JP2009212394A - 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＬＥＤ発光部１００で励起された光のうち、発光領域から光取り出し面方向に出射する光束Ａ１以外の光束Ｂ１を有効に取り出すこと。
【解決手段】 Ｓｉ基板１２６には、テーパー状の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に薄膜半導体チップ１５０が貼り付けられる。図示しない配線層を介して、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３が発光する。テーパー状の側面形状は、薄膜半導体チップ１５０の側面出射光を光取出面出射光方向へ屈折させる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置、ＬＥＤヘッド及び画像形成装置に関する。

従来、発光素子、受光素子等を形成する光半導体装置に於いて、半導体を形成する層の１つに予め、光反射率の高い層を形成することで、光取り出し面方向に向かう光のみでなく、半導体薄膜裏面方向へ出射した光を反射させ、光取り出し面から効率よく光を取り出す技術が開示されている。
特開平７−３３５９６７号公報

しかしながら、従来の技術では発光部で励起された光のうち、発光領域から光取り出し面方向に出射する光と、光取り出し面方向とは逆の方向に出射し、光反射層で反射し、光取り出し面方向から出射する光は取り出せるが、それ以外の方向へ出射する光のほとんどは取り出すことが出来なかった。

第一の発明は、基板上に薄膜半導体素子を貼り付けて成る半導体装置であって、上記基板には、所定の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に上記薄膜半導体素子が貼り付けられていることを特徴とする。
第二の発明は、基板上に薄膜半導体素子を貼り付けて成る半導体装置であって、上記基板には、所定の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みに所定の有機材が充填され、該有機材上に上記薄膜半導体素子が貼り付けられていることを特徴とする。

第一の発明によれば、窪みの側面により、発光素子の側面出射光を該発光素子の光取出面出射光方向へ屈折させることが出来るので光取り出し効率を向上させることが出来るという効果を得る。
第二の発明によれば、窪みの内面により、発光素子の底面に拡がる出射光を該発光素子の光取出面出射光方向へ収束反射させることが出来るので光取り出し効率を向上させることが出来るという効果を得る。

以下に、本発明を最適に適用するための半導体装置、及びその製法の概略について説明する。
図１０は、ＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップの斜視図である。
通常のＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップ１０００は、図に示すように、集積回路１０２を有するＳｉ基板１０１と、このＳｉ基板１０１上に密着形成された導通層、例えばメタル層１０３とを有する。

またＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップ１０００は、メタル層１０３上に貼り付けられたシート上の半導体薄膜であるエピタキシャルフィルム（以下ＬＥＤエピフィルム１０４と記す）と、複数の個別配線層１０６とを有する。メタル層１０３は、例えばグランドに接続されている。通常形態のＬＥＤエピフィルム１０４には、複数のＬＥＤ１０５（発光部）が一体化して形成されている。複数のＬＥＤ１０５は、等ピッチで１列（Ｘ方向であり、ＬＥＤ駆動用の駆動ＩＣの配列方向でもある）に配列されている。

図１１は、ＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップの製造プロセス説明図である。
ＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップ１０００の製造に当たって、まず（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０１ａ（Ｓｉ基板１０１）のチップ形成領域１１８内に集積回路１０２が形成される。

次に、（ｂ）に示すように、チップ形成領域１１８内にメタル層１０３が形成される。次に（ｃ）に示すように、メタル層１０３の上にＬＥＤエピフィルム１０４が貼り付けられる。次に（ｄ）に示すように、少なくともＬＥＤエピフィルム１０４内の素子（ＬＥＤ）と、ＩＣ領域（集積回路１０２の形成領域）の個別配線層１０６の接続領域との間の個別配線形成領域上に絶縁膜１１７が形成される。

次に、（ｅ）に示すように、絶縁膜１１７の上にリフトオフ法、又はフォトリソグラフィ技術を用いて薄膜の個別配線層１０６が形成される。次に、ダイシング予定ライン４０３、４０４に沿ってダイシングされ（ｆ）に示すＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップ１０００が生成される。

本発明による半導体装置の発光部は、上記複数のＬＥＤ１０５（発光部）が一体化して形成されているＬＥＤエピフィルム１０４に替えて適用される。以下にその実施の形態について詳細に説明する。

図１は、実施例１によるＬＥＤ発光部の側面断面図である。
図に示すように、本実施例によるＬＥＤ発光部１００は、Ｓｉ基板１２６の表面の所定の領域に形成された、側面がテーパー状の窪みの底面（平面）に分子間力によって薄膜半導体チップ１５０がボンディングされ形成される。薄膜半導体チップ１５０は、図に示すように、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１１２と、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３と、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１１４と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５とが積層された薄膜半導体のチップである。

図示しない配線層を介して、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３が発光する。その結果、薄膜半導体チップ１５０と垂直方向（光取り出し面方向）へ出射され光束Ａ１と、薄膜半導体チップ１５０の側面方向（光取り出し面と直角方向）へ出射される光束Ｂ１とが生成される。ここで光束Ｂ１は、薄膜半導体チップ１５０の側面方向へ出射されるが、Ｓｉ基板１２６に設けられた窪みのテーパー状の側面で反射し、光束Ａ１と一体となる。ここで光束Ａ１には、薄膜半導体チップ１５０の表面から垂直方向へ直接出射される光束と、薄膜半導体チップ１５０の裏面から垂直方向（光取り出し面と反対方向）へ出射されＳｉ基板１２６に設けられた窪みの底面から反射してくる光束とが含まれている。

図２は、実施例１によるＬＥＤ発光部変形例の側面断面図である。
図に示すように、本変形例によるＬＥＤ発光部２００は、Ｓｉ基板１２６の表面の所定の領域に形成された、側面がテーパー状の窪みの底面に分子間力によって薄膜半導体チップ１５０がボンディングされ形成される。但し、この側面がテーパー状の窪みには光反射層１２８が形成されている。以下に、ＬＥＤ発光部１００との相違部分のみについて説明する。ＬＥＤ発光部１００と同様の部分については、ＬＥＤ発光部１００と同一の符号を付して説明を省略する。

光反射層１２８は、Ｓｉ基板１２６に設けられた窪みのテーパー状の側面、及び底面に形成されたＳｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＡｕＧｅＮｉ、等からなる金属薄膜である。この光反射層１２８は、金属蒸着やイオンプレーティング等により形成される。

この光反射層１２８の形成により、薄膜半導体チップ１５０の側面方向へ出射されＳｉ基板１２６に設けられた窪みのテーパー状の側面で反射する光束Ｂ２は、Ｂ２≧Ｂ１となる。又、薄膜半導体チップ１５０の表面から垂直方向へ直接出射される光束と、薄膜半導体チップ１５０の裏面から垂直方向へ出射されＳｉ基板１２６に設けられた窪みの底面から反射してくる光束とが含まれている光束Ａ２は、Ａ２≧Ａ１となる。

以上説明した実施例１のＬＥＤ発光部の製造方法の概要について説明する。
以下にＬＥＤ発光部の製造方法の概要について工程順に従って説明する。
実施例１によるＬＥＤ発光部の製法説明図（その１）である。
（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１２１の上にＡｌＡｓ剥離層１２４を成膜する。その上に、図面の下から順にＧａＡｓ下コンタクト層１１１、ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１１２、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１１４、及びＧａＡｓ上コンタクト層１１５を積層する。かかる成膜は、例えば有機金属化学気相成長法（ＯＭＣＶＤ法）等により実行される。

（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングし、ドライエッチング、又はウエットエッチングし、ＡｌＡｓ剥離層の上に薄膜半導体チップ１５０を形成する領域のみを残し、他の領域のＧａＡｓ下コンタクト層１１１、ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１１２、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１１４、及びＧａＡｓ上コンタクト層１１５を除去する。

（ｃ）に示すように、薄膜半導体チップ１５０を形成する領域の上にプレート１２５を有機接着材等を用いて接着する。但し、プレート１２５に関しては、あらかじめ粘着層を有したものを使用しても良い。ここで用いられる接着材、及びプレート１２５の材質は、次の工程で実行されるＡｌＡｓ剥離層１２４のエッチングに於いて剥離しない材質でなければ成らない。

（ｄ）に示すように、ＡｌＡｓ剥離層１２４のみエッチングするエッチング液を用いて、ＡｌＡｓ剥離層１２４を除去すると、プレート１２５と一体化された薄膜半導体チップ１５０を取得する。

図４は、実施例１によるＬＥＤ発光部の製法説明図（その２）である。
この図は、Ｓｉ基板１２６の表面の所定の領域に、側面がテーパー状の窪みを形成し、その底面に上記図３で求めた薄膜半導体チップ１５０をボンディングしてＬＥＤ発光部２００を形成する工程を表している。

（ａ）は、表面の所定の領域に、側面がテーパー状の窪みが形成される前の状態のＳｉ基板１２６を表している。

（ｂ）は、Ｓｉ基板１２６の表面にフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、ドライエッチング、又はウエットエッチングすることにより側面にテーパー状の窪みが形成された状態を表している。ここで窪みの深さ寸法は薄膜半導体チップ１５０の厚さ寸法よりも大きく設定されている。

（ｃ）は、Ｓｉ基板１２６の表面に形成された側面がテーパー状の窪みの内面に光反射層１２８を形成した状態を表している。この光反射層１２８はＳｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＡｕＧｅＮｉ、等からなり真空蒸着法や、イオンプレーティング法などにより形成される。

（ｄ）は、図３の（ｄ）で取得したプレート１２５と一体化された薄膜半導体チップ１５０を、内面に光反射層１２８が形成された、側面がテーパー状の窪みの底面（平面）に分子間力などにより、直接接合（ボンディング）された状態を表している。

（ｅ）は、所定の有機溶剤を用いてプレート１２５と一体化された薄膜半導体チップ１５０からプレート１２５を除去し、ＬＥＤ発光部２００が生成された状態を表している。以上説明した図３、及び図４の工程をへてＬＥＤ発光部２００が生成される。

以上説明したように、実施例１によれば、ＬＥＤ発光部１００から出射された光のうち、光取り出し面方向へ出射する光束、及び光取り出し面方向とは逆方向へ出射した後、薄膜裏面で反射し、光取り出し面から出射する光束のほかに、光取り出し面方向とは垂直方向へ出射する光束をもテーパー状の側面で光取り出し面方向へ向かせることになるので光取り出し効率を大幅に向上させることが出来るという効果を得る。

更に、実施例１の変形例によれば、側面がテーパー状の窪みの内面に光反射層１２８を設けることにより、上記ＬＥＤ発光部１００よりも一層光取り出し効率を向上させることが出来るという効果を得る。

図５は、実施例２によるＬＥＤ発光部の側面断面図である。
図に示すように、本実施例によるＬＥＤ発光部３００は、Ｓｉ基板１２６の表面の所定の領域に形成された、内面が球面状の窪みに有機系材料１２７が充填され、その上に薄膜半導体チップ１５０がボンディングされ形成される。薄膜半導体チップ１５０は、図に示すように、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１１２と、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３と、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１１４と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５とが積層された薄膜半導体のチップである。

図示しない配線層を介して、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３が発光する。その結果、薄膜半導体チップ１５０と垂直方向（光取り出し面方向）へ出射され光束Ａ１と、薄膜半導体チップ１５０の裏面方向（光取り出し面と逆方向）へ出射され、拡がる光束Ｃ１とが生成される。ここで光束Ｃ１は、Ｓｉ基板１２６に設けられた窪みの球面状の側面で反射し、光束Ａ１と一体となる。

図６は、実施例２によるＬＥＤ発光部変形例の側面断面図である。
図に示すように、本変形例によるＬＥＤ発光部４００は、Ｓｉ基板１２６の表面の所定の領域に形成された、内面が球面状の窪みに有機系材料１２７が充填され、その上に薄膜半導体チップ１５０がボンディングされ形成される。但し、この内面が球面状の窪みには光反射層１２８が形成されている。以下に、ＬＥＤ発光部３００との相違部分のみについて説明する。ＬＥＤ発光部３００と同様の部分については、ＬＥＤ発光部３００と同一の符号を付して説明を省略する。

光反射層１２８は、Ｓｉ基板１２６に設けられた窪みの球面状の内面に形成されたＳｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＡｕＧｅＮｉ、等からなる金属薄膜である。この光反射層１２８は、金属蒸着やイオンプレーティング等により形成される。

この光反射層１２８の形成により、薄膜半導体チップ１５０の裏面方向へ出射され、Ｓｉ基板１２６に設けられた窪みの球面状の内面で反射する光束Ｃ２は、Ｃ２≧Ｃ１となる。

以上説明した実施例２のＬＥＤ発光部の製造方法については、図４（ｂ）における側面にテーパー状の窪みが形成された状態が球面状の内面に変更され、更に、図４（ｄ）において、窪みの中に有機系材料１２７（図６）が充填された後、その上にプレート１２５と一体化された薄膜半導体チップ１５０が接着される点のみに於いて実施例１と異なるのみなので説明を省略する。

以上説明したように、実施例２によれば、薄膜半導体チップ１５０の内部で励起された光が光取り出し面方向へ出射する光、及び光取り出し面方向とは逆方向へ出射したあと、球面状の窪みの壁面で反射されて光取り出し面から出射する光の他に、光取り出し面とは逆方向へ進み、且つ光取り出し方向の垂直方向軸とは外れた方向へ進む光も、球面状の壁面で反射されることにより光取り出し面方向へ進むため、光取り出し効率を大幅に向上させることが出来るという効果を得る。更に、球面状の窪みに有機系材料を埋め込むことにより、該当箇所の高さを、貼付け箇所以外の高さと同等の高さにすることが出来るので、貼付けにおける信頼性が向上するという効果を得る。

更に、実施例２の変形例によれば、壁面が球面状の窪みの内面に光反射層１２８を設けることにより、光取り出し面方向とは逆方向へ出射した後、薄膜裏面で反射し、光取り出し面から出射する光束と、光取り出し面とは逆方向へ進み、且つ光取り出し方向の垂直方向軸とは外れた方向へ進む光をも効率的に取り出すことが出来るので、光取り出し効率をより一層向上させることが出来るという効果を得る。

本実施例では、上記実施例１及び実施例２で説明した半導体複合装置をＬＥＤヘッドとして画像形成装置に適用する例について説明する。
図７は、本発明のＬＥＤヘッドを用いたプリンタヘッドの説明図である。
図８は、ＬＥＤヘッドの平面配置図である。
図に示すように、ベース部材５０１上には、ＬＥＤヘッド５０２が搭載されている。このＬＥＤヘッド５０２は、上記実施例１及び実施例２に記載した何れかの半導体装置が実装されている。又、図に示すように、実装基板５０２ｅ上には、発光部と駆動部を複合した半導体複合装置が、発光部ユニット５０２ａとして長手方向に沿って複数個配置されている。実装基板５０２ｅ上には、その他に、電子部品が配置される配線が形成されている。又電子部品実装エリア５０２ｂ、５０２ｃ、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ５０２ｄ等が設けられている。

発光部ユニット５０２ａの発光部上方には、発光部から出射された光を集光する光学素子としてのロッドレンズアレイ５０３が配設されている。このロッドレンズアレイ５０３は、柱状の光学レンズを発光部ユニット５０２ａの直線状に配列された発光部に沿って多数配列されたもので、光学素子ホルダに相当するレンズホルダ５０４によって所定位置に保持されている。

このレンズホルダ５０４は、図に示すように、ベース部材５０１及びＬＥＤヘッド５０２を覆うように形成されている。ベース部材５０１、ＬＥＤヘッド５０２、及びレンズホルダ５０４は、ベース部材５０１及びレンズホルダ５０４に形成された開口部５０１ａ、５０４ａを介して配設されるクランパ５０５によって一体的に挟持されている。従って、ＬＥＤヘッド５０２で発生した光は、ロッドレンズアレイ５０３を通して、所定の外部部材に出射される。このＬＥＤプリントヘッド５００は、例えば電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる。

図９は、本発明の画像形成装置の要部構成図である。
図に示すように、画像形成装置６００内には、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する４個のプロセスユニット６０１〜６０４が、記録媒体６０５の搬送経路６２０に沿って、その上流側から順に配置されている。プロセスユニット６０１〜６０４の内部構成は共通しているため、例えばシアンのプロセスユニットを例にとり、内部構成について説明する。

プロセスユニット６０３には、像担持体として感光体ドラム６０３ａが矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム６０３ａの周囲には、その回転方向上流側から順に、感光体ドラム６０３ａの表面に電気供給して帯電させる帯電装置６０３ｂ、帯電された感光体ドラム６０３ａの表面に選択的に光を出射して静電潜像を形成する露光装置６０３ｃが配設される。更に、静電潜像が形成された感光体ドラム６０３ａの表面に、シアンのトナーを付着させて現像する現像装置６０３ｄ、及び、感光体ドラム６０３ａの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置６０３ｅが配設される。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源、及び、ギアによって回転させられる。

又、画像形成装置６００は、その下部に、紙などの記録媒体６０５を堆積した状態で収納する用紙カセット６０６を装着し、その上方には記録媒体６０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ６０７が配設されている。更に、記録媒体６０５の搬送方向における、このホッピングローラ６０７の下流側には、ピンチローラ６０８、６０９と共に記録媒体３０５を挟持することによって、記録媒体３０５の斜行を修正し、プロセスユニット６０１〜６０４に搬送するレジストローラ６１０、６１１が配設されている。これらのホッピングローラ６０７、及びレジストローラ６１０、６１１は、図示しない駆動源、及びギアによって連動回転される。

プロセスユニット６０１〜６０４の各感光体ドラムに対向する位置には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ６１２が配設されている。各感光体ドラム６０１ａ〜６０４ａ上のトナーを記録媒体６０５に付着させるために、各感光体ドラム６０１ａ〜６０４ａの表面とこれらの各転写ローラ６１２の表面との間に所定の電位差が生じるように構成されている。

定着装置６１３は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、記録媒体６０５上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着される。また、排出ローラ６１４、６１５は、定着装置６１３から排出された記録媒体６０５を、排出部のピンチローラ６１６、６１７と共に挟持し、記録媒体スタッカ部６１８に搬送する。尚、排出ローラ６１４、６１５は、図示されない駆動源、及び、ギアによって連動回転する。ここで使用される露光装置６０３ｃには、ＬＥＤユニットが搭載されている。

次に、画像形成装置の動作について説明する。まず、用紙カセット６０６に堆積した状態で収納されている記録媒体６０５がホッピングローラ６０７によって、上から１枚ずつ分離されて搬送される。その後、記録媒体６０５は、感光体ドラム６０１ａ及び転写ローラ６１２に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム６０１ａの回転によって搬送される。

同様にして、記録媒体６０５は、順次プロセスユニット６０２〜６０４を通過し、その通過過程で、各露光装置６０１ｃ〜６０４ｃにより形成された静電潜像を、現像装置６０１ｄ〜６０４ｄによって現像した各色のトナー像が、その記録画面に順次転写され重ね合わされる。そして、その記録面上に各色のトナー像が重ね合わされた後、定着装置６１３によってトナー像が定着された記録媒体６０５は、排出ローラ６１４、６１５及びピンチローラ６１６、６１７に挟持されて、画像形成装置６００の外部の記録媒体スタッカ部６１８に排出される。以上の過程を経て、カラー画像が記録媒体６０５上に形成される。

以上説明したように、実施例１及び実施例２に記載の半導体装置を用いたＬＥＤヘッドを搭載することによって、高品質で信頼性の高い画像形成装置を得ることが出来、発光効率が向上することから省電力化を図ることができるという効果を得る。

実施例の説明では、本発明をＬＥＤ素子に適用した場合について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。即ち、基板上に薄膜チップを接合するあらゆる種類の発光素子に適用可能である。

実施例１によるＬＥＤ発光部の側面断面図である。 実施例１によるＬＥＤ発光部変形例の側面断面図である。 実施例１によるＬＥＤ発光部の製法説明図（その１）である。 実施例１によるＬＥＤ発光部の製法説明図（その２）である。 実施例２によるＬＥＤ発光部の側面断面図である。 実施例２によるＬＥＤ発光部変形例の側面断面図である。 本発明のＬＥＤヘッドを用いたプリンタヘッドの説明図である。 ＬＥＤヘッドの平面配置図である。 本発明の画像形成装置の要部構成図である。 ＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップの斜視図である。 ＬＥＤ／駆動ＩＣ複合チップの製造プロセス説明図である。

符号の説明

１００ ＬＥＤ発光部
１１１ ＧａＡｓ下コンタクト層
１１２ ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
１１３ ＡｌＧａＡｓ活性層
１１４ ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
１１５ ＧａＡｓ上コンタクト層
１２６ Ｓｉ基板
１５０ 薄膜半導体チップ

Claims (9)

1. 基板上に薄膜半導体素子を貼り付けて成る半導体装置であって、
   前記基板には、所定の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に前記薄膜半導体素子が貼り付けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記薄膜半導体素子は発光素子であって、
   前記側面形状は、前記発光素子の側面出射光を該発光素子の光取出面出射光方向へ屈折させるテーパー形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記窪みの深さ寸法は、前記薄膜半導体素子の厚さ寸法よりも大であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記窪みの側面には、光反射層が成膜されていることを特徴とする請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の半導体装置。
5. 基板上に薄膜半導体素子を貼り付けて成る半導体装置であって、
   前記基板には、所定の内面形状を有する窪みが形成され、該窪みに所定の有機材が充填され、該有機材上に前記薄膜半導体素子が貼り付けられていることを特徴とする半導体装置。
6. 前記薄膜半導体素子は発光素子であって、
   前記内面形状は、前記発光素子の光取出面出射光方向へ開口する半球面形状を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記基板はＳｉ結晶からなることを特徴とする請求項１から請求項６までの何れか一項に記載の半導体装置。
8. 請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とするＬＥＤヘッド。
9. 請求項８に記載のＬＥＤヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。

Images