전기적으로 연결하는 전극의 역할을 수행할 수 있다. 특히, 상기 제1 방열부재(31) 및 제2 방열부재(32) 가 제2 캐비티(12) 및 제3 캐비티(13) 내에 형성되기 때문에 상기 제2 도전형의 분순물 영역(14)과 접촉하는 면적이 증대되어 제너 다이오드가 보다 효과적으로 동작되는 장점이 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 설명하는 도면.
Claims (12)
- 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판;상기 기판의 상부 및 하부에 배치되는 제1 방열부재 및 제2 방열부재;상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재와 상기 기판이 만나는 부분의 기판에 각각 배치되고, 상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재와 전기적으로 연결되는 제2 도전형의 불순물 영역;상기 기판 상에 형성되어 상기 제1 방열부재와 전기적으로 연결되는 제1 전극층;상기 기판 상에 형성되어 상기 제2 방열부재와 전기적으로 연결되는 제2 전극층; 및상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고,상기 제2 방열부재는 상기 제1 방열부재 아래에 위치하고, 상기 제1 방열부재와 상기 제2 방열부재는 상기 기판을 사이에 두고 배치되며,상기 발광소자는 상기 제1 방열부재의 상부에 위치하는 발광소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 발광소자 패키지.
- 제 2항에 있어서,상기 기판의 표면에는 절연층이 형성되고, 상기 절연층은 실리콘 산화막인 발광소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재는 상기 기판 내에 적어도 일부분이 매립된 발광소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재는 구리 재질로 형성된 발광소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재는 상기 발광소자와 수직 방향으로 오버랩되는 발광소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 방열부재와 상기 제2 방열부재는 적어도 일부분이 수직 방향으로 오버랩되는 발광소자 패키지.
- 제1 도전형의 불순물이 포함된 기판이 준비되는 단계;상기 기판의 상면에 제1 캐비티, 상기 제1 캐비티 내에 제2 캐비티 및 상기 기판의 하면에 제3 캐비티를 형성하는 단계;상기 기판에 제2 도전형의 불순물을 주입하여 상기 제2 캐비티 및 제3 캐비티가 형성된 부분에 제2 도전형의 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 제2 캐비티 및 제3 캐비티 내에 도전성의 제1 방열부재 및 제2 방열부재를 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 제1 방열부재와 전기적으로 연결된 제1 전극층과, 상기 제1 전극층과 전기적으로 분리되고 상기 제2 방열부재와 전기적으로 연결된 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제1 캐비티 내에 발광소자를 배치하는 단계를 포함하고,상기 제2 방열부재는 상기 제1 방열부재 아래에 위치하고, 상기 제1 방열부재와 상기 제2 방열부재는 상기 기판을 사이에 두고 배치되는 발광소자 패키지 제조방법.
- 삭제
- 제 8항에 있어서,상기 제2 캐비티 및 제3 캐비티가 형성된 부분이 노출되도록 상기 기판의 표면에 선택적으로 절연층을 형성하는 단계가 포함되고,상기 제1 전극층 및 제2 전극층은 상기 절연층 상에 형성되어 각각 상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재까지 연장되는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 발광소자는 상기 제1 방열부재 및 제2 방열부재와 수직 방향으로 오버 랩되는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 제1 방열부재와 상기 제2 방열부재는 적어도 일 부분이 수직 방향으로 오버랩되는 발광소자 패키지 제조방법.
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Citations (3)
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