JP2006237156A - 光源装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源装置100は、金属ステム110と、一面は前記金属ステム110に溶着され、他面にはグルーブ121が形成され、前記グルーブ121には反射層122、絶縁層123、電極層124及び半田層125が順次堆積されるサブマウント120と、前記サブマウント120の半田層125に接着される発光素子130とを含む。
【選択図】図1
Description
110 金属ステム
111 電極
112 ワイヤー
120 サブマウント
121a 傾斜面
121 グルーブ
122 反射層
123 絶縁層
124 電極層
125 半田層
130 発光素子
131 電極
200 エッチングマスト
D グルーブの深さ
d 発光素子の高さ
Claims (45)
- 金属ステムと、
第1面及び第2面を有し、前記第1面は前記金属ステムに装着され、前記第2面にはグルーブが形成され、前記グルーブには電極層及び半田層が順次堆積されるサブマウントと、
前記サブマウントの半田層に電気的に接続される発光素子と、
を含むことを特徴とする光源装置。 - 前記サブマウントには、反射層及び絶縁層がさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記サブマウントには、前記反射層、絶縁層、電極層及び半田層が順次堆積されることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 前記発光素子の電極は、前記サブマウントの電極層と直接連結され、前記サブマウントの電極層は、前記金属ステムの電極とワイヤーを介して連結されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さより相対的に大きく形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記金属ステムは、MC PCB(Metal Core Printed Circuit Board)であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記発光素子は、LED(Light Emitting Diode)であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記金属ステムには絶縁層が堆積され、前記絶縁層には前記サブマウントが溶着されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記グルーブの側面には、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光できるように、傾斜面が形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記絶縁層の材質は、AlN、ZnO、BeO、SIO2及びSiNxの何れか1つであることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記半田層は、その融点が400℃以下で接合が可能な材質であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記半田層の材質は、Au−Sn、In、Pb、Pb−Sn及びAg−Snの何れか1つであることを特徴とする請求項11に記載の光源装置。
- シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階と、
前記複数のグルーブが形成されたシリコン基板に電極層及び半田層を順次形成する段階と、
前記各グルーブを1つの単位として前記シリコン基板を均等に切断して、複数のサブマウントを形成する段階と、
発光素子の電極と前記サブマウントの電極層とが連結されるように、前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階と、
前記サブマウントを金属ステムに整列させて光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。 - 前記シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階の後に、前記シリコン基板の前面に反射層及び絶縁層を順次形成することを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記電極層及び半田層は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項14に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階では、フリップチップボンディング方式(Flip chip bonding method)を用いることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの電極層は、ノーマルマウンティングボンディング方式(Normal mounting bonding method)により、前記金属ステムの電極と連結されることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階では、ノーマルマウンティング方式を用いることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記光源装置は、バックライトユニット及びカメラフラッシュユニットに用いられることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記グルーブの側面に傾斜面を形成し、前記傾斜面に沿って反射層を形成することにより、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光させることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 凹部が形成され第1固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備える光源装置。 - 前記電極層上に形成された半田層をさらに備え、
前記発光素子は、前記半田層に連結されることによって前記電極層と電気的に接続されている、請求項21に記載の光源装置。 - 前記第1固定部材の凹部内に形成された反射層及び絶縁層をさらに備える、請求項21に記載の光源装置。
- 前記反射層、前記絶縁層、前記電極層及び前記半田層は、前記凹部に順次形成されている、請求項23に記載の光源装置。
- 前記発光素子は電極を有し、
前記発光素子の電極は、前記半田層と直接連結されている、請求項21に記載の光源装置。 - 前記第1固定部材が固定された第2固定部材と、
前記第2固定部材上に形成された電極をさらに備え、
前記第1固定部材の前記凹部に形成された前記電極層は、前記第2固定部材上の電極とワイヤーを介して連結されている、請求項21乃至25の何れかに記載の光源装置。 - 前記第2固定部材は、金属部分と、前記金属部分上に形成された絶縁層とを有し、
前記第2固定部材の電極は、前記絶縁層上に形成されている、請求項26に記載の光源装置。 - 前記第1固定部材の前記凹部は底面に対して側面が傾斜している、請求項21に記載の光源装置。
- 前記第1固定部材、前記電極層、前記半田層は、半導体プロセスによって形成されていることを特徴とする、請求項21に記載の光源装置。
- 凹部が形成され第1固定部材と、前記凹部に形成された電極層と、前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子とを有する複数の光源部と、
前記複数の光源部が配列された第2固定部材と、
を備える光源装置。 - 前記発光素子は前記電極層にフリップチップ実装されており、前記光源部は前記第2固定部材にワイヤボンディングにより実装されている、請求項30に記載の光源装置。
- バックライトユニットの光源装置であって、
凹部が形成され第1固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備えるバックライトユニットの光源装置。 - カメラフラッシュユニットの光源装置であって、
凹部が形成され第1固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備えるカメラフラッシュユニットの光源装置。 - シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第1固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階と、
を含む光源装置の製造方法。 - 前記電極層上に半田層を形成する段階をさらに含み、
前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階では、前記半田層を介して前記発光素子を前記電極層に電気的に接続する、請求項34に記載の光源装置の製造方法。 - 前記凹部の形成後に、前記凹部に反射層及び絶縁層を順次形成する段階をさらに含み、
前記電極層は、前記絶縁層上に順次形成する、請求項34に記載の光源装置の製造方法。 - 前記電極層を形成する段階は、導電膜を堆積する段階と、前記導電膜をパターニングして、前記凹部ごとに2つの電極層を形成する段階を含む、請求項34に記載の光源装置の製造方法。
- 前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階は、前記発光素子を前記第1固定部材の前記半田層にフリップチップボンディング方式(Flip chip bonding method)で固定する、請求項34に記載の光源装置の製造方法。
- 前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階では、ノーマルマウンティング(Normal mounting bonding method)方式で前記発光素子を前記電極層に電気的に接続する、請求項34に記載の光源装置の製造方法。
- 前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階の後、前記第1固定部材を第2固定部材に固定する、請求項34に記載の光源装置の製造方法。
- 前記第2固定部材は電極を備え、
前記第1固定部材を前記第2固定部材に固定する段階では、前記第1固定部材の前記電極層を前記第2固定部材の前記電極に、ノーマルマウンティングボンディング方式(Normal mounting bonding method)で接続する、請求項40に記載の光源装置の製造方法。 - 前記凹部を形成する段階では、前記凹部の側面を底面に対して傾斜させる、請求項34に記載の光源装置の製造方法。
- 前記第1固定部材を前記第2固定部材に固定する段階では、複数の第1固定部材を前記第2固定部材に配列して固定する、請求項34乃至42の何れかに記載の光源装置の製造方法。
- バックライトユニットの光源装置の製造方法であって、
シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第1固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階と、
を含むバックライトユニットの光源装置の製造方法。 - カメラフラッシュユニットの光源装置の製造方法であって、
シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第1固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第1固定部材に固定する段階と、
を含むバックライトユニットの光源装置の製造方法。
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ID=37044498
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