CN1825637B - 光源装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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Abstract
光源装置及其制造方法，通过在副支架处形成凹槽、通过倒装晶片联结法将发光设备联结到凹槽的里面和在凹槽里面形成反射层而能够防止在相互邻接的发光设备之间的光干涉，并且通过将从发光设备的侧面射出的光朝着金属主干的前面聚集而增加发光的效率。
Description
技术领域
本发明涉及到光源装置及其制造方法，尤其涉及到能够使得从各发光设备发射的光朝着金属主干(metal stem)的前面聚集而不损失光的光源装置及其制造方法。
背景技术
现在，活跃使用的发光设备通常分为激光二极管(LD)和发光二极管(LED)。
LD被广泛地用作光通信领域中的光源，并且，近来已经被用作在光媒体，例如DVD播放器、激光盘(LD)播放器、小磁盘(MD)播放器等以及压缩盘(CD)播放器和压缩盘可写入(CD-RW)播放器领域中的重要元件。
另外，LED广泛用于背光模组(BLU)，并且被用作位于本身不能发光的LC PANEL的下部并通过照射均匀的平面光使LCD被识别的光源装置。
LED的优点是其能够在较低的电压下运行，由于高能效而生成少量的热，并具有长的寿命期间。
图1是说明常规的发光设备的纵向截面图，而图2是说明常规的光源装置的纵向截面图。
如在图1中所示，常规的发光设备10的结构方式是，通过化学气相沉积(CVD)法，在蓝宝石(sapphire)、n-GaAs或其它衬底11之上顺序沉积缓冲层(buffer layer)12、n-接触层(n-contact layer)13、活性层(active layer)14和p-接触层(p-contact layer)15。
电流喷镀(current spraying)层16形成在p-接触层15的上表面上。与p-接触层15和电流喷镀层16电连接的p-电极17形成在电流喷镀层16的上表面上。然后，n-电极18形成在n-接触层13的暴露部分的上表面上。
如在图2中所示，在常规的光源装置40中，发光设备10通过正常的安装连接方法联结到副支架(sub-mount)20，而副支架20联结到金属主干30。这时，为了施加外接电源，通过导线11，发光设备10的p-电极17连接到副支架20的电极21，并且通过另一导线22，副支架20的电极21连接到金属主干30的电极31。因为n-电极18具有与p-电极相同的连接结构，所以，与n-电极18的连接结构有关的引用数字以及为此的说明将在后面省略。
具有这样结构的常规的光源装置的操作将描述如下。
如在图1和2中所示，当电压施加到金属主干30的电极31时，通过导线11和22，电压施加到p-电极17和n-电极18。
这时，空穴和电子分别注入到p-电极17和n-电极18中。注入的空穴和电子被引入到p-接触层15和n-接触层13中，然后在活性层14中再次结合。这时，额外能量变成发射的光。
然而，在常规的光源装置的情况中，在相互邻接的发光设备之间会发生光干涉，并且，从发光设备的侧面射出的光不朝着金属主干的前面聚集，而是分散，因此降低了发光效率。
另外，至于在发光设备和副支架之间的连接以及在副支架和金属主干之间的连接，因为使用采用导线的正常安装联结方法，所以连接工作非常困难，并因此降低了产量。
发明内容
因此，本发明的目的是要提供一种光源装置及其制造方法，其能够防止在相互邻接的发光设备之间的光的干扰，并且，通过将从发光设备的侧面射出的光朝着金属主干的前面聚集而增加发光的效率。
为了获得这些和其它优点以及按照本发明的目的，如在这里具体和广泛描述的，提供一种光源装置，包括：金属主干；副支架，该副支架具有淀积在金属主干之上的一个表面和具有凹槽的另一表面，其中，电极层和焊接层按序淀积在凹槽之上；和发光设备，该发光设备联结到副支架的焊接层。
发光设备的电极直接与副支架的电极层连接，并且，副支架的电极层通过导线与金属主干的电极层连接。
优选地，凹槽的深度形成为相对大于发光设备的高度。
金属主干是MC PCB，并且，发光设备是LED。
为了获得这些和其它优点以及按照本发明的目的，如在这里具体和广泛描述的，提供一种光源装置的制造方法，包括：在硅衬底上按照固定间隔形成多个凹槽；在具有凹槽的硅衬底的前表面之上按序形成电极层和焊接层；通过以凹槽为单位，平均切割硅衬底而形成多个副支架；将发光设备联结到副支架的焊接层，以使发光设备的电极能够连接到副支架的电极层；以及通过把副支架与金属主干对准，完成光源装置。
优选地，在在硅衬底的前表面上形成凹槽的步骤以后，在硅衬底的前表面上按序形成反射层和绝缘层。
优选地，倒装晶片(flip chip)联结法用在将发光设备联结到副支架的焊接层的步骤中。
优选地，副支架的电极层与金属主干的电极通过正常的安装方法连接。
通过下面的与附图结合的对本发明的详细描述，本发明的前述和其它的目的、特征、方案和优点，将会变得更加明显。
附图说明
被包括在内以提供对本发明进一步理解并构成说明书的一部分的附图，说明本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图中：
图1是说明常规的发光设备的纵向截面图。
图2是说明常规的光源装置的纵向截面图。
图3是说明按照本发明的光源装置的纵向截面图。
图4是说明按照本发明的光源装置中的副支架和发光设备的分解的立体图。
图5是说明按照本发明的光源装置中的副支架和发光设备的纵向截面图。
图6到14是说明按照本发明的光源装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
现在，将详细描述本发明的优选实施例，其实例在附图中说明。
此后，按照本发明的光源装置及其制造方法将参考附图进行描述。
图3是说明按照本发明的光源装置的纵向截面图，图4是说明按照本发明的光源装置中的副支架和发光设备的分解的立体图，而图5是说明按照本发明的光源装置中的副支架和发光设备的纵向截面图。
如在图3到5中所示，按照本发明的光源装置100，包括：金属主干110；副支架120，副支架120具有淀积在金属主干110之上的一个表面和凹槽121形成在上面的另一表面，其中，反射层122、绝缘层123、电极层124和焊接层125按序淀积在凹槽121之上；和发光设备130，发光设备130联结到副支架120的焊接层125。
在光源设备100中，通过在一个表面上形成凹槽121，以在其上安装发光设备130，从发光设备130发射的光不分散，而被传送到金属主干110的前面，因此增加发光效率。这里，通过凹槽121减小了副支架120的厚度，因此促进发光设备130的热生成。
另外，通过在副支架120上形成反射层122，从发光设备130的前表面和侧表面发射的光有效地朝着金属主干110的前面聚集。这里，通过使用淀积法或发射法(lift-off method)形成反射层122，并且反射层优选地由诸如Ag或Al的具有高反射系数的材料制成。
为使反射层122不与电极层124接触，绝缘层123形成在反射层122的上表面上。
具有绝缘性能的任何材料都允许作为绝缘层123的材料，但是，溅射法或气相沉积法优选地使用AlN、ZnO、BeO、SiO2和SiNx中的一种。另外，可以采用在半导体处理工艺中使用的绝缘层，例如氮化硅层。
能够用小于400℃的熔点联结的材料之一，例如Au-Sn、In、Pb、Pb-Sn或者Ag-Sn优选地用作焊接层。
作为参考，在联结两个电极的方法中，用于通过使两个电极相互面对而联结两个电极的方法叫做倒装晶片联结法(flip chip bonding method)，而用于通过导线连接两个电极的方法叫做正常安装联结法(normal mountingbonding method)。实际上，发光设备130的电极分成n-电极和p-电极。然而，因为n-电极和p-电极具有对称的连接结构，所以，在本发明中，为了简单起见，n-电极和p-电极均标记为电极131。
在按照本发明的光源装置100的情况中，发光设备130的电极131通过倒装晶片联结法直接联结到副支架120的电极层125的一端，而副支架120的电极层125的另一端则通过正常安装联结法用导线112联结到金属主干110的电极层111。
优选地，凹槽121的深度(D)形成为相对大于发光设备130的高度(d)。
即，仅当凹槽121的深度(D)形成为相对大于发光设备130的高度(d)时，从发光设备130的侧面发射的光才不分散，而是从反射层122反射，并因此能够朝着金属主干110的前面聚集。
斜面121a在凹槽121处形成，以使从发光设备130的侧面发射的光能够朝着主干110的前面聚集，并且沿着斜面121a淀积反射层122。
另外，发光设备130通常分成激光二极管(LD)和发光二极管(LED)。在图3到5中，发光设备130是发光二极管(LED)。
绝缘层113淀积在金属主干110之上，并且副支架120联结到绝缘层113，从而绝缘层113将金属主干110和副支架120绝缘。
金属主干110优选地由具有优越热释放性能的MC PCB(金属芯印刷电路板)形成。MC PCB快速吸收由发光设备130生成的热，并且发射热，从而使发光设备130平稳地发光，并延长发光设备130的寿命期间。
按照本发明的具有这样结构的光源装置的操作将描述如下。
如在图3到5中所示，当电压施加到金属主干110的电极111时，电压就通过导线112和电极层124施加到发光设备130的电极131。
这时，通过电极131注入的空穴和电子在发光设备130的活性层中(图中未示出)中再次结合。这时，额外能量改变成发射的光。
这时，因为发光设备130安装在凹槽121的里面，所以，在相互邻接的发光设备130之间的光干涉能够有效地防止。
另外，因为从发光设备130的侧面和前面发射的光不分散，而是通过反射层122朝着金属主干110的前面聚集，所以能够增加发光的效率。
同时，图6到14是说明按照本发明的光源装置的制造方法的流程图。
如图6到14中所示，按照本发明的光源装置的制造方法包括：在硅衬底120上以固定间隔形成多个凹槽121；在形成凹槽121的硅衬底120的前表面之上按序形成电极层124和焊接层125；通过以凹槽121为单位平均切割硅衬底120而形成多个副支架120；将发光设备130联结到副支架120的焊接层125，以使发光设备130的电极131能够连接到副支架120的电极层124；以及通过把副支架120与金属主干110对准，完成光源装置100。
更详细地说，如图6到8中所示，在多个凹槽121以固定间隔利用蚀刻掩模200形成在基本材料的硅衬底120的前表面上以后，移除蚀刻掩模200。这时，斜面121a形成在凹槽121的侧面。
然后，如图9到11中所示，反射层122、绝缘层123、电极层124和焊接层125按序淀积在凹槽121形成在上面的硅衬底120的前表面之上。这时，电极层124和焊接层125优选地形成在绝缘层123的一部分上。
这里，反射层122通过联结法或发射法形成，并且优选地用具有高反射系数的材料，如Ag或者Al制成。
绝缘层123形成在反射层122的上表面上，使反射层122不与电极层124接触。
溅射法或气相沉积法优选地采用具有高的热传导系数的AlN、ZnO或者BeO作为绝缘层123的材料。另外，可以采用在半导体处理中使用的绝缘层，例如氮化硅层。
此外，电极层124通过使用金属蚀刻法或发射法形成在绝缘层123的上部上。
优选地，Au-Sn、In、Pb、Pb-Sn等用作焊接层125，以确保在发光层130的电极131和电极层124之间的电连接。
又，如图12中所示，通过以凹槽121为单位，通过平均切割硅衬底120，制成多个片状副支架120。
另外，如图13中所示，通过使用倒装晶片联结法，发光设备130联结到副支架120的焊接层125，以使发光设备130的电极131连接到副支架120的电极层124。
又，如图14中所示，在副支架120与金属主干110对准以后，副支架120的电极层124通过正常的安装联结法与金属主干110的电极111连接，从而完成光源装置100。
完成的光源装置100能够有效地用在背光模组和照相机闪光装置中。
当光源装置应用到背光模组时，按照本发明的光源装置的制造方法能够增加发光效率，这是因为斜面121a形成在凹槽121的侧面上，并且，从发光设备130的侧面发射的光通过沿着斜面121a形成的反射层122朝着金属主干110的前面聚集。
如前所述，按照本发明，通过在副支架的前表面上形成凹槽，并且在凹槽里面安装发光设备，能够防止在相互邻接的发光设备之间的光干涉。
另外，通过在凹槽的内周表面形成反射层，从发光设备的侧面发射的光能够朝着金属主干的前面聚集，从而增加发光效率。
此外，当发光设备联结到副支架的焊接层时，通过使用倒装晶片联结法联结发光设备，从而改善组装工作并增加产量。
鉴于本发明可以几种形式具体实施而不脱离其精神和实质，故也应该明白，除非另外指明，上述的实施例不限于前述的任何细节，而应该在所附的权利要求限定的其精神和范围内广泛解释，并因此，落入所附权利要求的界限和范围或者这些界限和范围的等同内的所有的变化和修改都被所附权利要求的所包含。
Claims (17)
1.一种光源装置，包括：
金属主干；
副支架，该副支架具有淀积在金属主干之上的一个表面和具有凹槽的另一表面，其中，电极层和焊接层淀积在该副支架之上；和
发光设备，该发光设备联结到副支架的焊接层，其中反射层和绝缘层进一步形成在副支架上。
2.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中反射层、绝缘层、电极层和焊接层按序淀积在副支架之上。
3.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中发光设备的电极直接与副支架的电极层连接，并且，副支架的电极层通过导线与金属主干的电极层连接。
4.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中凹槽的深度形成为相对大于发光设备的高度。
5.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中金属主干是MCPCB。
6.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中发光设备是LED。
7.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中绝缘层淀积在金属主干之上，副支架淀积在绝缘层之上。
8.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中斜面形成在凹槽的侧面，以使从发光设备的侧面射出的光能够朝着金属主干的前面聚集。
9.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中绝缘层由AlN、ZnO、BeO、SiO2和SiNx之一制成。
10.按照权利要求1的装置，其特征在于，其中焊接层由能够用小于400℃熔点联结的材料制成。
11.按照权利要求10的装置，其特征在于，其中焊接层用Au-Sn、In、Pb、Pb-Sn和Ag-Sn之一形成。
12.一种光源装置的制造方法，包括：
在硅衬底上按照固定间隔形成多个凹槽；
在具有凹槽的硅衬底的前表面之上按序形成电极层和焊接层；
通过以凹槽为单位平均切割硅衬底而形成多个副支架；
将发光设备联结到副支架的焊接层，以使发光设备的电极能够连接到副支架的电极层，其中倒装晶片联结法用在将发光设备联结到副支架的焊接层的步骤中；以及
通过把副支架与金属主干对准，完成光源装置，其中，反射层和绝缘层进一步形成在副支架上，斜面形成在凹槽的侧面，并且，通过沿着斜面形成的反射层，从发光设备的侧面射出的光被朝着金属主干的前面聚集。
13.按照权利要求12的方法，其特征在于，其中在硅衬底的前表面上形成凹槽的步骤以后，在硅衬底的前表面上按序形成所述反射层和绝缘层。
14.按照权利要求13的方法，其特征在于，其中电极层和焊接层形成在绝缘层的一部分上。
15.按照权利要求12的方法，其特征在于，其中副支架的电极层与金属主干的电极通过常规的安装联结法连接。
16.按照权利要求12的方法，其特征在于，其中常规安装法用在将发光设备联结到副支架的焊接层的步骤中。
17.按照权利要求12的方法，其特征在于，其中发光设备用在背光模组和照相机闪光装置中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200510008742XA CN1825637B (zh) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光源装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200510008742XA CN1825637B (zh) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光源装置及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1825637A CN1825637A (zh) | 2006-08-30 |
| CN1825637B true CN1825637B (zh) | 2010-06-09 |
Family
ID=36936161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200510008742XA Expired - Fee Related CN1825637B (zh) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光源装置及其制造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1825637B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102011952A (zh) * | 2009-09-04 | 2011-04-13 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led光源模块的制造方法及该方法的产品 |
| TWI462340B (zh) | 2010-09-08 | 2014-11-21 | Epistar Corp | 一種發光結構及其製造方法 |
| CN105762251B (zh) * | 2010-09-15 | 2019-08-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光结构及其制造方法 |
| CN102403432B (zh) * | 2010-09-15 | 2016-05-11 | 晶元光电股份有限公司 | 发光结构及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US661031A (en) * | 1900-02-16 | 1900-11-06 | Solon A Bray | Gun-sight. |
| US4797715A (en) * | 1985-11-05 | 1989-01-10 | U.S. Philips Corporation | Optoelectric component for surface mounting |
-
2005
- 2005-02-25 CN CN200510008742XA patent/CN1825637B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US661031A (en) * | 1900-02-16 | 1900-11-06 | Solon A Bray | Gun-sight. |
| US4797715A (en) * | 1985-11-05 | 1989-01-10 | U.S. Philips Corporation | Optoelectric component for surface mounting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1825637A (zh) | 2006-08-30 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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