JP2006237156A

JP2006237156A - 光源装置及びその製造方法

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Publication number: JP2006237156A
Application number: JP2005047654A
Authority: JP
Inventors: Geun Ho Kim; グンホキム; Song Ki-Chang; キチャンソン
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2006-09-07

Abstract

【課題】隣接する発光素子間の光干渉を防止し、発光素子の側面から放出される光を金属ステムの前方に集光して発光効率を高めることができる光源装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光源装置１００は、金属ステム１１０と、一面は前記金属ステム１１０に溶着され、他面にはグルーブ１２１が形成され、前記グルーブ１２１には反射層１２２、絶縁層１２３、電極層１２４及び半田層１２５が順次堆積されるサブマウント１２０と、前記サブマウント１２０の半田層１２５に接着される発光素子１３０とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、光源装置及びその製造方法に関し、特に、隣接する発光素子間の光干渉を防止し、各発光素子から放出される光を損失なしに金属ステムの前方に集光できる光源装置及びその製造方法に関する。

現在、活発に使用されている発光素子は、大きくレーザーダイオード(Laser Diode；LD)と発光ダイオード(Light Emitting Diode；LED)とに分けられる。

ＬＤは、光通信分野で光源として広く使用され、最近、コンパクトディスク(ＣＤ)再生器、コンパクトディスク記録再生器(ＣＤ−ＲＷ)分野だけでなく、ＤＶＤ再生器、レーザーディスク(ＬＤ)再生器、ミニディスク(ＭＤ)再生器などの光メディア分野でも重要な部品として使用されている。

ＬＥＤは、バックライトユニット(ＢＬＵ)に広く使用され、自体発光力のないＬＣパネルの下部に位置して、均一な平面光を照射させてＬＣＤを認識できるようにする光源装置として使用されている。

このようなＬＥＤは、比較的低い電圧で駆動が可能であると共に、高いエネルギー効率により、発熱が低く寿命が長いという利点を有する。

図１３は、従来の発光素子を示す縦断面図で、図１４は、従来の光源装置を示す縦断面図である。

図１３に示すように、従来の発光素子１０においては、サファイアまたはｎ−ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)などからなる基板１１の上面に、化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition；CVD)により、バッファ層１２、ｎ−接触層１３、活性層１４及びｐ−接触層１５が順次蒸着される。

前記ｐ−接触層１５の上面には、電流拡散層１６が形成され、前記電流拡散層１６の上面には、前記ｐ−接触層１５及び電流拡散層１６と電気的に連結されるｐ−電極１７が形成される。その後、前記ｎ−接触層１３の露出された一部分の上面に、ｎ−電極１８が形成される。

図１４に示すように、従来の光源装置４０において、前述したような発光素子１０は、サブマウント２０上にノーマルマウンティングボンディング方式(Normal mounting bonding method)により接着され、前記サブマウント２０は、金属ステム３０上に接着される。このとき、外部電源の印加のために、前記発光素子１０のｐ−電極１７は、前記サブマウント２０の電極２１とワイヤー１１を介して連結され、前記サブマウント２０の電極２１は、前記金属ステム３０の電極３１と他のワイヤー２２を介して連結される。前記ｎ−電極１８は、前記ｐ−電極１７と同じ構造で連結されているので、以下、前記ｎ−電極１８の連結構造に対する図面符号及びその説明は省略する。

以下、このように構成された従来の光源装置の動作を説明する。

図１３及び図１４に示すように、金属ステム３０の電極３１に電圧を印加すると、ワイヤー１１、２２を通してｐ−電極１７及びｎ−電極１８に電圧が印加される。

このとき、前記ｐ−電極１７及びｎ−電極１８にそれぞれ正孔及び電子が注入され、このように注入された正孔及び電子は、ｐ−接触層１５及びｎ−接触層１３に流入した後に活性層１４で再結合され、このとき、余分のエネルギーが光に変換されて発光する。

しかしながら、従来の光源装置においては、隣接する発光素子から放出される光が互いに干渉され、発光素子の側面から放出される光が金属ステムの前方に集光されず分散されて、発光効率が低いという問題点があった。

また、発光素子とサブマウントとの連結、及びサブマウントと金属ステムとの連結において、ワイヤーを利用するノーマルマウンティングボンディング方式を用いるため、連結作業が非常に難しく、収率が低いという問題点があった。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、隣接する発光素子間の光干渉を防止し、発光素子の側面から放出される光を金属ステムの前方に集光して発光効率を高めることができる光源装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明による光源装置は、金属ステムと、一面は前記金属ステムに装着され、他面にはグルーブが形成され、前記グルーブには反射層、絶縁層、電極層及び半田層が順次堆積されるサブマウントと、前記サブマウントの半田層に接着される発光素子とを含むことを特徴とする。ここで、グルーブは凹部又は溝を意味する。

前記発光素子の電極は、前記サブマウントの電極層と直接連結され、前記サブマウントの電極層は、前記金属ステムの電極とワイヤーを介して連結される。

前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さより相対的に大きく形成されることが好ましい。

前記金属ステムは、ＭＣＰＣＢ(Metal Core Printed Circuit Board)で、前記発光素子は、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)であることが好ましい。

一方、本発明による光源装置の製造方法は、シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階と、前記複数のグルーブが形成されたシリコン基板の前面に電極層及び半田層を順次形成する段階と、前記各グルーブを１つの単位として前記シリコン基板を均等に切断して、複数のサブマウントを形成する段階と、発光素子の電極と前記サブマウントの電極層とが連結されるように、前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階と、前記サブマウントを金属ステムに整列させて光源装置を完成する段階とを含む。

前記シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階以後には、前記シリコン基板の前面に反射層及び絶縁層を順次形成することが好ましい。

前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階では、フリップチップボンディング方式(Flip chip bonding method)を用いることが好ましい。

前記サブマウントの電極層は、ノーマルマウンティングボンディング方式により、前記金属ステムの電極と連結されることが好ましい。

本発明による光源装置及びその製造方法においては、サブマウントの母材であるシリコン基板の前面にグルーブを形成し、該グルーブ内に発光素子を装着させることにより、隣接する発光素子間の光干渉を防止できるという効果がある。

また、グルーブの内周面に反射層を形成することにより、発光素子の側面から放出される光を金属ステムの前方に集光し、発光効率を高めることができるという効果がある。

また、サブマウントの半田層への発光素子の接合にフリップチップボンディング方式を用いることにより、組立作業性を向上させ、収率を高めることができるという効果がある。

以下、添付の図面を参照して、本発明による光源装置及びその製造方法の好ましい実施形態について説明する。

図１は、本発明による光源装置を示す縦断面図で、図２は、本発明による光源装置のサブマウント及び発光素子を示す分離斜視図で、図３は、本発明による光源装置のサブマウント及び発光素子を示す縦断面図である。

図１〜図３に示すように、本発明による光源装置１００は、金属ステム１１０と、一面は前記金属ステム１１０に溶着され、他面にはグルーブ１２１が形成され、前記グルーブ１２１には反射層１２２、絶縁層１２３、電極層１２４及び半田層１２５が順次堆積されるサブマウント１２０と、前記サブマウント１２０の半田層１２５に接着される発光素子１３０とを含む。ここで、グルーブ１２１は、凹部や溝を意味する。

本発明による光源装置１００においては、前記発光素子１３０の安着のために、前記サブマウント１２０の一面にグルーブ１２１を形成することにより、前記発光素子１３０から発光される光が前記金属ステム１１０の側方に分散されず前方に送られるので、発光効率を高めることができる。ここで、前記グルーブ１２１により前記サブマウント１２０の厚さが減少するので、それだけ前記発光素子１３０の熱放出が容易になる。

また、前記サブマウント１２０に反射層１２２を形成することにより、前記発光素子１３０の前面及び側面から発光される光を前記金属ステム１１０の前方に効果的に集光させる。ここで、前記反射層１２２は、蒸着法またはリフトオフ法を用いて形成し、反射係数の高いＡｇ、Ａｌなどの材質を使用することが好ましい。

前記反射層１２２の上面に堆積される絶縁層１２３は、前記反射層１２２と電極層１２４との接触を防止するためのもので、スパッタリングまたは気相蒸着法を用いて形成する。

前記絶縁層１２３の材質としては、絶縁可能な材質であれば何れもよいが、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＢｅＯ、ＳＩＯ_２及びＳｉＮｘの何れか１つを使用することが好ましい。且つ、半導体工程上で使用されるシリコン窒化膜などの絶縁膜を使用することもできる。

前記半田層は、その融点が４００℃以下で接合が可能な材質、例えば、Ａｕ−Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｂ−Ｓｎ及びＡｇ−Ｓｎの何れか１つを使用することが好ましい。

参考で、２つの電極を接着する方法において、２つの電極を互いに当接させて接着する方法をフリップチップボンディング方法（フリップチップ実装）といい、２つの電極をワイヤーを介して連結する方法をノーマルマウンティングボンディング方法（例えば、ワイヤボンディング）という。実質的に、前記発光素子１３０の電極はｎ−電極とｐ−電極とに分けられるが、ｎ−電極とｐ−電極の連結構造は互いに対称をなすので、本発明においては、便宜上、ｎ−電極とｐ−電極を総称して電極１３１という。

本発明による光源装置１００において、前記発光素子１３０の電極１３１は、フリップチップボンディング方式により、前記サブマウント１２０の電極層１２４の一端と直接接着されており、前記サブマウント１２０の電極層１２４の他端は、ノーマルマウンティングボンディング方式により、前記金属ステム１１０の電極１１１とワイヤー１１２を介して連結されている。

前記グルーブ１２１の深さＤは、前記発光素子１３０の高さｄより相対的に大きく形成されることが好ましい。

即ち、前記グルーブ１２１の深さＤが前記発光素子１３０の高さｄより相対的に大きく形成されることによって、前記発光素子１３０の側面から発光される光が分散されることなく、前記反射層１２２により反射されて前記金属ステム１１０の前方に集光される。

前記発光素子１３０の側面から発光される光を前記金属ステム１１０の前方に集光できるように、前記グルーブ１２１には、傾斜面１２１ａが形成されており、該傾斜面１２１ａに沿って反射層１２２が堆積されている。

また、前記発光素子１３０は、大きくレーザーダイオード(ＬＤ)と発光ダイオード(ＬＥＤ)とに分けられるが、図１〜図３においてはＬＥＤのものを示す。

前記金属ステム１１０には、絶縁層１１３が堆積され、前記絶縁層１１３には、前記サブマウント１２０が接着されることにより、前記絶縁層１１３が前記金属ステム１１０とサブマウント１２０とを絶縁させる役割をする。

前記金属ステム１１０は、熱放出特性の優れたＭＣＰＣＢであることが好ましい。前記ＭＣＰＣＢは、前記発光素子１３０から発生する熱を迅速に吸収して放熱することにより、前記発光素子１３０の発光を円滑にすると共に寿命を延長させる。

以下、このように構成された本発明による光源装置の動作を説明する。

図１〜図３に示すように、金属ステム１１０の電極１１１に電圧を印加すると、ワイヤー１１２及び電極層１２４を通して発光素子１３０の電極１３１に電圧が印加される。

このとき、前記電極１３１を通して注入された正孔及び電子は、前記発光素子１３０の活性層(図示せず)で再結合され、このとき、余分のエネルギーが光に変換されて発光する。

このとき、前記発光素子１３０が前記グルーブ１２１内に装着されているため、隣接する発光素子１３０間の光干渉を効果的に防止することができる。

また、反射層１２２により、前記発光素子１３０の前面だけでなく側面から発光する光が散乱されることなく、前記金属ステム１１０の前方に集光して、発光効率を高めることができる。

一方、図４〜図１２は、本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。

図４〜図１２に示すように、本発明による光源装置の製造方法は、シリコン基板１２０にグルーブ１２１を所定の間隔で複数個形成する段階と、前記複数のグルーブ１２１が形成されたシリコン基板１２０の前面に電極層１２４及び半田層１２５を順次形成する段階と、前記各グルーブ１２１を１つの単位として前記シリコン基板１２０を均等に切断して、複数のサブマウント１２０を形成する段階と、発光素子１３０の電極１３１と前記サブマウント１２０の電極層１２４とが連結されるように、前記サブマウント１２０の半田層１２５に前記発光素子１３０を接着する段階と、前記サブマウント１２０を金属ステム１１０に整列させて光源装置１００を完成する段階とを含む。

より詳しくは、図４〜図６に示すように、母材のシリコン基板１２０の前面に、エッチングマスク２００を利用して、グルーブ１２１を所定の間隔で複数個形成した後、前記エッチングマスク２００を除去する。このとき、前記グルーブ１２１の側面には、傾斜面１２１ａが形成される。ここで、シリコン基板１２０の前面とは、金属ステム１１０に装着される面と反対側の面を意味する。

その後、図７〜図９に示すように、前記複数のグルーブ１２１が形成されたシリコン基板１２０の前面に、反射層１２２、絶縁層１２３、電極層１２４及び半田層１２５を順次堆積する。このとき、前記電極層１２４及び半田層１２５は、前記絶縁層１２３の一部分にのみ形成することが好ましい。

ここで、前記反射層１２２は、蒸着法またはリフトオフ法により形成し、反射係数の高いＡｇ、Ａｌなどの材質を使用することが好ましい。

前記絶縁層１２３の材質としては、熱伝達係数の高いＡｌＮ、ＺｎＯまたはＢｅＯを使用することが好ましく、且つ、半導体工程上で使用されるシリコン窒化膜などの絶縁膜を使用することもできる。

また、前記絶縁層１２３の上面に堆積される電極層１２４は、金属エッチングまたはリフトオフ法を用いて形成する。

前記半田層１２５は、前記発光素子１３０の電極１３１と前記サブマウント１２０の電極層１２４との電気的な連結を図るために、Ａｕ−Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｂ−Ｓｎなどを使用することが好ましい。

その後、図１０に示すように、前記各グルーブ１２１を１つの単位として前記シリコン基板１２０を均等に切断して、複数のサブマウント１２０をチップ状に形成する。

その後、図１１に示すように、前記発光素子１３０の電極１３１と前記サブマウント１２０の電極層１２４とが連結されるように、フリップチップボンディング方式により、前記サブマウント１２０の半田層１２５に前記発光素子１３０を接着する。

その後、図１２に示すように、前記サブマウント１２０を金属ステム１１０に整列させた後、ノーマルマウンティングボンディング方式により、前記サブマウント１２０の電極層１２４と前記金属ステム１１０の電極１１１とを連結して、光源装置１００を完成する。

このように完成した光源装置１００は、バックライトユニット、カメラフラッシュユニットに効率的に使用されることができる。

このような本発明による光源装置の製造方法においては、グルーブ１２１の側面に傾斜面１２１ａを形成し、前記傾斜面１２１ａに沿って反射層１２２を形成することにより、前記発光素子１３０の側面から発光する光を前記金属ステム１１０の前方に集光させる。よって、バックライトユニットに適用される場合、発光効率を高めることができる。

本発明による光源装置を示す縦断面図である。本発明による光源装置のサブマウント及び発光素子を示す分離斜視図である。本発明による光源装置のサブマウント及び発光素子を示す縦断面図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。本発明による光源装置の製造方法を示す工程図である。従来の発光素子を示す縦断面図である。従来の光源装置を示す縦断面図である。

符号の説明

１００光源装置
１１０金属ステム
１１１電極
１１２ワイヤー
１２０サブマウント
１２１ａ傾斜面
１２１グルーブ
１２２反射層
１２３絶縁層
１２４電極層
１２５半田層
１３０発光素子
１３１電極
２００エッチングマスト
Ｄグルーブの深さ
ｄ発光素子の高さ

Claims

金属ステムと、
第１面及び第２面を有し、前記第１面は前記金属ステムに装着され、前記第２面にはグルーブが形成され、前記グルーブには電極層及び半田層が順次堆積されるサブマウントと、
前記サブマウントの半田層に電気的に接続される発光素子と、
を含むことを特徴とする光源装置。
前記サブマウントには、反射層及び絶縁層がさらに形成されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記サブマウントには、前記反射層、絶縁層、電極層及び半田層が順次堆積されることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
前記発光素子の電極は、前記サブマウントの電極層と直接連結され、前記サブマウントの電極層は、前記金属ステムの電極とワイヤーを介して連結されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さより相対的に大きく形成されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記金属ステムは、ＭＣＰＣＢ(Metal Core Printed Circuit Board)であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記発光素子は、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記金属ステムには絶縁層が堆積され、前記絶縁層には前記サブマウントが溶着されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記グルーブの側面には、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光できるように、傾斜面が形成されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記絶縁層の材質は、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＢｅＯ、ＳＩＯ_２及びＳｉＮｘの何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記半田層は、その融点が４００℃以下で接合が可能な材質であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
前記半田層の材質は、Ａｕ−Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｂ−Ｓｎ及びＡｇ−Ｓｎの何れか１つであることを特徴とする請求項１１に記載の光源装置。
シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階と、
前記複数のグルーブが形成されたシリコン基板に電極層及び半田層を順次形成する段階と、
前記各グルーブを１つの単位として前記シリコン基板を均等に切断して、複数のサブマウントを形成する段階と、
発光素子の電極と前記サブマウントの電極層とが連結されるように、前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階と、
前記サブマウントを金属ステムに整列させて光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。
前記シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階の後に、前記シリコン基板の前面に反射層及び絶縁層を順次形成することを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
前記電極層及び半田層は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の光源装置の製造方法。
前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階では、フリップチップボンディング方式(Flip chip bonding method)を用いることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
前記サブマウントの電極層は、ノーマルマウンティングボンディング方式(Normal mounting bonding method)により、前記金属ステムの電極と連結されることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接着する段階では、ノーマルマウンティング方式を用いることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
前記光源装置は、バックライトユニット及びカメラフラッシュユニットに用いられることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
前記グルーブの側面に傾斜面を形成し、前記傾斜面に沿って反射層を形成することにより、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光させることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置の製造方法。
凹部が形成され第１固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備える光源装置。
前記電極層上に形成された半田層をさらに備え、
前記発光素子は、前記半田層に連結されることによって前記電極層と電気的に接続されている、請求項２１に記載の光源装置。
前記第１固定部材の凹部内に形成された反射層及び絶縁層をさらに備える、請求項２１に記載の光源装置。
前記反射層、前記絶縁層、前記電極層及び前記半田層は、前記凹部に順次形成されている、請求項２３に記載の光源装置。
前記発光素子は電極を有し、
前記発光素子の電極は、前記半田層と直接連結されている、請求項２１に記載の光源装置。
前記第１固定部材が固定された第２固定部材と、
前記第２固定部材上に形成された電極をさらに備え、
前記第１固定部材の前記凹部に形成された前記電極層は、前記第２固定部材上の電極とワイヤーを介して連結されている、請求項２１乃至２５の何れかに記載の光源装置。
前記第２固定部材は、金属部分と、前記金属部分上に形成された絶縁層とを有し、
前記第２固定部材の電極は、前記絶縁層上に形成されている、請求項２６に記載の光源装置。
前記第１固定部材の前記凹部は底面に対して側面が傾斜している、請求項２１に記載の光源装置。
前記第１固定部材、前記電極層、前記半田層は、半導体プロセスによって形成されていることを特徴とする、請求項２１に記載の光源装置。
凹部が形成され第１固定部材と、前記凹部に形成された電極層と、前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子とを有する複数の光源部と、
前記複数の光源部が配列された第２固定部材と、
を備える光源装置。
前記発光素子は前記電極層にフリップチップ実装されており、前記光源部は前記第２固定部材にワイヤボンディングにより実装されている、請求項３０に記載の光源装置。
バックライトユニットの光源装置であって、
凹部が形成され第１固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備えるバックライトユニットの光源装置。
カメラフラッシュユニットの光源装置であって、
凹部が形成され第１固定部材と、
前記凹部に形成された電極層と、
前記凹部内に配置され前記電極層と電気的に接続された発光素子と、
を備えるカメラフラッシュユニットの光源装置。
シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第１固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階と、
を含む光源装置の製造方法。
前記電極層上に半田層を形成する段階をさらに含み、
前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階では、前記半田層を介して前記発光素子を前記電極層に電気的に接続する、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記凹部の形成後に、前記凹部に反射層及び絶縁層を順次形成する段階をさらに含み、
前記電極層は、前記絶縁層上に順次形成する、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記電極層を形成する段階は、導電膜を堆積する段階と、前記導電膜をパターニングして、前記凹部ごとに２つの電極層を形成する段階を含む、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階は、前記発光素子を前記第１固定部材の前記半田層にフリップチップボンディング方式(Flip chip bonding method)で固定する、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階では、ノーマルマウンティング(Normal mounting bonding method)方式で前記発光素子を前記電極層に電気的に接続する、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階の後、前記第１固定部材を第２固定部材に固定する、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記第２固定部材は電極を備え、
前記第１固定部材を前記第２固定部材に固定する段階では、前記第１固定部材の前記電極層を前記第２固定部材の前記電極に、ノーマルマウンティングボンディング方式(Normal mounting bonding method)で接続する、請求項４０に記載の光源装置の製造方法。
前記凹部を形成する段階では、前記凹部の側面を底面に対して傾斜させる、請求項３４に記載の光源装置の製造方法。
前記第１固定部材を前記第２固定部材に固定する段階では、複数の第１固定部材を前記第２固定部材に配列して固定する、請求項３４乃至４２の何れかに記載の光源装置の製造方法。
バックライトユニットの光源装置の製造方法であって、
シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第１固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階と、
を含むバックライトユニットの光源装置の製造方法。
カメラフラッシュユニットの光源装置の製造方法であって、
シリコン基板に所定の間隔で複数の凹部を形成する段階と、
前記凹部に電極層を形成する段階と、
前記各凹部を単位として前記シリコン基板を個片化して、シリコン基板及び電極を備えた第１固定部材を形成する段階と、
発光素子と前記電極層とを電気的に接続して前記発光素子を前記第１固定部材に固定する段階と、
を含むバックライトユニットの光源装置の製造方法。