KR102509061B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 균일한 색 특성을 갖는 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자; 상기 적어도 두 개의 발광 소자 상에 배치되며, 상기 발광 소자와 중첩되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 이외의 제 2 영역을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름; 인접한 상기 발광 소자 사이에 대응되는 영역에서 상기 파장 변환 필름을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀; 및 상기 발광 소자와 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 덮도록 상기 기판 상에 배치되는 렌즈를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명 실시 예는 균일한 색 특성을 갖는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
발광 다이오드는 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 제 1 전극과 제 2 전극이 배치된 구조일 수 있다. 그리고, 제 1 전극과 제 2 전극은 리드 프레임을 통해 외부 회로와 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 소자 패키지는 기판 상에 상기와 같은 발광 다이오드를 두 개 이상 실장하여 백색 광을 구현할 수 있다. 그런데, 이 경우, 발광 다이오드 상에 각각 파장 변환 필름을 부착하므로, 발광 다이오드마다 파장 변환 필름의 부착력이 상이할 수 있다. 이에 따라 색 균일도가 저하될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 적어도 두 개의 발광 소자가 하나의 파장 변환 필름을 공유하는 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예의 발광 소자 패키지는 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자; 상기 적어도 두 개의 발광 소자 상에 배치되며, 상기 발광 소자와 중첩되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 이외의 제 2 영역을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름; 인접한 상기 발광 소자 사이에 대응되는 영역에서 상기 파장 변환 필름을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀; 및 상기 발광 소자와 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 덮도록 상기 기판 상에 배치되는 렌즈를 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자; 상기 적어도 두 개의 발광 소자 상에 배치되며, 상기 발광 소자와 중첩되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 이외의 제 2 영역을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름; 상기 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 상기 발광 소자의 측면을 감싸는 반사 부재; 인접한 상기 발광 소자 사이에 대응되는 영역에서 상기 파장 변환 필름을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀; 및 상기 발광 소자와 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 덮도록 상기 기판 상에 배치되는 렌즈를 포함한다.
본 발명의 발광 소자 패키지는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 적어도 두 개의 발광 소자가 하나의 파장 변환 필름을 공유하므로, 발광 소자 패키지에서 방출되는 색 균일도 및 색 특성이 향상된다.
둘째, 파장 변환 필름이 파장 변환 필름을 관통하는 하나 이상의 응력 완화 홀을 포함하여 이루어져, 발광 소자의 개수 및 크기가 증가하여 파장 변환 필름에 응력 및 열 팽창 정도의 차이가 발생하더라도 응력 완화 홀에 의해 이를 완화할 수 있다. 따라서, 파장 변환 필름 및 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상된다.
셋째, 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 발광 소자의 측면을 감싸는 반사 부재를 배치하여, 발광 소자의 측면에서 방출되는 광에 의한 빛 샘을 방지하여 발광 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 1b 및 도 1c는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 1d는 도 1a의 파장 변환 필름의 평면도이다.
도 1e는 도 1b의 발광 소자의 단면도이다.
도 2a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 다른 구조를 나타낸 평면도이다.
도 2b는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 또 다른 구조를 나타낸 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 일반적인 발광 소자 패키지의 사진이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 사진이다.
도 5a 및 도 5b는 복수 개의 응력 완화 홀을 포함하는 파장 변환 필름의 평면도이다.
도 6a는 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 6b는 도 5a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 6c는 도 5a의 Ⅰ-Ⅰ'의 다른 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 일반적인 발광 소자 패키지의 발광 사진이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 발광 사진이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이며, 도 1b 및 도 1c는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다. 그리고, 도 1d 도 1a의 파장 변환 필름의 평면도이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1d와 같이, 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지는 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)을 포함하는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되어, 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d), 적어도 두 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 배치되며, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)와 중첩되는 제 1 영역(130a) 및 제 1 영역(130a) 이외의 제 2 영역(130b)을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름(130), 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에 대응되도록 파장 변환 필름(130)을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀(140) 및 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)와 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)을 덮도록 기판(100) 상에 배치되는 렌즈(150)를 포함한다.
렌즈(150)는 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에서 방출되는 광이 원활하게 외부로 방출될 수 있도록 투명한 수지로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 렌즈(150)는 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 지향각 향상을 위해 도시된 바와 같이 상부면이 볼록한 돔 형상의 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않고 다양한 형태로 이루어질 수 있다.
렌즈(150)는 압축 성형(compression molding)이나 트랜스퍼 성형(transfer molding) 등의 몰딩법 또는 디스펜서를 사용하는 포팅법을 통해 기판(100) 상에 직접 형성되거나, 별도의 공정을 통해 제조되어 접착제를 통해 기판(100) 상에 접착될 수 있다. 특히, 몰딩법 또는 포팅법을 사용하여 렌즈(150)를 형성할 때, 본 발명의 발광 소자 패키지는 파장 변환 필름(130)을 관통하는 응력 완화 홀(140)을 통해 인접한 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에도 투명한 수지가 채워질 수 있다.
기판(100)은 세라믹 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(100)은 질화물 또는 산화물의 세라믹 절연층일 수 있다. 상기와 같은 기판(100)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)은 도전성 물질을 포함하며, 예를 들어 전도성이 높은 구리(Cu), 금(Au) 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한, 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)이 알루미늄(Al) 등과 같은 반사성을 갖는 물질을 포함하는 경우, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에서 발생하는 광을 렌즈(150) 방향으로 진행시킬 수도 있다. 상기와 같은 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)은 전기적으로 분리되며, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 제 1, 제 2 전극(미도시)과 각각 접속될 수 있다. 특히, 제 1 제 2 리드 프레임(115a, 115b)의 형상은 도면에 한정되지 않고 용이하게 변경 가능하다.
발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 기판(100) 상에 배치되어 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)과 전기적으로 접속될 수 있다. 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 수직형, 플립칩 등의 구조일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 플립 칩(flip chip) 구조인 경우, 와이어 없이 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)과 직접 접속될 수 있다.
도면에서는 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 2×2의 매트릭스(matrix)형태로 배치된 것을 도시하였으나, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 배열은 이에 한정하지 않고 용이하게 조절될 수 있다.
도 1e는 도 1b의 발광 소자의 단면도로, 플립 칩 구조의 발광 소자를 도시하였다.
도 1e와 같이, 발광 소자(120a)는 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 포함하는 발광 구조물(11), 제 1 반도체층(12)과 접속되는 제 1 전극(16a), 제 2 반도체층(14)과 접속되는 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 전극(16a, 16b)과 각각 접속하는 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b)를 포함한다.
제 1 반도체층(12)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 반도체층(12)에 제 1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 1 반도체층(12)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제 1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제 1 도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제 1 도펀트가 도핑된 제 1 반도체층(12)은 n형 반도체층일 수 있다.
활성층(13)은 제 1 반도체층(12)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제 2 반도체층(14)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(13)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(13)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(13)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
제 2 반도체층(14)은 활성층(13) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 반도체층(14)에 제 2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 2 반도체층(14)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제 2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제 2 도펀트가 도핑된 제 2 반도체층(14)은 p형 반도체층일 수 있다.
제 1 전극(16a)은 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 노출시키는 홈을 통해 제 1 반도체층(12)과 전기적으로 접속될 수 있다. 홈에 의해 노출된 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)의 측면에는 제 1 절연층(15a)이 배치되어, 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)이 제 1 전극(16a) 및 제 1 전극 패드(17a)과 접속되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 제 2 전극(16b)은 제 2 반도체층(14)과 전기적으로 접속된다.
제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Ti, Cr, Cu 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 ITO와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 오믹 콘택층을 통해 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)과 접속될 수도 있다. 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)의 접속은 이에 한정하지 않는다.
제 1 전극(16a)과 제 1 전극 패드(17a) 및 제 2 전극(16b)과 제 2 전극 패드(17b)사이에는 제 2 절연층(15b)이 더 배치될 수 있다. 제 2 절연층(15b)은 절연 기능과 반사 기능을 모두 수행하는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 2 절연층(15b)은 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflector; DBR)을 포함할 수 있다.
다시 도 1a, 도 1b 및 도 1d를 참조하면, 상기와 같은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 파장 변환 필름(130)이 부착된다. 도 1e와 같이 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 상부면에 제 1 반도체층(도 1e의 12)이 바로 노출된 경우, 파장 변환 필름(130)은 제 1 반도체층(도 1e의 12) 상에 바로 부착되며, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 제 1 반도체층(도 1e의 12) 상에 지지 기판(미도시)을 더 포함하는 경우, 파장 변환 필름(130)은 지지 기판(미도시) 상에 부착될 수 있다.
파장 변환 필름(130)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에서 일체형으로 배치되어, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 하나의 파장 변환 필름(130)을 공유할 수 있다.
한편, 파장 변환 필름(130)의 가장자리는 실시 예와 같이 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 가장자리와 일치하거나, 도 1c와 같이, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 가장자리에서 돌출된 형상일 수 있다.
도 1c와 같이 파장 변환 필름(130)의 가장자리가 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 가장자리에서 돌출된 경우, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 측면에서 방출되는 광 역시 파장 변환 필름(130)의 돌출 부분을 통해 백색 광으로 구현될 수 있다. 따라서, 이 경우, 발광 소자 패키지의 백색 광의 색감이 향상될 수 있다. 또한, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 파장 변환 필름(130)을 부착할 때, 공정 마진을 확보할 수 있다.
이에 따라, 파장 변환 필름(130)의 가장자리와 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 가장자리 사이의 간격(L)은 50㎛ 내지 150㎛일 수 있으며, 간격(L)은 이에 한정하지 않는다.
도 1a 내지 도 1e와 같이, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 각각 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)에 개별적으로 접속되거나, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 차례로 직렬로 연결되고, 양 끝의 두 개의 발광 소자(120a, 120d)가 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)에 각각 연결될 수 있다.
도 2a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 다른 구조를 나타낸 평면도이다.
도 2a와 같이, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 연결 전극(115c)을 통해 차례로 직렬로 연결될 수 있다. 그리고, 양 끝의 두 개의 발광 소자(120a, 120d)가 제 1, 제 2 리드 프레임(115a, 115b)에 각각 연결될 수 있다. 이 때, 제 1 제 2 리드 프레임(115a, 115b) 및 연결 전극(115c)의 형상은 도면에 한정되지 않고 용이하게 변경 가능하다.
한편, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 수직형인 경우, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 도 2b와 같이 연결될 수 있다.
도 2b는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 또 다른 구조를 나타낸 평면도이다.
도 2b와 같이, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)는 와이어(220) 및 제 1 내지 제 5 리드 프레임(215a, 215b, 215c, 215d, 215e)를 통해 직렬로 연결될 수 있다. 상기와 같은 수직형 발광 소자는 발광 소자의 제 1 전극과 제 2 전극이 서로 다른 방향에 배치된다. 예를 들어, 발광 소자의 제 1 전극과 제 2 전극 중 제 1 전극이 제 1 내지 제 5 리드 프레임(215a, 215b, 215c, 215d, 215e) 중 선택된 하나의 리드 프레임과 직접 연결되는 경우, 제 2 전극은 제 1 전극이 연결되지 않은 리드 프레임 중 선택된 하나의 리드 프레임과 와이어(220)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에서는 제 2 전극이 두 개의 와이어를 통해 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 것을 도시하였다.
제 1 내지 제 5 리드 프레임(215a, 215b, 215c, 215d, 215e)의 형상 및 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 연결 구조는 이에 한정하지 않고 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 중 선택된 하나 이상의 발광 소자는 병렬로 연결될 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 일반적인 발광 소자 패키지의 사진이다.
도 3a 및 도 3b와 같이, 일반적인 발광 소자 패키지는 발광 소자 패키지에 배치된 발광 소자의 개수와 파장 변환 필름의 개수가 동일하다. 상기와 같은 일반적인 발광 소자 패키지는 각 발광 소자 상에 개별적으로 파장 변환 필름이 부착되므로, 발광 소자마다 파장 변환 필름의 부착력이 상이할 수 있다. 또한, 인접한 발광 소자 사이에서는 백색 광이 방출되지 않아 발광 소자 패키지에서 균일한 백색 광이 방출되지 않는다.
반면에, 도 1a, 도 1b 및 도 1c와 같이 본 발명 실시 예는 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 하나의 파장 변환 필름(130)을 부착하므로, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 균일하게 파장 변환 필름(130)을 부착할 수 있다 이에 따라, 신뢰성이 향상되고 공정이 간소화될 수 있다. 더욱이, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에서 발생한 광이 하나의 파장 변환 필름(130)을 통과하여 백색 광으로 구현되므로 백색 광의 균일도가 향상될 수 있다.
또한, 일반적인 발광 소자 패키지는 복수 개의 발광 소자 중 불량이 발생한 발광 소자에 대응되는 영역에서는 백색 광이 방출되지 않는다. 그러나, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 중 불량이 발생한 발광 소자가 있더라도, 정상적으로 구동하는 나머지 발광 소자에서 발생하는 광이 파장 변환 필름을 통해 균일하게 백색 광으로 방출될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 사진이다.
도 4a 및 도 4b와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 일체형의 파장 변환 필름(130)이 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 배치된다. 이 때, 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 부착되는 일체형의 파장 변환 필름(130)은 각각의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 개별적으로 부착되는 일반적인 파장 변환 필름에 비해 면적이 넓다. 즉, 대면적의 파장 변환 필름(130)을 복수 개의 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 부착할 때, 파장 변환 필름(130)이 휘거나 부분적으로 접착 특성이 달라질 수 있다.
이에 따라, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 페닐계 실리콘과 메틸계 실리콘이 혼합된 접착층(125)을 이용하여 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 파장 변환 필름(130)을 부착할 수 있다.
다시 도 1a, 도 1b 및 도 1c를 참조하면 액상의 접착층(125)은 파장 변환 필름(130)의 일 측면에 도포된 후, 접착층(125)을 통해 파장 변환 필름(130)을 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 부착한 후, 접착층(125)을 경화시킬 수 있다. 이 때, 액상의 접착층(125)의 점성이 너무 낮은 경우, 접착층(125)이 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 측면까지 흐를 수 있다.
일반적으로 페닐계 실리콘은 메틸계 실리콘에 비해 상대적으로 경도가 높다. 그리고, 메틸계 실리콘은 페닐계 실리콘에 비해 점착성(stickiness)이 높으며 경도가 낮고 내열성이 높다. 따라서, 페닐계 실리콘과 메틸계 실리콘이 혼합된 본 발명의 접착층(125)은 페닐계 실리콘만으로 이루어진 접착층에 비해 점착성이 높고 동시에 메틸계 실리콘만으로 이루어진 접착층에 비해 경도가 높다.
특히, 접착층(125)의 페닐계 실리콘의 함량이 너무 높은 경우 접착층(125)의 경도는 너무 높고 점성은 너무 낮아 크랙이 발생할 확률이 높다. 따라서, 접착층(125)에 포함되는 페닐계 실리콘의 함량이 메틸계 실리콘의 함량보다 낮으며, 페닐계 실리콘은 접착층(125)의 20% 내지 40%일 수 있다. 더욱 바람직하게는 페닐계 실리콘의 함량은 접착층(125)의 30%일 수 있다. 이 때, 페닐계 실리콘의 함량과 메틸계 실리콘의 함량을 조절하여 접착층(125)의 점성을 용이하게 조절할 수 있다. 그리고, 경화된 접착층(125)의 경도는 A50 내지 A60일 수 있으며, 예를 들어, 접착층(125)의 경도는 A55일 수 있다.
파장 변환 필름(130)의 두께(T)는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 파장 변환 필름(130)의 두께(T)가 너무 얇으면, 발광 소자 패키지의 구동 시 발생하는 열에 의해 파장 변환 필름(130)의 가장자리가 휘어 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에서 분리될 수 있다. 또한, 파장 변환 필름(130)의 두께(T)가 100㎛ 이상인 경우, 파장 변환 필름(130)을 관통하도록 응력 완화 홀(140)을 형성할 때, 형성 정밀도가 저하될 수 있다.
파장 변환 필름(130)의 두께는 발광 소자 패키지에서 방출되는 백색 광의 색 특성에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자 패키지에서 방출되는 백색 광이 쿨 화이트 백색 광인 경우, 파장 변환 필름(130)의 두께(T)는 50㎛ 내지 80㎛일 수 있으며, 뉴트럴 백색 광인 경우 70㎛ 내지 90㎛일 수 있다, 그리고, 웜 백색 광인 경우 80㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
하기 표 1은 종래의 발광 소자 패키지와 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 특성을 비교한 표로, 상관 색온도 편차(ΔCCT; Correlated Color Temperature)를 비교하였다.
종래의 발광 소자 패키지는 상술한 바와 같이 발광 소자 상에 각각 파장 변환 필름을 부착하므로, 발광 다이오드마다 파장 변환 필름의 부착력이 상이할 수 있다. 그리고, 이에 따라 색 균일도가 저하될 수 있다. 따라서, 상관 색온도 편차(ΔCCT)가 크다.
반면에, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 복수 개의 발광 소자 상에 하나의 파장 변환 필름을 부착하므로, 발광 소자 상에 균일하게 파장 변환 필름을 부착할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자 패키지에서 방출되는 색 균일도 및 색 특성이 향상되어 상관 색온도 편차(ΔCCT)가 감소할 수 있다.
종래의 발광 소자 패키지 실시 예의 발광 소자 패키지
CCT(평균) 6028 5882
CCT(최소) 4688 4784
CCT(최대) 7858 7464
ΔCCT 3170K 2680K
더욱이, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 개수가 증가하거나, 발광 소자 패키지의 크기가 커지는 경우, 파장 변환 필름(130)의 면적 역시 증가하여 파장 변환 필름(130)의 응력이 발생할 수 있다. 이 경우, 응력에 의해 파장 변환 필름(130)의 두께가 부분적으로 상이해져 파장 변환 필름(130)을 통과하는 광 특성이 불 균일해질 수 있다. 이 경우, 발광 소자 패키지의 색 특성이 저하된다.
따라서, 파장 변환 필름(130)의 응력을 완화하기 위해 파장 변환 필름(130)은 파장 변환 필름(130)을 관통하는 적어도 하나의 홀(130b)을 포함할 수 있다. 이 때, 응력 완화 홀(140)이 형성된 영역에서 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)가 노출되지 않도록 응력 완화 홀(140)은 인접한 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 응력 완화 홀(140)은 파장 변환 필름(130)의 제 2 영역(130b)에 형성될 수 있다. 이 때, 응력 완화 홀(140)의 개수는 파장 변환 필름(130)의 면적이 넓어질수록 증가할 수 있다.
또한, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 이격 거리가 멀어질수록 파장 변환 필름(130)의 면적이 넓어지므로, 응력 완화 홀(140)의 개수가 많아지거나 응력 완화 홀(140)의 직경(d)이 커질 수 있다.
응력 완화 홀(140)의 직경(d)은 40㎛ 이상이며 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 이격 간격보다 좁을 수 있다. 이 때, 응력 완화 홀(140)은 파장 변활 필름(130)이 제거된 영역이므로, 응력 완화 홀(140)의 너무 큰 경우 파장 변환 필름(130)의 면적이 감소한다. 예를 들어, 응력 완화 홀(140)의 직경이 너무 큰 경우, 발광 소자 패키지의 발광 효율이 저하되며, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에서 방출되는 광이 응력 완화 홀(140)을 통해 그대로 방출되어 빛 샘이 발생할 수 있다. 따라서, 응력 완화 홀(140)의 직경(d)은 40㎛ 내지 120㎛일 수 있다.
구체적으로, 발광 소자 패키지의 구동 시, 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)와 중첩되는 파장 변환 필름(130)의 제 1 영역(130a)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 발광 시 발생하는 발열에 직접적인 영향을 받는다. 즉, 파장 변환 필름(130)의 제 1 영역(130a)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 발열에 의해 팽창되나, 제 2 영역(130b)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)의 발열에 따른 영향이 제 1 영역(130a)에 비해 미비하다.
따라서, 발광 소자 패키지가 구동될 때, 파장 변환 필름(130)의 제 1 영역(130a)과 제 2 영역(130b)의 팽창 정도가 상이할 수 있다. 그리고, 발광 소자 패키지의 온/오프(On/Off)가 반복될수록 파장 변환 필름(130)의 제 1 영역(130a)과 제 2 영역(130b)의 열팽창 정도가 더 커져 파장 변환 필름(130)의 균열이 발생하거나 렌즈(150)의 크랙까지 유발될 수 있다.
따라서, 파장 변환 필름(130)의 제 2 영역(130b), 즉 인접한 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에 형성된 응력 완화 홀(140)이 파장 변환 필름(130)의 제 1, 제 2 영역(130a, 130b)의 열 팽창 정도의 차이를 완화시킬 수 있다. 따라서, 응력 완화 홀(140)은 파장 변환 필름(130)의 중앙부에 배치되어 파장 변환 필름(130)의 열 팽창 정도의 차이를 효율적으로 방지할 수 있다.
더욱이, 렌즈(150)를 형성하기 위한 수지 몰딩 시, 응력 완화 홀(140)을 통해 수지가 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에도 채워질 수 있다. 즉, 파장 변환 필름(130)의 제 2 영역(130b)과 기판(100)이 중첩되는 영역 및 응력 완화 홀(140) 내부에도 수지가 충진될 수 있다.
따라서, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 파장 변환 필름(130)의 제 1 영역(130a)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d)에 밀착되고, 제 2 영역(130b)은 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에도 채워진 수지에 밀착되어 파장 변환 필름(130)이 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 상에 안정적으로 배치될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 복수 개의 응력 완화 홀을 포함하는 파장 변환 필름의 평면도이다.
응력 완화 홀(140)의 형상은 도시된 바와 같이 원형이거나 타원형, 다각형 등에서 선택될 수 있다. 특히, 응력 완화 홀(140)은 상술한 바와 같이 파장 변환 필름(130)의 열 팽창 정도의 차이를 용이하게 완화시키기 위해, 파장 변환 필름(130)의 중앙부에 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 이에 한정하지 않고 도 5a 및 도 5b와 같이, 파장 변환 필름(130)의 가장자리에도 선택적으로 형성될 수 있으며, 하나 이상일 수 있다.
특히, 응력 완화 홀(140)의 개수가 증가할수록 파장 변환 필름(130)의 응력 완화 정도가 향상되며, 인접한 발광 소자(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에 렌즈(150)를 형성하기 위한 수지가 용이하게 채워질 수 있다. 또한, 응력 완화 홀(140)이 두 개 이상인 경우, 응력 완화 홀(140)은 서로 다른 직경(d1, d2)를 가질 수 있다.
도 6a는 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이며, 도 6b는 도 6a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다. 그리고, 도 6c는 도 5a의 Ⅰ-Ⅰ'의 다른 단면도이다.
도 6a 및 도 6b와 같이, 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지는 제 1, 제 2 리드 프레임(215a, 215b)을 포함하는 기판(200), 기판(200) 상에 배치되어, 제 1, 제 2 리드 프레임(215a, 215b)과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d), 적어도 두 개의 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d) 상에 배치되며, 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)의 상부면과 중첩되는 제 1 영역(230a), 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)가 이격된 영역에 대응되는 제 2 영역(230b)을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름(230), 파장 변환 필름(230)의 가장자리를 따라 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)의 측면을 감싸는 반사 부재(260), 인접한 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d) 사이에 대응되는 영역에서 파장 변환 필름(230)을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀(240) 및 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)와 제 1, 제 2 리드 프레임(215a, 215b)을 덮도록 기판(200) 상에 배치되는 렌즈(250)를 포함한다.
상기와 같은 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지는 반사 부재(260)를 제외한 나머지 구성 요소는 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지와 동일하다.
반사 부재(260)는 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)의 측면에서 방출되어 파장 변환 필름(230)을 통과하지 못하는 광에 의해 발광 소자 패키지의 측면에서 발생하는 빛 샘을 방지하기 위한 것이다. 반사 부재(260)는 페닐 실리콘(Phenyl Silicone), 메틸 실리콘(Methyl Silicone)과 같은 백색 실리콘(White Silicone)을 포함할 수 있으며, 반사율을 향상시키기 위해 반사 입자를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 반사 부재(260)는 TiO2가 분산된 글래스일 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.
상기와 같은 반사 부재(260)는 파장 변환 필름(230)의 가장자리를 따라 노출된 발광 소자(220a, 220b)의 측면을 감싸도록 반사 물질을 도포한 후 이를 경화시켜 형성할 수 있다. 그리고, 반사 부재(260)는 끝단이 파장 변환 필름(230)과 중첩되어 발광 소자(220a, 220b, 220c, 220d)의 측면을 완전히 감싸는 구조일 수 있다.
한편, 도 6c와 같이, 반사 부재(260)는 필름 형태로 이루어져, 파장 변환 필름(230)의 가장자리를 따라 노출된 발광 소자(220a, 220b)의 측면을 감싸도록 부착될 수도 있다.
도 7a 및 도 7b는 일반적인 발광 소자 패키지의 발광 사진이며, 도 8a 및 도 8b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 발광 사진이다.
도 7a 및 도 7b와 같이, 일반적인 발광 소자 패키지는 발광 소자 상에 각각 파장 변환 필름을 부착하므로, 인접한 발광 소자 사이에서는 파장 변환 필름에 의해 변환된 백색 광이 방출되지 않아 발광 소자 패키지에서 균일한 백색 광이 방출되지 않는다. 더욱이, 발광 소자마다 파장 변환 필름의 부착력이 상이하여, 각 발광 소자에서 방출되는 광속 역시 상이하다. 이에 따라, 일반적인 발광 소자 패키지는 백색 광의 균일도가 저하된다.
반면에, 도 8a 및 도 8b와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 인접한 발광 소자 사이에도 파장 변환 필름이 배치되어 복수 개의 발광 소자가 하나의 파장 변환 필름을 공유하므로, 발광 소자 패키지에서 균일하게 백색 광이 방출될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 적어도 두 개의 발광 소자가 하나의 파장 변환 필름을 공유하므로, 발광 소자 패키지에서 방출되는 색 균일도 및 색 특성이 향상된다. 그리고, 파장 변환 필름이 파장 변환 필름을 관통하는 하나 이상의 응력 완화 홀을 포함하여 이루어져, 발광 소자의 개수 및 크기가 증가하여 파장 변환 필름에 응력 및 열 팽창 정도의 차이가 발생하더라도 응력 완화 홀에 의해 이를 완화할 수 있다. 따라서, 파장 변환 필름 및 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상된다. 또한, 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 발광 소자의 측면을 감싸는 반사 부재를 배치하여, 발광 소자의 측면에서 방출되는 광에 의한 빛 샘을 방지하여 발광 소자의 성능이 향상될 수 있다.
상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 소자에서 발산되는 광을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
11: 발광 구조물 12: 제 1 반도체층
13: 활성층 14: 제 2 반도체층
15a: 제 1 절연층 15b: 제 2 절연층
16a: 제 1 전극 16b: 제 2 전극
17a: 제 1 전극 패드 17b: 제 2 전극 패드
100, 200: 기판 115a, 215a: 제 1 리드 프레임
115b, 215b: 제 2 리드 프레임 115c: 연결 전극
120a, 120b, 120c, 120d, 220a, 220b, 220c, 220d: 발광 소자
125, 225: 접착층 130: 230: 파장 변환 필름
130a, 230a: 제 1 영역 130b, 230b: 제 2 영역
140, 240: 응력 완화 홀 150, 250: 렌즈
215c: 제 3 리드 프레임 215d: 제 4 리드 프레임
215e: 제 5 리드 프레임 220: 와이어
260: 반사 부재

Claims (20)

  1. 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자;
    상기 적어도 두 개의 발광 소자 상에 배치되며, 상기 발광 소자와 중첩되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 이외의 제 2 영역을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름;
    인접한 상기 발광 소자 사이에 대응되는 영역에서 상기 파장 변환 필름을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀; 및
    상기 발광 소자와 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 덮도록 상기 기판 상에 배치되는 렌즈를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름의 두께는 50㎛ 내지 100㎛인 발광 소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름은 접착층을 통해 상기 발광 소자 상에 부착되는 발광 소자 패키지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접착층은 페닐계 실리콘과 메틸계 실리콘을 포함하는 발광 소자 패키지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접착층에 포함된 상기 페닐계 실리콘의 함량이 상기 메틸계 실리콘의 함량보다 낮은 발광 소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 응력 완화 홀은 상기 제 2 영역에 형성되며, 상기 파장 변환 필름의 중앙부에 형성된 발광 소자 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 응력 완화 홀의 직경은 40㎛ 내지 120㎛인 발광 소자 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 투명한 수지를 포함하며, 상기 수지가 상기 제 2 영역과 상기 기판 사이 및 상기 응력 완화 홀 내부에도 채워진 발광 소자 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름의 가장자리가 상기 발광 소자의 가장자리에서 돌출된 발광 소자 패키지.
  10. 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되어, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 발광 소자;
    상기 적어도 두 개의 발광 소자 상에 배치되며, 상기 발광 소자의 상부면과 중첩되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 이외의 제 2 영역을 포함하는 일체형의 파장 변환 필름;
    상기 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 상기 발광 소자의 측면을 감싸는 반사 부재;
    인접한 상기 발광 소자 사이에 대응되는 영역에서 상기 파장 변환 필름을 관통하는 적어도 하나의 응력 완화 홀; 및
    상기 발광 소자와 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 덮도록 상기 기판 상에 배치되는 렌즈를 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름의 두께는 50㎛ 내지 100㎛인 발광 소자 패키지.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름은 접착층을 통해 상기 발광 소자 상에 부착되는 발광 소자 패키지.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 접착층은 페닐계 실리콘과 메틸계 실리콘을 포함하는 발광 소자 패키지.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 접착층에 포함되는 상기 페닐계 실리콘의 함량이 상기 메틸계 실리콘의 함량보다 낮은 발광 소자 패키지.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 응력 완화 홀은 상기 제 2 영역에 형성되며, 상기 파장 변환 필름의 중앙부에 형성된 발광 소자 패키지.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 응력 완화 홀의 직경은 40㎛ 내지 120㎛인 발광 소자 패키지.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 노출된 상기 발광 소자의 측면을 완전히 감싸는 발광 소자 패키지.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 파장 변환 필름의 가장자리를 따라 노출된 상기 발광 소자의 측면을 감싸도록 부착된 필름 형태인 발광 소자 패키지.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 렌즈는 투명한 수지를 포함하며, 상기 수지는 상기 제 2 영역과 상기 기판 사이 및 상기 응력 완화 홀 내부에도 채워진 발광 소자 패키지.
  20. 제 10 항에 있어서,
    상기 파장 변환 필름의 가장자리가 상기 발광 소자의 가장자리에서 돌출된 발광 소자 패키지.
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