KR101020424B1 - 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예들은 LED를 칩 상태로 부착할 수 있는 반사형 그루브를 가지는 실리콘 서브 마운트를 형성한 후 열 전달이 좋은 스템에 LED를 장착한 상기 서브 마운트를 배치하여 선광원이나 면광원으로 사용 가능하도록 하는 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명장치는, 금속 스템; 일면이 상기 금속 스템 상에 형성되고, 다른 일면이 그루브를 가지는 서브 마운트; 및 상기 서브 마운트 상에 형성된 제1 솔더층 및 제2 솔더층에 접합되는 발광 다이오드를 포함하며, 여기서, 반사층, 절연층, 제1 전극층, 제2 전극층, 상기 제1 솔더층 및, 상기 제2 솔더층이 상기 서브 마운트 상에 위치하고, 상기 반사층은, 상기 그루브의 일면 전체에 형성되고, 상기 절연층은, 상기 반사층의 일면 전체에 형성되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 상기 절연층 상에서 특정 간격으로 형성되고, 상기 제1 솔더층은, 상기 제1 전극층 상에 형성되고, 상기 제2 솔더층은, 상기 제2 전극층 상에 형성된다.

Description

발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법{LIGHT MEITTING DIODE LIGHTING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 박막 필름 트랜지스터 엘씨디의 백라이트 구조를 보인 단면도.

도 2는 일반적인 발광 다이오드의 단면도.

도 3은 본 발명 일 실시예에 따른 발광 다이오드 백라이트 광원.

도 4a내지 도4e는 본 발명 일 실시예의 제조과정을 도시한 수순단면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

30: 서브 마운트 31: 기판

32: 반사층 33: 절연층

34: 전극층 35: 솔더층

36: 발광 다이오드 40: 스템

41: 스템 절연층

본 발명의 일 실시예는 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광 다이오드 어레이로 이루어진 조명 장치에서 발광 다이오드들 간의 상호 간섭을 줄이고 방출광을 손실 없이 전면으로 제공할 수 있도록 하면서 발열을 용이하게 발산시킬 수 있도록 한 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 광 방출 소자는 단순한 발광을 이용한 표시 장치로서 사용되었으나, 최근에는 다양한 파장 및 에너지를 가지는 광원으로서의 가능성이 연구되고 있다. 현재 활발하게 사용되는 발광소자로서는 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 발광 다이오드(Light Emitting Diode:LED)로 크게 나눌 수 있는데, LD는 광통신 분야에서 광원으로 널리 사용되고 있으며, LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명장치나 엘씨디(LCD) 표시장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해 지고 있다.

특히 LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점을 가지고 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 속속 개발됨에 따라 현재 사용되는 대부분의 조명 장치를 대체할 꿈의 기술로 기대되고 있다.

이러한 LED를 어레이(array)로 배열하여 자체 발광이 어려운 표시 소자의 백라이트로 사용하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 최근 사용이 급증하고 있는 박막 필름 트랜지스터(TFT) LCD에서 사용되는 냉음극관(CCFL)을 대체할 수 있는 백라이트 광원으로 기대를 모으고 있다.

TFT LCD는 평행하게 대향하는 한 쌍의 투명전극 사이에 인가되는 전압의 크기에 따라 액정의 방향이 바뀌어 빛의 투과율을 변화시킴으로써 색을 구현하는 장치로서, 가볍고 얇으며 표시 화면이 선명할 뿐 아니라 쉽게 대면적화가 가능하여 점차 CRT(Chathod Ray Tube)를 대체해 가고 있다. 하지만, TFT LCD는 플라즈마 표시패널, 전계 발광 표시소자, CRT등과 다르게 자체적으로 발광하지 않으므로 표시장치에 빛을 공급하는 백라이트 유닛이 요구된다. 이러한 백라이트 유닛은 발광부에서 방출되는 빛이 패널 전체에 고루 퍼질 수 있도록 하는 면광원 발생장치이다.

도 1은 일반적인 백라이트 유닛(10)의 구조를 보이는 단면도로서, 도시한 바와 같이 다층으로 이루어져 있으며, 이러한 백라이트 유닛의 측면에서 선발광하는 광원(8)의 빛을 받아 이를 면발광시켜 고르게 퍼진 빛을 상기 백라이트 유닛(10) 상부의 LCD 패널(1)에 공급한다.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 광원(8)에서 제공되는 빛을 받아들여 내부에 형성된 유리물질에 의해 받아들인 빛을 산란시키는 도광판(6), 상기 도광판(6)의 일측에 형성되어 빛을 반사시키는 반사판(7), 상기 도광판(6)의 타측에 위치하여 도광판(6)에서 제공되는 빛을 산란시키는 확산판(5), 상기 확산판(7)을 통해 확산된 빛이 고르게 퍼질 수 있도록 서로 직교하여 배치된 수직/수평 프리즘(4,3), 상기 수직/수평 프리즘(4,3) 상에 배치된 보호층(2)으로 이루어진다.

상기 광원(8)은 일반적으로 발열량이 적으며 고른 선발광을 제공하는 냉음극관(CCFL)이 사용되지만, 구동 전압이 높으며 전력 소모가 심한 문제점으로 인해 점광원인 LED를 일렬로 배열하여 선광원 처럼 사용하기도 한다. LED를 배열하여 선광원으로 사용하면 제조 비용, 구동 전력 및 전력 제어부 크기가 크게 줄어드는 이점이 있으며 점차 높은 휘도의 LED가 제공됨에 따라 표시부 밝기 역시 CCFL 광원에 비해 손색이 없다.

도 2는 백라이트 광원으로 사용되는 일반적인 LED의 구조를 보이는 단면도로서, 도시한 바와 같이 사파이어나 n-GaAs 등의 기판(21) 상부에 순차적으로 버퍼층(22), n-접촉(n-contact)층(23), 활성층(24), p-접촉층(25)을 화학 기상 증착 기법에 의하여 연속 증착하고, 사진 식각 공정 및 습식/건식 식각 방법에 의하여 n-접촉층(23)이 노출되도록 패터닝 한다. 이후, 형성된 구조물 상부에 절연층(26)을 증착하고 전기적인 연결을 위하여 구조물 상부의 p-접촉층(25)과 상기 과정에서 노출시킨 n-접촉층(23)의 일부가 드러나도록 패터닝한다. 그리고, 상기 노출된 p-접촉층(25)과 n-접촉층(23) 상부에 금속을 성막후 패터닝하여 p-전극(27)과 n-전극(28)을 형성한다.

상기와 같이 구성된 발광 다이오드는 p-전극(27)과 n-전극(28) 사이에 전압을 인가하는 것으로 발광하게 되는데, 전압이 인가되면 p-전극(27)과 n-전극(28)으로 정공과 전자가 주입되고 활성층(24)에서 정공과 전자가 재결합하면서 광을 외부로 방출하는 원리를 이용한다.

상기 칩 상태로 형성된 LED는 직접 기판 상에 적용될 수 있고, 다양한 패키지(에폭시 몰딩, 캔형 패키지)에 부착되어 사용되기도 한다. 하지만, 에폭시 몰딩형으로 형성되는 경우 에폭시에 의해 광 효율이 낮아지고 고른 발광 효과를 얻기 힘들며, 사방으로 빛이 퍼지게 되므로 전면으로 집광할 수 없게 될뿐만 아니라 크기가 크기 때문에 선광원 형성을 위해 조밀하게 배치하기 어렵다. 캔형 패키지(TO-can)에 부착되어 사용되는 경우 패키지의 크기가 크기 때문에 선광원 형성을 위한 조밀한 배치가 어려우며 비용이 높아진다. 따라서, 이러한 선광원 형성을 위해서는 기판 상에 직접 칩을 부착하는 경우가 일반적인데, 이 경우 역시 빛이 사방으로 산란하므로 상호간 간섭이 발생하고 빛이 전면으로 집광되지 않아 효율이 크게 낮아진다. 또한 구동시 발열하는 LED를 직접 기판 상에 접합시키기 때문에 발생하는 열을 발산시키기 어려워 수명이 줄어들고 특성이 변화하게 된다.

상기한 바와 같이 종래 발광 다이오드(LED)를 배열하여 백라이트 등의 조명장치로 사용하는 경우 크기, 광 균일성, 비용 문제로 인해 패키지 형태의 LED로 조명 장치를 구현하기 어려우며, 칩 형태로 기판상에 직접 부착하여 사용하는 경우에는 사방으로 퍼지는 LED의 광을 모두 전면으로 집광할 수 없으므로 효율이 크게 낮아지고 인접 LED와의 상호 간섭 및 낮은 열 발산 효율에 의해 LED의 수명과 특성이 악화되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명의 일 실시예는 발광 다이오드(LED)를 칩 상태로 부착할 수 있고, LED로부터의 방출광을 전면으로 집광하면서 인접 LED들 간의 광 간섭을 방지할 수 있는 서브 마운트를 형성하여, 열 전달이 좋은 스템에 상기 LED가 장착된 서브 마운트를 배치하는 것으로 LED에서 발광하는 빛이 상호 간섭하지 않으면서 모두 전면으로 방출되도록 하여 효율을 개선하고 LED 장착 부분의 서브 마운트 두께를 줄이는 것으로 열 발산을 용이하도록 하여 수명을 연장할 수 있도록 한 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 금속 스템; 일면이 상기 금속 스템 상에 형성되고, 다른 일면이 그루브를 가지는 서브 마운트; 및 상기 서브 마운트 상에 형성된 제1 솔더층 및 제2 솔더층에 접합되는 발광 다이오드를 포함하며, 여기서, 반사층, 절연층, 제1 전극층, 제2 전극층, 상기 제1 솔더층 및, 상기 제2 솔더층이 상기 서브 마운트 상에 위치하고, 상기 반사층은, 상기 그루브의 일면 전체에 형성되고, 상기 절연층은, 상기 반사층의 일면 전체에 형성되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 상기 절연층 상에서 특정 간격으로 형성되고, 상기 제1 솔더층은, 상기 제1 전극층 상에 형성되고, 상기 제2 솔더층은, 상기 제2 전극층 상에 형성된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 발광 다이오드는, LED일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 그루브의 깊이는, 상기 발광 다이오드의 높이보다 상대적으로 크게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 금속 스템은, 절연층이 상부에 형성된 도전체이거나, 부도체로 형성되며, 상기 금속 스템 하부에는 발광 다이오드의 발열을 분산하기 위한 방열판이 더 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 발광 다이오드의 측면으로부터 발광되는 빛을 상기 금속 스템의 전면으로 집광할 수 있도록 상기 그루브의 측면에 경사면이 형성될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예는, 실리콘 기판의 일부를 마스크층을 이용하여 벌크 식각하여 발광 다이오드가 배치될 그루브를 형성하는 단계; 상기 형성된 그루브 내부 일면 전체에 반사층을 형성하는 단계; 상기 형성된 반사층의 일면 전체에 절연층을 형성하는 단계; 상기 형성된 절연층의 일면 일부에 특정 간격으로 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 형성된 제1 전극과 제2 전극 상에 각각 제1 솔더층과 제2 솔더층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판 구조물을 그루브 단위로 절삭하여 서브 마운트를 형성하는 단계; 상기 형성된 서브 마운트 상의 상기 제1 솔더층과 상기 제2 솔더층 상에 발광 다이오드를 접합하는 단계; 및 상기 발광 다이오드가 형성된 서브 마운트를 금속 스템 상에 정렬시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 그루브의 깊이는, 상기 발광 다이오드의 높이보다 상대적으로 크게 형성될 수 있다.

상기와 같은 방법으로 실시되는 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 일 실시예의 구조를 보이는 단면도로서, 도시한 바와 같이 금속 스템(40) 상부에 절연층(41)을 형성한 후, 발광 다이오드(LED)(36)가 부착된 서브 마운트(30)를 상기 절연층(41)이 형성된 스템(40) 상에 정렬시켜 선발광 혹은 면발광이 가능한 LED 조명 장치를 구성한 것이다.

상기 스템(40)은 열전달 효율이 높은 것으로 사용하여 장착되는 LED(36)에서 발생하는 열을 쉽게 분산시킬 수 있어야 한다. 필요한 경우, 상기 스템(40) 하부에 방열판을 추가 장착하여 LED(36)의 수명을 연장하고 특성을 개선할 수 있다. 도시된 스템(40)은 도전성 물질로 형성된 경우이므로 상부에 세라믹 필름으로 이루어진 절연층(41)이 형성되어 있으나, 부도체 물질로 형성된 경우라면 절연층(41)을 추가로 형성할 필요는 없다. 그리고, 도시되지는 않았지만, 상기 LED(36)에 전원을 공급하기 위한 전극을 상기 절연층(41) 상에 더 형성할 수 있다.

상기 LED(36)를 지지하는 서브 마운트(30)는 본 발명의 핵심이 되는 구조물로서, 실리콘 기판(31)을 벌크 식각하여 LED(36)가 배치될 부분에 소정 깊이의 그루브(groove)를 형성한다. 상기 실리콘 기판(31)의 두께는 LED(36)의 장착에 필요한 깊이 이상이어야 하며, 상기 그루브의 깊이 역시 LED(36)의 높이 보다 높아야 한다.

상기 그루브는 실리콘 기판의 결정 구조에 의해 벌크 식각 시 소정의 각도를 가지도록 식각되며, 이러한 특성에 의해 도시된 바와 같이 전극층(34)을 쉽게 형성할 수 있다. 상기 전극층(34)은 실리콘 기판(31)에 형성된 그루브 내부로부터 그루브가 형성되지 않은(LED(36)의 장착 위치를 벗어난) 실리콘 기판(31) 상부까지 연장되도록 한다. 상기 연장된 부분은 이후 상기 LED(36)에 전원을 제공하기 위한 연결부(예를 들어, 와이어 본딩(wire bonding)용 패드)로 사용된다. 상기 실리콘 기판(31)의 상부에 형성된 전극 부분(연결부)의 실리콘 기판(31)은 식각이 이루어 지지 않은 부분이므로 충분히 두껍기 때문에 와이어 본딩을 위한 충격을 견딜 수 있으며, 상기 서브 마운트(30)의 물리적인 강도를 높여주게 된다.

상기 그루브 영역에서의 실리콘 기판(31) 두께는 물리적으로 가능한 한계까지 낮아질 수 있는데, 이러한 얇은 기판(31)의 두께를 통해 이후 장착될 LED(36)의 구동 시 발생하는 열을 하부의 스템(40)으로 효과적으로 전달하여 발산시킬 수 있으므로 LED(36)의 수명을 연장시킬 수 있다.

상기 구조만으로도 본 발명을 달성할 수 있지만, 보다 효과적으로 LED(36)의 광 방출을 전면 방향으로 집중시키기 위해서 상기 실리콘 기판(31) 상에 반사층(32)을 형성할 수 있다. 일반적으로 이러한 반사층(32)은 반사 계수가 높은 Ag나 Al등의 금속을 이용하기 때문에 상기 전극층(34)과의 전기적인 접촉을 방지하기 위해 반사층(32) 상부에 투명하며 열전달 효율이 높은 절연층(33)을 더 형성해 주는 것이 바람직하다.

이를 통해 장착되는 LED(36)의 광을 최대한 전면으로 방출시킴으로써 LED(36)의 효율을 높이고 인접한 다른 LED(36)의 광과 간섭하지 않도록 할 수 있으며, 열 발산을 용이하게 하여 LED(36)의 수명과 특성을 개선할 수 있게 된다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명 일 실시예의 제조 과정을 보인 수순 단면도로서, 도시한 바와 같이 도 3에 설명한 본 발명 일 실시예의 제조 과정 중 서브 마운 트(30) 형성 및 LED(36) 접합 과정을 보인 것이다.

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 실리콘 기판(31) 상에 마스크층을 형성하거나 이미 마스크층이 형성된 실리콘 기판(31)을 이용하여 LED 장착 영역에 대한 벌크 식각에 필요한 마스크 패턴을 형성한다.

그 다음, 도 4b에 도시한 바와 같이 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 실리콘 기판(31)의 일부를 습식 식각한다. 이러한 벌크 식각 공정을 통해 소정의 각도를 가지는 그루브들이 LED가 배치될 영역마다 형성되는데, 그 깊이는 이후 장착될 LED의 높이 보다 깊도록 하여 측면으로 새어 나가는 빛을 최대한 줄일 수 있도록 한다. 이후 상기 마스크층을 제거한 후, 형성된 구조물 상부 전면에 높은 반사계수를 가지는 금속 반사층(32)과 절연을 위한 절연층(33)을 차례로 형성한다. 상기 금속 반사층(32)은 Ag나 Al과 같은 높은 반사도의 금속을 증착법, 리프트 오프(lift-off)법 등을 통해 형성하며 전면이 아닌 필요한 부분에만 부분적으로 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 절연층(33)은 열 전달 계수가 높은 AlN, ZnO 또는 BeO를 스퍼터링이나 기상 증착 방법을 통해 형성하거나 실리콘 질화막 등의 반도체 공정 상 사용되는 일반적인 절연막을 사용할 수도 있다. 그러나 높은 반사 효과를 위해서 투명한 절연체를 이용하는 것이 바람직하다.

그 다음, 도 4c에 도시한 바와 같이 상기 형성된 절연층(33) 상부에 금속 식각 혹은 리프트 오프법으로 이후 장착될 LED에 전압을 인가하기 위한 전극층(34)을 형성하는데, 상기 전극층(34)은 그루브의 하단 부분부터 그루브가 형성되지 않은 실리콘 기판(31) 상부 영역까지 연장되도록 한다. 상기 전극층(34)은 LED의 장착을 위한 솔더용 패드와 외부 전원 연결을 위한 와이어 본딩용 패드를 구비할 수 있다.

그 다음, 도 4d에 도시한 바와 같이 상기 형성된 그루브 내부의 전극층(34) 상에 LED 접합을 위한 솔더층(35)을 형성하고, 서브 마운트 형태로 절삭(dicing)한다. 상기 솔더층(35)은 Au-Sn, In, Pb, Pb-Sn등의 전기적, 구조적으로 LED를 연결할 수 있는 소재를 사용한다.

그 다음, 도 4e에 도시한 바와 같이 칩 형태로 절삭된 서브 마운트 상에 LED(36)를 배치한 후 열처리하여 상기 LED(36)를 서브 마운트에 접합한다.

이후, 상기 형성된 LED 및 서브 마운트를 스템 상에 다양한 정렬 방식으로 부착하여 조명장치를 구현한다.

전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예는 LED 어레이로 이루어진 조명장치에서 LED의 발광 방향을 전면으로 집중시켜 효율을 높이고, 인접한 LED와의 간섭을 억제하면서 수명을 늘리고 특성 변화를 줄일 수 있어 표시부 백라이트를 비롯하여 단순 조명, 신호등, 차량의 표시 라이트 등 다양한 응용 분야에서 활용될 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법은 발광 다이오드(LED)를 칩 상태로 부착할 수 있는 반사형 그루브를 가지는 실리콘 서브 마운트를 형성한 후 열 전달이 좋은 스템에 LED를 장착한 상기 서브 마운트를 배치하여 선광원이나 면광원으로 사용 가능하도록 함으로써, LED로부터의 방출광을 전면으로 집광하면서 인접 LED들 간의 광 간섭을 방지할 수 있어 발광 효율을 높일 수 있고, LED 장착 부분의 서브 마운트 두께를 줄이는 것으로 열 발산을 용이하도 록 하여 수명을 연장하면서 특성 변화를 억제할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

1. 금속 스템;

   일면이 상기 금속 스템 상에 형성되고, 다른 일면이 그루브를 가지는 서브 마운트; 및

   상기 서브 마운트 상에 형성된 제1 솔더층 및 제2 솔더층에 접합되는 발광 다이오드를 포함하며,

   여기서, 반사층, 절연층, 제1 전극층, 제2 전극층, 상기 제1 솔더층 및, 상기 제2 솔더층이 상기 서브 마운트 상에 위치하고,

   상기 반사층은, 상기 그루브의 일면 전체에 형성되고,

   상기 절연층은, 상기 반사층의 일면 전체에 형성되고,

   상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 상기 절연층 상에서 특정 간격으로 형성되고,

   상기 제1 솔더층은, 상기 제1 전극층 상에 형성되고,

   상기 제2 솔더층은, 상기 제2 전극층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는,

   LED인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 그루브의 깊이는,

   상기 발광 다이오드의 높이보다 상대적으로 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 금속 스템은,

   절연층이 상부에 형성된 도전체이거나, 부도체로 형성되며, 상기 금속 스템 하부에는 발광 다이오드의 발열을 분산하기 위한 방열판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 발광 다이오드의 측면으로부터 발광되는 빛을 상기 금속 스템의 전면으로 집광할 수 있도록 상기 그루브의 측면에 경사면이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치.
6. 실리콘 기판의 일부를 마스크층을 이용하여 벌크 식각하여 발광 다이오드가 배치될 그루브를 형성하는 단계;

   상기 형성된 그루브 내부 일면 전체에 반사층을 형성하는 단계;

   상기 형성된 반사층의 일면 전체에 절연층을 형성하는 단계;

   상기 형성된 절연층의 일면 일부에 특정 간격으로 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계;

   상기 형성된 제1 전극과 제2 전극 상에 각각 제1 솔더층과 제2 솔더층을 형성하는 단계;

   상기 실리콘 기판 구조물을 그루브 단위로 절삭하여 서브 마운트를 형성하는 단계;

   상기 형성된 서브 마운트 상의 상기 제1 솔더층과 상기 제2 솔더층 상에 발광 다이오드를 접합하는 단계; 및

   상기 발광 다이오드가 형성된 서브 마운트를 금속 스템 상에 정렬시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 그루브의 깊이는,

   상기 발광 다이오드의 높이보다 상대적으로 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치 제조 방법.

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